本發(fā)明涉及電路技術領域，尤其涉及一種直流升壓電路。

背景技術：

在led背光驅(qū)動電路、閃光燈驅(qū)動電路和其它電子產(chǎn)品電路中都廣泛采用直流升壓電路來滿足各模塊不同的電壓需求。現(xiàn)有的直流升壓電路在關閉升壓芯片使能后，在其電壓輸出端往往還殘留有小電流，該小電流的電壓等于未升壓前的電源輸入端電壓，無法實現(xiàn)徹底關斷，存在對后端元器件造成損害風險的缺陷。

技術實現(xiàn)要素：

為了解決上述現(xiàn)有技術的不足，本發(fā)明提供一種直流升壓電路。該直流升壓電路能夠?qū)崿F(xiàn)對升壓電路后端電壓輸出的徹底關斷，避免后端元器件的空載消耗以及無法徹底關斷對后端元器件造成損害風險的缺陷。

本發(fā)明所要解決的技術問題通過以下技術方案予以實現(xiàn)：

一種直流升壓電路，包括直流升壓模塊和pmos管；所述直流升壓模塊的輸入端連接電源輸入端，輸出端連接所述pmos管的源極，接地端接地；所述pmos管的漏極連接該直流升壓電路的電壓輸出端，柵極連接電源輸入端。

進一步地，所述直流升壓模塊包括升壓芯片、升壓電感和儲能電容；所述升壓電感的輸入端分別連接電源輸入端和所述升壓芯片的vin端，輸出端分別連接所述儲能電容的輸入端、所述升壓芯片的sw端和所述pmos管的源極；所述儲能電容的輸出端與所述升壓芯片的gnd端連接后接地。

進一步地，還包括第一電阻和第二電阻，所述第一電阻的輸入端分別連接所述升壓電感的輸出端、所述儲能電容的輸入端和所述pmos管的源極，輸出端分別連接所述第二電阻的輸入端和所述升壓芯片的fb端；所述第二電阻的輸出端與所述升壓芯片的gnd端連接后接地。

進一步地，還包括二極管，所述二極管的陽極連接所述升壓電感的輸出端，陰極分別連接所述儲能電容、第一電阻和pmos管的源極。

進一步地，電源輸入端和直流升壓模塊的接地端之間連接有穩(wěn)壓電容。

本發(fā)明具有如下有益效果：該直流升壓電路在直流升壓模塊和電壓輸出端之間連接有pmos管，利用所述pmos管的電學特性來對該直流升壓電路的電壓輸出端進行徹底的關斷，避免后端元器件的空載消耗以及無法徹底關斷對后端元器件造成損害風險的缺陷。

附圖說明

圖1為本發(fā)明提供的直流升壓電路的結構圖；

圖2為本發(fā)明提供的直流升壓電路的原理圖。

具體實施方式

下面結合附圖和實施例對本發(fā)明進行詳細的說明。

如圖1所示，一種直流升壓電路，包括直流升壓模塊和pmos管m1；所述直流升壓模塊的輸入端連接電源輸入端vbat，輸出端連接所述pmos管m1的源極s，接地端接地；所述pmos管m1的漏極d連接該直流升壓電路的電壓輸出端vout，柵極g連接電源輸入端vbat。

該直流升壓電路在直流升壓模塊和電壓輸出端vout之間連接有pmos管m1，利用所述pmos管m1的電學特性來對該直流升壓電路的電壓輸出端vout進行徹底的關斷，避免后端元器件的空載消耗以及無法徹底關斷對后端元器件造成損害風險的缺陷。

工作原理：所述pmos管m1的源極s連接所述直流升壓模塊的輸出端，即源極s輸入的是升壓電壓v1，柵極g連接電源輸入端vbat，即柵極g輸入的電壓是電源電壓v0；當所述直流升壓模塊向所述pmos管m1的源極s輸出的升壓電壓v1逐漸升高，導致升壓電壓v1和電源電壓v0之間的電壓差大于所述pmos管m1的閥值時，所述pmos管m1的源極s和漏極d導通，其漏極d輸出升壓電壓v1至電壓輸出端vout；當所述直流升壓模塊向所述pmos管m1的源極s輸出的升壓電壓v1逐漸降低，導致升壓電壓v1和電源電壓v0之間的電壓差小于所述pmos管m1的閥值時，所述pmos管m1的源極s和漏極d斷開，其漏極d輸出0v電壓值至電壓輸出端vout。

如圖2所示，所述直流升壓模塊包括升壓芯片u1、升壓電感l(wèi)1和儲能電容c1；所述升壓電感l(wèi)1的輸入端分別連接電源輸入端vbat和所述升壓芯片u1的vin端，輸出端分別連接所述儲能電容c1的輸入端、所述升壓芯片u1的sw端和所述pmos管m1的源極s；所述儲能電容c1的輸出端與所述升壓芯片u1的gnd端連接后接地。

該直流升壓電路通過控制所述升壓芯片u1的使能端en在高電平和低電平之間的切換，就能夠?qū)λ錾龎盒酒瑄1的升壓功能和所述pmos管m1的通/斷電進行控制，不僅能夠輸出穩(wěn)定的升壓電壓v1，而且還能對電壓輸出端vout進行徹底的關斷。

工作原理如下：

1.當所述升壓芯片u1的使能端en為高電平時，所述升壓芯片u1中的sw端和gnd端在內(nèi)部導通，所述升壓電感l(wèi)1的輸出端接地并形成升壓回路，流過所述升壓電感l(wèi)1的電流值開始逐漸增大；

2.當所述升壓電感l(wèi)1的電流值達到預定值時，所述升壓芯片u1中的sw端和gnd端在內(nèi)部自動斷開，所述升壓電感l(wèi)1的輸出端無法接地形成升壓回路，所述升壓電感l(wèi)1將自身儲存的電能傳送給所述儲能電容c1，所述儲能電容c1進行充電，通過對步驟1和2的多次重復在所述儲能電容c1兩端形成升壓電壓v1；

3.當所述pmos管m1的源極s上的升壓電壓v1和柵極g上的電源電壓v0之間的電壓差大于閥值時，所述pmos管m1處于飽和狀態(tài)，其源極s和漏極d導通，電壓輸出端vout輸出升壓電壓v1；

4.當所述升壓芯片u1的使能端en為低電平時，所述升壓芯片u1停止升壓動作，所述儲能電容c1在放電的過程中，其兩端的升壓電壓v1逐漸減小，當所述pmos管m1的源極s上的升壓電壓v1和柵極g上的電源電壓v0之間的電壓差小于閥值時，所述pmos管m1處于截止狀態(tài)，其源極s和漏極d斷開，電壓輸出端vout輸出0v電壓值。

還包括第一電阻r1和第二電阻r2，所述第一電阻r1的輸入端分別連接所述升壓電感l(wèi)1的輸出端、所述儲能電容c1的輸入端和所述pmos管m1的源極s，輸出端分別連接所述第二電阻r2的輸入端和所述升壓芯片u1的fb端；所述第二電阻r2的輸出端與所述升壓芯片u1的gnd端連接后接地，用于形成反饋回路。

該直流升壓電路通過調(diào)節(jié)所述第一電阻r1和第二電阻r2的阻值比例可以調(diào)節(jié)所述升壓芯片u1的升壓反饋引腳fb檢測到的電壓值，進而改變所述升壓芯片u1輸出的升壓電壓v1。

還包括二極管d1，所述二極管d1的陽極連接所述升壓電感l(wèi)1的輸出端，陰極分別連接所述儲能電容c1的輸入端、所述第一電阻r1的輸入端和所述pmos管m1的源極s，用于單向?qū)?，起整流作用?/p>

電源輸入端vbat和直流升壓模塊的接地端（即所述升壓芯片u1的gnd端）之間連接有穩(wěn)壓電容c2，用于穩(wěn)定電路電壓。

以上所述實施例僅表達了本發(fā)明的實施方式，其描述較為具體和詳細，但并不能因此而理解為對本發(fā)明專利范圍的限制，但凡采用等同替換或等效變換的形式所獲得的技術方案，均應落在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。

技術特征：

技術總結
本發(fā)明公開了一種直流升壓電路，包括直流升壓模塊和PMOS管；所述直流升壓模塊的輸入端連接電源輸入端，輸出端連接所述PMOS管的源極，接地端接地；所述PMOS管的漏極連接該直流升壓電路的電壓輸出端，柵極連接電源輸入端。該直流升壓電路能夠?qū)崿F(xiàn)對升壓電路后端電壓輸出的徹底關斷，避免后端元器件的空載消耗以及無法徹底關斷對后端元器件造成損害風險的缺陷。

技術研發(fā)人員：劉忠余;柏義波
受保護的技術使用者：信利半導體有限公司
技術研發(fā)日：2017.06.21
技術公布日：2017.09.15