采用自諧振網(wǎng)絡(luò)的mosfet高頻驅(qū)動(dòng)器的制造方法
【專(zhuān)利摘要】采用自諧振網(wǎng)絡(luò)的MOSFET高頻驅(qū)動(dòng)器，屬于電力電子領(lǐng)域。解決了現(xiàn)有高頻MOSFET的驅(qū)動(dòng)多采用晶振實(shí)現(xiàn)，該種驅(qū)動(dòng)方式靈活性較差的問(wèn)題。它包括電感LF、輔助開(kāi)關(guān)管Shelp和自諧振反饋網(wǎng)絡(luò)模塊；電感LF的一端與輸入電源的正極連接，電感LF的另一端同時(shí)與自諧振反饋網(wǎng)絡(luò)模塊的電源正極和輔助開(kāi)關(guān)管Shelp漏極連接，自諧振反饋網(wǎng)絡(luò)模塊電源負(fù)極同時(shí)與輸入電源的負(fù)極和輔助開(kāi)關(guān)管Shelp源極連接，自諧振反饋網(wǎng)絡(luò)模塊的電壓信號(hào)輸出端與輔助開(kāi)關(guān)管Shelp的柵極連接，輔助開(kāi)關(guān)管Shelp的漏極與被測(cè)主開(kāi)關(guān)管Smain柵極連接，輔助開(kāi)關(guān)管Shelp的源極與被測(cè)主開(kāi)關(guān)管Smain源極連接。用于對(duì)MOS進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
采用自諧振網(wǎng)絡(luò)的MOSFET高頻驅(qū)動(dòng)器
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明屬于電力電子領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002] MOSFET在電力電子領(lǐng)域應(yīng)用廣泛，近年來(lái)，隨著電力電子變換器向小型化、高功率 密度方向的發(fā)展，提高功率器件的工作頻率成為一大研究熱點(diǎn)。目前高頻MOSFET的驅(qū)動(dòng)多 采用晶振實(shí)現(xiàn)：晶振輸出的方波信號(hào)經(jīng)與口增加驅(qū)動(dòng)能力后，通過(guò)外加電感和開(kāi)關(guān)管寄生 電容的諧振轉(zhuǎn)化為所需的正弦驅(qū)動(dòng)信號(hào)。運(yùn)種驅(qū)動(dòng)方式靈活性較差，主要表現(xiàn)在W下兩個(gè) 方面：
[0003] 1、不能調(diào)整驅(qū)動(dòng)信號(hào)的頻率和占空比。
[0004] 2、只能通過(guò)滯環(huán)比較的方法來(lái)實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的閉環(huán)控制。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本發(fā)明是為了解決現(xiàn)有高頻MOSFET的驅(qū)動(dòng)多采用晶振實(shí)現(xiàn)，該種驅(qū)動(dòng)方式靈活性 較差的問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種采用自諧振網(wǎng)絡(luò)的MOSFET高頻驅(qū)動(dòng)器。
[0006] 采用自諧振網(wǎng)絡(luò)的M0S陽(yáng)T高頻驅(qū)動(dòng)器，它包括電感Lf、輔助開(kāi)關(guān)管Shelp和自諧振反 饋網(wǎng)絡(luò)模塊;所述的輔助開(kāi)關(guān)管Shelp為M0S管；
[0007] 所述的電感Lf的一端用于與輸入電源Vgate的正極連接，電感Lf的另一端同時(shí)與自 諧振反饋網(wǎng)絡(luò)模塊的電源正極和輔助開(kāi)關(guān)管Shelp的漏極連接，
[0008] 自諧振反饋網(wǎng)絡(luò)模塊的電源負(fù)極同時(shí)與輸入電源Vgate的負(fù)極和輔助開(kāi)關(guān)管Shelp的 源極連接，自諧振反饋網(wǎng)絡(luò)模塊的電壓信號(hào)輸出端與輔助開(kāi)關(guān)管Shelp的柵極連接，
[0009] 輔助開(kāi)關(guān)管Shelp的漏極用于與被測(cè)主開(kāi)關(guān)管Smain的柵極連接，
[0010]輔助開(kāi)關(guān)管Shelp的源極用于與被現(xiàn)性開(kāi)關(guān)管Smain的源極連接，
[00川所述的被測(cè)主開(kāi)關(guān)管Smain為M0S管，
[0012] 自諧振反饋網(wǎng)絡(luò)模塊用于產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)信號(hào)，對(duì)輔助開(kāi)關(guān)管Shelp進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。
[0013] 所述的自諧振反饋網(wǎng)絡(luò)模塊包括電感Lt、電容Cb和電感Lr;
[0014] 電感Lt的一端作為自諧振反饋網(wǎng)絡(luò)模塊的電源正極，電感Lt的一端同時(shí)與電感Lf 的另一端和輔助開(kāi)關(guān)管Shelp的漏極連接，電感Lt的另一端與電容Cb的一端連接，電容Cb的另 一端同時(shí)與電感Lr的一端和電容Cb的一端連接；
[0015] 電容Cb的另一端作為自諧振反饋網(wǎng)絡(luò)模塊的電源負(fù)極，
[0016] 電感Lr的另一端作為自諧振反饋網(wǎng)絡(luò)模塊的電壓信號(hào)輸出端。
[0017]所述的自諧振反饋網(wǎng)絡(luò)模塊還包括電感Lst，
[001引電感Lst的一端與電感Lf的一端連接，電感Lst的另一端同時(shí)與電感Lr的一端、電容 Cb的另一端和電容Cb的一端連接。
[0019] 本發(fā)明帶來(lái)的有益效果是，
[0020] 1、采用classO結(jié)構(gòu)，利用輔助開(kāi)關(guān)管漏源極兩端的近似梯形波來(lái)驅(qū)動(dòng)主開(kāi)關(guān)管， 可w降低主開(kāi)關(guān)管電壓應(yīng)力，減少其開(kāi)關(guān)損耗及諧波成分，從而提高系統(tǒng)的效率。
[0021] 2、在classO中加入自諧振反饋網(wǎng)絡(luò)，調(diào)整元器件參數(shù)可W實(shí)現(xiàn)不同開(kāi)關(guān)頻率和 占空比的設(shè)計(jì)，且不依賴于系統(tǒng)的輸入電壓與主開(kāi)關(guān)管的參數(shù)，也不會(huì)影響電路的特性，運(yùn) 可W有效提高M(jìn)0SFET的驅(qū)動(dòng)的靈活性與通用性。
【附圖說(shuō)明】
[0022] 圖1為【具體實(shí)施方式】一所述的采用自諧振網(wǎng)絡(luò)的M0SFET高頻驅(qū)動(dòng)器的原理示意 圖；Rg為輔助開(kāi)關(guān)管Shelp的柵極電阻，Cgs_help為輔助開(kāi)關(guān)管Shelp的極間電阻，
[0023] 圖2為【具體實(shí)施方式】二所述的自諧振反饋網(wǎng)絡(luò)模塊的原理示意圖；
[0024] 圖3為【具體實(shí)施方式】Ξ所述的自諧振反饋網(wǎng)絡(luò)模塊的原理示意圖；Vgs_help表示輔 助開(kāi)關(guān)官Shelp柵源間電壓,Vgsjnain表不被測(cè)王開(kāi)關(guān)官Smain柵源間電壓，
[0025] 圖4為【具體實(shí)施方式】二中自諧振反饋網(wǎng)絡(luò)模塊的等效電路圖，Zr為電感Lr的等效阻 抗，Ζτ為電感Lt的等效阻抗，&為電容Cb的等效阻抗，
[0026] 圖5為【具體實(shí)施方式】二中，根據(jù)戴維寧等效原理對(duì)自諧振反饋網(wǎng)絡(luò)模塊的進(jìn)行等 效的電路圖，該電路主要對(duì)WVds_heip為輸入，C點(diǎn)為輸出，包含阻抗Zf、Zb部分的一端口網(wǎng)絡(luò) 進(jìn)行等效;Vf為等效后的電壓源;Zf為等效后的阻抗，
[0027] 圖6為自諧振部分傳遞函數(shù)的伯德圖；
[0028] 圖7為自諧振反饋網(wǎng)絡(luò)模塊驅(qū)動(dòng)M0SFET(即：被測(cè)主開(kāi)關(guān)管Smain)的波形圖；
[0029] 圖8為自諧振反饋網(wǎng)絡(luò)模塊的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)示意圖；
[0030] 圖9為本發(fā)明所述的采用自諧振網(wǎng)絡(luò)的M0SFET高頻驅(qū)動(dòng)器的驗(yàn)證電路圖。
【具體實(shí)施方式】
【具體實(shí)施方式】 [0031] 一:參見(jiàn)圖1說(shuō)明本實(shí)施方式，本實(shí)施方式所述的采用自諧振網(wǎng)絡(luò)的 M0SFET高頻驅(qū)動(dòng)器，它包括電感Lf、輔助開(kāi)關(guān)管Shelp和自諧振反饋網(wǎng)絡(luò)模塊1;所述的輔助開(kāi) 關(guān)管Shelp為M0S管；
[0032] 所述的電感Lf的一端用于與輸入電源Vgate的正極連接，電感Lf的另一端同時(shí)與自 諧振反饋網(wǎng)絡(luò)模塊1的電源正極和輔助開(kāi)關(guān)管Shelp的漏極連接，
[0033] 自諧振反饋網(wǎng)絡(luò)模塊1的電源負(fù)極同時(shí)與輸入電源Vgate的負(fù)極和輔助開(kāi)關(guān)管Shelp 的源極連接，自諧振反饋網(wǎng)絡(luò)模塊1的電壓信號(hào)輸出端與輔助開(kāi)關(guān)管Shelp的柵極連接，
[0034] 輔助開(kāi)關(guān)管Shelp的漏極用于與被測(cè)主開(kāi)關(guān)管Smain的柵極連接，
[0035] 輔助開(kāi)關(guān)管Shelp的源極用于與被測(cè)主開(kāi)關(guān)管Smain的源極連接，
[0036] 所述的被測(cè)主開(kāi)關(guān)管Smain為M0S管，
[0037] 自諧振反饋網(wǎng)絡(luò)模塊1用于產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)信號(hào)，對(duì)輔助開(kāi)關(guān)管Shelp進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。
[0038] 本實(shí)施方式中，輔助開(kāi)關(guān)管Shelp為NM0S管;被測(cè)主開(kāi)關(guān)管Smain為PM0S管;所述的輔 助開(kāi)關(guān)管Shelp也可采用PM0S管實(shí)現(xiàn)，被測(cè)主開(kāi)關(guān)管Smain也可采用為NM0S管；
[0039] 自諧振反饋網(wǎng)絡(luò)模塊1可W在輔助開(kāi)關(guān)管Shelp的柵極產(chǎn)生類(lèi)似正弦波的電壓，用 W驅(qū)動(dòng)輔助開(kāi)關(guān)管Shelp。
[0040] 所述的電源Vgate、電感Lf、輔助開(kāi)關(guān)管Shelp和自諧振反饋網(wǎng)絡(luò)模塊IW及負(fù)載Smain 構(gòu)成Class Φ逆變器。
[0041] 為了防止柵極的靜電放電，現(xiàn)在的制造商往往會(huì)在MOSFET的柵極和源極之間加入 一個(gè)保護(hù)二極管，運(yùn)就導(dǎo)致柵極電壓不能低于-0.5V，同時(shí)也限制了開(kāi)關(guān)管的口驅(qū)動(dòng)電路的 選擇，因?yàn)橐话愕腖C電路在柵極只能提供正弦電壓。所W本發(fā)明借助于新的逆變器結(jié)構(gòu)，即 ClassO逆變器。
[0042] 對(duì)于ClassO逆變器結(jié)構(gòu)，當(dāng)在輔助開(kāi)關(guān)管Sheip的柵極輸入正弦波驅(qū)動(dòng)時(shí)，輔助開(kāi) 關(guān)管Sheip的漏源極間能產(chǎn)生類(lèi)似方波或梯形波形，此波形可W有效驅(qū)動(dòng)MOSFET(即：被測(cè)主 開(kāi)關(guān)官Smain)。
[0043] 因此，將上述自諧振反饋網(wǎng)絡(luò)模塊1引入ClassO逆變器中，在輔助開(kāi)關(guān)管Sheip的 漏源極能產(chǎn)生類(lèi)似梯形波的波形，且對(duì)逆變器整體并無(wú)明顯的影響，運(yùn)個(gè)波形可W驅(qū)動(dòng) MOSFET管（即：被測(cè)主開(kāi)關(guān)管Smain)。穩(wěn)態(tài)時(shí)輔助開(kāi)關(guān)管Shelp漏源極電壓峰值約為輸入電壓 Vgate的兩倍，運(yùn)相較于傳統(tǒng)的ClassE逆變器(3.6倍輸入電壓）等結(jié)構(gòu)而言可^有效地降低 開(kāi)關(guān)應(yīng)力。
【具體實(shí)施方式】 [0044] 二:參見(jiàn)圖2說(shuō)明本實(shí)施方式，本實(shí)施方式與一所述的 采用自諧振網(wǎng)絡(luò)的MOSFET高頻驅(qū)動(dòng)器的區(qū)別在于，所述的自諧振反饋網(wǎng)絡(luò)模塊1包括電感 Lt、電容Cb和電感Lr ;
[0045] 電感Lt的一端作為自諧振反饋網(wǎng)絡(luò)模塊1的電源正極，電感Lt的一端同時(shí)與電感Lf 的另一端和輔助開(kāi)關(guān)管Shelp的漏極連接，電感Lt的另一端與電容Cb的一端連接，電容Cb的另 一端同時(shí)與電感Lr的一端和電容Cb的一端連接；
[0046] 電容Cb的另一端作為自諧振反饋網(wǎng)絡(luò)模塊1的電源負(fù)極，
[0047] 電感Lr的另一端作為自諧振反饋網(wǎng)絡(luò)模塊1的電壓信號(hào)輸出端。
[0048] 本實(shí)施方式，根據(jù)戴維寧等效原理對(duì)自諧振反饋網(wǎng)絡(luò)模塊1進(jìn)行等效，其中主要是 對(duì)WVds_help為輸入，C點(diǎn)為輸出，包含阻抗ZfJb部分的一端口網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行等效。具體參見(jiàn)圖4和 圖5。圖5中該電路主要對(duì)WVds_heip為輸入，C點(diǎn)為輸出，包含阻抗Zf、Zb部分的一端口網(wǎng)絡(luò)進(jìn) 行等效;Vf為等效后的電壓源;Zf為等效后的阻抗。只考慮交流成分，令輸入電壓Vgate = 0， 且：
[0049] 2。=幻|向（公式1)，
[0050] 則有；
[0化1 ]
[0055] 其中，Vf表示戴維寧等效后的電壓源，Vds_help表示輔助開(kāi)關(guān)管Shelp漏源極電壓， Vgs_help表示輔助開(kāi)關(guān)管Shelp柵源極電壓，j為虛數(shù)單位，ω表示角頻率，Cgs_help表示輔助開(kāi)關(guān) 管Shelp柵源間寄生電容，Z康示中間變量。
[0056] 為了自諧振反饋網(wǎng)絡(luò)模塊1能夠產(chǎn)生自激振蕩，輔助開(kāi)關(guān)管Shelp的柵極和漏源電 壓間須存在-180°的相位差及20地的增益。設(shè)計(jì)中需要分別考慮交流和直流情況。在運(yùn)里， 考慮一種簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)的方法:讓Cgs_help/ZT提供-180°的相位差，因此Ζτ必須呈感性，而在工作 頻率下Zf與Zf+Zr+Zg需要呈阻性，所W有Zb為感性，Zf為阻性，Zr中應(yīng)存在電感與Cgs_heip諧振 使得Zg呈阻性。理論上Zr中可W包含電阻，但是為了減少元器件數(shù)量，本發(fā)明采用不加電阻 的電路形式。
[0057] 除了交流部分W外，還需要考慮直流量的影響。因?yàn)檩o助開(kāi)關(guān)管化elp的直流電壓 等于直流源的大小，所W輔助開(kāi)關(guān)管Shelp可能被強(qiáng)制關(guān)斷。因此我們?cè)讦Ζ又写?lián)一個(gè)電容 Cb。運(yùn)個(gè)電容Cb不能太大W至于幻在fs處的值有很大的改變。且出于體積的考慮，Cb也應(yīng)該被 優(yōu)化到一個(gè)較小的值。加入電容Cb后，C點(diǎn)的電壓會(huì)上升，可W保證輔助開(kāi)關(guān)管Shelp有效導(dǎo) 通。另外在試驗(yàn)中，盡量保證諧振網(wǎng)絡(luò)部分直流源源電壓低于M0SFET(即：被測(cè)主開(kāi)關(guān)管 Smain )開(kāi)啟電壓。
【具體實(shí)施方式】 [0058] Ξ:參見(jiàn)圖3說(shuō)明本實(shí)施方式，本實(shí)施方式與二所述的 采用自諧振網(wǎng)絡(luò)的M0SFET高頻驅(qū)動(dòng)器的區(qū)別在于，所述的自諧振反饋網(wǎng)絡(luò)模塊1還包括電 感 Lst，
[0化9 ] 電感Lst的一端與電感Lf的一端連接，電感Lst的另一端同時(shí)與電感Lr的一端、電容 Cb的另一端和電容Cb的一端連接。
[0060] 本實(shí)施方式，本發(fā)明為了保證在輕載時(shí)仍然保持較高的效率，在輔助開(kāi)關(guān)管Shelp 的柵極和直流電壓源Vgate之間加入一個(gè)電感Lst, W使得變換器能迅速達(dá)到穩(wěn)態(tài)。
[0061] 參見(jiàn)圖8,自諧振反饋網(wǎng)絡(luò)模塊1的拓?fù)浜蛥?shù)，當(dāng)Vgate = 0時(shí)，可W求出的 傳遞函數(shù)。令：

[0064]則有；
[0077]其中，曰、6、(：、(1、6均為中間變量，￥83*6表示驅(qū)動(dòng)器輸入電壓〇為虛數(shù)單位，帖3表示 電容Cgs_heip的寄生電阻，馬i表示電感Lr的寄生參數(shù)，a、b、C、d、e均為中間變量，上式中考慮 除了圖8中已有的元器件參數(shù)外，還考慮了電感Lr及電容Cgs_help的寄生電阻值，分別為馬，和 Regs。電感品質(zhì)因數(shù)Q值取70，電容品質(zhì)因數(shù)Q值取3000。結(jié)合所設(shè)計(jì)參數(shù)，利用MATLAB仿真， 可W繪出伯德圖，如圖6。從圖6中可W看出，運(yùn)種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)在20MHz附近可W諧振，且因?yàn)榉?值處相角為0°或者360°，不會(huì)產(chǎn)生其他的諧振。
[007引驗(yàn)證試驗(yàn)：
[0079] 針對(duì)本發(fā)明提出的自諧振反饋網(wǎng)絡(luò)模塊1拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，設(shè)計(jì)了一個(gè)占空比約為0.5、 頻率為20MHz的諧振驅(qū)動(dòng)網(wǎng)絡(luò)并進(jìn)行驗(yàn)證。
[0080] 為了驗(yàn)證M0SFET高頻驅(qū)動(dòng)部分的正確性，需要借助于完整的含M0SFET的主電路。 本發(fā)明借助已經(jīng)設(shè)計(jì)好的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)進(jìn)行驗(yàn)證，該電路主要由逆變電路、匹配網(wǎng)絡(luò)環(huán)節(jié)與諧 振整流環(huán)節(jié)構(gòu)成，如圖9所示。主電路中，被測(cè)主開(kāi)關(guān)管Smain的作用是在其漏極產(chǎn)生一個(gè)半 波正弦波，如圖7中Vds_main所示。主電路的參數(shù)如表1所示，其中Vin表示主電路輸入直流電 壓，Cf表示逆變電路中與主開(kāi)關(guān)管Smain并聯(lián)的外加電容，Cs表示諧振匹配網(wǎng)路電容，Ls表示 諧振匹配網(wǎng)絡(luò)電感，k表示整流部分電感，Cr表示整流部分電容，Dl表示整流部分二極管，C。 表示輸出穩(wěn)壓電容，Rload表示純電阻負(fù)載。
[0081] 表1驗(yàn)證電路主電路相關(guān)參數(shù)
[0082]
[0083] 自諧振驅(qū)動(dòng)網(wǎng)絡(luò)采用本發(fā)明所提出的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。本例中，被測(cè)主開(kāi)關(guān)管Smain和輔 助開(kāi)關(guān)管Shelp均選用Si7454孤P型M0SFET，開(kāi)關(guān)管參數(shù)如下表2:
[0084] 表 2Si7454孤P 型 M0SFET 參數(shù)表
[0085]
[0086] 表2中，Cgd表示M0S管柵極與漏極間電容，Cgs表示M0S管柵極與源極間電容，Cds表示 M0S管漏極與源極間電容，Rg表示M0S管柵極電阻，V化表示M0S管開(kāi)啟電壓。
[0087] 根據(jù)W上分析求出20MHz諧振網(wǎng)絡(luò)部分的參數(shù)，如表3。
[0088] 注意，電感和電容的寄生參數(shù)在本設(shè)計(jì)案例的原理圖中均未給出，但在Pspice和 MTLAB仿真中對(duì)運(yùn)些參數(shù)進(jìn)行了適當(dāng)?shù)目紤]。運(yùn)里，取電感的品質(zhì)因數(shù)為70,電容品質(zhì)因數(shù) 3000。仿真得到的結(jié)果如圖6所示，其中輔助開(kāi)關(guān)管Shelp柵極產(chǎn)生類(lèi)似正弦波的諧振波形， 漏源極波形可W有效驅(qū)動(dòng)，頻率為20MHz，占空比約為0.5，可有效驅(qū)動(dòng)被測(cè)主開(kāi)關(guān)管Smain， 且輔助開(kāi)關(guān)管Shelp漏源極電壓幅值約為輸入電壓的兩倍左右，降低了開(kāi)關(guān)管的應(yīng)力。此外， 圖6中還給出了主電路中逆變電路的輸出電壓，與理論值相符。
[0089] 表3驅(qū)動(dòng)電路的主要器件參數(shù)
[0090]
[0091] 本發(fā)明W20MHz、0.5占空比的驅(qū)動(dòng)網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)為例，驗(yàn)證了本發(fā)明所述的采用自諧 振網(wǎng)絡(luò)的M0SFET高頻驅(qū)動(dòng)器的正確性。實(shí)際應(yīng)用中可W通過(guò)相關(guān)參數(shù)的調(diào)整獲得不依賴于 主開(kāi)關(guān)管的驅(qū)動(dòng)波形，是一種較為理想的高頻驅(qū)動(dòng)電路。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 采用自諧振網(wǎng)絡(luò)的MOSFET高頻驅(qū)動(dòng)器，其特征在于，它包括電感Lf、輔助開(kāi)關(guān)管Shelp 和自諧振反饋網(wǎng)絡(luò)模塊(1);所述的輔助開(kāi)關(guān)管Sh^SMOS管； 所述的電感Lf的一端用于與輸入電源Vgate的正極連接，電感Lf的另一端同時(shí)與自諧振 反饋網(wǎng)絡(luò)模塊(1)的電源正極和輔助開(kāi)關(guān)管Sh(3lp的漏極連接， 自諧振反饋網(wǎng)絡(luò)模塊（1)的電源負(fù)極同時(shí)與輸入電源Vgate的負(fù)極和輔助開(kāi)關(guān)管3_的 源極連接，自諧振反饋網(wǎng)絡(luò)模塊(1)的電壓信號(hào)輸出端與輔助開(kāi)關(guān)管Sh(3lp的柵極連接， 輔助開(kāi)關(guān)管Sh(3lp的漏極用于與被測(cè)主開(kāi)關(guān)管Smain的柵極連接， 輔助開(kāi)關(guān)管ShA的源極用于與被測(cè)主開(kāi)關(guān)管Smain的源極連接， 所述的被測(cè)主開(kāi)關(guān)管Smain為M0S管， 自諧振反饋網(wǎng)絡(luò)模塊(1 )用于產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)信號(hào)，對(duì)輔助開(kāi)關(guān)管ShA進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的采用自諧振網(wǎng)絡(luò)的M0SFET高頻驅(qū)動(dòng)器，其特征在于，所述的自 諧振反饋網(wǎng)絡(luò)模塊(1)包括電感Lt、電容Cb和電感Lr ; 電感LT的一端作為自諧振反饋網(wǎng)絡(luò)模塊（1)的電源正極，電感LT的一端同時(shí)與電感Lf的 另一端和輔助開(kāi)關(guān)管Sheip的漏極連接，電感Lt的另一端與電容Cb的一端連接，電容Cb的另一 端同時(shí)與電感Lr的一端和電容Cb的一端連接； 電容CB的另一端作為自諧振反饋網(wǎng)絡(luò)模塊(1)的電源負(fù)極， 電感Lr的另一端作為自諧振反饋網(wǎng)絡(luò)模塊(1)的電壓信號(hào)輸出端。3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的采用自諧振網(wǎng)絡(luò)的M0SFET高頻驅(qū)動(dòng)器，其特征在于，所述的自 諧振反饋網(wǎng)絡(luò)模塊(1)還包括電感L st， 電感Lst的一端與電感Lf的一端連接，電感Lst的另一端同時(shí)與電感Lr的一端、電容Cb的另 一端和電容Cb的一端連接。
【文檔編號(hào)】H02M3/338GK106059321SQ201610393544
【公開(kāi)日】2016年10月26日
【申請(qǐng)日】2016年6月6日
【發(fā)明人】王懿杰, 管樂(lè)詩(shī), 卞晴, 張相軍, 徐殿國(guó)
【申請(qǐng)人】哈爾濱工業(yè)大學(xué)