一種開關(guān)電源及其防護(hù)電路的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明屬于開關(guān)電源領(lǐng)域，提供了一種開關(guān)電源及其防護(hù)電路。在所述電流采集模塊的第一輸入端和第二輸入端的電流大于預(yù)設(shè)電流時(shí)，或電壓采集模塊的輸出檢測端的電壓高于預(yù)設(shè)電壓時(shí)，由微處理器控制所述電流采集模塊的輸出端置于高電平，從而斷開所述電壓采集模塊的第一輸出端和第二輸出端；同時(shí)所述微處理器控制所述電流采集模塊的受控端與電壓采集模塊的受控端置于高電平，使得開關(guān)電源處于關(guān)閉狀態(tài)，并持續(xù)至所述電流采集模塊的第一輸入端和第二輸入端的電流值為正常工作數(shù)值預(yù)設(shè)數(shù)值，或持續(xù)至所述電壓采集模塊的輸出檢測端的電壓為正常工作數(shù)值預(yù)設(shè)數(shù)值，本發(fā)明實(shí)施例提供的防護(hù)電路的電路設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)簡單，能夠有效對開關(guān)電源進(jìn)行過流過壓防護(hù)。
【專利說明】
一種開關(guān)電源及其防護(hù)電路
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明屬于開關(guān)電源領(lǐng)域，尤其涉及一種開關(guān)電源及其防護(hù)電路。
[0002]_
【背景技術(shù)】
[0003]開關(guān)電源是利用現(xiàn)代電力電子技術(shù)，控制開關(guān)管開通和關(guān)斷的時(shí)間比率，維持穩(wěn)定輸出電壓的一種電源，開關(guān)電源一般由脈沖寬度調(diào)制(PWM)控制IC和MOSFET構(gòu)成。隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展和創(chuàng)新，使得開關(guān)電源技術(shù)也在不斷地創(chuàng)新。目前，開關(guān)電源以小型、輕量和高效率的特點(diǎn)被廣泛應(yīng)用幾乎所有的電子設(shè)備，是當(dāng)今電子信息產(chǎn)業(yè)飛速發(fā)展不可缺少的一種電源方式。
[0004]但是，目前開關(guān)電源的安全防護(hù)較為復(fù)雜，在遇到過流過壓時(shí)往往不能及時(shí)有效的對開關(guān)電源進(jìn)行保護(hù)，造成開關(guān)電源的損壞。
[0005]_

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明實(shí)施例的目的在于提供一種開關(guān)電源的防護(hù)電路，旨在解決目前開關(guān)電源的安全防護(hù)較為復(fù)雜，在遇到過流過壓時(shí)不能及時(shí)有效的對開關(guān)電源進(jìn)行保護(hù)，造成開關(guān)電源的損壞的問題。
[0007]為了解決上述問題，本發(fā)明是這樣實(shí)現(xiàn)的:一種開關(guān)電源的防護(hù)電路，分別與開關(guān)電源中的微處理器和電壓變換器連接，所述防護(hù)電路包括電流采集模塊和電壓采集模塊；
所述電壓采集模塊的電源輸入端接所述電壓變換器的電壓輸出端，所述電壓采集模塊的第一輸出端接所述電流采集模塊的第一輸入端，所述電壓采集模塊的第二輸出端接所述電流采集模塊的第二輸入端，所述電壓采集模塊的第二輸出端同時(shí)為所述開關(guān)電源的輸出端;所述電流采集模塊的輸出端接所述電壓采集模塊的輸入端;所述電流采集模塊的受控端、所述電壓采集模塊的受控端和輸出檢測端分別與所述微處理器相接。
[0008]本發(fā)明的另一目的在于提供一種開關(guān)電源，所述開關(guān)電源包括上述所述的防護(hù)電路。
[0009]在本發(fā)明實(shí)施例中，在所述電流采集模塊的第一輸入端和第二輸入端的電流大于預(yù)設(shè)電流時(shí)，或電壓采集模塊的輸出檢測端的電壓高于預(yù)設(shè)電壓時(shí)，由微處理器控制所述電流采集模塊的輸出端置于高電平，從而斷開所述電壓采集模塊的第一輸出端和第二輸出端；同時(shí)，所述微處理器控制所述電流采集模塊的受控端與電壓采集模塊的受控端置于高電平，使得開關(guān)電源處于關(guān)閉狀態(tài)，并持續(xù)至所述電流采集模塊的第一輸入端和第二輸入端的電流值為預(yù)設(shè)數(shù)值，或持續(xù)至所述電壓采集模塊的輸出檢測端的電壓為預(yù)設(shè)數(shù)值，本發(fā)明實(shí)施例提供的防護(hù)電路的電路設(shè)計(jì)簡單，能夠有效對開關(guān)電源進(jìn)行過流過壓防護(hù)。
[0010]_
【附圖說明】
[0011]圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的開關(guān)電源的防護(hù)電路的模塊結(jié)構(gòu)圖；
圖2為本發(fā)明另一實(shí)施例提供的的開關(guān)電源的防護(hù)電路的模塊結(jié)構(gòu)圖；
圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的開關(guān)電源的防護(hù)電路的電路結(jié)構(gòu)圖。
[0012]
【具體實(shí)施方式】
[0013]為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
[0014]以下結(jié)合具體實(shí)施例對本發(fā)明的具體實(shí)現(xiàn)進(jìn)行詳細(xì)描述:
如圖1所示，本發(fā)明實(shí)施例中的防護(hù)電路100分別與開關(guān)電源中的微處理器20和電壓變換器10相連。
[0015]如圖1所示，所述防護(hù)電路100包括電流采集模塊1I和電壓采集模塊102。其中，所述電壓采集模塊102的電源輸入端接所述電壓變換器10的電壓輸出端，所述電壓采集模塊102的第一輸出端接所述電流采集模塊101的第一輸入端，所述電壓采集模塊102的第二輸出端接所述電流采集模塊101的第二輸入端，所述電壓采集模塊102的第二輸出端同時(shí)為所述開關(guān)電源的輸出端。所述電流采集模塊101的輸出端接所述電壓采集模塊102的輸入端；所述電流采集模塊101的受控端、所述電壓采集模塊102的受控端和輸出檢測端分別與所述微處理器20相接。
[0016]本實(shí)施例中，將所述防護(hù)電路100連接于開關(guān)電源內(nèi)部電路中，所述電流采集模塊101的受控端，用于供微處理器對所述電流采集模塊101的輸入端的工作電流進(jìn)行采集和電位變換。當(dāng)所述電流采集模塊101的輸入端電流大于預(yù)設(shè)電流時(shí)，微處理器20控制所述電流采集模塊101的輸出端置于高電平，從而斷開所述電壓采集模塊102的第一輸出端和第二輸出端。同時(shí)，所述微處理器20控制電流采集模塊101的受控端與電壓采集模塊102的受控端置于高電平，并持續(xù)至所述電流采集模塊101的輸入端的電流為預(yù)設(shè)數(shù)值。
[0017]作為本發(fā)明另一優(yōu)選實(shí)施例，所述電壓采集模塊102的輸出檢測端供微處理器對所述電壓采集模塊102的輸出端的工作電壓進(jìn)行采集和電位變換，當(dāng)所述電壓采集模塊102的輸出檢測端的電壓高于預(yù)設(shè)電壓時(shí)，微處理器20控制所述電流采集模塊的輸出端置于高電平，從而斷開所述電壓采集模塊102的輸出端，同時(shí)微處理器20控制所述電流采集模塊101的受控端與電壓采集模塊102的受控端置于高電平，并持續(xù)至所述電壓采集模塊102的輸出檢測端的電壓為預(yù)設(shè)數(shù)值。
[0018]為了實(shí)現(xiàn)當(dāng)所述電流采集模塊101的輸入端的電流大于預(yù)設(shè)電流時(shí)，所述微處理器20能夠控制所述電流采集模塊101的輸出端置于高電平，從而斷開所述電壓采集模塊102的輸出端，本實(shí)施例中，如圖2所示，所述電流采集模塊101包括:運(yùn)放模塊1011、比較模塊1012和電源1013。所述運(yùn)放模塊1011和比較模塊分別1012與所述電源1013相連。
[0019]具體的，如圖2所示，所述運(yùn)放模塊1011的正相輸入端為所述電流采集模塊101的第一輸入端，與所述電壓米集模塊1 2的第一輸出端相連。所述運(yùn)放模塊1011的負(fù)相輸入端為所述電流采集模塊101的第二輸入端，與所述電壓采集模塊102的第二輸出端相連。
[0020]如圖2所示，所述運(yùn)放模塊1011的輸出端接所述比較模塊1012的輸入端。所述比較模塊1012的輸出端為所述電流采集模塊1011的輸出端，與所述電壓采集模塊102的輸入端相連。所述比較模塊1012的受控端為所述電流采集模塊101的受控端，與所述微處理器20相連。
[0021]圖3示出了本發(fā)明實(shí)施例提供的開關(guān)電源的防護(hù)電路的電路結(jié)構(gòu)圖，為了便于說明，僅示出了與本發(fā)明相關(guān)部分，詳述如下:
作為本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例，所述檢測運(yùn)放模塊1011包括:用于放大輸入電流的第一芯片U1、電容C52、二極管D1、用于限流的電阻R401和電阻R402。
[0022]所述電容C52接于所述第一芯片Ul的供電端與地之間，所述第一芯片Ul的負(fù)相輸入端與所述電壓米集模塊第一輸出端之間連有電阻R401，所述第一芯片Ul的正相輸入端與所述電壓采集模塊的第二輸出端之間連有電阻R402，所述第一芯片Ul的輸出端與地線端之間并聯(lián)有電阻R403和電容C51，所述二極管Dl的正極與第一芯片Ul的輸出端相連，所述二極管Dl的負(fù)極為所述運(yùn)放模塊的輸出端。
[0023]如圖3所示，所述第一芯片Ul的供電端與所述電源1013相連。所述第一芯片Ul的負(fù)相輸入端與所述電壓米集模塊102第一輸出端之間連有電阻R401，所述第一芯片Ul的正相輸入端與所述電壓采集模塊102的第二輸出端之間連有電阻R402，其中，所述電阻R401和電阻R402均為限流用電阻。所述第一芯片Ul的輸出端與地線端之間并聯(lián)有電阻R403和電容C51。
[0024]如圖3所示，所述二極管Dl的正極與第一芯片Ul的輸出端相連，所述二極管Dl的負(fù)極接所述比較模塊。所述電容C52接于所述第一芯片Ul的供電端與地之間，該電容C52用于降噪。
[0025]作為本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例，所述比較模塊包括:用于進(jìn)行電壓比較的第二芯片U2、電容C54、二極管D2、第一開關(guān)管Q1、第二開關(guān)管Q2及電阻R407。
[0026]第二芯片U2的供電端與地之間連有電容C53，所述第二芯片U2的正相輸入端與地之間并聯(lián)有電阻R406和電容C55，所述第二芯片U2的輸出端與供電端之間連有電阻R405，所述第二芯片U2的輸出端接電阻R409，所述電阻R409另一端為所述電流采集模塊的輸出端，第所述二芯片U2的負(fù)相輸入端與地之間接有所述電容C54;電阻R407接于所述第二芯片U2的輸出端與二極管D2正極之間，所述二極管D2負(fù)極接于所述第二芯片U2的正相輸入端;第一開關(guān)管Ql的控制端與第二開關(guān)管Q2的控制端共為所述電流采集模塊的受控端;其中，所述第一開關(guān)管Ql的高電位端與所述二極管D2的正極相連，所述第一開關(guān)管Ql的低電位端接地，并與控制端之間連有電阻R403;所述第二開關(guān)管Q2的高電位端經(jīng)由電阻R409接于所述第二芯片U2的輸出端，所述第二開關(guān)管Q2的低電位端接地，并與控制端之間連有電阻R404。
[0027]如圖3所示，所述第二芯片U2的供電端接所述電源，所述第二芯片U2的供電端與地之間連有電容C53，所述第二芯片U2的正相輸入端與地之間并聯(lián)有電阻R406和電容C55，所述第二芯片U2的輸出端與供電端之間連有電阻R405，所述第二芯片U2的輸出端接電阻R409，該電阻R409另一端為所述電流采集模塊的輸出端。所述電容C54用于漏電保護(hù)，接在所述第二芯片U2的負(fù)相輸入端與地之間。所述電阻R407接于所述第二芯片U2的輸出端與二極管D2正極之間，所述二極管D2負(fù)極接于所述第二芯片U2的正相輸入端。
[0028]本實(shí)施例中，所述第一芯片Ul所產(chǎn)生的輸出電流由并聯(lián)的電阻R403產(chǎn)生所述第二芯片U2的輸入電壓，并由所述第二芯片U2對該輸入電壓與其自產(chǎn)生的基準(zhǔn)電壓進(jìn)行比較。
[0029]作為本實(shí)施例中的優(yōu)選方案，如圖3所示，所述第一開關(guān)管Ql的控制端與第二開關(guān)管Q2的控制端共為所述電流采集模塊的受控端。具體的，如圖3所示，所述第一開關(guān)管Ql的高電位端與所述二極管D2的正極相連，所述第一開關(guān)管Ql的低電位端接地，所述第一開關(guān)管Ql的低電位端與控制端之間連有電阻R403。所述第二開關(guān)管Q2的高電位端經(jīng)由電阻R409接于所述第二芯片U2的輸出端，所述第二開關(guān)管Q2的低電位端接地，并與控制端之間連有電阻R404。
[0030]如圖3所示，在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，優(yōu)選地，所述第一開關(guān)管Ql與第二開關(guān)管Q2分別為匪OS管Ql和匪OS管Q2。所述NMOS管Ql的柵極、漏極和源極分別為第一開關(guān)管Ql的控制端、高電位端和低電位端。所述NMOS管Q2的柵極、漏極和源極分別為第二開關(guān)管Q2的控制端、高電位端和低電位端。
[0031]此外，在本發(fā)明其他實(shí)施例中，優(yōu)選地，所述第一開關(guān)管Ql與第二開關(guān)管Q2分別為NPN型三級管Ql和NPN型三級管Q2，所述NPN型三級管Ql的基極、集電極和發(fā)射極分別為第一開關(guān)管Ql的控制端、高電位端和低電位端，所述NPN型三級管Q2的基極、集電極和發(fā)射極分別為第二開關(guān)管Q2的控制端、高電位端和低電位端。
[0032]作為本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例，為了實(shí)現(xiàn)當(dāng)所述電壓采集模塊102的輸出檢測端的電壓高于預(yù)設(shè)電壓時(shí)，微處理器20控制所述電流采集模塊的輸出端置于高電平，從而斷開所述電壓采集模塊102的輸出端，所述電壓采集模塊包括:第三芯片U3、保護(hù)電阻R40、電容C57、電容C58、二極管D3、第三開關(guān)管Q3及第四開關(guān)管Q4。
[0033]所述第三芯片U3的地線端與電壓軟啟動(dòng)端之間連有電容C57，所述第三芯片的使能端與地之間并接有電容C56，所述第三芯片U3的輸入端為電壓采集模塊的電源輸入端，所述第三芯片U3的輸出端經(jīng)由電阻R412與所述二極管D3的正極相連，所述二極管D3的負(fù)極為所述電壓采集模塊的輸出端；
所述電容C58負(fù)極與所述第三芯片U3的接地端相連，其正極與所述二極管D3的正極相連，所述電容C58正極和負(fù)極兩端并聯(lián)有電阻R413，該電阻R413兩端分別經(jīng)由電阻R414和電阻R415形成所述電壓采集模塊的輸出檢測端；
所述第三開關(guān)管Q3的低電位端接地，并與控制端之間連有電阻R411，所述第三開關(guān)管Q3的高電位端與所述第三芯片U3的使能端相連，所述第三開關(guān)管Q3的控制端為所述電壓采集豐旲塊的受控端；
所述第四開關(guān)管Q4的低電位端接地，并與控制端之間連有電阻R410，所述第四開關(guān)管Q4的高電位端與所述第三芯片U3的使能端相連，所述第四開關(guān)管Q4的控制端為所述電壓采集豐吳塊的輸入端。
[0034]如圖3所示，所述第三芯片U3的I號引腳地線端與2號引腳電壓軟啟動(dòng)端之間連有電容C57。所述第三芯片的3號引腳使能端與地之間并接有電容C56。所述第三芯片U3的輸入端為所述電壓采集模塊102的電源輸入端，與所述電壓變換器10相連。所述第三芯片U3的輸出端經(jīng)由電阻R412與所述二極管D3的正極相連，所述二極管D3的負(fù)極端為所述電壓采集模塊102的輸出端。
[0035]如圖3所示，所述電容C58為極性電容，該電容C58負(fù)極與所述第三芯片U3的接地端相連，其正極與所述二極管D3的正極相連。所述電容C58正極和負(fù)極兩端并聯(lián)有電阻R413，所述電阻R413兩端分別經(jīng)由電阻R414和電阻R415形成所述電壓采集模塊的輸出檢測端。
[0036]如圖3所示，所述第三開關(guān)管Q3的低電位端接地，并與控制端之間連有電阻R411。所述第三開關(guān)管Q3的高電位端與所述第三芯片U3的使能端相連，所述第三開關(guān)管Q3的控制端為所述電壓采集模塊的受控端。所述第四開關(guān)管Q4的低電位端接地，并與控制端之間連有電阻R410，所述第四開關(guān)管Q4的高電位端與所述第三芯片U3的使能輸入端相連，所述第四開關(guān)管Q4的控制端為所述電壓采集模塊的第一輸入端。
[0037]作為本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例，所述第三開關(guān)管Q3與第四開關(guān)管Q4分別為匪OS管Q3和NMOS管Q4。所述匪OS管Q3的柵極、漏極和源極分別為第三開關(guān)管Q3的控制端、高電位端和低電位端。所述NMOS管Q4的柵極、漏極和源極分別為第四開關(guān)管Q4的控制端、高電位端和低電位端。
[0038]此外，在本發(fā)明其他實(shí)施例中，優(yōu)選地，所述第三開關(guān)管Q3與第四開關(guān)管Q4分別為NPN型三級管Q3和NPN型三級管Q4，所述NPN型三級管Q3的基極、集電極和發(fā)射極分別為第三開關(guān)管Q3的控制端、高電位端和低電位端，所述NPN型三級管Q4的基極、集電極和發(fā)射極分別為第四開關(guān)管Q4的控制端、高電位端和低電位端。
[0039]本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種開關(guān)電源，該開關(guān)電源包括上述所述的防護(hù)電路。
[0040]在本發(fā)明實(shí)施例中，在所述電流采集模塊的第一輸入端和第二輸入端的電流大于預(yù)設(shè)電流時(shí)，或電壓采集模塊的輸出檢測端的電壓高于預(yù)設(shè)電壓時(shí)，由微處理器控制所述電流采集模塊的輸出端置于高電平，從而斷開所述電壓采集模塊的第一輸出端和第二輸出端；同時(shí)，所述微處理器控制所述電流采集模塊的受控端與電壓采集模塊的受控端置于高電平，使得開關(guān)電源處于關(guān)閉狀態(tài)，并持續(xù)至所述電流采集模塊的第一輸入端和第二輸入端的電流值為預(yù)設(shè)數(shù)值，或持續(xù)至所述電壓采集模塊的輸出檢測端的電壓為預(yù)設(shè)數(shù)值，本發(fā)明實(shí)施例提供的防護(hù)電路的電路設(shè)計(jì)簡單，能夠有效對開關(guān)電源進(jìn)行過流過壓防護(hù)。
[0041]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種開關(guān)電源的防護(hù)電路，分別與開關(guān)電源中的微處理器和電壓變換器連接，其特征在于，所述防護(hù)電路包括電流采集模塊和電壓采集模塊； 所述電壓采集模塊的電源輸入端接所述電壓變換器的電壓輸出端，所述電壓采集模塊的第一輸出端接所述電流采集模塊的第一輸入端，所述電壓采集模塊的第二輸出端接所述電流采集模塊的第二輸入端，所述電壓采集模塊的第二輸出端同時(shí)為所述開關(guān)電源的輸出端;所述電流采集模塊的輸出端接所述電壓采集模塊的輸入端;所述電流采集模塊的受控端、所述電壓采集模塊的受控端和輸出檢測端分別與所述微處理器相接。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的開關(guān)電源的防護(hù)電路，其特征在于，所述電流采集模塊包括:運(yùn)放模塊和比較模塊； 其中，所述運(yùn)放模塊的正相輸入端和負(fù)相輸入端分別為所述電流米集模塊的第一輸入端和第二輸入端，所述運(yùn)放模塊的輸出端接所述比較模塊的輸入端，所述比較模塊的輸出端為所述電流采集模塊的輸出端，所述比較模塊的受控端為所述電流采集模塊的受控端。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的開關(guān)電源的防護(hù)電路，其特征在于，所述運(yùn)放模塊包括:用于放大輸入電流的第一芯片U1、電容C52、二極管D1、用于限流的電阻R401和電阻R402; 所述電容C52接于所述第一芯片Ul的供電端與地之間，所述第一芯片Ul的負(fù)相輸入端與所述電壓采集模塊第一輸出端之間連有電阻R401，所述第一芯片Ul的正相輸入端與所述電壓采集模塊的第二輸出端之間連有電阻R402，所述第一芯片Ul的輸出端與地線端之間并聯(lián)有電阻R403和電容C51，所述二極管Dl的正極與第一芯片Ul的輸出端相連，所述二極管Dl的負(fù)極為所述運(yùn)放模塊的輸出端。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的開關(guān)電源的防護(hù)電路，其特征在于，所述比較模塊包括:用于進(jìn)行電壓比較的第二芯片U2、電容C54、二極管D2、第一開關(guān)管Ql、第二開關(guān)管Q2及電阻R407； 所述第二芯片U2的供電端與地之間連有電容C53，所述第二芯片U2的正相輸入端與地之間并聯(lián)有電阻R406和電容C55，所述第二芯片U2的輸出端與供電端之間連有電阻R405，所述第二芯片U2的輸出端接電阻R409，所述電阻R409另一端為所述電流采集模塊的輸出端，第所述二芯片U2的負(fù)相輸入端與地之間接有所述電容C54;所述電阻R407接于所述第二芯片U2的輸出端與二極管D2正極之間，所述二極管D2負(fù)極接于所述第二芯片U2的正相輸入端;所述第一開關(guān)管Ql的控制端與第二開關(guān)管Q2的控制端共為所述電流采集模塊的受控端;其中，所述第一開關(guān)管Ql的高電位端與所述二極管D2的正極相連，所述第一開關(guān)管Ql的低電位端接地，并與控制端之間連有電阻R403;所述第二開關(guān)管Q2的高電位端經(jīng)由電阻R409接于所述第二芯片U2的輸出端，所述第二開關(guān)管Q2的低電位端接地，并與控制端之間連有電阻R404。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的開關(guān)電源的防護(hù)電路，其特征在于，所述電壓采集模塊包括: 第三芯片U3、保護(hù)電阻R40、電容C57、電容C58、二極管D3、第三開關(guān)管Q3及第四開關(guān)管Q4； 所述第三芯片U3的地線端與電壓軟啟動(dòng)端之間連有電容C57，所述第三芯片的使能端與地之間并接有電容C56，所述第三芯片U3的輸入端為電壓采集模塊的電源輸入端，所述第三芯片U3的輸出端經(jīng)由電阻R412與所述二極管D3的正極相連，所述二極管D3的負(fù)極為所述電壓采集模塊的輸出端;所述電容C58負(fù)極與所述第三芯片U3的接地端相連，其正極與所述二極管D3的正極相連，所述電容C58正極和負(fù)極兩端并聯(lián)有電阻R413，該電阻R413兩端分別經(jīng)由電阻R414和電阻R415形成所述電壓采集模塊的輸出檢測端;所述第三開關(guān)管Q3的低電位端接地，并與控制端之間連有電阻R411，所述第三開關(guān)管Q3的高電位端與所述第三芯片U3的使能端相連，所述第三開關(guān)管Q3的控制端為所述電壓采集模塊的受控端;所述第四開關(guān)管Q4的低電位端接地，并與控制端之間連有電阻R410，所述第四開關(guān)管Q4的高電位端與所述第三芯片U3的使能端相連，所述第四開關(guān)管Q4的控制端為所述電壓采集模塊的輸入端。6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的開關(guān)電源的防護(hù)電路，其特征在于，所述第一開關(guān)管Ql與第二開關(guān)管Q2分別為NMOS管Ql和NMOS管Q2，所述匪OS管Ql的柵極、漏極和源極分別為第一開關(guān)管Ql的控制端、高電位端和低電位端，所述匪OS管Q2的柵極、漏極和源極分別為第二開關(guān)管Q2的控制端、高電位端和低電位端。7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的開關(guān)電源的防護(hù)電路，其特征在于，所述第一開關(guān)管Ql與第二開關(guān)管Q2分別為NPN型三級管Ql和NPN型三級管Q2，所述NPN型三級管Ql的基極、集電極和發(fā)射極分別為第一開關(guān)管Ql的控制端、高電位端和低電位端，所述NPN型三級管Q2的基極、集電極和發(fā)射極分別為第二開關(guān)管Q2的控制端、高電位端和低電位端。8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的開關(guān)電源的防護(hù)電路，其特征在于，所述第三開關(guān)管Q3與第四開關(guān)管Q4分別為NMOS管Q3和NMOS管Q4，所述匪OS管Q3的柵極、漏極和源極分別為第三開關(guān)管Q3的控制端、高電位端和低電位端，所述匪OS管Q4的柵極、漏極和源極分別為第四開關(guān)管Q4的控制端、高電位端和低電位端。9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的開關(guān)電源的防護(hù)電路，其特征在于，所述第三開關(guān)管Q3與第四開關(guān)管Q4分別為NPN型三級管Q3和NPN型三級管Q4，所述NPN型三級管Q3的基極、集電極和發(fā)射極分別為第三開關(guān)管Q3的控制端、高電位端和低電位端，所述NPN型三級管Q4的基極、集電極和發(fā)射極分別為第四開關(guān)管Q4的控制端、高電位端和低電位端。10.—種開關(guān)電源，其特征在于，所述開關(guān)電源包括根據(jù)權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述的防護(hù)電路。
【文檔編號】H02H7/10GK105932644SQ201610360284
【公開日】2016年9月7日
【申請日】2016年5月28日
【發(fā)明人】不公告發(fā)明人
【申請人】來安縣信隆機(jī)械科技有限公司