電壓轉(zhuǎn)換器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種電壓轉(zhuǎn)換器。實(shí)施例描述了一種電壓轉(zhuǎn)換器和用于運(yùn)行該電壓轉(zhuǎn)換器的方法。在一個(gè)實(shí)施例中，電壓轉(zhuǎn)換器包括初級(jí)路徑，該初級(jí)路徑被配置為由輸入直流(DC)電壓生成脈沖調(diào)制電壓或脈沖調(diào)制電流；具有感應(yīng)地耦接在一起的m≥1個(gè)初級(jí)繞組和n≥2個(gè)次級(jí)繞組的變壓器布置，該m個(gè)初級(jí)繞組連接至初級(jí)路徑；以及被配置為輸出脈沖直流電壓的次級(jí)路徑；其中，該次級(jí)路徑包括串聯(lián)連接的n個(gè)電容和n個(gè)次級(jí)可控半導(dǎo)體開關(guān)；并且該n個(gè)次級(jí)繞組中的每一個(gè)次級(jí)繞組通過次級(jí)可控半導(dǎo)體開關(guān)中的至少一個(gè)開關(guān)連接電容器中的至少一個(gè)電容器。
【專利說明】電壓轉(zhuǎn)換器

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本公開涉及電壓轉(zhuǎn)換器，特別是雙向電壓轉(zhuǎn)換器。

【背景技術(shù)】
[0002]反激(flyback)轉(zhuǎn)換器與在輸入端和輸出端之間的電隔離(galvanicisolat1n)被用于交流電(AC)到直流電(DC)的轉(zhuǎn)換和DC到DC的轉(zhuǎn)換兩者中。電隔離和電壓轉(zhuǎn)換通過變壓器完成，該變壓器的初級(jí)繞組交替地連接至輸入電壓源和與該輸入電壓源斷開連接，并且其次級(jí)繞組通過整流二極管(rectifying d1de)提供輸出電壓給輸出電容器。運(yùn)行中的反激轉(zhuǎn)換器有兩種狀態(tài)。在接通狀態(tài)(on-state)下，能量從輸入電壓源轉(zhuǎn)移至變壓器并且輸出電容器提供能量給輸出端負(fù)載(output load)。在關(guān)斷狀態(tài)(off-state)下，能量從變壓器轉(zhuǎn)移至輸出電容器負(fù)載和輸入端負(fù)載。由于輸出二極管阻斷了一個(gè)方向上的電流，如上所述的常見反激轉(zhuǎn)換器不能夠提供無功功率(reactive power)，即具有負(fù)電流的正電壓或者具有正電流的負(fù)電壓。
[0003]雙向反激轉(zhuǎn)換器能夠提供無功功率，因?yàn)?高電壓)二極管被允許電流在兩個(gè)方向上流通的(高電壓)開關(guān)代替。在雙向反激轉(zhuǎn)換器中，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(M0SFET, metal oxide semiconductor field-effect transistor)通常作為高電壓開關(guān)使用。然而，高電壓MOSFET具有比低電壓MOSFET的導(dǎo)通狀態(tài)電阻(on-state resistance)更高的導(dǎo)通狀態(tài)電阻，并且用于高電壓MOSFET的最高電壓為1000V。因此，亟需改進(jìn)的具有MOSFET的高電壓雙向反激轉(zhuǎn)換器。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，一種電壓轉(zhuǎn)換器包括:初級(jí)路徑，該初級(jí)路徑被配置為由輸入的直流(DC)電壓生成脈沖調(diào)制(pulse modulated)電壓或脈沖調(diào)制電流；變壓器布置，其具有感應(yīng)地耦接在一起的m ^ I個(gè)初級(jí)繞組和η > 2個(gè)次級(jí)繞組，該m個(gè)初級(jí)繞組被連接至初級(jí)路徑；以及被配置為輸出脈沖直流電壓的次級(jí)路徑；其中，該次級(jí)路徑包括η個(gè)串聯(lián)連接的電容和η個(gè)次級(jí)可控半導(dǎo)體開關(guān)；并且該η個(gè)次級(jí)繞組中的每一個(gè)次級(jí)繞組均通過次級(jí)可控半導(dǎo)體開關(guān)中的至少一個(gè)開關(guān)被連接至電容器中的至少一個(gè)電容器。
[0005]通過對(duì)以下附圖和【具體實(shí)施方式】的檢查，其他的系統(tǒng)、方法、特征和優(yōu)點(diǎn)對(duì)本領(lǐng)域的技術(shù)人員將會(huì)很明顯或者將會(huì)變得明顯。所以這些另外的系統(tǒng)、方法、特征和優(yōu)點(diǎn)旨在被本說明書、本發(fā)明的范圍所包括，并且受到所附權(quán)利要求的保護(hù)。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0006]通過參考下面的附圖和【具體實(shí)施方式】本系統(tǒng)可更容易被理解。附圖中的部件不一定是按比例的，重點(diǎn)反而是放在說明本發(fā)明的原理上。此外，在附圖中，類似的附圖標(biāo)記在整個(gè)附圖中指對(duì)應(yīng)的部分。
[0007]圖1是使用低電壓半導(dǎo)體開關(guān)的具有無功能力(reactive power capability)的雙向反激開關(guān)式轉(zhuǎn)換器(switched mode)的電路圖；
[0008]圖2是具有另外的軟換相網(wǎng)絡(luò)(soft commutat1n network)的依照?qǐng)D1的雙向反激開關(guān)式轉(zhuǎn)換器的電路圖；
[0009]圖3是說明隨著時(shí)間的初級(jí)電流、次級(jí)電流和軟換相電流的不意圖；
[0010]圖4是具有兩個(gè)變壓器的替代變壓器結(jié)構(gòu)，該變壓器的初級(jí)繞組串聯(lián)連接；以及
[0011]圖5是具有兩個(gè)變壓器的替代變壓器結(jié)構(gòu)，該變壓器的初級(jí)繞組并聯(lián)連接。

【具體實(shí)施方式】
[0012]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的具有無功能力雙向反激開關(guān)式轉(zhuǎn)換器在圖1中被示意性地示出。圖1的轉(zhuǎn)換器包括變壓器1，變壓器I具有形成初級(jí)路徑2的部分的初級(jí)側(cè)的和形成次級(jí)路徑3的部分的次級(jí)側(cè)。該初級(jí)側(cè)具有初級(jí)繞組4并且該次級(jí)側(cè)具有兩個(gè)次級(jí)繞組5和次級(jí)繞組6。此外，初級(jí)路徑2包括可控開關(guān)7 (在本示例中是M0SFET，比如η型耗盡型MOSFET (NM0SFET))、電容器8和用于控制開關(guān)7的控制電路9。開關(guān)7和初級(jí)繞組4串聯(lián)連接，并且該串聯(lián)連接與電容器8并聯(lián)連接。在本示例中，電容器8將由DC電流源10 (比如，光電元件)供應(yīng)的電流轉(zhuǎn)換成DC電壓，從而DC電流源10和電容器形成DC電壓源。該DC電壓由開關(guān)7斬波(chopped)并且被提供給初級(jí)繞組4。
[0013]初級(jí)路徑2進(jìn)一步包括開關(guān)11 (例如，由控制電路9控制的NM0SFET)和串聯(lián)連接的電容器12，且該串聯(lián)連接與變壓器I的初級(jí)繞組4并聯(lián)。當(dāng)開關(guān)7被關(guān)斷時(shí)，開關(guān)11被打開。泄漏能量(leakage energy)穿過開關(guān)11被轉(zhuǎn)移至電容器12，并且電容器12兩端的電壓被用于使變壓器I復(fù)位。結(jié)果是，開關(guān)7兩端的電壓被箝制(clamped)。
[0014]次級(jí)通路3包括在兩個(gè)次級(jí)繞組5和次級(jí)繞組6旁邊的兩個(gè)開關(guān)13和開關(guān)14 (例如由控制電路9控制的NM0SFET)，該兩個(gè)開關(guān)中的每一個(gè)開關(guān)與次級(jí)繞組5和次級(jí)繞組6中的一個(gè)串聯(lián)連接。次級(jí)路徑3進(jìn)一步包括串聯(lián)連接的兩個(gè)電容器15、16。電容器15與開關(guān)13和次級(jí)繞組5的串聯(lián)連接并聯(lián)連接，并且電容器16開關(guān)14和次級(jí)繞組6的串聯(lián)連接并聯(lián)連接。開關(guān)7被控制為提供正弦脈沖寬度調(diào)制(sine pulse width modulat1n),以在次級(jí)繞組5和次級(jí)繞組6以及對(duì)應(yīng)的開關(guān)13和開關(guān)14中生成50Hz (或者60Hz)的整流過的正弦電流。圖1示出了在繞組5之上、在次級(jí)側(cè)上的整流過的正弦電流的電壓-時(shí)間圖。每當(dāng)開關(guān)7接通，開關(guān)13和開關(guān)14被關(guān)斷，反之亦然。開關(guān)13和開關(guān)14充當(dāng)具有減少的導(dǎo)通損耗的有源二極管。電容器15和電容器16具有足夠小的電容,從而該電流的形狀未被失真(distorted)。目的是為了轉(zhuǎn)移高頻載波電流脈沖(carrier current pulse)和使電流平滑到其預(yù)期頻率:50Hz或60Hz。開關(guān)11與電容器12和變壓器I的漏電感((leakageinductance)),形成軟切換網(wǎng)絡(luò)(soft-switching network),以促進(jìn)開關(guān)7的軟切換(零電壓切換)(損耗較小打開)。
[0015]為了提供DC-AC轉(zhuǎn)換，電容器15和電容器16的串聯(lián)連接之上的脈沖DC電壓通過切換交替地輸出反相脈沖和未反相脈沖的H橋被展開(unfolded)。H橋包括由控制電路9控制的四個(gè)開關(guān)17-20 (NM0SFET)，在橋的配置中在H結(jié)構(gòu)的每條腿中具有開關(guān)17-20其的一個(gè)開關(guān)。橋結(jié)構(gòu)是一種類型的電路結(jié)構(gòu)，在橋結(jié)構(gòu)中彼此并聯(lián)的兩個(gè)電路支路通過第三支路(例如，在某一中間點(diǎn)處在第一個(gè)兩個(gè)支路之間連接的負(fù)載，該中間點(diǎn)將每個(gè)支路的兩條腿彼此分離)“橋接(bridged) ”。將整流過的電流展開為不具有DC電平的AC電流的開關(guān)17-20被控制為能夠使電壓或者電流在任一方向上被施加至負(fù)載的兩端,其中一個(gè)支路中的開關(guān)從不同時(shí)被閉合。
[0016]如圖1所示的雙向反激轉(zhuǎn)換器可形成用于具有無功能力的太陽能微反相器(solar micro-1nverter)的基礎(chǔ)。例如，反激轉(zhuǎn)換器的次級(jí)路徑可被修改，以使能夠通過以高電壓M0SFET13和M0SFET14代替整流二極管而吸收負(fù)電流。次級(jí)繞組被分裂成按二劃分輸出電壓的兩個(gè)繞組，例如允許650V電壓類(voltage-class)MOSFET在1200V次級(jí)路徑中被用作同步整流器(synchronous rectifier)。輔助開關(guān)11和箝位電容器(clampingcapacitor) 12與變壓器I的漏電感，形成為開關(guān)7提供零電壓切換(ZVS, zero-voltageswitching)接通的有源箝位網(wǎng)絡(luò)(active-clamp network)。
[0017]在本示例中，ZCS如下工作。每當(dāng)開關(guān)7斷開，在變壓器漏電感中的能量被存儲(chǔ)在存儲(chǔ)的電壓高于繞組4中的存儲(chǔ)電壓的電容器12中。在每次開關(guān)7被打開之前，開關(guān)11首先被打開一小段時(shí)間，并且電容器11中的電壓加上輸入電壓被施加給繞組4。然后，繞組4中的該施加電壓和整流過的電壓之差被施加在漏電感上。任何，電流以流向繞組4的方向流經(jīng)漏電感。開關(guān)11然后被關(guān)閉，并且流入漏電感中的電流對(duì)開關(guān)7的輸出電荷(Qoss)進(jìn)行放電，強(qiáng)制使開關(guān)7和初級(jí)繞組4之間的電壓轉(zhuǎn)向零。一旦漏極電壓為零，開關(guān)7以零電壓切換被打開。
[0018]在無功中，開關(guān)13和開關(guān)14作為控制開關(guān)運(yùn)行，并且開關(guān)7作為有源二極管運(yùn)行。能量從輸出端流向輸入端。施加給開關(guān)13和開關(guān)14的調(diào)制方案還可以是正弦脈沖寬度調(diào)制。
[0019]現(xiàn)在參考圖2所示的轉(zhuǎn)換器，其中，控制換相的電路(由黑色區(qū)域表示)被加入圖1所示的反激轉(zhuǎn)換器中。該電路包括串聯(lián)連接至初級(jí)繞組(例如，初級(jí)繞組的已存在的電感)的電感器21和兩個(gè)次級(jí)繞組稱接的兩個(gè)軟換相網(wǎng)絡(luò)(soft commutat1n network)。每個(gè)軟換相網(wǎng)絡(luò)可包括換相電感22a或22b、第一換相二極管23a或23b以及換相電容器24a或24b的串聯(lián)連接，該串聯(lián)連接與各次級(jí)可控半導(dǎo)體開關(guān)13或14并聯(lián)連接，并且該換相電感被連接至次級(jí)可控半導(dǎo)體開關(guān)13或14和η個(gè)電容器15和16中的相應(yīng)的一個(gè)。第二換相二極管25a或25b可在第一換相二極管23a或23b和換相電容器24a或24b之間的節(jié)點(diǎn)以及相應(yīng)的次級(jí)繞組5或6和η個(gè)電容器15或16中的相應(yīng)的一個(gè)之間的節(jié)點(diǎn)之間連接。
[0020]高電壓MOSFET具有比例如碳化娃結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET, junct1n field effecttransistor)更高的反向恢復(fù)電荷(Qrr)和更高的輸出電荷(Qoss)。當(dāng)該轉(zhuǎn)換器在恒向電路模式(CCM, continuous current mode)下運(yùn)行，Qoss和Qrr可增加開關(guān)7的接通損耗(turn-on loss)。此外,次級(jí)側(cè)的高電壓MOSFET可受制于它們的體二極管的硬換相(hardcommutat1n),每當(dāng)開關(guān)7以高頻接通時(shí)可導(dǎo)致?lián)p毀這些器件。
[0021]如上結(jié)合圖2所描述的軟換相網(wǎng)絡(luò)克服了上面提到的問題。電感器21在此有兩個(gè)目的。它為開關(guān)7提供ZVS，正如在具有開關(guān)11和電容器12的有源箝位拓?fù)渲校⑶姨嵘唠妷篗OSFET的體二極管的軟換相。在體二極管軟換相期間，恢復(fù)其Qrr所需的另外的電流和對(duì)高電壓MOSFET進(jìn)行充電的Qoss被收集電感器21中。二極管23a和23b與電容器24a和24b —起，通過變壓器I分別地提供通向電感21中的被收集的能量的路徑和對(duì)該被收集的能量進(jìn)行存儲(chǔ)。隨著開關(guān)7斷開，現(xiàn)在存儲(chǔ)在電容器24a和24b中的與Qrr和Qoss相關(guān)聯(lián)的能量在高電壓MOSFET導(dǎo)通之前被隨后通過二極管25a和25b送回至輸出端。在無功處理模式下，電感器22a和22b為開關(guān)13和14提供零電流接通。
[0022]如上所述，如圖2所示的微逆變器包括具有電壓箝位網(wǎng)絡(luò)(開關(guān)11、箝位電容器12和電感器21)的雙向反激轉(zhuǎn)換器，以為開關(guān)7提供ZVS。該轉(zhuǎn)換器次級(jí)側(cè)可使用兩個(gè)或者多個(gè)通過開關(guān)13和14可串聯(lián)連接的相同的次級(jí)繞組電路，當(dāng)開關(guān)7充當(dāng)同步整流器時(shí)，該開關(guān)在處理有功時(shí)充當(dāng)同步整流開關(guān)或者在處理無功時(shí)充當(dāng)控制開關(guān)。次級(jí)繞組電路被串聯(lián)連接，以匹配電源的高電壓而且利用較原本需要單個(gè)輸出級(jí)(例如，1200V開關(guān))低的低電壓MOSFET (650V)。軟換相網(wǎng)絡(luò)軟化高電壓MOSFET體二極管的換相，避免其破壞。原先被收集電感21中的、與該軟換相有關(guān)的能量(與高電壓MOSFET的Qrr和Qoss相關(guān)聯(lián)的)被恢復(fù)并且存儲(chǔ)在電容器24a和24b中，并且然后一旦開關(guān)7打開被發(fā)送至輸出端。
[0023]圖3示出了變壓器初級(jí)電流Ip和次級(jí)電流Is隨著時(shí)間t的仿真結(jié)果，突出顯示了與高電壓MOSFET的Qrr和Qoss有關(guān)的能量，即軟換相電流See。
[0024]圖4和圖5示出了可替代變壓器I的轉(zhuǎn)換電路。在圖4所示的電路中，采用兩個(gè)變壓器26和變壓器27，其具有每個(gè)一個(gè)次級(jí)繞組和一個(gè)次級(jí)繞組，其中變壓器26和變壓器27的初級(jí)繞組串聯(lián)連接。在圖5所示的電路中，兩個(gè)變壓器26和變壓器27的初級(jí)繞組并聯(lián)連接。然而，具有不同數(shù)量變壓器、不同數(shù)量初級(jí)繞組、不同數(shù)量次級(jí)繞組和不同連接結(jié)構(gòu)的任何其他體系結(jié)構(gòu)(constellat1n)都適用。
[0025]如上所述的轉(zhuǎn)換器能被用于AC-DC和DC-DC電壓轉(zhuǎn)換。對(duì)在低功率范圍以及高功率范圍中的應(yīng)用都適用。任何開關(guān)器件、電感器器件、二極管器件或電容器器件能用可并聯(lián)連接或串聯(lián)連接的一定數(shù)量的各器件代替。初級(jí)控制和次級(jí)控制可彼此獨(dú)立，或取決于彼此，例如通過許多控制器或者僅單個(gè)控制器(如圖所示)執(zhí)行。如上所述的示例中，控制電路9提供用于所有開關(guān)的信號(hào)。開關(guān)7、13和14可如在通常的雙向反激轉(zhuǎn)換器中一樣進(jìn)行控制，并且開關(guān)17-20可如在通常的H橋電路一樣進(jìn)行控制。
[0026]代替基于娃材料的M0SFET,可采用使用寬帶隙(wide-band gap)材料(比如,氮化鎵、碳化硅、氧化鋅)或任何其他合適材料的晶體管。
[0027]再參考圖1，所示的轉(zhuǎn)換器通過省去展開橋(開關(guān)17-20)并且使用電容器15和16的相應(yīng)端連接DC負(fù)載(或高電壓電池)，能夠簡單地被作為DC/DC轉(zhuǎn)換器運(yùn)行。對(duì)于遞升(step-up) DC/DC轉(zhuǎn)換器,輸入電源10可能是DC電流源(比如,光伏板(photovoltaicpanel))或者電壓源(比如，電池或者電池組)或燃料電池(fuel cell)。
[0028]在DC/DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中，輸出電容器15和16大于上述的微反相器的電容，以在輸出端處具有小波動(dòng)的、恒定電壓源，然而在微反相器應(yīng)用中，該電容器的目的是將高頻電流從輸出端轉(zhuǎn)移，從而將僅接受50Hz或60Hz的電流。
[0029]此外，其他的變化和替代也是可能的。例如，如對(duì)本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將顯而易見的，其他的電路元件可以被添加到上面所討論的特定電路實(shí)施例中，或者可以用作其中的替代品，比如其他類型的開關(guān)裝置、其它類型的控制單位等。此外，本發(fā)明可以在大范圍的不同的應(yīng)用中使用。
[0030]雖然對(duì)本發(fā)明的各種實(shí)施例進(jìn)行了描述，但顯然對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在本發(fā)明的范圍之內(nèi)可能有更多的實(shí)施例和實(shí)施。因此，本發(fā)明除根據(jù)所附權(quán)利要求及其等同物之外不被限制。
【權(quán)利要求】
1.一種電壓轉(zhuǎn)換器,包括: 初級(jí)路徑，其被配置為由輸入直流(DC)電壓生成脈沖調(diào)制電壓或脈沖調(diào)制電流； 變壓器布置，其具有感應(yīng)地耦接在一起的m ^ I個(gè)初級(jí)繞組和n ^ 2個(gè)次級(jí)繞組，所述m個(gè)初級(jí)繞組被連接至所述初級(jí)路徑；以及 次級(jí)路徑，其被配置為輸出脈沖直流(DC)電壓或脈沖直流電流； 其中，所述次級(jí)路徑包括η個(gè)串聯(lián)連接的電容器和η個(gè)次級(jí)可控半導(dǎo)體開關(guān)；以及 所述η個(gè)次級(jí)繞組中的每一個(gè)次級(jí)繞組均通過所述次級(jí)可控半導(dǎo)體開關(guān)中的至少一個(gè)次級(jí)可控半導(dǎo)體開關(guān)被連接至所述電容器中的至少一個(gè)電容器。
2.如權(quán)利要求1所述的電壓轉(zhuǎn)換器，其中所述變壓器布置包括具有m個(gè)初級(jí)繞組和η個(gè)次級(jí)繞組的一個(gè)變壓器。
3.如權(quán)利要求1所述的電壓轉(zhuǎn)換器，其中所述變壓器布置包括m個(gè)變壓器，每個(gè)變壓器具有一個(gè)初級(jí)繞組和一個(gè)次級(jí)繞組。
4.如權(quán)利要求1所述的電壓轉(zhuǎn)換器，其中所述m個(gè)初級(jí)繞組串聯(lián)連接、或并聯(lián)連接或者部分地串聯(lián)連接且部分地并聯(lián)連接。
5.如權(quán)利要求1所述的電壓轉(zhuǎn)換器，其中所述可控半導(dǎo)體開關(guān)中的至少一個(gè)可控半導(dǎo)體開關(guān)是金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)，或者是使用寬帶隙材料的晶體管。
6.如權(quán)利要求1所述的電壓轉(zhuǎn)換器，進(jìn)一步包括電路結(jié)構(gòu)，所述電路結(jié)構(gòu)被配置為生成在所述次級(jí)路徑和所述初級(jí)路徑之間的雙向功率流(power flow)。
7.如權(quán)利要求6所述的電壓轉(zhuǎn)換器，其中所述電路結(jié)構(gòu)為反激式結(jié)構(gòu)。
8.如權(quán)利要求1所述的電壓轉(zhuǎn)換器，其中所述次級(jí)路徑被配置為生成包括無功分量和有功分量的交流(AC)電壓。
9.如權(quán)利要求8所述的電壓轉(zhuǎn)換器， 其中所述次級(jí)路徑包括在H橋配置中的四個(gè)另外的可控半導(dǎo)體開關(guān)，以將脈沖直流電電流展開為交流電電流。
10.如權(quán)利要求1所述的電壓轉(zhuǎn)換器，其中所述脈沖DC電壓具有至少1000V的峰值電壓。
11.如權(quán)利要求1所述的電壓轉(zhuǎn)換器，進(jìn)一步包括:n個(gè)軟換相網(wǎng)絡(luò)，每個(gè)換相網(wǎng)絡(luò)并聯(lián)連接至所述η個(gè)次級(jí)可控半導(dǎo)體開關(guān)中的一個(gè)次級(jí)可控半導(dǎo)體開關(guān)。
12.如權(quán)利要求11所述的電壓轉(zhuǎn)換器，其中所述η個(gè)軟換相網(wǎng)絡(luò)中的每個(gè)軟換相網(wǎng)絡(luò)包括: 換相電感、第一換相二級(jí)管和換相電容器的串聯(lián)連接，所述串聯(lián)連接與相應(yīng)的所述次級(jí)可控半導(dǎo)體開關(guān)并聯(lián)連接，并且所述換相電感連接至所述次級(jí)可控半導(dǎo)體開關(guān)和所述η個(gè)電容器中相應(yīng)的一個(gè)電容之間的節(jié)點(diǎn)；以及 第二換相二極管，其在所述第一換相二級(jí)管和所述換相電容器之間的所述節(jié)點(diǎn)與相應(yīng)的所述次級(jí)繞組和所述η個(gè)電容器中相應(yīng)的一個(gè)電容器之間的節(jié)點(diǎn)之間連接。
13.如權(quán)利要求11所述的電壓轉(zhuǎn)換器，其中所述次級(jí)路徑包括第一初級(jí)可控半導(dǎo)體開關(guān)，所述第一初級(jí)可控半導(dǎo)體開關(guān)被配置為將所述單個(gè)初級(jí)繞組切換至輸入直流電壓。
14.如權(quán)利要求13所述的電壓轉(zhuǎn)換器，其中初級(jí)電感被串聯(lián)連接至所述第一初級(jí)可控半導(dǎo)體開關(guān)。
15.如權(quán)利要求1所述的電壓轉(zhuǎn)換器，其中所述初級(jí)路徑包括被配置為將所述初級(jí)繞組切換至輸入DC電壓的第一初級(jí)可控半導(dǎo)體開關(guān)。
16.如權(quán)利要求15所述的電壓轉(zhuǎn)換器，其中初級(jí)電感串聯(lián)連接至所述第一初級(jí)可控半導(dǎo)體開關(guān)。
17.如權(quán)利要求1所述的電壓轉(zhuǎn)換器，其中所述初級(jí)路徑包括第二初級(jí)可控半導(dǎo)體開關(guān)，所述第二初級(jí)可控半導(dǎo)體開關(guān)被配置為將初級(jí)電容器切換至與所述單個(gè)初級(jí)繞組并聯(lián)。
18.權(quán)利要求1所述的電壓轉(zhuǎn)換器，其中所述初級(jí)路徑包括第二初級(jí)可控半導(dǎo)體開關(guān)，所述第二初級(jí)半導(dǎo)體可控開關(guān)配置為將初級(jí)電容器切換至與所述初級(jí)繞組并聯(lián)。
【文檔編號(hào)】H02M3/335GK104518671SQ201410498534
【公開日】2015年4月15日 申請(qǐng)日期:2014年9月25日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月30日
【發(fā)明者】C·A·布拉茲 申請(qǐng)人:英飛凌科技奧地利有限公司