技術(shù)特征：

1.一種基于EL圖像分析太陽(yáng)電池片局部電壓的方法，其特征在于，包括以下步驟：

1)選擇標(biāo)準(zhǔn)晶體硅太陽(yáng)電池片；

2)利用便攜式EL測(cè)試儀，在標(biāo)準(zhǔn)晶體硅太陽(yáng)電池片上施加一個(gè)0-1V的外加電壓U₁，得到該標(biāo)準(zhǔn)晶體硅太陽(yáng)電池片的電致發(fā)光圖像，測(cè)量所述標(biāo)準(zhǔn)晶體硅太陽(yáng)電池片在該外加電壓下的局部電致發(fā)光強(qiáng)度ψ_i1，i為位置索引；

3)計(jì)算太陽(yáng)電池片的校準(zhǔn)系數(shù)C_i，太陽(yáng)電池片的局部電壓和電致發(fā)光強(qiáng)度存在如下關(guān)系：

${\mathrm{\Φ}}_i=C_i{e}^{\frac{U_i}{U_t}}---\left(1\right)$

其中，Φ_i為太陽(yáng)電池片位置i的電致發(fā)光強(qiáng)度；i為位置索引；C_i為位置i的校準(zhǔn)系數(shù)；U_i為太陽(yáng)電池片位置i的局部電壓，U_t為熱電壓，

對(duì)于在標(biāo)準(zhǔn)晶體硅太陽(yáng)電池片施加的外加電壓為0-1V的情況，假設(shè)整片太陽(yáng)電池片的電壓均為U₁，即U_i＝U₁；

則對(duì)于該標(biāo)準(zhǔn)晶體硅太陽(yáng)電池片，式(1)變?yōu)椋?/p>

${\mathrm{\ψ}}_{i1}=C_i{e}^{\frac{U_1}{U_t}}---\left(2\right)$

根據(jù)式(2)計(jì)算出校準(zhǔn)系數(shù)C_i；

4)在上述標(biāo)準(zhǔn)晶體硅太陽(yáng)電池片上施加大于1V的外加電壓U₂，得到太陽(yáng)電池片的電致發(fā)光圖像，測(cè)量太陽(yáng)電池片在該外加電壓下的局部電致發(fā)光強(qiáng)度ψ_i2；

5)根據(jù)式(3)以及步驟3)得到的校準(zhǔn)系數(shù)C_i，計(jì)算所述標(biāo)準(zhǔn)晶體硅太陽(yáng)電池片的局部電壓：

${\mathrm{\ψ}}_{i2}=C_i{e}^{\frac{U_i}{U_t}}---\left(3\right).$

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于EL圖像分析太陽(yáng)電池片局部電壓的方法，其特征在于，對(duì)于施加不同外加電壓得到的局部電致發(fā)光強(qiáng)度，相同的位置索引i在太陽(yáng)電池片中的位置相同。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于EL圖像分析太陽(yáng)電池片局部電壓的方法，其特征在于，所述步驟2)和步驟4)中，標(biāo)準(zhǔn)晶體硅太陽(yáng)電池片的電致發(fā)光強(qiáng)度是經(jīng)過(guò)灰度變換的電致發(fā)光圖像中的局部像素點(diǎn)的灰度值。