本申請(qǐng)涉及電機(jī)制造，具體而言，涉及一種電機(jī)轉(zhuǎn)子、電機(jī)以及用電設(shè)備。

背景技術(shù)：

1、現(xiàn)有技術(shù)中，對(duì)于高轉(zhuǎn)速的永磁電機(jī)，例如新能源汽車的驅(qū)動(dòng)電機(jī)，為了降低磁漏，以追求較高的電機(jī)功率密度，通常需要在電機(jī)轉(zhuǎn)子中的鐵芯拼接處設(shè)置隔磁橋，現(xiàn)有的隔磁橋采用的通常都是硅鋼片，為了有效降低磁漏，需要盡量降低硅鋼片的厚度，但若硅鋼片的厚度過小又存在對(duì)應(yīng)電機(jī)機(jī)械強(qiáng)度欠佳的問題，目前，硅鋼片最小的厚度尺寸也僅在0.5mm左右，其降低磁漏的效果較為有限。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本申請(qǐng)的目的在于提供一種電機(jī)轉(zhuǎn)子、電機(jī)以及用電設(shè)備，具有降低磁漏效果較好的優(yōu)勢(shì)，同時(shí)，對(duì)應(yīng)的電機(jī)轉(zhuǎn)子還具有整體結(jié)構(gòu)較為穩(wěn)定以及機(jī)械強(qiáng)度較高等優(yōu)勢(shì)。

2、本申請(qǐng)的實(shí)施例是這樣實(shí)現(xiàn)的：

3、第一方面，本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種電機(jī)轉(zhuǎn)子，包括多個(gè)鐵芯單體，多個(gè)鐵芯單體依次拼接形成電機(jī)轉(zhuǎn)子，沿電機(jī)轉(zhuǎn)子的徑向，每個(gè)鐵芯單體均包括可拼接配合的第一拼接塊和第二拼接塊，第一拼接塊的拼接處的邊緣開設(shè)有第一注膠槽，第一注膠槽與第一拼接塊內(nèi)的磁鋼槽對(duì)應(yīng)，第一注膠槽的底壁開設(shè)有第一卡接槽，第二拼接塊的拼接處設(shè)置有能夠與第一卡接槽卡接配合的第一凸臺(tái)，第一凸臺(tái)卡接于第一卡接槽時(shí)，第一凸臺(tái)的側(cè)面與第一注膠槽之間形成注膠區(qū)。

4、上述技術(shù)方案中，電機(jī)轉(zhuǎn)子中的鐵芯拼接處開設(shè)有第一注膠槽，通過在第一注膠槽中注膠形成塑料膠條的方式來降低漏磁，由于塑料膠條不導(dǎo)磁，相較于設(shè)置硅鋼片的方式來降低漏磁，具有降低磁漏效果更好的優(yōu)勢(shì)；此外，第一注膠槽中開設(shè)有第一卡接槽，第二拼接塊的拼接處設(shè)置有能夠與第一卡接槽卡接配合的第一凸臺(tái)，通過二者的卡接配合，能夠提高第一拼接塊和第二拼接塊拼接時(shí)的便捷性和準(zhǔn)確性，同時(shí)，還能在注膠后提高對(duì)應(yīng)電機(jī)轉(zhuǎn)子整體結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性以及機(jī)械強(qiáng)度。

5、在一些可選的實(shí)施方案中，第一卡接槽為u形槽，并朝向第一注膠槽的深度方向凹陷。

6、上述技術(shù)方案中，將第一卡接槽設(shè)置為u形槽的形式，由于槽內(nèi)的拐角處均為圓弧過渡的形式，當(dāng)?shù)谝煌古_(tái)和第一卡接槽卡接配合時(shí)，能夠有效降二者由于互相剮蹭而出現(xiàn)損傷的風(fēng)險(xiǎn)，從而延長(zhǎng)相應(yīng)部件的使用壽命；此外，將u形槽設(shè)置為朝向第一注膠槽的深度方向凹陷的形式，還具有便于進(jìn)行卡接的優(yōu)勢(shì)。

7、在一些可選的實(shí)施方案中，第一卡接槽位于第一注膠槽的靠近第二拼接塊一側(cè)的端部。

8、上述技術(shù)方案中，將第一卡接槽開設(shè)在上述特定位置，不僅方便卡接，而且還能在卡接以后形成范圍較大的注膠區(qū)，進(jìn)而更好地降低磁漏。

9、在一些可選的實(shí)施方案中，在電機(jī)轉(zhuǎn)子的周向上，第一卡接槽的內(nèi)寬與第一注膠槽的內(nèi)寬的比為1：5～1：7。

10、上述技術(shù)方案中，在電機(jī)轉(zhuǎn)子的周向上，將第一卡接槽和第一注膠槽的內(nèi)寬的比限定在特定范圍內(nèi)，能夠較好地兼顧對(duì)應(yīng)電機(jī)轉(zhuǎn)子的整體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性以及有效降低磁漏(若第一卡接槽的內(nèi)寬過小，卡接后的穩(wěn)定性欠佳；若第一卡接槽的內(nèi)寬過大，注膠后形成的膠條的尺寸較小，降低磁漏的效果欠佳)。

11、在一些可選的實(shí)施方案中，在電機(jī)轉(zhuǎn)子的徑向上，第一注膠槽的內(nèi)寬從靠近磁鋼槽的一側(cè)到遠(yuǎn)離磁鋼槽的一側(cè)逐漸減小。

12、上述技術(shù)方案中，將第一注膠槽設(shè)置為內(nèi)大外小的特殊形式，在注膠形成膠條以后能夠?qū)⒛z條穩(wěn)定地卡接在第一注膠槽內(nèi)，從而有效降低膠條在運(yùn)行過程中脫落的風(fēng)險(xiǎn)，以提高電機(jī)轉(zhuǎn)子整體結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性。

13、在一些可選的實(shí)施方案中，在電機(jī)轉(zhuǎn)子的周向上，第一注膠槽的內(nèi)寬不小于對(duì)應(yīng)區(qū)域磁鋼槽的尺寸。

14、上述技術(shù)方案中，在電機(jī)轉(zhuǎn)子的周向上，將第一注膠槽的內(nèi)寬設(shè)置為不小于對(duì)應(yīng)區(qū)域磁鋼槽的尺寸的特殊形式，能夠?qū)Υ配摬鄣膶?duì)應(yīng)區(qū)域基本實(shí)現(xiàn)全面覆蓋，以便更好地降低磁漏。

15、在一些可選的實(shí)施方案中，在電機(jī)轉(zhuǎn)子的徑向上，第一注膠槽的開口到第一注膠槽的底壁的距離為l1，第一注膠槽的底壁到對(duì)應(yīng)磁鋼槽的底壁的距離為l2，l1與l2的比為1：1～1：1.5。

16、上述技術(shù)方案中，將第一注膠槽在徑向上的開設(shè)位置以及尺寸限定在特定范圍內(nèi)，能夠在特定位置形成適宜厚度尺寸的膠條，從而更好地降低磁漏。

17、在一些可選的實(shí)施方案中，第二拼接塊包括可拼接配合的主拼接件和副拼接件，主拼接件能夠與第一拼接塊可拼接地配合，主拼接件與第一拼接塊拼接配合的拼接處設(shè)置有第一凸臺(tái)，且主拼接件與副拼接件拼接配合的拼接處的邊緣開設(shè)有第二注膠槽，第二注膠槽與主拼接件內(nèi)的磁鋼槽對(duì)應(yīng)，主拼接件和副拼接件拼接配合時(shí)，副拼接件的側(cè)面與第二注膠槽之間形成注膠區(qū)。

18、上述技術(shù)方案中，將第二拼接塊設(shè)置為主拼接件和副拼接件可拼接配合的形式，并且在主拼接件的邊緣開設(shè)與其內(nèi)部的磁鋼槽對(duì)應(yīng)的第二注膠槽(以便通過在第二注膠槽中注膠形成塑料膠條的方式來降低漏磁)，相較于常規(guī)結(jié)構(gòu)的第二拼接塊(第二拼接塊通常是一體設(shè)置的，與第二拼接塊內(nèi)的磁鋼槽對(duì)應(yīng)的區(qū)域未專門設(shè)置隔磁橋，相應(yīng)地，也存在較為嚴(yán)重的磁漏問題)，具有降低磁漏效果更好的優(yōu)勢(shì)。

19、第二方面，本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種電機(jī)，包括如第一方面實(shí)施例提供的電機(jī)轉(zhuǎn)子。

20、上述技術(shù)方案中，電機(jī)包括如第一方面實(shí)施例提供的電機(jī)轉(zhuǎn)子，借助電機(jī)轉(zhuǎn)子具有降低磁漏效果較好以及整體結(jié)構(gòu)較為穩(wěn)定且機(jī)械強(qiáng)度較高等優(yōu)勢(shì)，以使得電機(jī)具有較高的功率密度以及較高的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度。

21、第三方面，本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種用電設(shè)備，包括如第二方面實(shí)施例提供的電機(jī)。

22、上述技術(shù)方案中，用電設(shè)備包括如第二方面實(shí)施例提供的電機(jī)，借助電機(jī)具有功率密度較高的優(yōu)勢(shì)，能夠?yàn)橛秒娫O(shè)備提供較為充足的動(dòng)力。

技術(shù)特征：

1.一種電機(jī)轉(zhuǎn)子，其特征在于，包括多個(gè)鐵芯單體，多個(gè)所述鐵芯單體依次拼接形成所述電機(jī)轉(zhuǎn)子，沿所述電機(jī)轉(zhuǎn)子的徑向，每個(gè)所述鐵芯單體均包括可拼接配合的第一拼接塊和第二拼接塊，所述第一拼接塊的拼接處的邊緣開設(shè)有第一注膠槽，所述第一注膠槽與所述第一拼接塊內(nèi)的磁鋼槽對(duì)應(yīng)，所述第一注膠槽的底壁開設(shè)有第一卡接槽，所述第二拼接塊的拼接處設(shè)置有能夠與所述第一卡接槽卡接配合的第一凸臺(tái)，所述第一凸臺(tái)卡接于所述第一卡接槽時(shí)，所述第一凸臺(tái)的側(cè)面與所述第一注膠槽之間形成注膠區(qū)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電機(jī)轉(zhuǎn)子，其特征在于，所述第一卡接槽為u形槽，并朝向所述第一注膠槽的深度方向凹陷。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電機(jī)轉(zhuǎn)子，其特征在于，所述第一卡接槽位于所述第一注膠槽的靠近所述第二拼接塊一側(cè)的端部。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電機(jī)轉(zhuǎn)子，其特征在于，在所述電機(jī)轉(zhuǎn)子的周向上，所述第一卡接槽的內(nèi)寬與所述第一注膠槽的內(nèi)寬的比為1：5～1：7。

5.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的電機(jī)轉(zhuǎn)子，其特征在于，在所述電機(jī)轉(zhuǎn)子的徑向上，所述第一注膠槽的內(nèi)寬從靠近磁鋼槽的一側(cè)到遠(yuǎn)離所述磁鋼槽的一側(cè)逐漸減小。

6.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的電機(jī)轉(zhuǎn)子，其特征在于，在所述電機(jī)轉(zhuǎn)子的周向上，所述第一注膠槽的內(nèi)寬不小于對(duì)應(yīng)區(qū)域磁鋼槽的尺寸。

7.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的電機(jī)轉(zhuǎn)子，其特征在于，在所述電機(jī)轉(zhuǎn)子的徑向上，所述第一注膠槽的開口到所述第一注膠槽的底壁的距離為l1，所述第一注膠槽的底壁到對(duì)應(yīng)磁鋼槽的底壁的距離為l2，l1與l2的比為1：1～1：1.5。

8.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的電機(jī)轉(zhuǎn)子，其特征在于，所述第二拼接塊包括可拼接配合的主拼接件和副拼接件，所述主拼接件能夠與所述第一拼接塊可拼接地配合，所述主拼接件與所述第一拼接塊拼接配合的拼接處設(shè)置有所述第一凸臺(tái)，且所述主拼接件與所述副拼接件拼接配合的拼接處的邊緣開設(shè)有第二注膠槽，所述第二注膠槽與所述主拼接件內(nèi)的磁鋼槽對(duì)應(yīng)，所述主拼接件和所述副拼接件拼接配合時(shí)，所述副拼接件的側(cè)面與所述第二注膠槽之間形成注膠區(qū)。

9.一種電機(jī)，其特征在于，包括如權(quán)利要求1～8中任一項(xiàng)所述的電機(jī)轉(zhuǎn)子。

10.一種用電設(shè)備，其特征在于，包括如權(quán)利要求9所述的電機(jī)。

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N電機(jī)轉(zhuǎn)子、電機(jī)以及用電設(shè)備，屬于電機(jī)制造技術(shù)領(lǐng)域。電機(jī)轉(zhuǎn)子包括多個(gè)鐵芯單體，多個(gè)鐵芯單體依次拼接形成電機(jī)轉(zhuǎn)子，沿電機(jī)轉(zhuǎn)子的徑向，每個(gè)鐵芯單體均包括可拼接配合的第一拼接塊和第二拼接塊，第一拼接塊的拼接處的邊緣開設(shè)有第一注膠槽，第一注膠槽與第一拼接塊內(nèi)的磁鋼槽對(duì)應(yīng)，第一注膠槽的底壁開設(shè)有第一卡接槽，第二拼接塊的拼接處設(shè)置有能夠與第一卡接槽卡接配合的第一凸臺(tái)，第一凸臺(tái)卡接于第一卡接槽時(shí)，第一凸臺(tái)的側(cè)面與第一注膠槽之間形成注膠區(qū)。該電機(jī)轉(zhuǎn)子具有降低磁漏效果較好的優(yōu)勢(shì)，同時(shí)，對(duì)應(yīng)的電機(jī)轉(zhuǎn)子還具有整體結(jié)構(gòu)較為穩(wěn)定以及機(jī)械強(qiáng)度較高等優(yōu)勢(shì)。

技術(shù)研發(fā)人員：陳煒然
受保護(hù)的技術(shù)使用者：廣汽埃安新能源汽車股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20231212
技術(shù)公布日：2024/12/19