1.一種射頻饋電保護(hù)電路，其特征在于，包括：開(kāi)關(guān)電路，第一開(kāi)關(guān)控制電路、第二開(kāi)關(guān)控制電路；
所述開(kāi)關(guān)電路的第二端與電壓輸入端相連，第三端與電壓輸出端及射頻電路相連，所述開(kāi)關(guān)電路根據(jù)所述開(kāi)關(guān)電路第一端的電壓來(lái)控制所述開(kāi)關(guān)電路為開(kāi)啟或閉合狀態(tài)，從而控制電壓輸入端向射頻電路輸出電壓；
所述第一開(kāi)關(guān)控制電路的第一端與所述電壓輸出端相連，所述第一開(kāi)關(guān)控制電路的第二端與所述開(kāi)關(guān)電路的第一端相連，所述第一開(kāi)關(guān)控制電路用于根據(jù)所述射頻電路短路時(shí)所述電壓輸出端的輸出電壓，控制所述開(kāi)關(guān)電路第一端的電壓為使所述開(kāi)關(guān)電路閉合的電壓，從而閉合開(kāi)關(guān)電路；
所述第二開(kāi)關(guān)控制電路，與所述開(kāi)關(guān)電路的第一端連接，所述第二開(kāi)關(guān)控制電路用于在所述射頻電路正常工作時(shí)，控制所述開(kāi)關(guān)電路第一端的電壓為使所述開(kāi)關(guān)電路開(kāi)啟的電壓，從而開(kāi)啟開(kāi)關(guān)電路。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，所述第一開(kāi)關(guān)控制電路包括第一三極管，所述第一三極管的第一端與所述電壓輸出端連接，所述第一三極管的第二端與所述電壓輸入端相連，所述第一三極管的第三端與所述開(kāi)關(guān)電路的第一端相連。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電路，其特征在于，所述第一開(kāi)關(guān)控制電路還包括自所述電壓輸入端至接地端依次串聯(lián)的第一電容、第一電阻和第二電阻，所述第一三極管的第一端與位于所述第一電容與所述第一電阻之間的第一節(jié)點(diǎn)連接，所述電壓輸出端與位于所述第一電阻和所述第二電阻之間的第二節(jié)點(diǎn)連接，從而通過(guò)所述第一電阻與所述第一三極管的第一端連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電路，其特征在于，所述第一三極管為P型三極管PNP，所述第一三極管的第一端為所述PNP的基極，所述第一三極管的第二端為所述PNP的發(fā)射極，所述第一三極管的第三端為所述PNP的集電極。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，所述開(kāi)關(guān)電路包括開(kāi)關(guān)晶體管，所述開(kāi)關(guān)晶體管為P型金屬氧化物半導(dǎo)體PMOS管，所述開(kāi)關(guān)電路的第一端為所述PMOS管的柵極，所述開(kāi)關(guān)電路的第二端為所述PMOS管的源極，所述開(kāi)關(guān)電路的第三端為所述PMOS管的漏極。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電路，其特征在于，所述開(kāi)關(guān)電路還包括位于所述開(kāi)關(guān)電路的第一端和所述開(kāi)關(guān)電路的第二端之間并聯(lián)的第三電阻和第二電容，所述第二電容用于在所述電壓輸入端掉電時(shí)進(jìn)行放電，為所述開(kāi)關(guān)電路的第一端和第二端提供電壓，對(duì)所述開(kāi)關(guān)電路進(jìn)行緩沖保護(hù)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，所述電路還包括：
控制電壓輸入端，與所述第二開(kāi)關(guān)控制電路連接，用于向所述第二開(kāi)關(guān)控制電路輸入控制電壓，以使所述第二開(kāi)關(guān)控制電路能夠保持開(kāi)啟狀態(tài)，并在所述射頻電路正常工作時(shí)，控制所述開(kāi)關(guān)電路第一端的電壓，以使所述開(kāi)關(guān)電路為開(kāi)啟狀態(tài)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電路，其特征在于，所述第二開(kāi)關(guān)控制電路包括：第二三極管，所述第二三極管的第一端與所述開(kāi)關(guān)電路的第一端連接，所述第二三極管的第二端與所述控制電壓輸入端連接，所述第二三極管的第三端接地。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電路，其特征在于，所述第二開(kāi)關(guān)控制電路還包括：位于所述控制電壓輸入端與所述第二三極管的第二端之間的第四電阻，位于所述控制電壓輸入端與另一接地端之間的第五電阻，位于所述第二三極管第一端與所述開(kāi)關(guān)電路的第一端之間的第六電阻。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電路，其特征在于，所述第二三極管為N型三極管NPN，所述NPN的基極為所述第二三極管的第二端，所述NPN的集電極為所述第二三極管的第一端，所述NPN的發(fā)射極為所述第二三極管的第三端。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，所述電路還包括：
第三電容，位于所述射頻電路的輸入端與射頻接入點(diǎn)之間，其中所述射頻接入點(diǎn)為所述開(kāi)關(guān)電路與射頻電路相連接的點(diǎn)，用于阻隔直流電壓反饋至所述射頻電路的輸入端。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，所述電路還包括：
射頻旁路電路，位于所述電壓輸出端與所述射頻電路之間，用于阻隔射頻電路中的高頻信號(hào)輸出到所述開(kāi)關(guān)電路中。