例可以包括回掃和LLC拓撲，但是本公開不限于此。此外，在各個示例中，同步整流器可以放置在高側。圖6示出了具有隔離拓撲的功率轉換器的一個示例，該拓撲可以在本公開的各個示例中使用。然而，可以在與本公開的精神和范圍一致的其他示例中使用其他拓撲。
[0047]圖7是示出處理729的示例的流程圖，其可以被例如圖1A的部分110的示例所使用。
[0048]在開始塊之后，處理前進到塊721，功率晶體管(例如，晶體管Ml)用于對具有隔離拓撲的功率轉換器(例如，功率轉換器601)的次級側執(zhí)行同步整流。功率晶體管包括柵極端、第一漏極/源極端和第二漏極/源極端。
[0049]然后，處理前進到塊722，與功率晶體管以電流鏡結構布置的感測晶體管(例如，晶體管M2)用于生成作為通過功率晶體管的電流的成比例版本的感測電流，使得感測晶體管包括與功率晶體管的柵極端耦合的柵極端、與功率晶體管的第一漏極/源極端耦合的第一漏極/源極端、以及第二漏極/源極端。
[0050]然后，處理前進到框723，電流被傳送至電流鏡的第二漏極/源極端，使得感測晶體管的第二漏極/源極端處的電壓與功率晶體管的第二漏極/源極端處的電壓實質上相同。
[0051]然后，處理前進到返回塊，重新開始其他處理。
[0052]描述了各個示例。這些示例和其他示例均包括在所附權利要求的范圍內(nèi)。
【主權項】
1.一種器件，包括: 功率轉換器，具有隔離拓撲，包括: 功率晶體管，包括柵極端、第一漏極/源極端和第二漏極/源極端； 感測晶體管，包括柵極端、第一漏極/源極端和第二漏極/源極端，其中所述感測晶體管與所述功率晶體管以電流鏡結構來布置，使得所述感測晶體管的柵極端耦合至所述功率晶體管的柵極端，以及所述感測晶體管的第一漏極/源極端耦合至所述功率晶體管的第一漏極/源極端；以及 讀出電路，耦合至所述功率晶體管的第二漏極/源極端和所述感測晶體管的第二漏極/源極端，其中所述讀出電路被布置為使得所述感測晶體管的第二漏極/源極端處的電壓與所述功率晶體管的第二漏極/源極端處的電壓實質上相同。2.根據(jù)權利要求1所述的器件，其中所述功率晶體管的第一漏極/源極端是所述功率晶體管的漏極，所述功率晶體管的第二漏極/源極端是所述功率晶體管的源極，所述感測晶體管的第一漏極/源極端是所述感測晶體管的漏極，以及其中所述感測晶體管的第二漏極/源極端是所述感測晶體管的源極。3.根據(jù)權利要求1所述的器件，其中所述功率晶體管的第一漏極/源極端是所述功率晶體管的源極，所述功率晶體管的第二漏極/源極端是所述功率晶體管的漏極，所述感測晶體管的第一漏極/源極端是所述感測晶體管的源極，以及其中所述感測晶體管的第二漏極/源極端是所述感測晶體管的漏極。4.根據(jù)權利要求1所述的器件，其中所述功率晶體管的柵極端是所述功率晶體管的基極，所述功率晶體管的第一漏極/源極端是所述功率晶體管的集電極，所述功率晶體管的第二漏極/源極端是所述功率晶體管的發(fā)射極，所述感測晶體管的柵極端是所述感測晶體管的基極，所述感測晶體管的第一漏極/源極端是所述感測晶體管的集電極，以及其中所述感測晶體管的第二漏極/源極端是所述感測晶體管的發(fā)射極。5.根據(jù)權利要求1所述的器件，其中所述功率晶體管的柵極端是所述功率晶體管的基極，所述功率晶體管的第一漏極/源極端是所述功率晶體管的發(fā)射極，所述功率晶體管的第二漏極/源極端是所述功率晶體管的集電極，所述感測晶體管的柵極端是所述感測晶體管的基極，所述感測晶體管的第一漏極/源極端是所述感測晶體管的發(fā)射極，以及其中所述感測晶體管的第二漏極/源極端是所述感測晶體管的集電極。6.根據(jù)權利要求1所述的器件，其中所述讀出電路包括第一跨導放大器，所述第一跨導放大器包括耦合至所述功率晶體管的第二漏極/源極端的第一輸入、耦合至所述感測晶體管的第二漏極/源極端的第二輸入以及耦合至所述感測晶體管的第二漏極/源極端的輸出。7.根據(jù)權利要求1所述的器件，其中所述功率轉換器還包括下拉開關，所述下拉開關耦合在所述功率晶體管的第二源極/漏極端和所述感測晶體管的第二源極/漏極端之間。8.根據(jù)權利要求1所述的器件，其中所述功率轉換器還包括耦合至所述感測晶體管的第二源極/漏極端的電流感測電路。9.根據(jù)權利要求8所述的器件，其中所述電流感測電路被布置為基于所述電流感測電路檢測的通過所述感測晶體管的電流來控制用于所述功率晶體管的同步整流的定時。10.根據(jù)權利要求8所述的器件，其中所述電流感測電路被布置為基于所述電流感測電路檢測的通過所述感測晶體管的電流來控制過電流檢測。11.根據(jù)權利要求8所述的器件，其中所述電流感測電路被布置為基于所述電流感測電路檢測的通過所述感測晶體管的電流來控制輸出DC電壓的電流模式控制。12.根據(jù)權利要求8所述的器件，其中所述電流感測電路包括導通比較器、截止比較器和控制塊。13.根據(jù)權利要求12所述的器件，其中所述控制塊包括置位復位鎖存器。14.根據(jù)權利要求12所述的器件，其中所述功率轉換器還包括驅動級，以及其中所述控制邏輯和所述驅動級被布置為當確定所述導通比較器的輸出時導通所述功率晶體管和所述感測晶體管。15.根據(jù)權利要求12所述的器件，其中所述截止比較器被布置為檢測與所述感測晶體管相關聯(lián)的電流的電流過閾值轉換。16.根據(jù)權利要求15所述的器件，其中所述電流過閾值轉換是過零轉換。17.根據(jù)權利要求15所述的器件，其中所述功率轉換器還包括驅動級，其中所述控制邏輯和所述驅動級被布置為當所述截止比較器檢測到與所述感測晶體管相關聯(lián)的電流的電流過閾值轉換時截止所述功率晶體管和所述感測晶體管。18.根據(jù)權利要求15所述的器件，其中所述控制塊基于至少一個參數(shù)調(diào)整所述導通比較器或所述截止比較器中的至少一個的電流過閾值轉換或傳播延遲中的至少一個。19.一種方法，包括: 使用功率晶體管在具有隔離拓撲的功率轉換器的次級側上執(zhí)行同步整流，其中所述功率晶體管包括柵極端、第一漏極/源極端和第二漏極/源極端； 使用與所述功率晶體管以電流鏡結構布置的感測晶體管，以生成作為通過所述功率晶體管的電流的成比例版本的感測電流，使得所述感測晶體管包括與所述功率晶體管的柵極端耦合的柵極端、與所述功率晶體管的第一漏極/源極端耦合的第一漏極/源極端、以及第二漏極/源極端；以及 將電流傳送至所述電流鏡的第二漏極/源極端，使得所述感測晶體管的第二漏極/源極端處的電壓與所述功率晶體管的第二漏極/源極端處的電壓實質上相同。20.一種器件，包括: 功率轉換器，具有隔離拓撲，包括: 功率晶體管；以及 用于生成通過所述功率晶體管的電流的真實成比例版本的裝置。
【專利摘要】本公開涉及用于功率轉換器的自驅動同步整流，具體公開了一種具有隔離拓撲的功率轉換器，其可以包括功率晶體管、感測晶體管和讀出電路。感測晶體管可以與功率晶體管以電流鏡結構進行配置，使得感測晶體管的柵極端耦合至功率晶體管的柵極端，以及感測晶體管的第一漏極/源極端耦合至功率晶體管的第一漏極/源極端。讀出電路可耦合至功率晶體管的第二漏極/源極端和感測晶體管的第二漏極/源極端。讀出電路可配置為使得感測晶體管的第二漏極/源極端處的電壓與功率晶體管的第二漏極/源極端處的電壓實質上相同。
【IPC分類】H02M7/217
【公開號】CN105281586
【申請?zhí)枴緾N201510251422
【發(fā)明人】G·伯納查雅, O·奎勒曼特
【申請人】英飛凌科技奧地利有限公司
【公開日】2016年1月27日
【申請日】2015年5月15日
【公告號】DE102015111654A1, US20160028319