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      一種高頻有源整流裝置制造方法

      文檔序號:7399430閱讀:139來源:國知局
      一種高頻有源整流裝置制造方法
      【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種高頻有源整流裝置,包括由四個N溝道增強(qiáng)型MOS管兩兩G極電聯(lián)形成第一組合第二組后;第一組的S極與第二組S的極對應(yīng)相連;所述第一組的上N溝道增強(qiáng)型MOS管和第二組的下N溝道增強(qiáng)型MOS管的D極連接有高頻變壓器第一次級和高頻變壓器第二次級的同名端;所述高頻變壓器第一次級和高頻變壓器第二次級的異名端分別電連接第一組的上N溝道增強(qiáng)型MOS管和第二組的下N溝道增強(qiáng)型MOS管的S極;所述交流輸入端口外圍安裝有電流鑒相器;所述電流鑒相器一端連接有電阻;電阻分別連接電源和第一電壓比較器的同向端。本實(shí)用新型的高頻有源整流裝置,功耗比較低,能夠快速高效的對交流電進(jìn)行高頻有源整流。
      【專利說明】一種高頻有源整流裝置【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本實(shí)用新型屬于計算機(jī)電源【技術(shù)領(lǐng)域】,涉及大功率高頻整流電源的控制技術(shù)。
      【背景技術(shù)】
      [0002]隨著計算機(jī)功能效率的不斷強(qiáng)大,計算機(jī)電源的功能和轉(zhuǎn)換效率也在不斷提高。對于計算機(jī)電源來說最開始的處理就是對交流電進(jìn)行整流,而現(xiàn)今整流的方式都是通過無源器件的整流二極管來完成。對于二極管搭成的整流器在二極管導(dǎo)通狀態(tài)在電能損耗較大,是否可以通過其它方式避免二極管整流所帶來的能量損耗。如果使用有源器件導(dǎo)通電阻小的MOS場效應(yīng)晶體管來設(shè)計代替整流二極管的整流電路,則能更好的減少能量損耗,提高整流電路的效率。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0003]為了解決計算機(jī)的能量損耗的問題,本實(shí)用新型提出了一種高頻有源整流裝置。
      [0004]本實(shí)用新型的技術(shù)方案是,本實(shí)用新型的高頻有源整流裝置,包括由四個N溝道增強(qiáng)型MOS管兩兩G極電聯(lián)形成第一組合第二組后;第一組的S極與第二組S的極對應(yīng)相連;所述第一組的上N溝道增強(qiáng)型MOS管和第二組的下N溝道增強(qiáng)型MOS管的D極連接有高頻變壓器第一次級和高頻變壓器第二次級的同名端;所述高頻變壓器第一次級和高頻變壓器第二次級的異名端分別電連接第一組的上N溝道增強(qiáng)型MOS管和第二組的下N溝道增強(qiáng)型MOS管的S極;所述第一組的下N溝道增強(qiáng)型MOS管和第二組的上N溝道增強(qiáng)型MOS管的D極電連接有高頻變壓器第三次級和高頻變壓器第四次級的非同名端;所述高頻變壓器第三次級和高頻 變壓器第四次級的同名端分別電連接第一組的下N溝道增強(qiáng)型MOS管和第二組的上N溝道增強(qiáng)型MOS管的S極;所述第一組和第二組的G極電連接交流輸入端口的兩腳;所述第一組和第二組的S極兩端并接有電容;所述電容兩端并接有直流輸出端口 ;所述交流輸入端口外圍安裝有電流鑒相器;所述電流鑒相器一端連接有電阻;電阻分別連接電源和第一電壓比較器的同向端;電流鑒相器的另一端電聯(lián)第一電壓比較器的反向端和第二電壓比較器的同向端;所述第二電壓比較器的反向端接地;所述第一電壓比較器輸出端通過第二電容和第一高頻變壓器初級電聯(lián)第二電壓比較器輸出端。
      [0005]進(jìn)一步地,所述高頻變壓器第一次級、高頻變壓器第二次級、高頻變壓器第三次級、高頻變壓器第四次級的匝數(shù)相同。
      [0006]本實(shí)用新型的有益效果:本實(shí)用新型的高頻有源整流裝置,功耗比較低,能夠快速高效的對交流電進(jìn)行高頻有源整流。
      【專利附圖】

      【附圖說明】
      [0007]圖1為本實(shí)用新型的電路原理圖。
      [0008]圖中:UlA為第一電壓比較器;UlB為第二電壓比較器;U2:電流鑒相器;Ql、Q2、Q3、Q4:N溝道增強(qiáng)型MOS管;L1、L2、L4、L5:高頻變壓器次級;L6:高頻變壓器次級;Jl:交流輸入端口 ; J2:直流輸出端口 ;R1:電阻;C1:電容;C2:第二電容。
      【具體實(shí)施方式】
      [0009]如圖1所示,本實(shí)用新型的高頻有源整流裝置,包括由四個N溝道增強(qiáng)型MOS管Ql、Q2、Q3、Q4兩兩G極電聯(lián)形成第一組合第二組后;第一組的S極與第二組S的極對應(yīng)相連;所述第一組的上N溝道增強(qiáng)型MOS管Q2和第二組的下N溝道增強(qiáng)型MOS管Q3的D極連接有高頻變壓器第一次級LI和高頻變壓器第二次級L5的同名端;所述高頻變壓器第一次級LI和高頻變壓器第二次級L5的異名端分別電連接第一組的上N溝道增強(qiáng)型MOS管Q2和第二組的下N溝道增強(qiáng)型MOS管Q3的S極;所述第一組的下N溝道增強(qiáng)型MOS管Q4和第二組的上N溝道增強(qiáng)型MOS管Ql的D極電連接有高頻變壓器第三次級L4和高頻變壓器第四次級L2的非同名端;所述高頻變壓器第三次級L4和高頻變壓器第四次級L2的同名端分別電連接第一組的下N溝道增強(qiáng)型MOS管Q4和第二組的上N溝道增強(qiáng)型MOS管Ql的S極;所述第一組和第二組的G極電連接交流輸入端口 Jl的兩腳;所述第一組和第二組的S極兩端并接有電容Cl ;所述電容兩端Cl并接有直流輸出端口 J2 ;所述交流輸入端口 Jl外圍安裝有電流鑒相器U2 ;所述電流鑒相器U2—端連接有電阻Rl ;電阻Rl分別連接電源VCC和第一電壓比較器UlA的同向端;電流鑒相器U2的另一端電聯(lián)第一電壓比較器UlA的反向端和第二電壓比較器UlB的同向端;所述第二電壓比較器UlB的反向端接地;所述第一電壓比較器UlA輸出端通過第二電容C2和第一高頻變壓器初級L6電聯(lián)第二電壓比較器UlB輸出端;所述高頻變壓器第一次級L1、高頻變壓器第二次級L2、高頻變壓器第三次級L3、高頻變壓器第四次級L4的匝數(shù)相同。
      【權(quán)利要求】
      1.一種高頻有源整流裝置,其特征在于:包括由四個N溝道增強(qiáng)型MOS管兩兩G極電聯(lián)形成第一組合第二組后;第一組的S極與第二組S的極對應(yīng)相連;所述第一組的上N溝道增強(qiáng)型MOS管和第二組的下N溝道增強(qiáng)型MOS管的D極連接有高頻變壓器第一次級和高頻變壓器第二次級的同名端;所述高頻變壓器第一次級和高頻變壓器第二次級的異名端分別電連接第一組的上N溝道增強(qiáng)型MOS管和第二組的下N溝道增強(qiáng)型MOS管的S極;所述第一組的下N溝道增強(qiáng)型MOS管和第二組的上N溝道增強(qiáng)型MOS管的D極電連接有高頻變壓器第三次級和高頻變壓器第四次級的非同名端;所述高頻變壓器第三次級和高頻變壓器第四次級的同名端分別電連接第一組的下N溝道增強(qiáng)型MOS管和第二組的上N溝道增強(qiáng)型MOS管的S極;所述第一組和第二組的G極電連接交流輸入端口的兩腳;所述第一組和第二組的S極兩端并接有電容;所述電容兩端并接有直流輸出端口 ;所述交流輸入端口外圍安裝有電流鑒相器;所述電流鑒相器一端連接有電阻;電阻分別連接電源和第一電壓比較器的同向端;電流鑒相器的另一端電聯(lián)第一電壓比較器的反向端和第二電壓比較器的同向端;所述第二電壓比較器的反向端接地;所述第一電壓比較器輸出端通過第二電容和第一高頻變壓器初級電聯(lián)第二電壓比較器輸出端。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高頻有源整流裝置,其特征在于:所述高頻變壓器第一次級、高頻變壓器第二次級、高頻變壓器第三次級、高頻變壓器第四次級匝數(shù)相同。
      【文檔編號】H02M7/219GK203761289SQ201420156897
      【公開日】2014年8月6日 申請日期:2014年4月2日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月2日
      【發(fā)明者】張常泉 申請人:江西科技學(xué)院
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