微型開關(guān)電源及智能斷路器和afdd故障電弧保護裝置制造方法
【專利摘要】本實用新型提供一種微型開關(guān)電源及智能斷路器和AFDD故障電弧保護裝置，其包括MOSFET開關(guān)模塊,所述MOSFET開關(guān)模塊的D極與輸入電路連接，所述MOSFET開關(guān)模塊的S極與功率處理輸出電路連接，所述MOSFET開關(guān)模塊的FB極與分壓降壓電路連接，所述MOSFEET開關(guān)模塊的BP極與旁路噪聲抑制電路連接，微型開關(guān)電源的輸出端與分壓降壓電路之間串聯(lián)快速恢復(fù)二極管D2，通過采用上述方案，實現(xiàn)了微型斷路器智能化和智能型塑殼斷路器小型化以及AFDD故障電弧保護裝置小型化可能、電源體積小、質(zhì)量輕、成本低廉。
【專利說明】微型開關(guān)電源及智能斷路器和AFDD故障電弧保護裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及開關(guān)電源電路，具體涉及一種用于智能斷路器或者AFDD故障電弧保護裝置的微型開關(guān)電源以及智能斷路器和AFDD故障電弧保護裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]目前低壓智能斷路器電源多采用開關(guān)電源，且用的是帶隔離變壓器式或者不帶隔離變壓器的直接降壓式電源芯片。上述兩種設(shè)計方案的一個最大特點是體積成本高、對于后續(xù)相關(guān)信號功能采樣電路需附加電子元件或者相關(guān)電路，增加了成本。
實用新型內(nèi)容
[0003]針對現(xiàn)有技術(shù)存在的缺點和不足，本實用新型提供了一種用于智能斷路器或者AFDD故障電弧保護裝置的內(nèi)置非隔離式微型交直流降壓翻轉(zhuǎn)型的微型開關(guān)電源。
[0004]本實用新型提供一種微型開關(guān)電源，其包括MOSFET開關(guān)模塊，所述MOSFET開關(guān)模塊的D極與用于對輸入交流電的N端半波整流的輸入電路連接，所述MOSFET開關(guān)模塊的S極與功率處理輸出電路連接，所述MOSFET開關(guān)模塊的FB極與分壓降壓電路連接，所述M0SFEET開關(guān)模塊的BP極與旁路噪聲抑制電路連接，微型開關(guān)電源的輸出端與分壓降壓電路之間串聯(lián)快速恢復(fù)二極管D2，所述微型開關(guān)電源將交流電L端作為微型開關(guān)電源基準(zhǔn)參考點。
[0005]所述輸入電路電路如下:電容C2、電容C3的一極、二極管D6的負(fù)極和電容C7的負(fù)極與電源輸入端的L相線相連接，電源輸入端N極連接限流線繞電阻Rl —端、限流線繞電阻Rl另一端連接整流二極管D3正極、整流二極管D3負(fù)極串聯(lián)電感LI 一端、電感LI另一端與電容C3、電容C2和MOSFET開關(guān)模塊的D極連接。
[0006]所述功率處理輸出電路電路如下:M0SFET開關(guān)模塊S極與電容C4、二極管D6負(fù)極、電容Cl的負(fù)極和電感L2 —端相連接，電感L2的另一端與二極管D2負(fù)極、電容C7正極和電源輸出正極相連接。
[0007]所述分壓降壓電路包括電阻R3、電阻R2和電容Cl，所述分壓電阻R3 —端接MOSFET開關(guān)模塊FB極和降壓電阻R2的一端相連，所述降壓二極管R2 —端連接R3電阻，另一端與電容Cl的正極和二極管D2的正極連接，所述電容Cl正極與電阻R2 —端、二極管D2的正極連接，Cl負(fù)極與MOSFET開關(guān)模塊S極、電容C4、電阻R3、二極管D6和電感L2相連接。
[0008]所述旁路噪聲抑制電路采用旁路噪聲抑制電容C4，其一端連接MOSFET開關(guān)模塊BP極，另一端與MOSFET開關(guān)模塊S極、電阻R3、二極管D6正極、電容Cl負(fù)極和電感L2 —端相連接。
[0009]一種智能斷路器，所述智能斷路器包括上述的微型開關(guān)電源。
[0010]一種AFDD故障電弧保護裝置，所述AFDD故障電弧保護裝置包括上述的微型開關(guān)電源。
[0011]實用新型的有益效果是:通過采用上述方案，實現(xiàn)了微型斷路器智能化和智能型塑殼斷路器小型化以及AFDD故障電弧保護裝置小型化可能，電源體積小、質(zhì)量輕、成本低廉
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【專利附圖】
【附圖說明】
[0012]圖1是本實用新型的電路原理圖。
【具體實施方式】
[0013]下面結(jié)合附圖對本實用新型實施例作進(jìn)一步說明:
[0014]如圖1所示，本實用新型提供一種微型開關(guān)電源，其包括MOSFET開關(guān)模塊，所述MOSFET開關(guān)模塊的D極與用于對輸入交流電的N端半波整流的輸入電路連接，所述MOSFET開關(guān)模塊的S極與功率處理輸出電路連接，所述MOSFET開關(guān)模塊的FB極與分壓降壓電路連接，所述M0SFEET開關(guān)模塊的BP極與旁路噪聲抑制電路連接，微型開關(guān)電源的輸出端與分壓降壓電路之間串聯(lián)快速恢復(fù)二極管D2，所述微型開關(guān)電源將交流電L端作為微型開關(guān)電源基準(zhǔn)參考點。
[0015]利用交流電源的負(fù)半周期特性，通過微型開關(guān)電源直接降壓，翻轉(zhuǎn)將系統(tǒng)電源基準(zhǔn)參考點接至相線電源接入點，在相線電勢基礎(chǔ)上抬升3.3^5.5V作為直流輸出電源。電源本身設(shè)計成本低、后續(xù)功能電路信號采樣可以直接從強電電路采集、體積小元器件少，設(shè)計思路簡單。
[0016]輸入電路對N端輸入進(jìn)行半波整流，將正半波電流截止，只允許負(fù)半波的電流通過，負(fù)半波電流通過二極管整流后再通過MOSFET開關(guān)模塊U2降壓以及分壓降壓電路分壓才可能在原L相上實現(xiàn)一個抬升3.3^5.5負(fù)的直流電源。
[0017]所述輸入電路電路如下:電容C2、電容C3的一極、二極管D6的負(fù)極和電容C7的負(fù)極與電源輸入端的L相線相連接，電源輸入端N極連接限流線繞電阻Rl —端、限流線繞電阻Rl另一端連接整流二極管D3正極、整流二極管D3負(fù)極串聯(lián)電感LI 一端、電感LI另一端與電容C3、電容C2和MOSFET開關(guān)模塊U2的D極連接。
[0018]電源輸入端的N相線輸入經(jīng)過二極管D3半波整流電源輸入端的負(fù)半波電流，然后將半波整流后的電流輸入到MOSFET開關(guān)模塊。
[0019]所述功率處理輸出電路電路如下:M0SFET開關(guān)模塊S極與電容C4、二極管D6負(fù)極、電容Cl的負(fù)極和電感L2 —端相連接，電感L2的另一端與二極管D2負(fù)極、電容C7正極和電源輸出正極相連接。
[0020]二極管D6采用快速恢復(fù)二極管，通過電容C4、二極管D6以及電容Cl的結(jié)合作為電源的輸出極。
[0021]所述分壓降壓電路包括電阻R3、電阻R2和電容Cl，所述分壓電阻R3 —端接MOSFET開關(guān)模塊FB極和降壓電阻R2的一端相連，所述降壓二極管R2 —端連接R3電阻，另一端與電容Cl的正極和二極管D2的正極連接，所述電容Cl正極與電阻R2 —端、二極管D2的正極連接，Cl負(fù)極與MOSFET開關(guān)模塊S極、電容C4、電阻R3、二極管D6和電感L2相連接，通過輸入電路和分壓降壓電路的共同作用，實現(xiàn)輸出電源3.3-5.5V。
[0022]所述旁路噪聲抑制電路采用旁路噪聲抑制電容C4，其一端連接MOSFET開關(guān)模塊BP極，另一端與MOSFET開關(guān)模塊S極、電阻R3、二極管D6正極、電容Cl負(fù)極和電感L2 —端相連接。旁路噪聲抑制電容用于導(dǎo)通或者吸收某元件或者一組元件中交流成分的一種電容。通常交直流中的交流部分被去除，而允許直流部分通過加有旁路電容的元件。
[0023]一種智能斷路器，所述智能斷路器包括上述的微型開關(guān)電源。采用上述的微型開關(guān)電源作為電源，該電源體積小、質(zhì)量輕、成本低廉，實現(xiàn)了微型斷路器智能化和智能型塑殼斷路器小型化可能。
[0024]一種AFDD故障電弧保護裝置，所述AFDD故障電弧保護裝置包括上述的微型開關(guān)電源。采用上述的微型開關(guān)電源作為電源，該電源體積小、質(zhì)量輕、成本低廉，實現(xiàn)了 AFDD故障電弧保護裝置小型化可能。
[0025]實施例不應(yīng)視為對本實用新型的限制，但任何基于本實用新型的精神所作的改進(jìn)，都應(yīng)在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種微型開關(guān)電源，其特征在于:其包括MOSFET開關(guān)模塊，所述MOSFET開關(guān)模塊的D極與用于對輸入交流電的N端半波整流的輸入電路連接，所述MOSFET開關(guān)模塊的S極與功率處理輸出電路連接，所述MOSFET開關(guān)模塊的FB極與分壓降壓電路連接，所述M0SFEET開關(guān)模塊的BP極與旁路噪聲抑制電路連接，微型開關(guān)電源的輸出端與分壓降壓電路之間串聯(lián)快速恢復(fù)二極管D2，所述微型開關(guān)電源將交流電L端作為微型開關(guān)電源基準(zhǔn)參考點。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型開關(guān)電源，其特征在于，所述輸入電路電路如下:電容C2、電容C3的一極、二極管D6的負(fù)極和電容C7的負(fù)極與電源輸入端的L相線相連接，電源輸入端N極連接限流線繞電阻Rl —端、限流線繞電阻Rl另一端連接整流二極管D3正極、整流二極管D3負(fù)極串聯(lián)電感LI 一端、電感LI另一端與電容C3、電容C2和MOSFET開關(guān)模塊的D極連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型開關(guān)電源，其特征在于，所述功率處理輸出電路電路如下=MOSFET開關(guān)模塊S極與電容C4、二極管D6負(fù)極、電容Cl的負(fù)極和電感L2 —端相連接，電感L2的另一端與二極管D2負(fù)極、電容C7正極和電源輸出正極相連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型開關(guān)電源，其特征在于，所述分壓降壓電路包括電阻R3、電阻R2和電容Cl，所述分壓電阻R3 —端接MOSFET開關(guān)模塊FB極和降壓電阻R2的一端相連，所述降壓二極管R2 —端連接R3電阻，另一端與電容Cl的正極和二極管D2的正極連接，所述電容Cl正極與電阻R2 —端、二極管D2的正極連接，Cl負(fù)極與MOSFET開關(guān)模塊S極、電容C4、電阻R3、二極管D6和電感L2相連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型開關(guān)電源，其特征在于，所述旁路噪聲抑制電路采用旁路噪聲抑制電容C4，其一端連接MOSFET開關(guān)模塊BP極，另一端與MOSFET開關(guān)模塊S極、電阻R3、二極管D6正極、電容Cl負(fù)極和電感L2 —端相連接。
6.一種智能斷路器，其特征在于:所述智能斷路器包括權(quán)利要求1-5任一所述的微型開關(guān)電源。
7.一種AFDD故障電弧保護裝置，其特征在于:所述AFDD故障電弧保護裝置包括權(quán)利要求1-5任一所述的微型開關(guān)電源。
【文檔編號】H02M7/217GK204068744SQ201420538365
【公開日】2014年12月31日 申請日期:2014年9月19日 優(yōu)先權(quán)日:2014年9月19日
【發(fā)明者】侯高豐, 肖迎春 申請人:浙江天正電氣股份有限公司