專利名稱：單、三相漏磁通磁路型磁性調(diào)壓器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及磁性調(diào)壓器，尤其是三相磁性調(diào)壓器。
現(xiàn)行磁性調(diào)壓器以飽和電抗器作為調(diào)壓元件，存在用料費(fèi)、體積大、成本高等缺點(diǎn)，特別是難于制成三相磁性調(diào)壓器。
本實(shí)用新型發(fā)明目的，為了克服現(xiàn)有飽和電抗器型磁性調(diào)壓器的不足之處，提供一種單、三相漏磁通磁路型磁性調(diào)壓器，從而減少設(shè)備用料、減小體積、降低能耗，并制造三相磁性調(diào)壓器，在大功率的場合，大規(guī)模地降低成本與能耗。
本實(shí)用新型技術(shù)方案如下，下面結(jié)合實(shí)施例給出的附圖說明如下。
圖1為單相內(nèi)鐵式主磁路短接式漏磁通磁路型磁性調(diào)壓器原理圖；圖2為單相內(nèi)鐵式主磁路具有磁化芯柱的短接式漏磁通磁路型磁性調(diào)壓器原理圖；圖3為單相外鐵式主磁路原繞組在中心柱的短接式漏磁通磁路型磁性調(diào)壓器原理圖；圖4為單相外鐵式主磁路付繞組在中心柱的短接式漏磁通磁路型磁性調(diào)壓器原理圖；圖5為單相外鐵式主磁路具有直流磁通續(xù)流磁路的短接式漏磁通磁路型磁性調(diào)壓器原理圖；圖6為三相殼式主磁路原繞在中心柱的短接式漏磁通磁路型磁性調(diào)壓器原理圖；圖7為三相殼式主磁路原繞組在中心柱的具有直流磁通續(xù)流磁路的短接式漏磁通磁路型磁性調(diào)壓器原理圖；圖8為三相殼式主磁路付繞組在中心柱的短接式漏磁通磁路型磁性調(diào)壓器原理圖；圖9為三相殼式主磁路付繞組在中心柱的具有直流磁通續(xù)流磁路的短接式漏磁通磁路型磁性調(diào)壓器原理圖；圖10為三相三柱式主磁路的跨接式漏磁通磁路型磁性調(diào)壓器原理圖；圖11為三相三柱式主磁路的具有磁化芯柱的跨接式漏磁通磁路型磁性調(diào)壓原理圖；圖12為三相雙三柱主磁路的跨接式漏磁通磁路型磁性調(diào)壓器原理圖(倒置)；圖13為三相雙三柱磁路的具有直流磁通續(xù)流磁路的跨接式漏磁通磁路型磁性調(diào)壓器原理圖(倒置)；圖14為單相屏蔽式漏磁通磁路型磁性調(diào)壓器原理圖；圖15為三相原繞組屏蔽式漏磁通磁路型磁性調(diào)壓器原理圖；圖16為三相付繞組屏蔽式漏磁通磁路型磁性調(diào)壓器原理圖；圖17為三相原繞組組合屏蔽式漏磁通磁路型磁性調(diào)壓器原理圖；圖18為三相付繞組組合屏蔽式漏磁通磁路型磁性調(diào)壓器原理圖；圖19為單相旁路式漏磁通磁路型磁性調(diào)壓器原理圖；圖20為單相具有磁化芯柱的旁路式漏磁通磁路型磁性調(diào)壓器原理圖；圖21為三相組合內(nèi)鐵式主磁路旁路式漏磁通磁路型磁性調(diào)壓器原理圖；圖22為三相組合外鐵式主磁路旁路式漏磁通磁路型磁性調(diào)壓器原理圖；圖23為三相組合內(nèi)鐵式主磁路具有磁化芯柱的旁路式漏磁通磁路型磁性調(diào)壓器原理圖；圖24為三相組合外鐵式主磁路具有磁化芯柱的旁路式漏磁通磁路型磁性調(diào)壓器原理圖；圖25為單相對(duì)偶式漏磁通磁路型磁性調(diào)壓器原理圖；圖26為單相對(duì)偶式具有磁化芯柱的漏磁通磁路型磁性調(diào)壓器原理圖；圖27為單相對(duì)偶式具有兩個(gè)磁化芯柱的漏磁通磁路型磁性調(diào)壓器原理圖；圖28為三相組合內(nèi)鐵式主磁路的對(duì)偶式漏磁通磁路型磁性調(diào)壓器原理圖；圖29為三相組合內(nèi)鐵式主磁路的對(duì)偶式漏磁通磁路型磁性調(diào)壓器原理圖；圖30為單相內(nèi)鐵式主磁路外包式漏磁通磁路型磁性調(diào)壓器原理圖；圖31為單相外鐵式主磁路外包式漏磁通磁路型磁性調(diào)壓器原理圖；圖32為三相殼式主磁路外包式漏磁通磁路型磁性調(diào)壓器原理圖；圖33為三相組合內(nèi)鐵式主磁路外包式漏磁通磁路型磁性調(diào)壓器原理圖(例置)。
附圖編號(hào)說明主磁路TM(1)、A相主磁路TMA(2)、B相主磁路TMB(3)、C相主磁路TMC(4)、漏磁通磁路導(dǎo)磁體TF(5)、漏磁通磁路導(dǎo)磁體TF1(6)、漏磁通磁路導(dǎo)磁體TF2(7)、抗磁性材料墊片MR(8)、抗磁性材料墊片MR1(9)、抗磁性材料墊片MR2(10)、漏磁通引導(dǎo)磁路MD(11)、磁化芯柱MG(12)、直流磁通續(xù)流磁路MC(13)、原繞組WF(14)、付繞組WS(15)、A相原繞組WFA(16)、A相付繞組WSa(17)、B相原繞組WFB(18)、B相付繞組WSb(19)、C相原繞組WFc(20)、C相付繞組WSc(21)、A.B相付繞組WSab(22)、B.C相付繞組WSbc(23)、直流控制繞組WC(24)、直流控制繞組WC1(25)、直流控制繞組WC2(26)、單相輸入端A、X、單輸出端a、x、三相輸入端A、B、C、三相輸出端a、b、c、直流電源正極+、直流電源負(fù)極-、本實(shí)用新型單、三相漏磁通磁路型磁性調(diào)壓器，包括主磁路TM(TMA、TMB、TMC)，原繞組WF(WFA、WFB、WFC)，付繞組WS(WSa、WSb、WSc)其特征在于，在單、三相主磁路TM(TMA、TMB、TMC)上增設(shè)導(dǎo)磁體TF(包括TF1、TF2)，組成漏磁通磁路，構(gòu)成單相短接式，屏蔽式、旁路式、對(duì)偶式、外包式漏磁通磁路型磁性調(diào)壓器及三相短接式、跨接式、屏蔽式、組合屏蔽式、旁路式、對(duì)偶式、外包式漏磁通磁路型磁性調(diào)壓器。
單相短接式漏磁通磁路型磁性調(diào)壓器(見圖1、2、3、4、5所示)及三相短接式漏磁通磁路型磁性調(diào)壓器(見圖6、7、8、9所示)是在單相內(nèi)鐵式主磁路TM(圖1、2)、單相原繞組WF在中心柱的外鐵式主磁路TM(圖3、5)、單相付繞組WS在中心柱的外鐵式主磁路TM(圖4)及三相原繞組WFA、WFB、WFC在中心柱的殼式主磁路TMA、TMB、TMC(圖6、7)、三相付繞組WSa、WSb、WSc在中心柱的殼式主磁TMA、TMB、TMC(圖8、9)上的磁軛之間增設(shè)導(dǎo)磁體TF(包括TF1、TF2)，組成漏磁通磁路，而構(gòu)成的。
見圖10、11、12、13所示，在三相三柱式主磁路(圖10、11)三個(gè)芯柱TMA、TMB、TMC中部及雙三柱式主磁路(圖12、13)各自三個(gè)芯柱TMA、TMB、TMC中部增設(shè)導(dǎo)磁體TF(包括TF1、TF2)，組成漏磁通磁路，構(gòu)成單、三相跨接式漏磁通磁路型磁性調(diào)壓器。
如圖14、15、16所示，兩條導(dǎo)磁體TF1、TF2對(duì)稱地設(shè)在單相(圖14)、三相(圖15、16)主磁路TM(TMA、TMB、TMC)中原繞組WF(WFA、WFB、WFC)或付繞組WS(WSa、WSb、WSc、)所在部位兩側(cè)，組成屏蔽式漏磁通磁路型磁性調(diào)壓器。
如圖17、18所示，三相組合屏蔽式漏磁通磁路型磁性調(diào)壓器的結(jié)構(gòu)特征是，位于三相三柱式主磁路TMA、TMB、TMC相鄰兩芯柱TMA、TMB及TMB、TMC之間的兩條導(dǎo)磁體TF1與TF2之間隔以不大于2毫米厚的抗磁性金屬材料墊片MR1(9)(如整塊的銅板或鋁板)，并共用一個(gè)直流繞組WC2。
單、三相旁路式漏磁通磁路型磁性調(diào)壓器，如圖19、20、21、22、23、24所示，其結(jié)構(gòu)特征在于，由導(dǎo)磁體TF1及TF2組成的漏磁通磁路設(shè)于單相主磁路TM(圖19、20)及三相主磁路TMA、TMB、TMC(圖21、22、23、24)的一側(cè)。
如圖25、26、27所示，單相對(duì)偶式漏磁通磁路型磁性調(diào)壓器，是將由兩條導(dǎo)磁體TF組成的漏磁通磁路設(shè)于兩個(gè)結(jié)構(gòu)完全相同的單相主磁路TM中間，三相對(duì)偶式漏磁通磁路型磁性調(diào)壓器是將4條導(dǎo)磁體TF組成的漏磁通磁路設(shè)于兩個(gè)結(jié)構(gòu)完全相同的三相主磁路TMA、TMB、TMC中間，如圖28、29所示。
單、三相外包式漏磁通磁路型磁性調(diào)壓器的結(jié)構(gòu)特征是，由導(dǎo)磁體TF組成的漏磁通磁路設(shè)于單相主磁路TM的四周(見圖30、31所示)及三相主磁路TMA、TMB、TMC的四周(見圖32、33所示)。
在單相短接式(圖2)、旁路式(圖20)、對(duì)偶式(圖26、27)及三相跨接式(圖11)、旁路式(圖23、24)漏磁通磁路型磁性調(diào)壓器中，漏磁通磁路中具有設(shè)于兩條導(dǎo)磁體TF(包括TF1、TF2)對(duì)應(yīng)等磁位點(diǎn)間的由一條或兩條導(dǎo)磁體MG組成的磁化芯柱。
見圖5、7、9、13所示，在單、三相短接式、三相跨接式漏磁通磁路型磁性調(diào)壓器中，兩條導(dǎo)磁體TF兩端設(shè)有由導(dǎo)磁MC組成的直流磁通續(xù)流磁路。
結(jié)合

工作原理如下
在單相漏磁通磁路型磁性調(diào)壓器中，見圖1、2、3、4、5、14、19、20、25、26、27、30、31所示，由于漏磁通磁路的設(shè)置，原繞組WF所產(chǎn)生的磁通可以通過漏磁通磁路形成閉合回路，完成磁路循環(huán)。在圖10、11、12、13、21、22、23、24、28、29所示的三相漏磁通磁路型磁性調(diào)壓器中，由于漏磁通磁路的設(shè)置，A、C兩相原繞組WFA及WFC所產(chǎn)生磁通可以通過漏磁通磁路到達(dá)B相磁路，三相漏磁通相加為零，完成磁路循環(huán)。在圖6、7、8、9、15、16、17、18、32、33所示的三相漏磁通磁路型磁性調(diào)壓器中，由于漏磁通磁路的設(shè)置，各相原繞組WFA、WFB、WFC產(chǎn)生的磁通可以通過各自的漏磁通磁路形成閉合回路，完成磁路循環(huán)。所以，只要控制漏磁通磁路的導(dǎo)磁性，就可以控制穿過付繞組的磁通的大小，從而達(dá)到調(diào)壓的目的。
直流控制繞組中直流電流的大小，可以控制漏磁通磁路的飽和程度，從而調(diào)節(jié)其導(dǎo)磁性。
漏磁通磁路的工況與現(xiàn)行磁性調(diào)壓器的中的飽和電抗器的基本相同，故須遵守飽和電抗器的有關(guān)原則1、直流磁通與一半的漏磁通方向相反，與一半的漏磁通方向相同；2、直流磁通不能影響主磁路的導(dǎo)磁性；3、直流控制繞組中產(chǎn)生的感應(yīng)電勢向量和為零。
圖1、10、19、21、22所示的單、三相漏磁通磁路型磁性調(diào)壓器中，漏磁通磁路的工況一致為I型；圖2、11、20、23、24、26、27所示的單、三相漏磁通磁路型磁性調(diào)壓器中，漏磁通磁路的工況一致為Ⅱ型；圖3、4、6、8、12、14、15、16、17、18、25、28、29、30、31、32、33所示的單、三相漏磁通磁路型磁性調(diào)壓器中，漏磁通磁路的工況一致為Ⅲ型；圖5、7、9、13所示的單、三相漏磁通磁路型磁性調(diào)壓器中，漏磁通磁路工況一致為Ⅳ型。
在Ⅰ型漏磁通磁路中，為保證漏磁通在TF1和TF2上各流通一半，兩條漏磁通磁路中心線的長度應(yīng)相等，此時(shí)，由于直流磁通在TF1及TF2中構(gòu)成閉合回路，所以直流磁通和一半的漏磁通方向相同，與一半的漏磁通方向相反。交變磁通在直流控制繞組中產(chǎn)生的感應(yīng)電勢方向相反，互相抵消。
在Ⅱ型漏磁通磁路中，在TF1及TF2的等磁位點(diǎn)之間設(shè)置磁化芯柱MG直流控制繞組WC設(shè)于其上。由于MG中無交變磁通，WC中無交變電勢。直流磁通在MG兩側(cè)繞向相反，因而直流磁通與一半的漏磁通方向相同，與一半的漏磁通方向相反。
在Ⅲ型漏磁通磁路中，由于兩條漏磁通磁路與主磁路完全對(duì)稱，其上各流通一半的漏磁通，直流磁通與一半的漏磁通方向相同，與一半的漏磁通方向相反；直流磁通與主磁路正交，不會(huì)影響主磁路的導(dǎo)磁性，直流控制繞組中產(chǎn)生的感應(yīng)電勢兩兩大小相等，方向相反，互相抵消。
Ⅳ型漏磁通磁路，與Ⅲ型基本相同，只是增設(shè)了直流磁通續(xù)流磁路，由于其連接主磁路上兩等磁位點(diǎn)，故其中無交變磁通存在。由于增設(shè)了直流控制繞組，直流電流可以減小，能節(jié)省工作時(shí)的能耗。
對(duì)本實(shí)用新型所提供的實(shí)施例敘述如下圖1所示實(shí)施例中，原繞組WF和付繞組WS設(shè)于主磁路TM的不同芯柱上，由導(dǎo)磁體TF1和TF2組成的Ⅰ型漏磁通磁路裝于主磁路的上下磁軛之間。TF2和主磁路磁軛間墊有抗磁性金屬墊片MR(8)，以保證漏磁通的正確流向。
圖2與圖1的區(qū)別在于漏磁通磁路為Ⅱ型。
圖3、4中，兩條導(dǎo)磁體設(shè)于單相外鐵式主磁路TM中心柱兩側(cè)四條磁軛之間，組成Ⅲ型漏磁通磁路。
圖4與圖3的區(qū)別在于付繞組WS設(shè)于中心柱上。
圖5與圖3的區(qū)別在于漏磁通磁路為Ⅳ型。
圖6中，四條導(dǎo)磁體TF設(shè)于三相殼式主磁路TMA、TMB、TMC中心柱兩側(cè)八條磁軛之間。
圖7與圖6的區(qū)別在于漏磁通磁路為Ⅳ型。
圖8與圖6的區(qū)別在于付繞組WSa、WSb、WSc設(shè)于主磁路TMA、TMB、TMC的中心柱上。
圖9與圖8的區(qū)別和圖5與圖3的區(qū)別相同。
圖10、11、12、13為三相跨接式漏磁通磁路型磁性調(diào)壓實(shí)施例原理圖，圖10、11為三相三柱式主磁路，圖12、13為雙三柱式主磁路，在其三個(gè)芯柱TMA、TMB、TMC中部各自增設(shè)導(dǎo)磁體TF(包括TF1、TF2)，組成漏磁通磁路，即構(gòu)成三相跨接式漏磁通磁路型磁性調(diào)壓器。漏磁通磁路結(jié)構(gòu)圖10為Ⅰ型，圖11為Ⅱ型，圖12為Ⅲ型，圖13為Ⅳ型。
圖14中，兩條導(dǎo)磁體TF1(6)、TF2(7)對(duì)稱地設(shè)在單相主磁路TM中原繞組WF所在芯柱兩側(cè)，圖15、16中兩條導(dǎo)磁體TF1、TF2分別對(duì)稱地設(shè)在三相三柱式主磁路TMA、TMB、TMC中原繞組WFA、WFB、WFC(圖15)或付繞組WSa、WSb、WSc(圖16)所在部位兩側(cè)。圖15漏磁通磁路稍短，較佳。漏磁通磁路都為Ⅲ型。
圖17、18為三相組合屏蔽式漏磁通磁路型磁性調(diào)壓器實(shí)施例原理圖，其與圖15、16的區(qū)別在于，位于三柱式主磁路相鄰兩芯柱之間的兩條導(dǎo)磁體TF1、TF2之間隔以不厚于2毫米的抗磁性金屬材料墊片MR1(9)，如整塊的銅板或鋁板，以保證漏磁通的正確流向，圖17中付繞組WFA、WFB、WFC位于漏磁通磁路的包圍之中，圖18中付繞組WSa、WSb、WSc位于漏磁通磁路的包圍之中。
圖19、20、21、22、23、24為單、三相旁路式漏磁通磁路型磁性調(diào)壓器實(shí)施例原理圖，由導(dǎo)磁體TF1、TF2組成的漏磁通磁路位于單相主磁路TM(圖19、20)的左側(cè)或三相主磁路TMA、TMB、TMC(圖21、22、23、24)的頂側(cè)。圖19、20主磁路TM為單相內(nèi)鐵式，圖21、23為由單相內(nèi)鐵式主磁路TMA、TMB、TMC組合而成的三相磁路，圖22、24為單相外鐵式主磁路TMA、TMB、TMC組合而成的三相磁路，為提高三相主磁路的對(duì)稱性，圖22、24在相鄰兩相主磁路間墊上抗磁性金屬片MR1(9)、在主磁路連接磁軛與A相(圖22、24)、B相(圖21、23)、C相(圖22、24)主磁路TMA、TMB、TMC之間墊有抗磁性金屬材料片MR(8)。圖22、24中，A相主磁路TMA的右邊柱和B相主磁路TMB左邊柱共用一個(gè)付繞組Wab，B相主磁路TMB右邊柱和C相主磁路TMC的左邊柱共用一個(gè)付繞組WSbc，A相付繞組WSa和C相付繞組WSc相串聯(lián)后與WSab、WSbc組成對(duì)稱三相付繞組，可用三角形或星形接法。通過漏磁通引導(dǎo)磁路MD，單、三相主磁路和漏磁通磁路相連。圖19、21、22為Ⅰ型漏磁通磁路，圖20、23、24為Ⅱ型漏磁通磁路，在導(dǎo)磁體TF2和引導(dǎo)磁路MD間墊有抗磁性金屬材料墊片MR(8)(圖19、20)或MR2(10)(圖21、22、23、24)。
圖25、26、27中，兩個(gè)結(jié)構(gòu)完全相同的單相內(nèi)鐵式主磁路TM中間設(shè)有由兩條導(dǎo)磁體TF組成的漏磁通磁路，構(gòu)成了單相對(duì)偶式漏磁通磁路型磁性調(diào)壓器。圖25為Ⅲ型漏磁通磁路，圖26、27為Ⅱ型。圖27中，有兩條磁化芯柱MG，工作時(shí)，只飽和TF的大約一半長度，具有同樣的調(diào)壓功能，由于直流磁路比較短，直流電流可以小，所以具有節(jié)約能耗的優(yōu)點(diǎn)。
圖28、29是由結(jié)構(gòu)完全相同的兩個(gè)組合式三相主磁路TMA、TMB、TMC中間裝設(shè)Ⅲ型漏磁通磁路而成的三相對(duì)偶式漏磁通磁路型磁性調(diào)壓器。圖28是三個(gè)內(nèi)鐵式磁路TMA、TMB、TMC與圖21、23主磁路相同；圖29是三個(gè)外鐵式磁路TMA、TMB、TMC與圖22、24主磁路相同。應(yīng)該指出，圖28、29所示的主磁路TMA、TMB、TMC也可以和Ⅱ型漏磁通磁路相連，與圖26、27相似。
圖30中，主磁路TM為單相內(nèi)鐵式，在上下兩個(gè)連接磁軛中部有漏磁通引導(dǎo)磁路MD，通過MD和Ⅲ型漏磁通磁路相連而構(gòu)成單相外包式漏磁通磁路型磁性調(diào)壓器。左側(cè)漏磁通磁路TF和主磁路TM之間有抗磁性金屬材料墊片MR(8)，這種磁路與現(xiàn)行的單相磁性調(diào)壓器幾乎完全相同，區(qū)別僅在于有毫米級(jí)的引導(dǎo)磁路MD，由于此處沒有飽和電抗器主繞組，用銅量明顯減少，由于窗口占用減少，用鐵量也會(huì)下降，設(shè)備體積小，重量輕，工作時(shí)的能耗也會(huì)因?yàn)闆]有飽和電抗器主繞組銅耗而下降。優(yōu)點(diǎn)是明顯的。
圖31與圖30的區(qū)別在于主磁路TM為外鐵式，本身對(duì)稱，因而無須引導(dǎo)磁路MD。
圖32為三相殼式主磁路TMA、TMB、TMC外包Ⅲ型漏磁通磁路而構(gòu)成。圖33為三個(gè)內(nèi)鐵式單相磁路TMA、TMB、TMC組合而成的三相磁路外包Ⅲ型漏磁通磁路而構(gòu)成。
本實(shí)用新型單、三相漏磁通磁路型磁性調(diào)壓器具有下列優(yōu)點(diǎn)1、單相漏磁通磁路型磁性調(diào)壓器與現(xiàn)行飽和電器型單相磁性調(diào)壓器相比，具有用銅量、用鐵量小、體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)簡單，運(yùn)行能耗小的優(yōu)點(diǎn)。
2、由于漏磁通磁路的結(jié)構(gòu)靈活多樣，便于從中選擇出適合各種實(shí)踐要求的最佳結(jié)構(gòu)來。
3、由于三相漏磁通磁路型磁性調(diào)壓器的引入，結(jié)束了三相磁性調(diào)壓器制造困難的局面，從而在大功率的場合，可大規(guī)模地減少成本，降低運(yùn)行費(fèi)用，節(jié)約能源，并提高供電網(wǎng)的平衡性。
本實(shí)用新型在現(xiàn)行磁性調(diào)壓器的各種應(yīng)用場合具有廣闊的應(yīng)用前景。
權(quán)利要求1.單、三相漏磁通磁路型磁性調(diào)壓器，包括主磁路TM(TMATMBTMC)原繞組WF(WFA、WFB、WFC)，付繞組WS(WSa、WSb、WSc)，其特征在于，在單、三相主磁路TM(TMA、TMB、TMC)上增設(shè)導(dǎo)磁體TF(包括TF1、TF2)，組成漏磁通磁路，構(gòu)成單相短接式、屏蔽式、旁路式、對(duì)偶式、外包式漏磁通磁路型磁性調(diào)壓器及三相短接式、跨接式、屏蔽式、組合屏蔽式、旁路式、對(duì)偶式、外包式漏磁通磁路型磁性調(diào)壓器。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單、三相漏磁通磁路型磁性調(diào)壓器，其特征在于，在主磁路TM(TMA、TMB、TMC)的磁軛之間增設(shè)導(dǎo)磁體TF(包括TF1、TF2)，組成漏磁通磁路，構(gòu)成單、三相短接式漏磁通磁路型磁性調(diào)壓器。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三相漏磁通磁路型磁性調(diào)壓器，其特征在于，在三相三柱式主磁路TMA、TMB、TMC的三個(gè)芯柱中部，增設(shè)導(dǎo)磁體TF(包括TF1、TF2)，組成漏磁通磁路，構(gòu)成三相跨接式漏磁通磁路型磁性調(diào)壓器。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單、三相漏磁通磁路型磁性調(diào)壓器，其特征在于，在單、三相主磁路TM(TMA、TMB、TMC)中，原繞組WF(WFA、WFB、WFC)或付繞組WS(WSa、WSb、WSc)所在部位兩側(cè)對(duì)稱地設(shè)置導(dǎo)磁體TF1及TF2組成漏磁通磁路，構(gòu)成單、三相屏蔽式漏磁通磁路型磁性調(diào)壓器。
5.根據(jù)權(quán)利要求1、4所述的三相組合屏蔽式漏磁通磁路型磁性調(diào)壓器，其特征在于，位于三柱式主磁路TMA、TMB、TMC相鄰兩芯柱TMA、TMB及TMB、TMC之間的兩條導(dǎo)磁體TF1與TF2之間隔以毫米級(jí)厚度的抗磁性金屬墊片MR1(9)并共用一個(gè)直流控制繞組WC2。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單、三相旁路式漏磁通磁路型磁性調(diào)壓器，其特征在于，由導(dǎo)磁體TF1及TF2組成的漏磁通磁路，設(shè)于單、三相主磁路TM(TMA、TMB、TMC)的一側(cè)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單、三相對(duì)偶式漏磁通磁路型磁性調(diào)壓器，其特征在于，由導(dǎo)磁體TF組成的漏磁通磁路設(shè)于兩個(gè)結(jié)構(gòu)完全相同的單、三相主磁路TM(TMA、TMB、TMC)中間。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單、三相外包式漏磁通磁路型磁性調(diào)壓器，其特征在于，由導(dǎo)磁體TF組成的漏磁通磁路設(shè)于主磁路TM(TMA、TMB、TMC)的四周。
9.根據(jù)權(quán)利要求2、3、6、7所述的單、三相漏磁通磁路型磁性調(diào)壓器，其特征在于，漏磁通磁路中，兩條導(dǎo)磁體TF(包括TF1、TF2)對(duì)應(yīng)等磁位點(diǎn)間設(shè)有由一條或兩條導(dǎo)磁體MG組成的磁化芯柱。
10.根據(jù)權(quán)利要求2、3所述的單、三相漏磁通磁路型磁性調(diào)壓器，其特征在于，兩條導(dǎo)磁體TF兩端設(shè)有由導(dǎo)磁體MG組成的直流磁通續(xù)流磁路。
專利摘要本實(shí)用新型涉及磁性調(diào)壓器,包括主磁路TM(AM
文檔編號(hào)H02M5/02GK2310420SQ9722205
公開日1999年3月10日 申請(qǐng)日期1997年7月20日 優(yōu)先權(quán)日1997年7月20日
發(fā)明者王如堂, 王唯真 申請(qǐng)人:王如堂