電路控制方法及裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種電路控制方法及裝置。其中，該方法包括：當(dāng)?shù)谝活A(yù)設(shè)電源對負(fù)載電路進(jìn)行充電時，檢測第一預(yù)設(shè)電源輸入的電壓信號；判斷電壓信號是否為預(yù)設(shè)高電平信號；若確定電壓信號為預(yù)設(shè)高電平信號，則通過第二預(yù)設(shè)電源對負(fù)載電路進(jìn)行預(yù)設(shè)時長的恒流充電，并控制第一預(yù)設(shè)電源對負(fù)載電路進(jìn)行延時充電，其中，延時充電的延時時長為預(yù)設(shè)時長。本發(fā)明解決了現(xiàn)有技術(shù)中因電磁干擾現(xiàn)象而導(dǎo)致的電路運行效率較低的技術(shù)問題。
【專利說明】
電路控制方法及裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及集成電路領(lǐng)域，具體而言，涉及一種電路控制方法及裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]開關(guān)電源(Switching Mode Power Supply)是利用現(xiàn)代電力電子技術(shù)，控制開關(guān)管開通和關(guān)斷的時間比率、并穩(wěn)定輸出電壓的一種電源。如圖1所示，現(xiàn)有技術(shù)中的開關(guān)電源驅(qū)動電路至少包括:電壓驅(qū)動器101、開關(guān)器電源連接端子102、接地端子103、開關(guān)管104、門極電容器105以及負(fù)載電容器106，在該電路達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)時，開關(guān)管104需要達(dá)到最大的導(dǎo)通狀態(tài)，即等效導(dǎo)通電阻Rdson最小。一般，能量會伴隨在開關(guān)管104開啟或者關(guān)閉的時候發(fā)生轉(zhuǎn)移變化，但能量如果傳輸太快且不可控，則會導(dǎo)致電磁干擾現(xiàn)象的發(fā)生，電磁干擾會對電信號的傳輸造成影響，破壞電信號的完整性，進(jìn)而在整體上降低電路的運行效率。綜上，現(xiàn)有技術(shù)中存在因電磁干擾現(xiàn)象而導(dǎo)致的電路運行效率較低的技術(shù)問題。
[0003]針對上述的問題，目前尚未提出有效的解決方案。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明實施例提供了一種電路控制方法及裝置，以至少解決現(xiàn)有技術(shù)中因電磁干擾現(xiàn)象而導(dǎo)致的電路運行效率較低的技術(shù)問題。
[0005]根據(jù)本發(fā)明實施例的一個方面，提供了一種電路控制方法，包括:當(dāng)?shù)谝活A(yù)設(shè)電源對負(fù)載電路進(jìn)行充電時，檢測所述第一預(yù)設(shè)電源輸入的電壓信號；判斷所述電壓信號是否為預(yù)設(shè)高電平信號；若確定所述電壓信號為所述預(yù)設(shè)高電平信號，則通過第二預(yù)設(shè)電源對所述負(fù)載電路進(jìn)行預(yù)設(shè)時長的恒流充電，并控制所述第一預(yù)設(shè)電源對所述負(fù)載電路進(jìn)行延時充電，其中，所述延時充電的延時時長為所述預(yù)設(shè)時長。
[0006]進(jìn)一步地，在所述確定所述電壓信號為所述預(yù)設(shè)高電平信號之后，所述方法還包括:通過所述第二預(yù)設(shè)電源對所述負(fù)載電路進(jìn)行所述恒流充電；檢測所述負(fù)載電路的電壓值達(dá)到預(yù)設(shè)電壓閾值時所用的第一時長，其中，所述預(yù)設(shè)電壓閾值為所述負(fù)載電路的開關(guān)管的臨界導(dǎo)通電壓值;控制所述第一預(yù)設(shè)電源對所述負(fù)載電路進(jìn)行延時充電，其中，所述延時充電的延時時長為所述第一時長。
[0007]進(jìn)一步地，所述控制所述第一預(yù)設(shè)電源對所述負(fù)載電路進(jìn)行延時充電包括:通過延時電路控制所述第一預(yù)設(shè)電源對所述負(fù)載電路進(jìn)行所述延時充電。
[0008]進(jìn)一步地，所述方法還包括:判斷所述電壓信號是否為預(yù)設(shè)低電平信號;若確定所述電壓信號為所述預(yù)設(shè)低電平信號，則通過第二預(yù)設(shè)電源對所述負(fù)載電路進(jìn)行預(yù)設(shè)時長的恒流放電，并控制所述第一預(yù)設(shè)電源對所述負(fù)載電路進(jìn)行延時放電，其中，所述延時放電的延時時長為所述預(yù)設(shè)時長。
[0009]進(jìn)一步地，所述第二預(yù)設(shè)電源為恒流電源。
[0010]根據(jù)本發(fā)明實施例的另一方面，還提供了一種電路控制裝置，包括:第一檢測單元，用于當(dāng)?shù)谝活A(yù)設(shè)電源對負(fù)載電路進(jìn)行充電時，檢測所述第一預(yù)設(shè)電源輸入的電壓信號；第一判斷單元，用于判斷所述電壓信號是否為預(yù)設(shè)高電平信號;第一處理單元，用于若確定所述電壓信號為所述預(yù)設(shè)高電平信號，則通過第二預(yù)設(shè)電源對所述負(fù)載電路進(jìn)行預(yù)設(shè)時長的恒流充電，并控制所述第一預(yù)設(shè)電源對所述負(fù)載電路進(jìn)行延時充電，其中，所述延時充電的延時時長為所述預(yù)設(shè)時長。
[0011 ] 進(jìn)一步地，所述裝置還包括:第二處理單元，用于通過所述第二預(yù)設(shè)電源對所述負(fù)載電路進(jìn)行所述恒流充電；第二檢測單元，用于檢測所述負(fù)載電路的電壓值達(dá)到預(yù)設(shè)電壓閾值時所用的第一時長，其中，所述預(yù)設(shè)電壓閾值為所述負(fù)載電路的開關(guān)管的臨界導(dǎo)通電壓值;第三處理單元，用于控制所述第一預(yù)設(shè)電源對所述負(fù)載電路進(jìn)行延時充電，其中，所述延時充電的延時時長為所述第一時長。
[00?2] 進(jìn)一步地，所述第一處理單元包括:控制子單元，用于通過延時電路控制所述第一預(yù)設(shè)電源對所述負(fù)載電路進(jìn)行所述延時充電。
[0013]進(jìn)一步地，所述裝置還包括:第二判斷單元，用于判斷所述電壓信號是否為預(yù)設(shè)低電平信號;第四處理單元，用于若確定所述電壓信號為所述預(yù)設(shè)低電平信號，則通過第二預(yù)設(shè)電源對所述負(fù)載電路進(jìn)行預(yù)設(shè)時長的恒流放電，并控制所述第一預(yù)設(shè)電源對所述負(fù)載電路進(jìn)行延時放電，其中，所述延時放電的延時時長為所述預(yù)設(shè)時長。
[0014]進(jìn)一步地，所述第二預(yù)設(shè)電源為恒流電源。
[0015]在本發(fā)明實施例中，采用當(dāng)?shù)谝活A(yù)設(shè)電源對負(fù)載電路進(jìn)行充電時檢測第一預(yù)設(shè)電源輸入的電壓信號的方式，通過判斷電壓信號是否為預(yù)設(shè)高電平信號，達(dá)到了若確定電壓信號為預(yù)設(shè)高電平信號，則通過第二預(yù)設(shè)電源對負(fù)載電路進(jìn)行預(yù)設(shè)時長的恒流充電，并控制第一預(yù)設(shè)電源對負(fù)載電路進(jìn)行延時充電的目的，從而實現(xiàn)了減少電磁干擾現(xiàn)象的發(fā)生、提高電路運行效率的技術(shù)效果，進(jìn)而解決了現(xiàn)有技術(shù)中因電磁干擾現(xiàn)象而導(dǎo)致的電路運行效率較低的技術(shù)問題。
【附圖說明】
[0016]此處所說明的附圖用來提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本申請的一部分，本發(fā)明的示意性實施例及其說明用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對本發(fā)明的不當(dāng)限定。在附圖中:
[0017]圖1是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)中的一種開關(guān)電源驅(qū)動電路的示意圖；
[0018]圖2是根據(jù)本發(fā)明實施例的一種可選的電路控制方法的流程示意圖；
[0019]圖3是根據(jù)本發(fā)明實施例的一種可選的電路控制方法的示意圖；
[0020]圖4是根據(jù)本發(fā)明實施例的另一種可選的電路控制方法的示意圖；
[0021]圖5是根據(jù)本發(fā)明實施例的又一種可選的電路控制方法的示意圖；
[0022]圖6是根據(jù)本發(fā)明實施例的又一種可選的電路控制方法的示意圖；
[0023]圖7是根據(jù)本發(fā)明實施例的又一種可選的電路控制方法的示意圖；
[0024]圖8是根據(jù)本發(fā)明實施例的又一種可選的電路控制方法的示意圖；
[0025]圖9是根據(jù)本發(fā)明實施例的又一種可選的電路控制方法的示意圖；
[0026]圖10是根據(jù)本發(fā)明實施例的又一種可選的電路控制方法的示意圖；
[0027]圖11是根據(jù)本發(fā)明實施例的一種可選的電路控制裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]圖12是根據(jù)本發(fā)明實施例的另一種可選的電路控制裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029]圖13是根據(jù)本發(fā)明實施例的又一種可選的電路控制裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0030]圖14是根據(jù)本發(fā)明實施例的又一種可選的電路控制裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0031]為了使本技術(shù)領(lǐng)域的人員更好地理解本發(fā)明方案，下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分的實施例，而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都應(yīng)當(dāng)屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0032]需要說明的是，本發(fā)明的說明書和權(quán)利要求書及上述附圖中的術(shù)語“第一”、“第二”等是用于區(qū)別類似的對象，而不必用于描述特定的順序或先后次序。應(yīng)該理解這樣使用的數(shù)據(jù)在適當(dāng)情況下可以互換，以便這里描述的本發(fā)明的實施例能夠以除了在這里圖示或描述的那些以外的順序?qū)嵤４送?，術(shù)語“包括”和“具有”以及他們的任何變形，意圖在于覆蓋不排他的包含，例如，包含了一系列步驟或單元的過程、方法、系統(tǒng)、產(chǎn)品或設(shè)備不必限于清楚地列出的那些步驟或單元，而是可包括沒有清楚地列出的或?qū)τ谶@些過程、方法、產(chǎn)品或設(shè)備固有的其它步驟或單元。
[0033]實施例1
[0034]根據(jù)本發(fā)明實施例，提供了一種電路控制方法的實施例，需要說明的是，在附圖的流程圖示出的步驟可以在諸如一組計算機(jī)可執(zhí)行指令的計算機(jī)系統(tǒng)中執(zhí)行，并且，雖然在流程圖中示出了邏輯順序，但是在某些情況下，可以以不同于此處的順序執(zhí)行所示出或描述的步驟。
[0035]圖2是根據(jù)本發(fā)明實施例的電路控制方法，如圖2所示，該方法包括如下步驟:
[0036]步驟S202，當(dāng)?shù)谝活A(yù)設(shè)電源對負(fù)載電路進(jìn)行充電時，檢測第一預(yù)設(shè)電源輸入的電壓信號；
[0037]步驟S204，判斷電壓信號是否為預(yù)設(shè)高電平信號；
[0038]步驟S206，若確定電壓信號為預(yù)設(shè)高電平信號，則通過第二預(yù)設(shè)電源對負(fù)載電路進(jìn)行預(yù)設(shè)時長的恒流充電，并控制第一預(yù)設(shè)電源對負(fù)載電路進(jìn)行延時充電，其中，延時充電的延時時長為預(yù)設(shè)時長。
[0039]在本發(fā)明實施例中，采用當(dāng)?shù)谝活A(yù)設(shè)電源對負(fù)載電路進(jìn)行充電時檢測第一預(yù)設(shè)電源輸入的電壓信號的方式，通過判斷電壓信號是否為預(yù)設(shè)高電平信號，達(dá)到了若確定電壓信號為預(yù)設(shè)高電平信號，則通過第二預(yù)設(shè)電源對負(fù)載電路進(jìn)行預(yù)設(shè)時長的恒流充電，并控制第一預(yù)設(shè)電源對負(fù)載電路進(jìn)行延時充電的目的，從而實現(xiàn)了避免電磁干擾現(xiàn)象的發(fā)生、提高電路運行效率的技術(shù)效果，進(jìn)而解決了現(xiàn)有技術(shù)中因電磁干擾現(xiàn)象而導(dǎo)致的電路運行效率較低的技術(shù)問題。
[0040]可選地，負(fù)載電路并不直接由第一預(yù)設(shè)電源持久充電，而是在經(jīng)過第一預(yù)設(shè)電源的電壓信號的判斷過程之后，可以先由第二預(yù)設(shè)電源進(jìn)行預(yù)充電，再由第一預(yù)設(shè)電源進(jìn)行持久充電。
[0041]可選地，在通過第二預(yù)設(shè)電源對負(fù)載電路進(jìn)行充電之后，方法還包括:通過第二預(yù)設(shè)電源對負(fù)載電路進(jìn)行恒流充電；檢測負(fù)載電路的電壓值達(dá)到預(yù)設(shè)電壓閾值時所用的第一時長，其中，預(yù)設(shè)電壓閾值為負(fù)載電路的開關(guān)管的臨界導(dǎo)通電壓值;控制第一預(yù)設(shè)電源對負(fù)載電路進(jìn)行延時充電，其中，延時充電的延時時長為第一時長。
[0042]具體地，該開關(guān)管可以為場效應(yīng)MOS(Metal-Oxide_Semiconductor，金屬氧化層半導(dǎo)體)開關(guān)管，臨界導(dǎo)通電壓值是指電路元件呈現(xiàn)導(dǎo)通狀態(tài)(Conducting State)時所需的電壓值，也可以被理解為在特定電路的導(dǎo)通條件下可跨過過電壓保護(hù)裝置的電壓值，其中，導(dǎo)通狀態(tài)為電路元件呈現(xiàn)低電阻時的狀態(tài)。
[0043]可選地，控制第一預(yù)設(shè)電源對負(fù)載電路進(jìn)行充電包括:通過延時電路控制第一預(yù)設(shè)電源對負(fù)載電路進(jìn)行延時充電。
[0044]具體地，延時電路可以使第一預(yù)設(shè)電源輸入的電壓延時到達(dá)目的電路元件，延時電路的結(jié)構(gòu)和延時效果應(yīng)視開關(guān)管的臨界導(dǎo)通電壓值和第一預(yù)設(shè)電源可輸出的最大電壓而定，在此不做限制。
[0045]可選地，該方法還包括:判斷電壓信號是否為預(yù)設(shè)低電平信號;若確定電壓信號為預(yù)設(shè)低電平信號，則通過第二預(yù)設(shè)電源對負(fù)載電路進(jìn)行預(yù)設(shè)時長的恒流放電，并控制第一預(yù)設(shè)電源對負(fù)載電路進(jìn)行延時放電，其中，延時放電的延時時長為預(yù)設(shè)時長。
[0046]具體地，負(fù)載電路并不直接由第一預(yù)設(shè)電源持久放電，而是在經(jīng)過第一預(yù)設(shè)電源的電壓信號的判斷過程之后，可以先由第二預(yù)設(shè)電源進(jìn)行預(yù)放電，再由第一預(yù)設(shè)電源進(jìn)行持久放電。該放電過程與前述充電過程在目的上相反，但在執(zhí)行上具有相似性，而且都可以實現(xiàn)避免電磁干擾的效果。
[0047]可選地，第二預(yù)設(shè)電源為恒流電源。
[0048]具體地，恒流電源(Constant Current Power Supply)是指電源輸出的電流大小是恒定不變的，并且不會隨著電壓的變化而變化。
[0049]可選地，圖3是根據(jù)本發(fā)明實施例的一種可選的電路控制方法的示意圖，如圖3所示，與現(xiàn)有技術(shù)中的開關(guān)電源驅(qū)動電路結(jié)構(gòu)不同，在將本發(fā)明應(yīng)用開關(guān)電源驅(qū)動電路時，增加了一個延時器301(或延時電路)和一個恒壓電流源302，其中，延時器301(或延時電路)用于使圖3中的輸入電壓延時到達(dá)放大器(或控制器)，恒壓電流源302用于在該輸入電壓未到達(dá)放大器(或控制器)之前，向VG點進(jìn)行充電，通過有效的控制該恒壓電流源302輸出的充電電流的大小，可以使VG緩慢的經(jīng)過開關(guān)管104的臨界導(dǎo)通電壓Vth，根據(jù)公式Icha = 0.5*μCoxff/L (VG-Vth)2，可以確定VG和Vth的數(shù)值越接近，充電電流越小且可控，從而VC的上升速率可以得到有效的控制，當(dāng)VC達(dá)到預(yù)定數(shù)值時，能量傳輸完畢。此時圖3中的輸入電壓由于延時器301(或延時電路)的作用方才到達(dá)放大器(或控制器)，同樣VG快速升高至102(電源電壓VDD)，開關(guān)管104的等效導(dǎo)通電阻Rdson在此時達(dá)到最小，該電路的開關(guān)損耗同時達(dá)到最小，并且電磁干擾現(xiàn)象可以得到有效的消除或抑制，需要說明的是，公式Icha = 0.5*μCoxff/L (VG-Vth)2中的μ為電子迀移率、Cox為場效應(yīng)MOS開關(guān)管的管柵氧厚度以及W/1為場效應(yīng)MOS開關(guān)管的寬長比。
[0050]可選地，圖4是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)中的一種負(fù)壓電荷栗的示意圖，電荷栗又稱為開關(guān)電容式電壓變換器，是一種利用所謂的“栗送”電容(而非電感或變壓器)來儲能的DC-DC(Direct Current-Direct Current，直流-直流轉(zhuǎn)換模塊)變換器，負(fù)壓電荷栗是一種可以產(chǎn)生負(fù)電壓的電荷栗電路。如圖4所示，負(fù)壓電荷栗中的Phasel(VIN—PFETl—CFLY—NFET3-^GND)為充電電路，Phase2 (GND—NFET24CFLY4NFET4—0UTN)為放電電路，在理想的情況下，能量不斷地由CFLY電容轉(zhuǎn)移至CLOAD電容，經(jīng)過一些時鐘周期以后，輸出OUTN的電壓值達(dá)到(-￥11'0。需要說明的是，圖4中的01'；^61、01'；^62、01'；^63、01'；^64分別為電壓驅(qū)動器(Voltage Drive)，PEFT1、NFET2、NFET3、NFET4 分別為開關(guān)管(Field Effect Transistor),GND (Ground)表示接地端，VIN表示電壓的輸入端，OUTN表示電壓的輸出端，CFLY和CLOAD分別為電容器，CFLYP(又名CFLY+或CFLY Plus)和CFLYN(又名CFLY-或CFLY Negative)分別為CFLY電容器的上、下極板。
[0051]可選地，圖5是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)中的一種負(fù)壓電荷栗的邏輯控制模塊的驅(qū)動時序的示意圖，如圖5所示，G1_PRE控制開關(guān)管PFET1，G3_PRE控制開關(guān)管NFET3，G2_PRE控制開關(guān)管NFET2以及G4_PRE控制開關(guān)管NFET4，其中，G1_PRE、G2_PRE、G3_PRE和G4_PRE分別為開關(guān)管的控制信號，信號的不交疊時間可以確保系統(tǒng)不存在串通電流，具體地，當(dāng)開關(guān)管PFETl和開關(guān)管NFET3斷開的時候，開關(guān)管NFET2和開關(guān)管NFETW^合，反之亦然。對于較大的PowerMOSFET管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬氧化層半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)的寄生電容和系統(tǒng)時序的要求，Drivel、Drive2、Drive3、Drive4可以提供足夠的驅(qū)動能力。
[0052]可選地，圖6是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)中的一種負(fù)壓電荷栗的能量傳輸?shù)氖疽鈭D，如圖6所示，為了提高整個電路的系統(tǒng)效率，以及減少開關(guān)管的電阻損耗，一般，設(shè)計者在面積允許的情況下盡可能的增加開關(guān)管PFET1、開關(guān)管NFET2、開關(guān)管NFET3和開關(guān)管NFET4的尺寸，但隨之產(chǎn)生的問題在于，開關(guān)管尺寸越大，寄生電容對驅(qū)動電路的要求越高，現(xiàn)有技術(shù)中的驅(qū)動電路一般并不會考慮對開關(guān)管進(jìn)行控制，打開或關(guān)閉開關(guān)管的瞬間就會提供最大的驅(qū)動能力，雖然此方式會縮短電路狀態(tài)間的切換時間，但是巨大的能量通常會在l_2nS(納秒)的時間內(nèi)完成轉(zhuǎn)移?？焖俚哪芰哭D(zhuǎn)移會導(dǎo)致電磁干擾(Electromagnetic Interference，簡稱EMI)現(xiàn)象的發(fā)生，該現(xiàn)象會干擾電壓信號，甚者會破壞電壓信號的完整性。
[0053]可選地，圖7是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)中的一種負(fù)壓電荷栗的驅(qū)動電路的示意圖，如圖7所示，當(dāng)輸入的電壓信號電壓較高時，P2管會斷開，N2管會閉合，PFET的柵極電壓VG會被N2管以其最大的電流能力拉低，VG會很快的通過PFET的閾值電壓，因此PFET供CFLY電容充電的電流很大，充電時間也很短。
[0054]可選地，圖8是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)中的一種負(fù)壓電荷栗的關(guān)鍵節(jié)點波形的示意圖，如圖8所示，801為非重疊(Non-overlap)時段，803為CFLYP或CFLYN的上升或下降時段，該時段可以被稱為第一時段(Stage I)，顯然，在第一時段，CFLYP或CFLYN的數(shù)值發(fā)生了急劇變化，SP能量發(fā)生了快速轉(zhuǎn)移，需要說明的是，圖8中存在多個非重疊時段和多個第一時段。由于每一個驅(qū)動電路的驅(qū)動能力都很強(qiáng)，充放電時間短，G1-G4會快速的通過M0S(Metal-0xide_Semiconductor，金屬氧化層半導(dǎo)體)開關(guān)管的閾值，因此每個開關(guān)管的電流會很大，CFLY電容的上下極板電壓變化速率也會很快，通常在l_2nS級別，此種不可控的能量傳輸會導(dǎo)致電磁干擾現(xiàn)象的發(fā)生。
[0055]可選地，圖9是根據(jù)本發(fā)明實施例的一種負(fù)壓電荷栗的驅(qū)動電路的示意圖，如圖9所示，該驅(qū)動電路上增加了延遲電路和VG的預(yù)充電電路，當(dāng)輸入的電壓信號較高時，電壓下降時延時電路不工作，Pl和P2管會同時斷開，與此同時，NI的柵極會變高，經(jīng)過一段時間的延時以后，N2的柵極才會變高。在初始階段，PFET的柵極電壓VG會被NI拉低，由于NI的尺寸遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于N2，且限流電阻Rl控制NI的下拉電流值，所以VG會緩慢的經(jīng)過PFET的閾值電壓。進(jìn)而，PFET工作在飽和區(qū)且充電電流可控，在延時電路起作用之前，CFLY電容會被充電到預(yù)設(shè)值，此時延時電路起作用，N2管開啟，VG迅速被拉低到GND，PFET管工作在線性區(qū)域且導(dǎo)通電阻Rdson最小。綜上，圖10所示的驅(qū)動電路能夠在不影響系統(tǒng)導(dǎo)通電阻Rdson的同時，有效的控制能量的轉(zhuǎn)移速率，從而達(dá)到改善電磁干擾現(xiàn)象的效果。
[0056]可選地，圖10是根據(jù)本發(fā)明實施例的一種負(fù)壓電荷栗的關(guān)鍵節(jié)點波形的示意圖，如圖10所示，1001為非重疊(Non-overlap)時段，1003為第一時段(Stage I)，1005為第二時段(Stage 2)，顯然，第一時段為延時時段，該時段中CFLYP或CFLYN的數(shù)值變化率更小，直線的走勢更為平緩，因此，能量的傳輸相對于圖8更為緩慢且可控。而CFLYP或CFLYN的上升或下降時間與第一時段較為接近。需要說明的是，圖10中的第一時段相較于圖8中的第一時段，能量并未發(fā)生急劇的升高或降低，從而有效抑制了電磁干擾現(xiàn)象的發(fā)生。此外，圖10中存在多個非重疊時段、多個第一時段和多個第二時段。綜上，由于DriVel、DriVe2、DriVe3、Dri ve4上述四個驅(qū)動電路具備同等特性，彼此間可以協(xié)調(diào)合作，因此CFLYP和CFLYN的上升、下降時間基本上接近于延時電路的延時時間，能量的傳輸相對于現(xiàn)有技術(shù)中的方式變至緩慢且可控，因此電磁干擾現(xiàn)象能夠得到抑制和改善。
[0057]在本發(fā)明實施例中，采用當(dāng)?shù)谝活A(yù)設(shè)電源對負(fù)載電路進(jìn)行充電時檢測第一預(yù)設(shè)電源輸入的電壓信號的方式，通過判斷電壓信號是否為預(yù)設(shè)高電平信號，達(dá)到了若確定電壓信號為預(yù)設(shè)高電平信號，則通過第二預(yù)設(shè)電源對負(fù)載電路進(jìn)行預(yù)設(shè)時長的恒流充電，并控制第一預(yù)設(shè)電源對負(fù)載電路進(jìn)行延時充電的目的，從而實現(xiàn)了避免電磁干擾現(xiàn)象的發(fā)生、提高電路運行效率的技術(shù)效果，進(jìn)而解決了現(xiàn)有技術(shù)中因電磁干擾現(xiàn)象而導(dǎo)致的電路運行效率較低的技術(shù)問題。
[0058]實施例2
[0059]根據(jù)本發(fā)明實施例，還提供了一種電路控制裝置，如圖11所示，包括:第一檢測單元1101、第一判斷單元1103、第一處理單元1105。
[0060]其中，第一檢測單元1101，用于當(dāng)?shù)谝活A(yù)設(shè)電源對負(fù)載電路進(jìn)行充電時，檢測第一預(yù)設(shè)電源輸入的電壓信號;第一判斷單元1103，用于判斷電壓信號是否為預(yù)設(shè)高電平信號；第一處理單元1105，用于若確定電壓信號為預(yù)設(shè)高電平信號，則通過第二預(yù)設(shè)電源對負(fù)載電路進(jìn)行預(yù)設(shè)時長的恒流充電，并控制第一預(yù)設(shè)電源對負(fù)載電路進(jìn)行延時充電，其中，延時充電的延時時長為預(yù)設(shè)時長。
[0061 ] 可選地，如圖12所示，裝置還包括:第二處理單元1201、第二檢測單元1203、第三處理單元1205。
[0062]其中，第二處理單元1201，用于通過第二預(yù)設(shè)電源對負(fù)載電路進(jìn)行恒流充電；第二檢測單元1203，用于檢測負(fù)載電路的電壓值達(dá)到預(yù)設(shè)電壓閾值時所用的第一時長，其中，預(yù)設(shè)電壓閾值為負(fù)載電路的開關(guān)管的臨界導(dǎo)通電壓值;第三處理單元1205，用于控制第一預(yù)設(shè)電源對負(fù)載電路進(jìn)行延時充電，其中，延時充電的延時時長為第一時長。
[0063]可選地，如圖13所示，第一處理單元1105包括:控制子單元1301。
[0064]其中，控制子單元1301，用于通過延時電路控制第一預(yù)設(shè)電源對負(fù)載電路進(jìn)行延時充電。
[0065]可選地，如圖14所示，裝置還包括:第二判斷單元1401、第四處理單元1403。
[0066]其中，第二判斷單元1401，用于判斷電壓信號是否為預(yù)設(shè)低電平信號;第四處理單元1403，用于若確定電壓信號為預(yù)設(shè)低電平信號，則通過第二預(yù)設(shè)電源對負(fù)載電路進(jìn)行預(yù)設(shè)時長的恒流放電，并控制第一預(yù)設(shè)電源對負(fù)載電路進(jìn)行延時放電，其中，延時放電的延時時長為預(yù)設(shè)時長。
[0067]可選地，第二預(yù)設(shè)電源為恒流電源。
[0068]在本發(fā)明實施例中，采用當(dāng)?shù)谝活A(yù)設(shè)電源對負(fù)載電路進(jìn)行充電時檢測第一預(yù)設(shè)電源輸入的電壓信號的方式，通過判斷電壓信號是否為預(yù)設(shè)高電平信號，達(dá)到了若確定電壓信號為預(yù)設(shè)高電平信號，則通過第二預(yù)設(shè)電源對負(fù)載電路進(jìn)行預(yù)設(shè)時長的恒流充電，并控制第一預(yù)設(shè)電源對負(fù)載電路進(jìn)行延時充電的目的，從而實現(xiàn)了避免電磁干擾現(xiàn)象的發(fā)生、提高電路運行效率的技術(shù)效果，進(jìn)而解決了現(xiàn)有技術(shù)中因電磁干擾現(xiàn)象而導(dǎo)致的電路運行效率較低的技術(shù)問題。
[0069]上述本發(fā)明實施例序號僅僅為了描述，不代表實施例的優(yōu)劣。
[0070]在本發(fā)明的上述實施例中，對各個實施例的描述都各有側(cè)重，某個實施例中沒有詳述的部分，可以參見其他實施例的相關(guān)描述。
[0071]在本申請所提供的幾個實施例中，應(yīng)該理解到，所揭露的技術(shù)內(nèi)容，可通過其它的方式實現(xiàn)。其中，以上所描述的裝置實施例僅僅是示意性的，例如所述單元的劃分，可以為一種邏輯功能劃分，實際實現(xiàn)時可以有另外的劃分方式，例如多個單元或組件可以結(jié)合或者可以集成到另一個系統(tǒng)，或一些特征可以忽略，或不執(zhí)行。另一點，所顯示或討論的相互之間的耦合或直接耦合或通信連接可以是通過一些接口，單元或模塊的間接耦合或通信連接，可以是電性或其它的形式。
[0072]所述作為分離部件說明的單元可以是或者也可以不是物理上分開的，作為單元顯示的部件可以是或者也可以不是物理單元，即可以位于一個地方，或者也可以分布到多個單元上?？梢愿鶕?jù)實際的需要選擇其中的部分或者全部單元來實現(xiàn)本實施例方案的目的。
[0073]另外，在本發(fā)明各個實施例中的各功能單元可以集成在一個處理單元中，也可以是各個單元單獨物理存在，也可以兩個或兩個以上單元集成在一個單元中。上述集成的單元既可以采用硬件的形式實現(xiàn)，也可以采用軟件功能單元的形式實現(xiàn)。
[0074]所述集成的單元如果以軟件功能單元的形式實現(xiàn)并作為獨立的產(chǎn)品銷售或使用時，可以存儲在一個計算機(jī)可讀取存儲介質(zhì)中。基于這樣的理解，本發(fā)明的技術(shù)方案本質(zhì)上或者說對現(xiàn)有技術(shù)做出貢獻(xiàn)的部分或者該技術(shù)方案的全部或部分可以以軟件產(chǎn)品的形式體現(xiàn)出來，該計算機(jī)軟件產(chǎn)品存儲在一個存儲介質(zhì)中，包括若干指令用以使得一臺計算機(jī)設(shè)備(可為個人計算機(jī)、服務(wù)器或者網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等)執(zhí)行本發(fā)明各個實施例所述方法的全部或部分步驟。而前述的存儲介質(zhì)包括:U盤、只讀存儲器(R0M，Read-0nly Memory)、隨機(jī)存取存儲器(RAM，Random Access Memory)、移動硬盤、磁碟或者光盤等各種可以存儲數(shù)據(jù)和/或程序代碼的介質(zhì)。
[0075]以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項】
1.一種電路控制方法，其特征在于，包括: 當(dāng)?shù)谝活A(yù)設(shè)電源對負(fù)載電路進(jìn)行充電時，檢測所述第一預(yù)設(shè)電源輸入的電壓信號； 判斷所述電壓信號是否為預(yù)設(shè)高電平信號； 若確定所述電壓信號為所述預(yù)設(shè)高電平信號，則通過第二預(yù)設(shè)電源對所述負(fù)載電路進(jìn)行預(yù)設(shè)時長的恒流充電，并控制所述第一預(yù)設(shè)電源對所述負(fù)載電路進(jìn)行延時充電，其中，所述延時充電的延時時長為所述預(yù)設(shè)時長。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的控制方法，其特征在于，在所述確定所述電壓信號為所述預(yù)設(shè)高電平信號之后，所述方法還包括: 通過所述第二預(yù)設(shè)電源對所述負(fù)載電路進(jìn)行所述恒流充電； 檢測所述負(fù)載電路的電壓值達(dá)到預(yù)設(shè)電壓閾值時所用的第一時長，其中，所述預(yù)設(shè)電壓閾值為所述負(fù)載電路的開關(guān)管的臨界導(dǎo)通電壓值； 控制所述第一預(yù)設(shè)電源對所述負(fù)載電路進(jìn)行延時充電，其中，所述延時充電的延時時長為所述第一時長。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的控制方法，其特征在于，所述控制所述第一預(yù)設(shè)電源對所述負(fù)載電路進(jìn)行延時充電包括: 通過延時電路控制所述第一預(yù)設(shè)電源對所述負(fù)載電路進(jìn)行所述延時充電。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的控制方法，其特征在于，所述方法還包括: 判斷所述電壓信號是否為預(yù)設(shè)低電平信號； 若確定所述電壓信號為所述預(yù)設(shè)低電平信號，則通過第二預(yù)設(shè)電源對所述負(fù)載電路進(jìn)行預(yù)設(shè)時長的恒流放電，并控制所述第一預(yù)設(shè)電源對所述負(fù)載電路進(jìn)行延時放電，其中，所述延時放電的延時時長為所述預(yù)設(shè)時長。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的控制方法，其特征在于，所述第二預(yù)設(shè)電源為恒流電源。6.一種電路控制裝置，其特征在于，包括: 第一檢測單元，用于當(dāng)?shù)谝活A(yù)設(shè)電源對負(fù)載電路進(jìn)行充電時，檢測所述第一預(yù)設(shè)電源輸入的電壓信號； 第一判斷單元，用于判斷所述電壓信號是否為預(yù)設(shè)高電平信號； 第一處理單元，用于若確定所述電壓信號為所述預(yù)設(shè)高電平信號，則通過第二預(yù)設(shè)電源對所述負(fù)載電路進(jìn)行預(yù)設(shè)時長的恒流充電，并控制所述第一預(yù)設(shè)電源對所述負(fù)載電路進(jìn)行延時充電，其中，所述延時充電的延時時長為所述預(yù)設(shè)時長。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的控制裝置，其特征在于，所述裝置還包括: 第二處理單元，用于通過所述第二預(yù)設(shè)電源對所述負(fù)載電路進(jìn)行所述恒流充電； 第二檢測單元，用于檢測所述負(fù)載電路的電壓值達(dá)到預(yù)設(shè)電壓閾值時所用的第一時長，其中，所述預(yù)設(shè)電壓閾值為所述負(fù)載電路的開關(guān)管的臨界導(dǎo)通電壓值； 第三處理單元，用于控制所述第一預(yù)設(shè)電源對所述負(fù)載電路進(jìn)行延時充電，其中，所述延時充電的延時時長為所述第一時長。8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的控制裝置，其特征在于，所述第一處理單元包括: 控制子單元，用于通過延時電路控制所述第一預(yù)設(shè)電源對所述負(fù)載電路進(jìn)行所述延時充電。9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的控制裝置，其特征在于，所述裝置還包括: 第二判斷單元，用于判斷所述電壓信號是否為預(yù)設(shè)低電平信號； 第四處理單元，用于若確定所述電壓信號為所述預(yù)設(shè)低電平信號，則通過第二預(yù)設(shè)電源對所述負(fù)載電路進(jìn)行預(yù)設(shè)時長的恒流放電，并控制所述第一預(yù)設(shè)電源對所述負(fù)載電路進(jìn)行延時放電，其中，所述延時放電的延時時長為所述預(yù)設(shè)時長。10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的控制裝置，其特征在于，所述第二預(yù)設(shè)電源為恒流電源。
【文檔編號】H02M1/088GK105915031SQ201610237770
【公開日】2016年8月31日
【申請日】2016年4月15日
【發(fā)明人】金寧, 李 東
【申請人】北京集創(chuàng)北方科技股份有限公司