本公開涉及半導體模塊。

背景技術：

1、以往，如專利文獻1所記載的那樣，已知具有第一功率模塊、第二功率模塊和第三功率模塊的3電平逆變器裝置。在第一功率模塊中，第一功率晶體管被作為上臂，第一二極管被作為下臂。在第二功率模塊中，第二功率晶體管被作為上臂，第三功率晶體管被作為下臂。在第三功率模塊中，第二二極管被作為上臂，第四功率晶體管被作為下臂。

2、現(xiàn)有技術文獻

3、專利文獻

4、專利文獻1：日本特開2020－39221號公報

技術實現(xiàn)思路

1、在專利文獻1所記載的3電平逆變器裝置中，需要將第一功率模塊及第二功率模塊之間用布線連接、并且將第二功率模塊及第三功率模塊之間用布線連接。由于這些布線，3電平逆變器裝置的電感增加。

2、本公開的目的在于提供抑制電感的增加的半導體模塊。

3、根據(jù)本公開的一實施方式，半導體模塊具備第1模塊和第2模塊。

4、第1模塊，具有：第1端子，在一個方向上延伸；第1元件，包含與第1端子連接的第1電極、第2電極、基于施加電壓而使電流在第1電極及第2電極之間流動的第1柵極電極、以及與第1電極及第2電極連接的第1二極管；第2元件，包含與第2電極連接的第3電極、第4電極、基于施加電壓而使電流在第3電極及第4電極之間流動的第2柵極電極、以及與第3電極及第4電極連接的第2二極管；第2端子，與第3電極連接并且在一個方向上延伸，與負載連接；以及第3端子，與第4電極連接，并且在一個方向上延伸。第2模塊，具有：第4端子，在一個方向上延伸，與第2端子連接從而使第1模塊和第2模塊連接；第3元件，包含與第4端子連接的第5電極、第6電極、基于施加電壓而使電流在第5電極及第6電極之間流動的第3柵極電極、以及與第5電極及第6電極連接的第3二極管；第4元件，包含第7電極、與第6電極連接的第8電極、基于施加電壓而使電流在第7電極及第8電極之間流動的第4柵極電極、以及與第7電極及第8電極連接的第4二極管；第5端子，與第7電極連接并且在一個方向上延伸；以及第6端子，與第7電極連接并且在一個方向上延伸。第1模塊在第1模塊的厚度方向上與第2模塊對置，第1模塊中的電流路徑方向成為第2模塊中的電流路徑方向的相反方向。

5、由此，產(chǎn)生由流過第1模塊及第2模塊的電流引起的磁場的朝向成為相互不同的方向的部位。因此，第1模塊和第2模塊相互將磁場抵消。因而，第1模塊及第2模塊中的電感的增加被抑制。由此，半導體模塊的電感的增加被抑制。

技術特征：

1.一種半導體模塊，其特征在于，

2.如權利要求1所述的半導體模塊，其特征在于，

3.如權利要求2所述的半導體模塊，其特征在于，

4.如權利要求1～3中任一項所述的半導體模塊，其特征在于，

5.如權利要求1～3中任一項所述的半導體模塊，其特征在于，

6.如權利要求1～3中任一項所述的半導體模塊，其特征在于，

7.如權利要求1～3中任一項所述的半導體模塊，其特征在于，

技術總結
半導體模塊(10)中，O1端子(140)和O2端子(210)被連接，從而第1模塊(11)和第2模塊(12)被連接。此外，第1模塊(11)與第2模塊(12)在厚度方向上對置。進而，第1模塊(11)中的電流路徑方向成為第2模塊(12)中的電流路徑方向的相反方向。由此，在半導體模塊中，能夠抑制電感的增加。

技術研發(fā)人員：石野寬
受保護的技術使用者：株式會社電裝
技術研發(fā)日：
技術公布日：2024/12/19