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      一種自供電p-sshi電路的制作方法

      文檔序號(hào):7389548閱讀:441來源:國(guó)知局
      一種自供電p-sshi電路的制作方法
      【專利摘要】本發(fā)明屬于能量、電源、微電子【技術(shù)領(lǐng)域】,涉及一種用壓電元件在環(huán)境中收集振動(dòng)能量的P-SSHI電路。其特征是該P(yáng)-SSHI電路在不需要電源情況下能較多的收集壓電元件的能量,與現(xiàn)有的壓電能量收集電路相比,該電路不僅適合在高振動(dòng)水平收集較多能量,也適合在低振動(dòng)水平有效收集能量,有效的提高了能量收集效率。
      【專利說明】-種自供電P-SSHI電路

      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001] 本發(fā)明屬于能量、電源【技術(shù)領(lǐng)域】,涉及一種能量收集電路。該發(fā)明可以用壓電元件 在振動(dòng)環(huán)境中收集能量,所收集的能量電路可以為人們?nèi)粘I钐峁┓奖恪?br>
      【背景技術(shù)】
      [0002] 在最近幾年中,節(jié)能減排、無線技術(shù)已經(jīng)滲透在生活中每一個(gè)角落。歸功于無線傳 感網(wǎng)絡(luò)與低功耗技術(shù)的進(jìn)步,能量收集器的研究和應(yīng)用日益廣泛。例如結(jié)構(gòu)健康監(jiān)測(cè),全球 定位系統(tǒng)等這些與日俱增的應(yīng)用便對(duì)能源的需求具有很大刺激。目前,環(huán)境中存在多種形 式的能量,其能量密度如表1所示。
      [0003] 表1環(huán)境中能量密度
      [0004]

      【權(quán)利要求】
      1. 一種基于自供電P-SSHI電路。其特征是該P(yáng)-SSHI電路在不需要電源情況下能較多 的收集壓電元件的能量,與現(xiàn)有的壓電能量收集電路相比,該電路不僅適合在高振動(dòng)水平 收集較多能量,也適合在低振動(dòng)水平有效收集能量,有效提高了能量收集效率。
      2. 根據(jù)權(quán)利1要求所述的一種基于自供電P-SSHI電路,所述P-SSHI電路包括2個(gè)檢 測(cè)器(檢測(cè)器1,檢測(cè)器2),2個(gè)MOS管(MOS管M1,M0S管M4),2個(gè)二極管(D3,D5),2個(gè)開 關(guān)器件(開關(guān)器件1,開關(guān)器件2),1個(gè)整橋電路。 所述檢測(cè)器1包括1個(gè)電阻Rl,1個(gè)二極管Dl,1個(gè)電容C1 ;所述檢測(cè)器2包括1個(gè)電 阻R2,1個(gè)二極管D2,1個(gè)電容C2 ;所述開關(guān)器件1包括1個(gè)二極管D4,1個(gè)MOS管M3 ;所 述開關(guān)器件2包括1個(gè)二極管D6,1個(gè)MOS管M2 ;所述整橋電路由4個(gè)二極管(D7, D8, D9, D10)構(gòu)成。 所述壓電片一端分別與電阻R1 -端,MOS管Ml柵極端,二極管D4正極端,二極管D6負(fù) 極端,MOS管M4的柵極端,電阻R2的一端,二極管D7的負(fù)極,二極管D8正極相連,電阻R1 另一端與二極管D1的正極相連,二極管D1的負(fù)極分別與MOS管(Ml)的源極端,電容(C1) 的一端相連,電容C1另一端分別與壓電片的另一端,電感L 一端,電容C2 -端,二極管D9 負(fù)極端,二極管D10正極端。所述MOS管Ml的漏極端與二極管D3的正極相連,所述二極管 D3負(fù)極端與MOS管M3的柵極端相連,所述MOS管M3的漏極端與二極管D4的負(fù)極端相連, 所述電感的另一端分別與MOS管M3的源極,MOS管M2的源極相連;所述MOS管M2的柵極 與二極管D5正極相連,所述MOS管的漏極與二極管D6正極相連;所述二極管D5負(fù)極與MOS 管M4漏極端相連,所述MOS管M4源極端分別與電容C2 -端,二極管D2的正極相連;所述 二極管D2的負(fù)極分別與電阻R2 -端相連;所述二極管D7正極,二極管D9正極都與地相 連,所述二極管D8負(fù)極,二極管D10負(fù)極都與輸出負(fù)載(電容C_ t或電容C_t與電阻RlMd 并聯(lián))一端相連。輸出負(fù)載(電容CMC;t或電容Crac;t與電阻RlMd并聯(lián))另一端與地相連。
      3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的P-SSHI電路,其特征在于,整橋電路中二極管選用正向 導(dǎo)通壓降小、反向截至電流小的二極管。
      4. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的P-SSHI電路,其特征在于,MOS管選用超低功耗型號(hào)。
      【文檔編號(hào)】H02N2/18GK104270033SQ201410497201
      【公開日】2015年1月7日 申請(qǐng)日期:2014年9月24日 優(yōu)先權(quán)日:2014年9月24日
      【發(fā)明者】闞江明, 龐帥, 李文彬 申請(qǐng)人:北京林業(yè)大學(xué)
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