【技術(shù)領(lǐng)域】
本發(fā)明是關(guān)于一種鉗位電路。
背景技術(shù)：
隨著開關(guān)電源技術(shù)的不斷提高，能效標(biāo)準(zhǔn)化的革新，體型小效率高成了當(dāng)前電子產(chǎn)品尤其是電源產(chǎn)品的發(fā)展趨勢。體積小外觀別致、功率密度高，這對技術(shù)的要求及應(yīng)用也越來越高。開關(guān)電源的吸收鉗位電路是提升效率、解決溫升、電磁輻射最為關(guān)鍵的電路，為此對此電路進(jìn)行了技術(shù)改進(jìn)。
現(xiàn)有技術(shù)的缺陷和不足：
1.現(xiàn)有的rcd吸吸收鉗位電路的缺點(diǎn)：損耗大、溫度高、效率低、對尖峰抑制效果不好、空載功耗比較大，在一些高功率密度小體積的設(shè)計中滿足不了能效6級要求，安規(guī)及可靠性不保障。
現(xiàn)有的lcd吸收電路缺點(diǎn)：電路復(fù)雜對吸收二極管的反向恢復(fù)電流選型有限制要求；
2.現(xiàn)有的三繞組吸收缺點(diǎn)：對占空比要求比較特殊，必須≤0.5；對也有拓補(bǔ)限制。缺點(diǎn)主要就是比現(xiàn)有的吸收鉗位電路成本高拓補(bǔ)選型也有限制。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)的不足而提供一種提高效率、降低溫度、尖峰抑制效果非常好的高性能吸收鉗位電路。
針對上述目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案：
一種鉗位電路，其特征在于包括電容c1、極性二級管d1、電阻r1、電阻r2及場效應(yīng)管q1，其中電容c1與電阻r1并聯(lián)并且一端連接到vb輸入；電阻r2的一端連接到電容c1與電阻r1并聯(lián)的一端，電阻r2另一端串聯(lián)到極性二級管d1的負(fù)極，極性二級管d1的正極連接到場效應(yīng)管q1的d極，場效應(yīng)管q1的s極接地，場效應(yīng)管p1的g極連接到vg輸入，極性二級管d1的正極連接到開關(guān)的d極接入vds。
如上所述的一種鉗位電路，其特征在于所述電容c1為滌綸電容，其容值222-472μf。
如上所述的一種鉗位電路，其特征在于所述電阻r1的阻值20-75歐姆，電阻r2的阻值1-5m歐。
如上所述的一種鉗位電路，其特征在于所述極性二級管d1的型號為bf0365。
本發(fā)明的有益效果有：
本案在同等條件下大大的提高了效率；降低了溫度；尖峰抑制效果非常好，從而減低了場效應(yīng)管的選型要求，也降低了場效應(yīng)管的工作應(yīng)力；安規(guī)及可靠性大大的提高了。
【附圖說明】
圖1是本發(fā)明的原理示意圖。
【具體實(shí)施方式】
下面結(jié)合附圖與實(shí)施例對本發(fā)明作詳細(xì)說明：
如圖所示，一種鉗位電路，其特征在于包括電容c1、極性二級管d1、電阻r1、電阻r2及場效應(yīng)管q1，其中電容c1與電阻r1并聯(lián)并且一端連接到vb輸入；電阻r2的一端連接到電容c1與電阻r1并聯(lián)的一端，電阻r2另一端串聯(lián)到極性二級管d1的負(fù)極，極性二級管d1的正極連接到場效應(yīng)管q1的d極，場效應(yīng)管q1的s極接地，場效應(yīng)管q1的g極連接到vg輸入，極性二級管d1的正極連接到開關(guān)的d極接入vds。vb接輸入電容的正極，vg接主控制芯片的驅(qū)動信號輸出腳vds接t的高壓腳一端。
作為本案的更優(yōu)方案，所述電容c1為滌綸電容，其容值222-472μf。所述電阻r1的阻值20-75歐姆，電阻r2的阻值1-5m歐。所述極性二級管d1的型號為bf0365。
本案的工作原理為：在開關(guān)電源的開關(guān)管導(dǎo)通時，輸入的電壓加在開關(guān)電源的儲能電感t的主繞組上面，由于極性二級管d1反向偏置，阻止電容c1的放電，所以電容c1上面的v為0；反之開關(guān)管關(guān)斷的時候，儲能電感t(由于制成工藝存在漏感)漏感中的有能量的存在，能量給開關(guān)管的ds極間電容(ds極間電容也是由于制成工藝存在)和電路中(pcb板子線路)的其它雜散電容充電，直到ds電壓達(dá)到輸入電壓，d1導(dǎo)通，電容c電壓逐漸上升，即ds極電壓也逐漸上升，而且鉗位在輸入電壓的2倍以內(nèi)。剩余時間內(nèi)，電阻r1放電，電流慢慢減小，電容c1的電壓慢慢降到原來值(理想為0v)，多余的能量被電阻r1消耗掉(所以電阻的取值對損耗有很大的影響)。