一種基于三階諧波消除電路的穩(wěn)壓開關電源的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種基于三階諧波消除電路的穩(wěn)壓開關電源，其特征在于，主要由穩(wěn)壓芯片U2，二極管整流器U1，三極管VT1，極性電容C1，電阻R1，極性電容C2，電阻R2，與穩(wěn)壓芯片U2相連接的電壓控制輸出電路，串接在二極管整流器U1的負極輸出端與電壓控制輸出電路之間的三階諧波消除電路，以及串接在三極管VT1的基極與電壓控制輸出電路之間的過壓過流保護電路組成。本發(fā)明的穩(wěn)壓芯片U2優(yōu)先采用了TH78H5集成芯片來實現(xiàn)，該芯片與外圍電路能解決輸入電壓降壓和整流不穩(wěn)定的問題，并且本發(fā)明還能消除輸入電流中的電磁干擾，從而確保了本發(fā)明能輸出穩(wěn)定的電壓和電流，有效的確保了電子產(chǎn)品工作的穩(wěn)定性。
【專利說明】
一種基于三階諧波消除電路的穩(wěn)壓開關電源
技術領域
[0001]本發(fā)明涉及電子領域，具體的說，是一種基于三階諧波消除電路的穩(wěn)壓開關電源。
【背景技術】
[0002]隨著科技的發(fā)展，電子產(chǎn)品的功能也越來越強大，因此對電子產(chǎn)品的供電電源也提出了更高的要求。然而，現(xiàn)有電子產(chǎn)品的供電電源存在輸出電壓和電流不穩(wěn)定的問題，導致電子產(chǎn)品工作不穩(wěn)定，無法滿足人們要求。
[0003]因此，提供一種能輸出穩(wěn)定的電壓和電流的電子產(chǎn)品供電電源便是當務之急。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術中的電子產(chǎn)品的供電電源存在輸出電壓和電流不穩(wěn)定的缺陷，提供的一種基于三階諧波消除電路的穩(wěn)壓開關電源。
[0005]本發(fā)明通過以下技術方案來實現(xiàn):一種基于三階諧波消除電路的穩(wěn)壓開關電源，主要由穩(wěn)壓芯片U2，二極管整流器Ul，三極管VTl，正極與二極管整流器Ul的正極輸出端相連接、負極與二極管整流器Ul的負極輸出端相連接后接地的極性電容Cl，一端與三極管VTl的發(fā)射極相連接、另一端與穩(wěn)壓芯片U2的IN管腳相連接的電阻Rl，正極與穩(wěn)壓芯片U2的IN管腳相連接、負極與三極管VTl的發(fā)射極相連接的極性電容C2，一端與穩(wěn)壓芯片U2的GND管腳相連接、另一端與二極管整流器Ul的負極輸出端相連接的電阻R2，與穩(wěn)壓芯片U2相連接的電壓控制輸出電路，串接在二極管整流器UI的負極輸出端與電壓控制輸出電路之間的三階諧波消除電路，以及串接在三極管VTl的基極與電壓控制輸出電路之間的過壓過流保護電路組成。
[0006]所述三階諧波消除電路由放大器Pl，放大器P2，放大器P3，三極管VT5，正極與三極管VT5的基極相連接、負極與二極管整流器Ul的負極輸出端相連接的極性電容C11，負極與放大器P2的負極相連接、正極經(jīng)電阻R17后與三極管VT5的集電極相連接的極性電容C12，正極經(jīng)電阻R16后與三極管VT5的發(fā)射極相連接、負極接地的極性電容C10，N極與放大器Pl的正極相連接、P極與極性電容ClO的正極相連接的二極管D6，負極經(jīng)電阻R19后與放大器Pl的輸出端相連接、正極與放大器Pl的負極相連接的極性電容C13，一端與放大器Pl的負極相連接、另一端與放大器P2的正極相連接的可調(diào)電阻R18，P極經(jīng)電阻R20后與放大器Pl的輸出端相連接、N極與放大器P3的正極相連接的二極管D8，一端與放大器Pl的輸出端相連接、另一端接地的可調(diào)電阻R21，以及正極經(jīng)電阻R22后與放大器P3的負極相連接、負極經(jīng)電阻R23后與放大器P3的輸出端相連接的極性電容C14組成;所述極性電容C14的正極與二極管D7的N極相連接后接地;所述放大器P3的輸出端作為三階諧波消除電路的輸出端。
[0007]所述電壓控制輸出電路由過壓過流保護電路由保護芯片U3，三極管VT3，三極管VT4，正極與三極管VTI的基極相連接、負極與三極管VT3的集電極相連接的極性電容C7，負極經(jīng)電阻Rll后與保護芯片U3的VDD管腳相連接、正極與三極管VT3的基極相連接的極性電容C8，P極電阻R12后與三極管VT3的發(fā)射極相連接、N極經(jīng)電阻R13后與保護芯片U3的GND管腳相連接的二極管D5，一端與極性電容C8的負極相連接、另一端與保護芯片U3的IN管腳相連接的可調(diào)電阻R10，P極經(jīng)電感L后與三極管VT4的發(fā)射極相連接、N極經(jīng)電阻R15后與三極管VT4的集電極相連接的二極管D4，P極經(jīng)電阻R8后與極性電容C7的正極相連接、N極，經(jīng)電阻R9后與二極管D4的P極相連接的二極管D3，正極經(jīng)電阻R6后與保護芯片U3的IN管腳相連接、負極與電壓控制輸出電路相連接的極性電容C6，以及負極與保護芯片U3的GND管腳相連接、正極經(jīng)電阻R14后與三極管VT4的集電極相連接的極性電容C9組成;所述保護芯片U3的OUT管腳與三極管VT4的基極相連接、其ST管腳與極性電容C9的負極相連接后接地。
[0008]所述電壓控制輸出電路由場效應管M0S，三極管VT2，N極與穩(wěn)壓芯片U2的OUT管腳相連接、P極經(jīng)可調(diào)電阻R4后與場效應管MOS的源極相連接的二極管Dl，正極與穩(wěn)壓芯片U2的EN管腳相連接、負極與可調(diào)電阻R4的可調(diào)端相連接的極性電容C3，正極經(jīng)電阻R3后與二極管Dl的P極相連接、負極經(jīng)電阻R5后與場效應管MOS的柵極相連接的極性電容C4，N極與極性電容C4的正極相連接、P極與三極管VT2的發(fā)射極相連接的穩(wěn)壓二極管D2，以及正極與三極管VT2的集電極相連接、負極經(jīng)電阻R7后與場效應管MOS的漏極相連接的極性電容C5組成;所述場效應管MOS的漏極與放大器P3的輸出端相連接;所述三極管VT2的基極與極性電容C6的負極相連接;所述穩(wěn)壓二極管02的~極與極性電容C5的負極共同形成電壓控制輸出電路的輸出端。
[0009]為了本發(fā)明的實際使用效果，所述穩(wěn)壓芯片U2則優(yōu)先采用TH78H5集成芯片來實現(xiàn)；同時，所述保護芯片U3則優(yōu)先采用TWH7851集成芯片來實現(xiàn)。
[0010]本發(fā)明與現(xiàn)有技術相比，具有以下優(yōu)點及有益效果:
[0011 ] (I)本發(fā)明的穩(wěn)壓芯片U2優(yōu)先采用了 TH78H5集成芯片來實現(xiàn)，該芯片與外圍電路能解決輸入電壓降壓和整流不穩(wěn)定的問題，并且本發(fā)明還能消除輸入電流中的電磁干擾，從而確保了本發(fā)明能輸出穩(wěn)定的電壓和電流，有效的確保了電子產(chǎn)品工作的穩(wěn)定性。
[0012](2)本發(fā)明能對輸入電壓中諧波進行消除，使輸入電壓保持平穩(wěn)，從而確保了本發(fā)明輸出的電壓的穩(wěn)定性。
[0013](3)本發(fā)明能對輸出電壓進行過壓保護，并能對輸出電流進行過流保護，從而確保了本發(fā)明輸出的電壓和電流的穩(wěn)定性。
【附圖說明】
[0014]圖1為本發(fā)明的整體結(jié)構(gòu)示意圖。
[0015]圖2為本發(fā)明的三階諧波消除電路的電路結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0016]下面結(jié)合實施例及其附圖對本發(fā)明作進一步地詳細說明，但本發(fā)明的實施方式不限于此。
[0017]實施例
[0018]如圖1所示，本發(fā)明主要由穩(wěn)壓芯片U2，二極管整流器Ul，三極管VTl，正極與二極管整流器Ul的正極輸出端相連接、負極與二極管整流器Ul的負極輸出端相連接后接地的極性電容Cl，一端與三極管VTl的發(fā)射極相連接、另一端與穩(wěn)壓芯片U2的IN管腳相連接的電阻Rl，正極與穩(wěn)壓芯片U2的IN管腳相連接、負極與三極管VTl的發(fā)射極相連接的極性電容C2，一端與穩(wěn)壓芯片U2的GND管腳相連接、另一端與二極管整流器Ul的負極輸出端相連接的電阻R2，與穩(wěn)壓芯片U2相連接的電壓控制輸出電路，串接在二極管整流器Ul的負極輸出端與電壓控制輸出電路之間的三階諧波消除電路，以及串接在三極管VTl的基極與電壓控制輸出電路之間的過壓過流保護電路組成。所述二極管整流器Ul的輸入端則與外部電源相連接。
[0019]其中，所述電壓控制輸出電路由過壓過流保護電路由保護芯片U3，三極管VT3，三極管VT4，電阻R6，電阻R8，電阻R9，電阻R10，電阻R11，電阻R12，電阻R13，電阻R14，電阻R15，極性電容C6，極性電容C7，極性電容C8，極性電容C9，二極管D3，二極管D4，二極管D5，以及電感L組成。
[0020]連接時，極性電容C7的正極與三極管VTl的基極相連接、其負極與三極管VT3的集電極相連接。極性電容C8的負極經(jīng)電阻Rll后與保護芯片U3的VDD管腳相連接、其正極與三極管VT3的基極相連接。
[0021]其中，二極管D5的P極電阻R12后與三極管VT3的發(fā)射極相連接、其N極經(jīng)電阻R13后與保護芯片U3的GND管腳相連接。可調(diào)電阻RlO的一端與極性電容C8的負極相連接、其另一端與保護芯片U3的IN管腳相連接。二極管D4的P極經(jīng)電感L后與三極管VT4的發(fā)射極相連接、其N極經(jīng)電阻R15后與三極管VT4的集電極相連接。二極管D3的P極經(jīng)電阻R8后與極性電容C7的正極相連接、其N極，經(jīng)電阻R9后與二極管D4的P極相連接。
[0022]同時，極性電容C6的正極經(jīng)電阻R6后與保護芯片U3的IN管腳相連接、其負極與電壓控制輸出電路相連接。極性電容C9的負極與保護芯片U3的GND管腳相連接、其正極經(jīng)電阻R14后與三極管VT4的集電極相連接。所述保護芯片U3的OUT管腳與三極管VT4的基極相連接、其ST管腳與極性電容C9的負極相連接后接地。
[0023]進一步地，所述電壓控制輸出電路由場效應管MOS，三極管VT2，電阻R2，電阻R3，可調(diào)電阻R4，電阻R5，電阻R7，極性電容C3，極性電容C4，極性電容C5，二極管Dl，以及二極管D2組成。
[0024]連接時，二極管Dl的N極與穩(wěn)壓芯片U2的OUT管腳相連接、其P極經(jīng)可調(diào)電阻R4后與場效應管MOS的源極相連接。極性電容C3的正極與穩(wěn)壓芯片U2的EN管腳相連接、其負極與可調(diào)電阻R4的可調(diào)端相連接。極性電容C4的正極經(jīng)電阻R3后與二極管Dl的P極相連接、其負極經(jīng)電阻R5后與場效應管MOS的柵極相連接。穩(wěn)壓二極管02的~極與極性電容C4的正極相連接、其P極與三極管VT2的發(fā)射極相連接。極性電容C5的正極與三極管VT2的集電極相連接、其負極經(jīng)電阻R7后與場效應管MOS的漏極相連接。
[0025]所述場效應管MOS的漏極與放大器P3的輸出端相連接;所述三極管VT2的基極與極性電容C6的負極相連接;所述穩(wěn)壓二極管D2的N極與極性電容C5的負極共同形成電壓控制輸出電路的輸出端。
[0026]如圖2所示，所述三階諧波消除電路由放大器Pl，放大器P2，放大器P3，三極管VT5，電阻Rl6，電阻Rl7，可調(diào)電阻Rl8，電阻Rl9，電阻R20，可調(diào)電阻R21，電阻R22，電阻R23，極性電容C10，極性電容C11，極性電容C12，極性電容C13，極性電容C14，二極管D6，二極管D7，以及二極管D8組成。
[0027]連接時，極性電容Cll的正極與三極管VT5的基極相連接、其負極與二極管整流器Ul的負極輸出端相連接。極性電容Cl 2的負極與放大器P2的負極相連接、其正極經(jīng)電阻Rl 7后與三極管VT5的集電極相連接。極性電容ClO的正極經(jīng)電阻R16后與三極管VT5的發(fā)射極相連接、其負極接地。
[0028]其中，二極管D6的N極與放大器Pl的正極相連接、其P極與極性電容ClO的正極相連接。極性電容C13的負極經(jīng)電阻R19后與放大器Pl的輸出端相連接、其正極與放大器Pl的負極相連接?？烧{(diào)電阻R18的一端與放大器Pl的負極相連接、其另一端與放大器P2的正極相連接。二極管D8的P極經(jīng)電阻R20后與放大器Pl的輸出端相連接、其N極與放大器P3的正極相連接。
[0029]同時，可調(diào)電阻R21的一端與放大器Pl的輸出端相連接、其另一端接地。極性電容C14的正極經(jīng)電阻R22后與放大器P3的負極相連接、其負極經(jīng)電阻R23后與放大器P3的輸出端相連接。所述極性電容C14的正極與二極管D7的_及相連接后接地;所述放大器P3的輸出端作為三階諧波消除電路的輸出端。
[0030]實施時，本發(fā)明的穩(wěn)壓芯片U2優(yōu)先采用了TH78H5集成芯片來實現(xiàn)，該芯片與外圍電路能解決輸入電壓降壓和整流不穩(wěn)定的問題，并且本發(fā)明還能消除輸入電流中的電磁干擾，從而確保了本發(fā)明能輸出穩(wěn)定的電壓和電流，有效的確保了電子產(chǎn)品工作的穩(wěn)定性。本發(fā)明能對輸入電壓中諧波進行消除，使輸入電壓保持平穩(wěn)，從而確保了本發(fā)明輸出的電壓的穩(wěn)定性。
[0031]同時，本發(fā)明能對輸出電壓進行過壓保護，并能對輸出電流進行過流保護，從而確保了本發(fā)明輸出的電壓和電流的穩(wěn)定性。為了本發(fā)明的實際使用效果，所述穩(wěn)壓芯片U2則優(yōu)先采用TH78H5集成芯片來實現(xiàn);所述保護芯片U3則優(yōu)先采用TWH7851集成芯片來實現(xiàn)。
[0032]按照上述實施例，即可很好的實現(xiàn)本發(fā)明。
【主權項】
1.一種基于三階諧波消除電路的穩(wěn)壓開關電源，其特征在于，主要由穩(wěn)壓芯片U2，二極管整流器Ul，三極管VTl，正極與二極管整流器Ul的正極輸出端相連接、負極與二極管整流器Ul的負極輸出端相連接后接地的極性電容Cl，一端與三極管VTl的發(fā)射極相連接、另一端與穩(wěn)壓芯片U2的IN管腳相連接的電阻Rl，正極與穩(wěn)壓芯片U2的IN管腳相連接、負極與三極管VTl的發(fā)射極相連接的極性電容C2，一端與穩(wěn)壓芯片U2的GND管腳相連接、另一端與二極管整流器Ul的負極輸出端相連接的電阻R2，與穩(wěn)壓芯片U2相連接的電壓控制輸出電路，串接在二極管整流器Ul的負極輸出端與電壓控制輸出電路之間的三階諧波消除電路，以及串接在三極管VTl的基極與電壓控制輸出電路之間的過壓過流保護電路組成。2.根據(jù)權利要求1所述的一種基于三階諧波消除電路的穩(wěn)壓開關電源，其特征在于，所述三階諧波消除電路由放大器Pl，放大器P2，放大器P3，三極管VT5，正極與三極管VT5的基極相連接、負極與二極管整流器Ul的負極輸出端相連接的極性電容Cl I，負極與放大器P2的負極相連接、正極經(jīng)電阻R17后與三極管VT5的集電極相連接的極性電容C12，正極經(jīng)電阻R16后與三極管VT5的發(fā)射極相連接、負極接地的極性電容C1，N極與放大器Pl的正極相連接、P極與極性電容Cl O的正極相連接的二極管D6，負極經(jīng)電阻Rl 9后與放大器PI的輸出端相連接、正極與放大器Pl的負極相連接的極性電容C13，一端與放大器Pl的負極相連接、另一端與放大器P2的正極相連接的可調(diào)電阻R18，P極經(jīng)電阻R20后與放大器Pl的輸出端相連接、N極與放大器P3的正極相連接的二極管D8，一端與放大器Pl的輸出端相連接、另一端接地的可調(diào)電阻R21，以及正極經(jīng)電阻R22后與放大器P3的負極相連接、負極經(jīng)電阻R23后與放大器P3的輸出端相連接的極性電容C14組成;所述極性電容C14的正極與二極管07的_及相連接后接地;所述放大器P3的輸出端作為三階諧波消除電路的輸出端。3.根據(jù)權利要求2所述的一種基于三階諧波消除電路的穩(wěn)壓開關電源，其特征在于，所述電壓控制輸出電路由過壓過流保護電路由保護芯片U3，三極管VT3，三極管VT4，正極與三極管VTl的基極相連接、負極與三極管VT3的集電極相連接的極性電容C7，負極經(jīng)電阻Rll后與保護芯片U3的VDD管腳相連接、正極與三極管VT3的基極相連接的極性電容C8，P極電阻R12后與三極管VT3的發(fā)射極相連接、N極經(jīng)電阻R13后與保護芯片U3的GND管腳相連接的二極管D5，一端與極性電容C8的負極相連接、另一端與保護芯片U3的IN管腳相連接的可調(diào)電阻R10，P極經(jīng)電感L后與三極管VT4的發(fā)射極相連接、N極經(jīng)電阻R15后與三極管VT4的集電極相連接的二極管D4，P極經(jīng)電阻R8后與極性電容C7的正極相連接、N極，經(jīng)電阻R9后與二極管D4的P極相連接的二極管D3，正極經(jīng)電阻R6后與保護芯片U3的IN管腳相連接、負極與電壓控制輸出電路相連接的極性電容C6，以及負極與保護芯片U3的GND管腳相連接、正極經(jīng)電阻R14后與三極管VT4的集電極相連接的極性電容C9組成;所述保護芯片U3的OUT管腳與三極管VT4的基極相連接、其ST管腳與極性電容C9的負極相連接后接地。4.根據(jù)權利要求3所述的一種基于三階諧波消除電路的穩(wěn)壓開關電源，其特征在于，所述電壓控制輸出電路由場效應管M0S，三極管VT2，N極與穩(wěn)壓芯片U2的OUT管腳相連接、P極經(jīng)可調(diào)電阻R4后與場效應管MOS的源極相連接的二極管Dl，正極與穩(wěn)壓芯片U2的EN管腳相連接、負極與可調(diào)電阻R4的可調(diào)端相連接的極性電容C3，正極經(jīng)電阻R3后與二極管Dl的P極相連接、負極經(jīng)電阻R5后與場效應管MOS的柵極相連接的極性電容C4，N極與極性電容C4的正極相連接、P極與三極管VT2的發(fā)射極相連接的穩(wěn)壓二極管D2，以及正極與三極管VT2的集電極相連接、負極經(jīng)電阻R7后與場效應管MOS的漏極相連接的極性電容C5組成;所述場效應管MOS的漏極與放大器P3的輸出端相連接;所述三極管VT2的基極與極性電容C6的負極相連接;所述穩(wěn)壓二極管02的~極與極性電容C5的負極共同形成電壓控制輸出電路的輸出端。5.根據(jù)權利要求4所述的一種基于三階諧波消除電路的穩(wěn)壓開關電源，其特征在于，所述穩(wěn)壓芯片U2為TH78H5集成芯片。6.根據(jù)權利要求4所述的一種基于三階諧波消除電路的穩(wěn)壓開關電源，其特征在于，所述保護芯片U3為TWH7851集成芯片。
【文檔編號】H02M3/155GK106026642SQ201610525490
【公開日】2016年10月12日
【申請日】2016年7月4日
【發(fā)明人】不公告發(fā)明人
【申請人】成都塞普奇科技有限公司