技術總結
本發(fā)明公開了一種基于EL圖像分析太陽電池片局部電壓的方法，具體為在標準晶體硅太陽電池上施加一個較低的外加電壓，得到該電壓下標準太陽電池的電致發(fā)光圖像，測量所述標準太陽電池的局部電致發(fā)光強度，計算得到校準系數(shù)；再在太陽電池片上施加更大的外加電壓，得到該太陽電池的電致發(fā)光圖像，測量局部電致發(fā)光強度，通過局部電致發(fā)光強度和校準系數(shù)，得到所述太陽電池的局部電壓。本發(fā)明方法通過EL圖像分析電池片局部性能可以降低熱斑發(fā)生的風險，從而提高組件的可靠性。

技術研發(fā)人員：吳軍;張臻;祝曾偉;潘武淳
受保護的技術使用者：河海大學常州校區(qū)
文檔號碼：201610822272
技術研發(fā)日：2016.09.13
技術公布日：2017.02.15