一種正弦波逆變系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種正弦波逆變系統(tǒng)，其特征在于：主要由處理芯片U，變壓器T，正極作為輸入端、負(fù)極接地的電容C1，串接在電容C1的正極和處理芯片U的VCC管腳之間的電阻R5，串接在電容C1的正極和處理芯片U的VC管腳之間的電阻R6等組成。本發(fā)明采用SG3525AJ集成芯片作為處理芯片，并采用脈沖寬度調(diào)制的方式對系統(tǒng)進行控制，極大的降低了系統(tǒng)自身的能耗，從而使本發(fā)明的轉(zhuǎn)換效率達到94％以上。
【專利說明】
一種正弦波逆變系統(tǒng)
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及一種逆變系統(tǒng)，具體是指一種正弦波逆變系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0002]逆變系統(tǒng)可以把直流電轉(zhuǎn)變成交流電，它廣泛適用于空調(diào)、家庭影院、電電動工具等領(lǐng)域。然而，目前所使用的逆變系統(tǒng)自身的功耗較大，導(dǎo)致其轉(zhuǎn)換效率低，無法滿足人們的要求。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的在于解決目前的逆變系統(tǒng)轉(zhuǎn)換效率低的缺陷，提供一種正弦波逆變系統(tǒng)。
[0004]本發(fā)明的目的通過下述技術(shù)方案現(xiàn)實:一種正弦波逆變系統(tǒng)，主要由處理芯片U，變壓器T，正極作為輸入端、負(fù)極接地的電容Cl，串接在電容Cl的正極和處理芯片U的VCC管腳之間的電阻R5，串接在電容Cl的正極和處理芯片U的VC管腳之間的電阻R6，正極與處理芯片U的SS管腳相連接、負(fù)極接地的電容C4，負(fù)極與處理芯片U的SD管腳相連接、正極接地的電容C3，串接在電容C3的正極和處理芯片U的GND管腳之間的電阻R4，串接在電容Cl的正極和處理芯片U之間的脈寬調(diào)制電路，以及串接在處理芯片U和變壓器T的原邊電感線圈之間的轉(zhuǎn)換電路組成;所述電容Cl的正極與變壓器T的原邊電感線圈的抽頭相連接;所述變壓器T的副邊電感線圈的同名端和非同名端作為輸出端。
[0005]進一步的，所述脈寬調(diào)制電路由三極管VTl，三極管VT2，一端與電容Cl的正極相連接、另一端與處理芯片U的DI SC管腳相連接的電阻R3，N極與處理芯片U的CMOEN管腳相連接、P極與電容Cl的正極相連接的二極管D2，P極與電容Cl的正極相連接、N極與三極管VTl的基極相連接的二極管Dl，串接在二極管D2的P極和三極管VT2的基極之間的電阻Rl，串接在三極管VT2的發(fā)射極和三極管VTl的發(fā)射極之間的電阻R2，N極與處理芯片U的IN+管腳相連接、P極與三極管VT2的集電極相連接的二極管D3，以及正極與三極管VTl的發(fā)射極相連接、負(fù)極與處理芯片U的IN-管腳相連接的電容C2組成;所述三極管VTl的集電極與三極管VT2的基極相連接、其發(fā)射極接地。
[0006]所述轉(zhuǎn)換電路由場效應(yīng)管MOSl，場效應(yīng)管M0S2，串接在處理芯片U的OUTA管腳和場效應(yīng)管MOSl的柵極之間的電阻R7，串接在處理芯片U的OUTB管腳和場效應(yīng)管M0S2的柵極之間的電阻R8，正極與場效應(yīng)管MOSl的源極相連接、負(fù)極與場效應(yīng)管M0S2的源極相連接的電容C5，N極與場效應(yīng)管MOSl的漏極相連接、P極與場效應(yīng)管MOSl的源極相連接的二極管D4，以及N極與場效應(yīng)管M0S2的源極相連接、P極與場效應(yīng)管M0S2的漏極相連接的二極管D5組成；所述變壓器T的原邊電感線圈的同名端與場效應(yīng)管MOSl的漏極相連接、其非同名端則與場效應(yīng)管M0S2的漏極相連接。
[0007]所述處理芯片U為SG3525AJ集成芯片。
[0008]本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有以下優(yōu)點及有益效果:
[0009]本發(fā)明采用SG3525AJ集成芯片作為處理芯片，并采用脈沖寬度調(diào)制的方式對系統(tǒng)進行控制，極大的降低了系統(tǒng)自身的能耗，從而使本發(fā)明的轉(zhuǎn)換效率達到94%以上。
【附圖說明】
[0010]圖1為本發(fā)明的整體結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0011]下面結(jié)合實施例對本發(fā)明作進一步地詳細(xì)說明，但本發(fā)明的實施方式并不限于此。
[0012]實施例
[0013]如圖1所示，本發(fā)明主要由處理芯片U，變壓器T，正極作為輸入端、負(fù)極接地的電容Cl，串接在電容Cl的正極和處理芯片U的VCC管腳之間的電阻R5，串接在電容Cl的正極和處理芯片U的VC管腳之間的電阻R6，正極與處理芯片U的SS管腳相連接、負(fù)極接地的電容C4，負(fù)極與處理芯片U的SD管腳相連接、正極接地的電容C3，串接在電容C3的正極和處理芯片U的GND管腳之間的電阻R4，串接在電容Cl的正極和處理芯片U之間的脈寬調(diào)制電路，以及串接在處理芯片U和變壓器T的原邊電感線圈之間的轉(zhuǎn)換電路組成。
[0014]所述電容Cl的正極與變壓器T的原邊電感線圈的抽頭相連接;所述變壓器T的副邊電感線圈的同名端和非同名端作為輸出端。為了更好的實現(xiàn)本發(fā)明的目的，所述處理芯片U優(yōu)選SG3525AJ集成芯片來實現(xiàn)。
[0015]其中，所述脈寬調(diào)制電路由三極管VTl，三極管VT2，電阻Rl，電阻R2，電阻R3，二極管D1，二極管D2，二極管D3以及電容C2組成。
[0016]連接時，電阻R3的一端與電容Cl的正極相連接、其另一端與處理芯片U的DISC管腳相連接。二極管02的~極與處理芯片U的CMOEN管腳相連接、其P極與電容Cl的正極相連接。二極管Dl的P極與電容Cl的正極相連接、其N極與三極管VTl的基極相連接。電阻Rl的串接在二極管D2的P極和三極管VT2的基極之間。電阻R2串接在三極管VT2的發(fā)射極和三極管VTl的發(fā)射極之間。二極管03的~極與處理芯片U的IN+管腳相連接、其P極與三極管VT2的集電極相連接。電容C2的正極與三極管VTl的發(fā)射極相連接、其負(fù)極與處理芯片U的IN-管腳相連接。所述三極管VTl的集電極與三極管VT2的基極相連接、其發(fā)射極接地。
[0017]另外，所述轉(zhuǎn)換電路由場效應(yīng)管MOSl，場效應(yīng)管M0S2，電阻R7，電阻R8，電容C5，二極管D4以及二極管D5組成。
[0018]連接時，電阻R7串接在處理芯片U的OUTA管腳和場效應(yīng)管MOSl的柵極之間。電阻R8串接在處理芯片U的OUTB管腳和場效應(yīng)管M0S2的柵極之間。電容C5的正極與場效應(yīng)管MOSl的源極相連接、其負(fù)極與場效應(yīng)管M0S2的源極相連接。二極管D4的N極與場效應(yīng)管MOSl的漏極相連接、其P極與場效應(yīng)管MOSl的源極相連接。二極管05的~極與場效應(yīng)管M0S2的源極相連接、其P極與場效應(yīng)管M0S2的漏極相連接。所述變壓器T的原邊電感線圈的同名端與場效應(yīng)管MOSl的漏極相連接、其非同名端則與場效應(yīng)管M0S2的漏極相連接。
[0019]本發(fā)明采用SG3525AJ集成芯片作為處理芯片，并采用脈沖寬度調(diào)制的方式對系統(tǒng)進行控制，極大的降低了系統(tǒng)自身的能耗，從而使本發(fā)明的轉(zhuǎn)換效率達到94%以上。
[0020]如上所述，便可很好的實現(xiàn)本發(fā)明。
【主權(quán)項】
1.一種正弦波逆變系統(tǒng)，其特征在于:主要由處理芯片U，變壓器T，正極作為輸入端、負(fù)極接地的電容Cl，串接在電容Cl的正極和處理芯片U的VCC管腳之間的電阻R5，串接在電容Cl的正極和處理芯片U的VC管腳之間的電阻R6，正極與處理芯片U的SS管腳相連接、負(fù)極接地的電容C4，負(fù)極與處理芯片U的SD管腳相連接、正極接地的電容C3，串接在電容C3的正極和處理芯片U的GND管腳之間的電阻R4，串接在電容Cl的正極和處理芯片U之間的脈寬調(diào)制電路，以及串接在處理芯片U和變壓器T的原邊電感線圈之間的轉(zhuǎn)換電路組成;所述電容Cl的正極與變壓器T的原邊電感線圈的抽頭相連接;所述變壓器T的副邊電感線圈的同名端和非同名端作為輸出端。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種正弦波逆變系統(tǒng)，其特征在于:所述脈寬調(diào)制電路由三極管VTl，三極管VT2，一端與電容Cl的正極相連接、另一端與處理芯片U的DISC管腳相連接的電阻R3，N極與處理芯片U的CMOEN管腳相連接、P極與電容Cl的正極相連接的二極管D2，P極與電容Cl的正極相連接、N極與三極管VTl的基極相連接的二極管Dl，串接在二極管02的卩極和三極管VT2的基極之間的電阻Rl，串接在三極管VT2的發(fā)射極和三極管VTl的發(fā)射極之間的電阻R2，N極與處理芯片U的IN+管腳相連接、P極與三極管VT2的集電極相連接的二極管D3，以及正極與三極管VTl的發(fā)射極相連接、負(fù)極與處理芯片U的IN-管腳相連接的電容C2組成;所述三極管VTl的集電極與三極管VT2的基極相連接、其發(fā)射極接地。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種正弦波逆變系統(tǒng)，其特征在于:所述轉(zhuǎn)換電路由場效應(yīng)管MOSl，場效應(yīng)管M0S2，串接在處理芯片U的OUTA管腳和場效應(yīng)管MOSl的柵極之間的電阻R7，串接在處理芯片U的OUTB管腳和場效應(yīng)管M0S2的柵極之間的電阻R8，正極與場效應(yīng)管MOSl的源極相連接、負(fù)極與場效應(yīng)管M0S2的源極相連接的電容C5，N極與場效應(yīng)管MOSl的漏極相連接、P極與場效應(yīng)管MOSl的源極相連接的二極管D4，以及N極與場效應(yīng)管M0S2的源極相連接、P極與場效應(yīng)管M0S2的漏極相連接的二極管D5組成;所述變壓器T的原邊電感線圈的同名端與場效應(yīng)管MOSl的漏極相連接、其非同名端則與場效應(yīng)管M0S2的漏極相連接。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種正弦波逆變系統(tǒng)，其特征在于:所述處理芯片U為SG3525AJ集成芯片。
【文檔編號】H02M7/5395GK106026753SQ201610525162
【公開日】2016年10月12日
【申請日】2016年7月4日
【發(fā)明人】不公告發(fā)明人
【申請人】成都思博特科技有限公司