大功率電機可控硅無級調(diào)速裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種大功率電機可控硅無級調(diào)速裝置，其特征包括：220V交流電源、阻容移相及雙向可控硅控制電路、兩只單向可控硅反向并聯(lián)控制電路、阻容吸收電路；阻容移相及雙向可控硅控制電路由雙向可控硅BCR、線性電位器RP、電阻R1、電容C1和雙向觸發(fā)二級管KS組成；兩只單向可控硅反向并聯(lián)控制電路由單向可控硅SCR1、單向可控硅SCR2反向并聯(lián)和電機M組成；所述的阻容吸收電路由電阻R2、電容C2和壓敏電阻RV組成。本發(fā)明所述的大功率電機可控硅無級調(diào)速裝置制作僅花幾元錢，該調(diào)速裝置使用可控硅模塊，它可以控制工作電流≤100A的電機調(diào)速。本發(fā)明也可用于220V交流電供電的用電設備調(diào)壓。
【專利說明】大功率電機可控硅無級調(diào)速裝置

【技術(shù)領域】
[0001]本發(fā)明屬于電子與溫度控制【技術(shù)領域】，是關(guān)于一種大功率電機可控硅無級調(diào)速裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]一般大功率可控硅觸發(fā)電路都比較復雜，而且有些元器件價格昂貴。本發(fā)明所述的大功率電機可控硅無級調(diào)速裝置制作僅花幾元錢，該調(diào)速裝置使用可控硅模塊，它可以控制工作電流< 100A的電機調(diào)速，如:用于大功率鼓風機無級調(diào)速。本發(fā)明所述的大功率電機可控硅無級調(diào)速裝置也可用于220V交流電供電的用電設備調(diào)壓。
[0003]本發(fā)明所述的大功率電機可控硅無級調(diào)速裝置具有電路結(jié)構(gòu)簡潔，全部使用普通元器件，適合用于工廠批量開發(fā)具有調(diào)速功能的新型大功率電機。
[0004]以下詳細說明本發(fā)明所述的大功率電機可控硅無級調(diào)速裝置在實施過程中所涉及必要的、關(guān)鍵性技術(shù)內(nèi)容。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]發(fā)明目的及有益效果:一般大功率可控硅觸發(fā)電路都比較復雜，而且有些元器件價格昂貴。本發(fā)明所述的大功率電機可控硅無級調(diào)速裝置制作僅花幾元錢，該調(diào)速裝置使用可控硅模塊，它可以控制工作電流< 100A的電機調(diào)速，如:用于大功率鼓風機無級調(diào)速。本發(fā)明所述的大功率電機可控硅無級調(diào)速裝置也可用于220V交流電供電的用電設備調(diào)壓。
[0006]電路工作原理:將兩只單向可控硅SCRl、SCR2反向并聯(lián)，再將控制電路與觸發(fā)電路連接組成一個大功率無級調(diào)速電路。該電路的獨特之處在于:可控硅控制極不需外加電源，只要將用電設備與本電路串聯(lián)后接通220V交流電源后，兩只單向可控硅控制極與各自的陰極之間便產(chǎn)生5?8V脈動直流電壓，調(diào)節(jié)線性電位器RP即可改變兩只單向可控硅SCR1、SCR2的導通角，增加線性電位器RP的阻值到一定程度，便可使兩只單向可控硅阻斷。因此，線性電位器RP還可起開關(guān)的作用。該電路另一個特點是兩只單向可控硅交替導通，一個正向壓降就是另一個反向壓降，因而不存在反向擊穿問題。但當外加電壓瞬時超過阻斷電壓時，單向可控硅SCRl、SCR2會誤導通，導通程度由電位器RP決定。雙向可控硅BCR與周圍元件構(gòu)成移相觸發(fā)電路。
[0007]本裝置用于感性負載時，增加電阻R2，電容C2阻容吸收電路及壓敏電阻RV用作過壓保護，防止感性負載斷開或接通瞬間產(chǎn)生很高的感應電壓而損壞單向可控硅。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0008]附圖1是本發(fā)明提供的大功率電機可控硅無級調(diào)速裝置一個實施例的電路工作原理圖。

【具體實施方式】
[0009]按照附圖1所示的大功率電機可控硅無級調(diào)速裝置電路工作原理圖和【專利附圖】

【附圖說明】，并按照
【發(fā)明內(nèi)容】
所述的各部分電路中元器件之間連接關(guān)系，以及實施方式中所述的元器件技術(shù)參數(shù)要求和電路制作要點進行實施即可實現(xiàn)本發(fā)明，以下結(jié)合實施例對本發(fā)明的相關(guān)技術(shù)作進一步的描述。
[0010]技術(shù)方案:大功率電機可控硅無級調(diào)速裝置，它包括220V交流電源、阻容移相及雙向可控硅控制電路、兩只單向可控硅反向并聯(lián)控制電路、阻容吸收電路，其特征在于:
[0011 ] 阻容移相及雙向可控硅控制電路:它由雙向可控硅BCR、線性電位器RP、電阻Rl、電容Cl和雙向觸發(fā)二級管KS組成，雙向觸發(fā)二級管KS —端接雙向可控硅BCR控制極G，雙向觸發(fā)二級管KS另一端通過電阻Rl接電容Cl 一端和線性電位器RP —端，電容Cl另一端接雙向可控硅BCR第一陽極Tl，線性電位器RP另一端及其活動臂接雙向可控硅BCR第二陽極T2 ；
[0012]兩只單向可控硅反向并聯(lián)控制電路:它由單向可控硅SCR1、單向可控硅SCR2反向并聯(lián)和電機M組成，單向可控硅SCRl控制極接雙向可控硅BCR第一陽極TI，單向可控硅SCRl的陰極接單向可控硅SCR2的陽極和電機M的一端，單向可控硅SCR2控制極接雙向可控硅BCR的第二陽極T2，單向可控硅SCRl的陽極和單向可控硅SCR2陰極接220V交流電源零線端N，電機M的另一端接220V交流電源火線端L ；
[0013]阻容吸收電路:它由電阻R2、電容C2和壓敏電阻RV組成，電阻R2 —端接電容C2一端，電阻R2另一端接壓敏電阻RV —端和220V交流電源零線端N，電容C2另一端接單向可控硅SCRl的陰極和壓敏電阻RV另一端。
[0014]元器件的技術(shù)參數(shù)及選擇要求
[0015]BCR為雙向可控硅，選用600V的雙向可控硅，其型號為BT136或3CTSI或DB3 ；
[0016]單向可控硅SCRl、SCR2選用可控硅模塊，技術(shù)參數(shù)為110A/600V ；
[0017]KS為雙向觸發(fā)二極管，選用的型號為BCR3AM，或者選用2CTS ；
[0018]電阻全部選用RTX-1型功率為IW金屬膜電阻，電阻Rl的阻值為1K Ω ;電阻R2的阻值為100 Ω ;線性電位器RP的阻值為330ΚΩ ；
[0019]電容Cl選用滌綸電容，容量為0.22 μ F、要求電容Cl的耐壓彡400V ；
[0020]電容C2選用滌綸電容，容量為0.1 μ F、要求電容C2的耐壓彡400V。
[0021]電路制作要點及電路調(diào)試
[0022]在制作大功率電機可控硅無級調(diào)速裝置的電路時，只要選用的電子元器件性能完好，并按照說明書附圖中的元器件連接關(guān)系進行焊接，物理連接線及焊接質(zhì)量經(jīng)過仔細檢查無誤后，電路只要稍加調(diào)試就可正常工作；
[0023]在電路調(diào)試時，調(diào)節(jié)線性電位器RP的阻值置于中間值，使電機M上的交流電電壓在140?210V之間變化，若交流電電壓變化區(qū)間不合適，可適當調(diào)整阻容移相電路中的電阻Rl或電容Cl的技術(shù)參數(shù)。
[0024]本發(fā)明的電路元器件布局、電路結(jié)構(gòu)設計、它的外觀的形狀及尺寸大小等均不是制作本發(fā)明的關(guān)鍵技術(shù)，也不是本發(fā)明要求保護的技術(shù)特征，故不在說明書中一一說明。
【權(quán)利要求】
1.一種大功率電機可控硅無級調(diào)速裝置，它包括220V交流電源、阻容移相及雙向可控硅控制電路、兩只單向可控硅反向并聯(lián)控制電路、阻容吸收電路，其特征在于: 阻容移相及雙向可控硅控制電路由雙向可控硅BCR、線性電位器RP、電阻R1、電容Cl和雙向觸發(fā)二級管KS組成，雙向觸發(fā)二級管KS —端接雙向可控硅BCR的控制極G，雙向觸發(fā)二級管KS另一端通過電阻Rl接電容Cl 一端和線性電位器RP —端，電容Cl另一端接雙向可控硅BCR第一陽極Tl，線性電位器RP另一端及其活動臂接雙向可控硅BCR第二陽極T2 ；兩只單向可控硅反向并聯(lián)控制電路由單向可控硅SCR1、單向可控硅SCR2反向并聯(lián)和電機M組成，單向可控硅SCRl的控制極接雙向可控硅BCR第一陽極TI，單向可控硅SCRl的陰極接單向可控硅SCR2的陽極和電機M的一端，單向可控硅SCR2的控制極接雙向可控硅BCR的第二陽極T2，單向可控硅SCRl陽極和單向可控硅SCR2陰極接220V交流電源零線端N，電機M的另一端接220V交流電源火線端L ； 所述的阻容吸收電路由電阻R2、電容C2和壓敏電阻RV組成，電阻R2 —端接電容C2 —端，電阻R2另一端接壓敏電阻RV —端和220V交流電源零線端N，電容C2另一端接單向可控硅SCRl的陰極和壓敏電阻RV另一端。
【文檔編號】H02P23/00GK104300869SQ201410621389
【公開日】2015年1月21日 申請日期:2014年11月5日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月5日
【發(fā)明者】黃宇嵩 申請人:黃宇嵩