本技術(shù)涉及功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)及方法。

背景技術(shù)：

1、在過去的幾十年內(nèi)，電力傳送及轉(zhuǎn)換系統(tǒng)領域已見證相當大的技術(shù)進步，特別是在整流器及逆變器的設計及開發(fā)方面。整流器是將交流(ac)信號轉(zhuǎn)換成直流(dc)信號的電裝置，且逆變器是將直流(dc)信號轉(zhuǎn)換成交流(ac)信號的電裝置。

2、各種方法涉及基于單極ip的設計，其中輸入及輸出兩者在范圍從近接地到正電壓的電壓譜內(nèi)操作。單極設計的流行可歸因于其在設計及操作兩者方面的簡單性。然而，其具有數(shù)個限制，包含高dc泄漏。dc泄漏是流經(jīng)電路中的非預期路徑的電流，這可損害系統(tǒng)的效率及可靠性。

3、已探索用于增強的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的各種方法，但它們已被證明是不夠的。認識到對新且改進的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)及方法的需要是重要的。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、在一方面中，本公開提供一種裝置，其包括：第一開關(guān)，其包括第一輸入，所述第一輸入經(jīng)配置以接收第一信號；電壓生成器，其耦合到所述第一開關(guān)，所述電壓生成器的特征在于第一電壓；第二開關(guān)，其耦合到所述第一開關(guān)，所述第二開關(guān)包括經(jīng)配置以接收第二信號的第二輸入；第一接地端子，其耦合到所述第二開關(guān)；第一電阻器，其耦合到所述第一開關(guān)及所述電壓生成器，所述第一電阻器的特征在于第一電阻；第二電阻器，其耦合到所述第一電阻器，所述第二電阻器的特征在于第二電阻；緩沖器，其包括第三輸入及第一輸出，所述第三輸入耦合到所述第一電阻器及所述第二電阻器，所述第一輸出的特征在于第二電壓；第三開關(guān)，其耦合到所述第一輸出；第一電容器，其耦合到所述第一開關(guān)及所述第三開關(guān)；及第二輸出，其耦合到所述第三開關(guān)及所述第一電容器。

2、在另一方面中，本公開提供一種裝置，其包括：第一開關(guān)，其包括第一輸入，所述第一輸入經(jīng)配置以接收第一信號；電壓生成器，其耦合到所述第一開關(guān)，所述電壓生成器的特征在于第一電壓；第二開關(guān)，其耦合到所述第一開關(guān)，所述第二開關(guān)包括經(jīng)配置以接收第二信號的第二輸入；第一接地端子，其耦合到所述第二開關(guān)；第一電阻器，其耦合到所述第一開關(guān)及所述電壓生成器；第二電阻器，其耦合到所述第一電阻器；緩沖器，其包括第三輸入及第一輸出，所述第三輸入耦合到所述第一電阻器及所述第二電阻器，所述第一輸出的特征在于第二電壓；第三開關(guān)，其耦合到所述第一輸出；第一電容器，其耦合到所述第一開關(guān)及所述第三開關(guān)；及第二輸出，其耦合到所述第三開關(guān)及所述第一電容器。

3、在另一方面中，本公開提供一種裝置，其包括：第一開關(guān)，其包括第一輸入，所述第一輸入經(jīng)配置以接收第一信號；電壓生成器，其耦合到所述第一開關(guān)，所述電壓生成器的特征在于第一電壓；第二開關(guān)，其耦合到所述第一開關(guān)，所述第二開關(guān)包括經(jīng)配置以接收第二信號的第二輸入；第一接地端子，其耦合到所述第二開關(guān)；第一電阻器，其耦合到所述第一開關(guān)及所述電壓生成器，所述第一電阻器的特征在于第一電阻；第二電阻器，其耦合到所述第一電阻器，所述第二電阻器的特征在于第二電阻；第二接地端子，其耦合到所述第二電阻器；緩沖器，其包括第三輸入及第一輸出，所述第三輸入耦合到所述第一電阻器及所述第二電阻器，所述第一輸出的特征在于第二電壓；第三開關(guān)，其耦合到所述第一輸出；第一電容器，其耦合到所述第一開關(guān)及所述第三開關(guān)；及第二輸出，其耦合到所述第三開關(guān)及所述第一電容器。

技術(shù)特征：

1.一種裝置，其包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其進一步包括耦合到所述第一開關(guān)及所述第二開關(guān)的第一電路，所述第一電路經(jīng)配置以將所述第一信號發(fā)送到所述第一輸入且將所述第二信號發(fā)送到所述第二輸入。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中：

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置，其中所述第一輸出信號包括正信號及負信號。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其進一步包括耦合到所述第三開關(guān)及所述第一電容器的第四開關(guān)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述第一開關(guān)包括互補金屬氧化物半導體cmos或雙極結(jié)晶體管bjt。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述第一開關(guān)包括耦合到所述第一輸入的柵極。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述第一電阻與所述第二電阻的比率小于1.1:1。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述第二電壓小于或等于所述第一電壓的一半。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述第三開關(guān)包括p溝道金屬氧化物半導體pmos或橫向擴散金屬氧化物半導體ldmos。

11.一種裝置，其包括：

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的裝置，其進一步包括耦合到所述第一開關(guān)及所述第二開關(guān)的第一電路，所述第一電路經(jīng)配置以將所述第一信號發(fā)送到所述第一輸入且將所述第二信號發(fā)送到所述第二輸入以控制所述第一開關(guān)及所述第二開關(guān)的切換。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的裝置，其中所述第二輸出經(jīng)配置以輸出第一輸出信號。

14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的裝置，其進一步包括耦合到所述第三開關(guān)及所述第一電容器的第四開關(guān)。

15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的裝置，其中所述第二電壓小于或等于所述第一電壓的一半。

16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的裝置，其進一步包括耦合到所述第二電阻器的第二接地端子。

17.一種裝置，其包括：

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的裝置，其進一步包括耦合到所述第一開關(guān)的第一電路，所述第一電路經(jīng)配置以將所述第一信號發(fā)送到所述第一輸入。

19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的裝置，其中所述第一電阻與所述第二電阻的比率小于1.1:1。

20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的裝置，其進一步包括耦合到所述第三開關(guān)及所述第一電容器的第四開關(guān)。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)涉及用于使用雙極信令進行功率轉(zhuǎn)換的系統(tǒng)及方法。在一些實施例中，本技術(shù)提供一種裝置，其包括經(jīng)配置以接收第一信號的第一開關(guān)及經(jīng)配置以接收第二信號的第二開關(guān)。電壓生成器耦合到所述第一開關(guān)。所述裝置進一步包括耦合到所述第一開關(guān)的第一電阻器及耦合到所述第一電阻器的第二電阻器。所述第一開關(guān)進一步耦合到第一電容器，所述第一電容器充當電荷泵以生成負電壓，使得所述裝置的輸出包括正及負電壓兩者。本技術(shù)的實施例基于單極設計實現(xiàn)雙極信令，有效地最小化DC泄漏及總體功耗。也存在其它實施例。

技術(shù)研發(fā)人員：J·沃利,J·勒
受保護的技術(shù)使用者：安華高科技股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/12