一種全橋軟開關(guān)mos驅(qū)動(dòng)電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及電力電子技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種全橋軟開關(guān)MOS驅(qū)動(dòng)電路。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展，軟開關(guān)技術(shù)迅速普及，大功率軟開關(guān)全橋電路被廣泛應(yīng)用，且功率器件的更新，MOS技術(shù)由于有較低的導(dǎo)通電阻很受市場歡迎，由于在橋式等有上下管存在的線路中，由于mosfet結(jié)電容的存在，經(jīng)常會由于嚴(yán)重的米勒效應(yīng)導(dǎo)致空載或者輕載炸機(jī)問題，另外，上下管在死區(qū)時(shí)間內(nèi)驅(qū)動(dòng)電平不為零，驅(qū)動(dòng)關(guān)斷的時(shí)候還會有一個(gè)2V左右的高電平，有較多的關(guān)斷損耗，而為了減少關(guān)斷損耗，在空載的時(shí)候MOS很難實(shí)現(xiàn)軟開關(guān)，但如果為了解決該問題而在MOS上去并聯(lián)一定容量的電容，則在空載的時(shí)候MOS的開關(guān)損耗比普通開通開關(guān)全橋損耗大很多，另加上本身MOS的屬性還會加大對MOS的驅(qū)動(dòng)的干擾，還可能造成全橋軟開關(guān)變換器在空載的時(shí)候炸機(jī)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種運(yùn)行安全穩(wěn)定、成本低、結(jié)構(gòu)簡單且損耗少、抗干擾能力強(qiáng)的全橋軟開關(guān)MOS驅(qū)動(dòng)電路。
[0004]本發(fā)明的上述技術(shù)目的是通過以下技術(shù)方案得以實(shí)現(xiàn)的:一種全橋軟開關(guān)MOS驅(qū)動(dòng)電路，包括互補(bǔ)的驅(qū)動(dòng)信號A和驅(qū)動(dòng)信號B，驅(qū)動(dòng)信號A和驅(qū)動(dòng)信號B分別連接至一驅(qū)動(dòng)加強(qiáng)芯片的兩個(gè)輸入端，所述驅(qū)動(dòng)加強(qiáng)芯片的兩個(gè)與所述兩個(gè)輸入端分別相對應(yīng)的輸出端連接至一變壓器原邊處的繞組兩端，所述變壓器的副邊處具有兩個(gè)上下排列的繞組且各個(gè)繞組的兩端分別連接有上驅(qū)動(dòng)輸出電路和下驅(qū)動(dòng)輸出電路，所述上驅(qū)動(dòng)輸出電路和下驅(qū)動(dòng)輸出電路的電路結(jié)構(gòu)相同且均包括第一 MOS管和第二 MOS管，副邊處的繞組兩端分別與第一MOS管的源極和柵極相連，第一 MOS管的漏極和第二 MOS管的柵極相連，第二 MOS管的源極也同第一 MOS管的柵極相連，下驅(qū)動(dòng)輸出電路的第二 MOS管的漏極與上驅(qū)動(dòng)輸出電路的第二 MOS管的源極相連。
[0005]上述技術(shù)方案中，該電路結(jié)構(gòu)更加穩(wěn)定、可靠，適用于大功率的開關(guān)變換裝置，成本低、結(jié)構(gòu)簡單且損耗少、抗干擾能力強(qiáng)，散熱等其他物理性能均得到較大提升，驅(qū)動(dòng)加強(qiáng)芯片可以采用現(xiàn)有的驅(qū)動(dòng)芯片，對互補(bǔ)的輸入信號的驅(qū)動(dòng)能力進(jìn)行提升，第一 MOS管在導(dǎo)通的情況下即可實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)輸出電路的高電平驅(qū)動(dòng)，而上驅(qū)動(dòng)輸出電路和下驅(qū)動(dòng)輸出電路由于連接結(jié)構(gòu)特點(diǎn)和互補(bǔ)的驅(qū)動(dòng)信號，形成完美互鎖的驅(qū)動(dòng)關(guān)系，當(dāng)上驅(qū)動(dòng)輸出電路輸出低電平的時(shí)候，下驅(qū)動(dòng)輸出電路才會有高電平驅(qū)動(dòng)，當(dāng)下驅(qū)動(dòng)輸出電路輸出低電平的時(shí)候，上驅(qū)動(dòng)輸出電路才會有高電平驅(qū)動(dòng)。
[0006]作為對本發(fā)明的優(yōu)選，第一 MOS管的柵極的支路上串接有一限流電阻。
[0007]作為對本發(fā)明的優(yōu)選，第二 MOS管的柵極和源極之間連接有雙向穩(wěn)壓二極管。
[0008]作為對本發(fā)明的優(yōu)選，第二 MOS管的柵極和源極之間連接有保護(hù)電阻。
[0009]作為對本發(fā)明的優(yōu)選，第二 MOS管的柵極和源極之間連接有三極管，所述三極管的發(fā)射極連接至第二 MOS管的柵極，所述三極管的集電極通過串接一肖特基二極管連接至第二 MOS管的源極，所述三極管的基極通過串接另一肖特基二極管連接至第一 MOS管的漏極。
[0010]作為對本發(fā)明的優(yōu)選，第一 MOS管的漏極和三極管的發(fā)射極之間也串接有保護(hù)電阻。
[0011]作為對本發(fā)明的優(yōu)選，第一 MOS管為PNP型管，第二 MOS管為NPN型管，三極管為PNP型管。
[0012]作為對本發(fā)明的優(yōu)選，驅(qū)動(dòng)加強(qiáng)芯片的兩個(gè)輸入端均通過串接一保護(hù)電阻后接地。
[0013]作為對本發(fā)明的優(yōu)選，驅(qū)動(dòng)加強(qiáng)芯片的兩個(gè)輸出端均通過有依次串接一保護(hù)電阻和一二極管后接地。
[0014]作為對本發(fā)明的優(yōu)選，驅(qū)動(dòng)加強(qiáng)芯片的其中一個(gè)輸出端的支路上連接有兩個(gè)相互并聯(lián)設(shè)置的電容。
[0015]本發(fā)明的有益效果:該電路結(jié)構(gòu)更加穩(wěn)定、可靠，適用于大功率的開關(guān)變換裝置，成本低、結(jié)構(gòu)簡單且損耗少、抗干擾能力強(qiáng)，散熱等其他物理性能均得到較大提升，解決了空載或者輕載容易炸機(jī)的問題。
【附圖說明】
[0016]圖1是本發(fā)明實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0017]圖中:1、驅(qū)動(dòng)信號A，2、驅(qū)動(dòng)信號B，3、驅(qū)動(dòng)加強(qiáng)芯片，4、變壓器，5、第一 MOS管，6、第二 MOS管，7、限流電阻，71、雙向穩(wěn)壓二極管，72、保護(hù)電阻，8、三極管，73、二極管，74、電容，88、肖特基二極管。
【具體實(shí)施方式】
[0018]以下具體實(shí)施例僅僅是對本發(fā)明的解釋，其并不是對本發(fā)明的限制，本領(lǐng)域技術(shù)人員在閱讀完本說明書后可以根據(jù)需要對本實(shí)施例做出沒有創(chuàng)造性貢獻(xiàn)的修改，但只要在本發(fā)明的權(quán)利要求范圍內(nèi)都受到專利法的保護(hù)。
[0019]實(shí)施例，如圖1所示，一種全橋軟開關(guān)MOS驅(qū)動(dòng)電路，包括互補(bǔ)的驅(qū)動(dòng)信號Al和驅(qū)動(dòng)信號B2，驅(qū)動(dòng)信號Al和驅(qū)動(dòng)信號B2分別連接至一驅(qū)動(dòng)加強(qiáng)芯片3的兩個(gè)輸入端，所述驅(qū)動(dòng)加強(qiáng)芯片3的兩個(gè)與所述兩個(gè)輸入端分別相對應(yīng)的輸出端連接至一變壓器4原邊處的繞組兩端，所述變壓器4的副邊處具有兩個(gè)上下排列的繞組且各個(gè)繞組的兩端分別連接有上驅(qū)動(dòng)輸出電路和下驅(qū)動(dòng)輸出電路，所述上驅(qū)動(dòng)輸出電路和下驅(qū)動(dòng)輸出電路的電路結(jié)構(gòu)相同且均包括第一 MOS管5和第二 MOS管6，副邊處的繞組兩端分別與第一 MOS管5的源極和柵極相連，第一 MOS管5的漏極和第二 MOS管6的柵極相連，第二 MOS管6的源極也同第一MOS管5的柵極相連，下驅(qū)動(dòng)輸出電路的第二 MOS管6的漏極與上驅(qū)動(dòng)輸出電路的第二 MOS管6的源極相連。
[0020]第一 MOS管5的柵極的支路上串接有一限流電阻7。第二 MOS管6的柵極和源極之間連接有雙向穩(wěn)壓二極管71。第二 MOS管6的柵極和源極之間連接有保護(hù)電阻72。第二 MOS管6的柵極和源極之間連接有三極管8，所述三極管8的發(fā)射極連接至第二 MOS管6的柵極，所述三極管8的集電極通過串接一肖特基二極管88連接至第二 MOS管6的源極，所述三極管8的基極通過串接另一肖特基二極管88連接至第一 MOS管5的漏極。第一 MOS管5的漏極和三極管8的發(fā)射極之間也串接有保護(hù)電阻72。第一 MOS管5為PNP型管，第二MOS管6為NPN型管，三極管8為PNP型管。驅(qū)動(dòng)加強(qiáng)芯片3的兩個(gè)輸入端均通過串接一保護(hù)電阻72后接地。驅(qū)動(dòng)加強(qiáng)芯片3的兩個(gè)輸出端均通過有依次串接一保護(hù)電阻72和一二極管73后接地。驅(qū)動(dòng)加強(qiáng)芯片3的其中一個(gè)輸出端的支路上連接有兩個(gè)相互并聯(lián)設(shè)置的電容74。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種全橋軟開關(guān)MOS驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于:包括互補(bǔ)的驅(qū)動(dòng)信號A (I)和驅(qū)動(dòng)信號B (2)，驅(qū)動(dòng)信號A (I)和驅(qū)動(dòng)信號B (2)分別連接至一驅(qū)動(dòng)加強(qiáng)芯片(3)的兩個(gè)輸入端，所述驅(qū)動(dòng)加強(qiáng)芯片(3)的兩個(gè)與所述兩個(gè)輸入端分別相對應(yīng)的輸出端連接至一變壓器(4)原邊處的繞組兩端，所述變壓器(4)的副邊處具有兩個(gè)上下排列的繞組且各個(gè)繞組的兩端分別連接有上驅(qū)動(dòng)輸出電路和下驅(qū)動(dòng)輸出電路，所述上驅(qū)動(dòng)輸出電路和下驅(qū)動(dòng)輸出電路的電路結(jié)構(gòu)相同且均包括第一 MOS管(5)和第二 MOS管(6)，副邊處的繞組兩端分別與第一MOS管(5)的源極和柵極相連，第一 MOS管(5)的漏極和第二 MOS管(6)的柵極相連，第二MOS管(6)的源極也同第一 MOS管(5)的柵極相連，下驅(qū)動(dòng)輸出電路的第二 MOS管(6)的漏極與上驅(qū)動(dòng)輸出電路的第二 MOS管(6)的源極相連。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種全橋軟開關(guān)MOS驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于:第一MOS管(5)的柵極的支路上串接有一限流電阻(7 )。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種全橋軟開關(guān)MOS驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于:第二MOS管(6)的柵極和源極之間連接有雙向穩(wěn)壓二極管(71)。4.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種全橋軟開關(guān)MOS驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于:第二MOS管(6)的柵極和源極之間連接有保護(hù)電阻(72 )。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種全橋軟開關(guān)MOS驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于:第二MOS管(6)的柵極和源極之間連接有三極管(8)，所述三極管(8)的發(fā)射極連接至第二 MOS管(6)的柵極，所述三極管(8 )的集電極通過串接一肖特基二極管(88 )連接至第二 MOS管(6 )的源極，所述三極管(8)的基極通過串接另一肖特基二極管(88)連接至第一 MOS管(5)的漏極。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種全橋軟開關(guān)MOS驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于:第一MOS管(5)的漏極和三極管(8)的發(fā)射極之間也串接有保護(hù)電阻(72)。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種全橋軟開關(guān)MOS驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于:第一MOS管(5)為PNP型管，第二 MOS管(6)為NPN型管，三極管(8)為PNP型管。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種全橋軟開關(guān)MOS驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于:驅(qū)動(dòng)加強(qiáng)芯片(3)的兩個(gè)輸入端均通過串接一保護(hù)電阻(72)后接地。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種全橋軟開關(guān)MOS驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于:驅(qū)動(dòng)加強(qiáng)芯片(3)的兩個(gè)輸出端均通過有依次串接一保護(hù)電阻(72)和一二極管(73)后接地。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種全橋軟開關(guān)MOS驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于:驅(qū)動(dòng)加強(qiáng)芯片(3)的其中一個(gè)輸出端的支路上連接有兩個(gè)相互并聯(lián)設(shè)置的電容(74)。
【專利摘要】<b>本發(fā)明涉及電力電子技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種全橋軟開關(guān)</b><b>MOS</b><b>驅(qū)動(dòng)電路，包括互補(bǔ)的驅(qū)動(dòng)信號</b><b>A</b><b>和驅(qū)動(dòng)信號</b><b>B</b><b>并分別連接至一驅(qū)動(dòng)加強(qiáng)芯片的兩個(gè)輸入端，驅(qū)動(dòng)加強(qiáng)芯片的兩個(gè)輸出端連接至一變壓器原邊處的繞組兩端，變壓器的副邊處具有兩個(gè)上下排列的繞組且各個(gè)繞組的兩端分別連接有上驅(qū)動(dòng)輸出電路和下驅(qū)動(dòng)輸出電路且均包括第一</b><b>MOS</b><b>管和第二</b><b>MOS</b><b>管，副邊處的繞組兩端分別與第一</b><b>MOS</b><b>管的源極和柵極相連，第一</b><b>MOS</b><b>管的漏極和第二</b><b>MOS</b><b>管的柵極相連，第二</b><b>MOS</b><b>管的源極也同第一</b><b>MOS</b><b>管的柵極相連，下驅(qū)動(dòng)輸出電路的第二</b><b>MOS</b><b>管的漏極與上驅(qū)動(dòng)輸出電路的第二</b><b>MOS</b><b>管的源極相連，</b><b>運(yùn)行安全穩(wěn)定、成本低、結(jié)構(gòu)簡單且損耗少、抗干擾能力強(qiáng)。</b>
【IPC分類】H02M1/088, H02M1/08
【公開號】CN105024530
【申請?zhí)枴緾N201510479658
【發(fā)明人】姚曉武, 張昌運(yùn)
【申請人】姚曉武
【公開日】2015年11月4日
【申請日】2015年8月7日