晶閘管過(guò)零控制裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明晶閘管過(guò)零控制裝置屬于電學(xué)領(lǐng)域，特別是一種適合于晶閘管觸發(fā)回路中應(yīng)用的晶閘管過(guò)零控制裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]目前在需要對(duì)負(fù)載頻繁投切電力系統(tǒng)中，廣泛使用晶閘管對(duì)阻性、感性或容性負(fù)載進(jìn)行投切，目前常用的是采用M0C3083等內(nèi)置過(guò)零的光電耦合器串聯(lián)電阻作為電壓過(guò)零控制，其存在以下缺點(diǎn):
[0003]1.光電耦合器需承受高電壓，容易擊穿損壞，可靠性低。
[0004]2.M0C3083等內(nèi)置過(guò)零的光電耦合器其過(guò)零控制達(dá)正負(fù)二十幾伏，且光電耦合器串聯(lián)電阻存在電壓降大，晶閘管兩端需較高電壓才能觸發(fā)導(dǎo)通，存在電壓過(guò)零控制精度低造成晶閘管導(dǎo)通涌流大等缺點(diǎn)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的在于解決現(xiàn)有晶閘管過(guò)零控制的不足之處而提供一種電路簡(jiǎn)單、電壓過(guò)零控制精度高、可靠性高且能方便在晶閘管觸發(fā)回路中應(yīng)用的晶閘管過(guò)零控制裝置。
[0006]實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的是通過(guò)以下技術(shù)方案來(lái)達(dá)到的:
[0007]一種晶閘管過(guò)零控制裝置，其包括第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、一限流元件;所述第一晶體管的輸出回路串聯(lián)在所需過(guò)零控制的晶閘管的觸發(fā)回路中，所述第二晶體管的輸入端與所述第三晶體管的輸入端反向并聯(lián)而成一并聯(lián)電路，所述并聯(lián)電路的一端通過(guò)所述限流元件與所述晶閘管的第二陽(yáng)極連接，所述并聯(lián)電路的另一端與所述晶閘管的第一陽(yáng)極連接，所述第二晶體管的輸出端、所述第三晶體管的輸出端與所述第一晶體管的控制端連接。
[0008]—種晶閘管過(guò)零控制裝置，所述限流元件為一電阻。
[0009]一種晶閘管過(guò)零控制裝置，所述第一晶體管的集電極、所述第一晶體管的發(fā)射極串聯(lián)在所述觸發(fā)回路中，所述第二晶體管的發(fā)射極與所述第三晶體管的基極連接，所述第二晶體管的基極與所述第三晶體管的發(fā)射極連接，所述第二晶體管的集電極、所述第三晶體管的集電極與所述第一晶體管的基極連接，所述第二晶體管的基極與所述第一陽(yáng)極連接，所述第二晶體管的發(fā)射極通過(guò)所述限流元件與所述第二陽(yáng)極連接。
[0010]一種晶閘管過(guò)零控制裝置，所述第一晶體管為PNP型三極管，所述第二晶體管為PNP型三極管，所述第三晶體管為PNP型三極管，所述第一晶體管的發(fā)射極與所述晶閘管的觸發(fā)極連接。
[0011]—種晶閘管過(guò)零控制裝置，還包括第二電阻、第三電阻、第四電阻，所述第二電阻的兩端分別與所述第二晶體管的基極、所述第二晶體管的發(fā)射極連接，所述第三電阻的兩端分別與所述第一晶體管的基極、所述第一晶體管的發(fā)射極連接，所述第四電阻的兩端分別與所述第一晶體管的基極、所述第一晶體管的集電極連接。
[0012]—種晶閘管過(guò)零控制裝置，所述第二晶體管、所述第三晶體管檢測(cè)到所述第一陽(yáng)極與所述第二陽(yáng)極之間存在電位差，控制所述第一晶體管截止。
[0013]工作原理:第二晶體管、第三晶體管檢測(cè)到晶閘管的第一陽(yáng)極與晶閘管的第二陽(yáng)極之間存在電位差，控制第一晶體管截止，防止晶閘管觸發(fā)導(dǎo)通，達(dá)到過(guò)零控制作用。
[0014]本發(fā)明晶閘管過(guò)零控制裝置，具有使用電路簡(jiǎn)單、過(guò)零控制精度高、可靠性高且能方便在晶閘管觸發(fā)回路中應(yīng)用的優(yōu)點(diǎn)。
【附圖說(shuō)明】
[0015]圖1本發(fā)明晶閘管過(guò)零控制裝置實(shí)施例一電路原理圖。
【具體實(shí)施方式】
[0016]本發(fā)明晶閘管過(guò)零控制裝置的實(shí)施例一，如圖1所示:
[0017]一種晶閘管過(guò)零控制裝置，其包括第一晶體管Q1、第二晶體管Q2、第三晶體管Q3、限流元件Rl(—電阻)、第二電阻R2、第三電阻R3、第四電阻R4，第一晶體管Ql的輸出回路串聯(lián)在所需觸發(fā)的晶閘管TRl的觸發(fā)回路中，第二晶體管Q2的輸入端與第三晶體管Q3的輸入端反向并聯(lián)而成一并聯(lián)電路，該并聯(lián)電路的一端通過(guò)限流元件Rl與晶閘管TRl的第二陽(yáng)極連接，該并聯(lián)電路的另一端與晶閘管TRl的第一陽(yáng)極連接，第二晶體管Q2的輸出端、第三晶體管Q3的輸出端與第一晶體管Ql的控制端連接。第一晶體管Ql為PNP型三極管，第二晶體管Q2為PNP型三極管，第三晶體管Q3為PNP型三極管，第一晶體管Ql的發(fā)射極與晶閘管TRl的觸發(fā)極連接，第一晶體管Ql的集電極、第一晶體管Ql的發(fā)射極串聯(lián)在晶閘管TRl的觸發(fā)回路中，第二晶體管Q2的發(fā)射極與第三晶體管Q3的基極連接，第二晶體管Q2的基極與第三晶體管Q3的發(fā)射極連接，第二晶體管Q2的集電極、第三晶體管Q3的集電極與第一晶體管Ql的基極連接，第二晶體管Q2的基極與晶閘管TRl的第一陽(yáng)極連接，第二晶體管Q2的發(fā)射極通過(guò)限流元件Rl與晶閘管TRl的第二陽(yáng)極連接，第二電阻R2的兩端分別與第二晶體管Q2的基極、第二晶體管Q2的發(fā)射極連接，第三電阻R3的兩端分別與第一晶體管Ql的基極、第一晶體管Ql的發(fā)射極連接，第四電阻R4的兩端分別與第一晶體管Ql的基極、第一晶體管Ql的集電極連接。
[0018]工作原理:晶閘管TRl的第一陽(yáng)極與晶閘管TRl的第二陽(yáng)極之間電位差較低時(shí)，Jl端輸入的驅(qū)動(dòng)信號(hào)通過(guò)晶閘管TRl的第一陽(yáng)極、晶閘管TRl的觸發(fā)極、第一晶體管Q1、J4端形成觸發(fā)回路，晶閘管TRl過(guò)零導(dǎo)通，當(dāng)晶閘管TRl的第一陽(yáng)極與晶閘管TRl的第二陽(yáng)極之間電位差較高時(shí)，第二晶體管Q2、第三晶體管Q3檢測(cè)到晶閘管TRl的第一陽(yáng)極與晶閘管TRl的第二陽(yáng)極之間存在電位差，控制第一晶體管Ql截止，防止晶閘管TRl觸發(fā)導(dǎo)通，達(dá)到過(guò)零控制的目的。
[0019]第二電阻R2、第三電阻R3用于提高電路的穩(wěn)定性，通過(guò)選擇限流元件Rl和第二電阻R2阻值，可以把過(guò)零電壓控制在正負(fù)幾伏內(nèi)。
[0020]以上實(shí)施例可知，本發(fā)明晶閘管過(guò)零控制裝置，具有以下優(yōu)點(diǎn):
[0021]1.由于晶體管開(kāi)啟電壓很低(三極管開(kāi)啟電壓只要零點(diǎn)幾伏)，具有電壓過(guò)零控制精度高、電路簡(jiǎn)單、使用方便等優(yōu)點(diǎn)。
[0022]2.無(wú)需高壓半導(dǎo)體器件，可靠性高。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種晶閘管過(guò)零控制裝置，其特征是:其包括第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、一限流元件;所述第一晶體管的輸出回路串聯(lián)在所需過(guò)零控制的晶閘管的觸發(fā)回路中，所述第二晶體管的輸入端與所述第三晶體管的輸入端反向并聯(lián)而成一并聯(lián)電路，所述并聯(lián)電路的一端通過(guò)所述限流元件與所述晶閘管的第二陽(yáng)極連接，所述并聯(lián)電路的另一端與所述晶閘管的第一陽(yáng)極連接，所述第二晶體管的輸出端、所述第三晶體管的輸出端與所述第一晶體管的控制端連接。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶閘管過(guò)零控制裝置，其特征是:所述限流元件為一電阻。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶閘管過(guò)零控制裝置，其特征是:所述第一晶體管的集電極、所述第一晶體管的發(fā)射極串聯(lián)在所述觸發(fā)回路中，所述第二晶體管的發(fā)射極與所述第三晶體管的基極連接，所述第二晶體管的基極與所述第三晶體管的發(fā)射極連接，所述第二晶體管的集電極、所述第三晶體管的集電極與所述第一晶體管的基極連接，所述第二晶體管的基極與所述第一陽(yáng)極連接，所述第二晶體管的發(fā)射極通過(guò)所述限流元件與所述第二陽(yáng)極連接。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶閘管過(guò)零控制裝置，其特征是:所述第一晶體管為PNP型三極管，所述第二晶體管為PNP型三極管，所述第三晶體管為PNP型三極管，所述第一晶體管的發(fā)射極與所述晶閘管的觸發(fā)極連接。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶閘管過(guò)零控制裝置，其特征是:還包括第二電阻、第三電阻、第四電阻，所述第二電阻的兩端分別與所述第二晶體管的基極、所述第二晶體管的發(fā)射極連接，所述第三電阻的兩端分別與所述第一晶體管的基極、所述第一晶體管的發(fā)射極連接，所述第四電阻的兩端分別與所述第一晶體管的基極、所述第一晶體管的集電極連接。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的晶閘管過(guò)零控制裝置，其特征是:所述第二晶體管、所述第三晶體管檢測(cè)到所述第一陽(yáng)極與所述第二陽(yáng)極之間存在電位差，控制所述第一晶體管截止。
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明晶閘管過(guò)零控制裝置屬于電學(xué)領(lǐng)域，特別是一種適合于晶閘管觸發(fā)回路中應(yīng)用的晶閘管過(guò)零控制裝置，其包括第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、一限流元件；所述第一晶體管的輸出回路串聯(lián)在所需過(guò)零控制的晶閘管的觸發(fā)回路中，所述第二晶體管的輸入端與所述第三晶體管的輸入端反向并聯(lián)而成一并聯(lián)電路，所述并聯(lián)電路的一端通過(guò)所述限流元件與所述晶閘管的第二陽(yáng)極連接，所述并聯(lián)電路的另一端與所述晶閘管的第一陽(yáng)極連接，所述第二晶體管的輸出端、所述第三晶體管的輸出端與所述第一晶體管的控制端連接。本發(fā)明具有電路簡(jiǎn)單、電壓過(guò)零控制精度高、可靠性高的優(yōu)點(diǎn)。
【IPC分類(lèi)】H02J3/18, H02M1/06
【公開(kāi)號(hào)】CN105610176
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201610117835
【發(fā)明人】郭橋石, 郭榮劍, 賴(lài)斌龍, 鄧達(dá)
【申請(qǐng)人】廣州市金矢電子有限公司
【公開(kāi)日】2016年5月25日
【申請(qǐng)日】2016年2月26日