一種純正弦波逆變器后級(jí)保護(hù)電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種保護(hù)電路，具體是一種純正弦波逆變器后級(jí)保護(hù)電路。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有的都是用驅(qū)動(dòng)芯片直接驅(qū)動(dòng)場(chǎng)效應(yīng)管或IGBT，沒(méi)有對(duì)柵極毛刺電壓做泄放處理，這樣很容易會(huì)使上下兩管同時(shí)導(dǎo)通，無(wú)緣無(wú)故的炸管。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]本實(shí)用新型的目的在于提供一種安全穩(wěn)定的純正弦波逆變器后級(jí)保護(hù)電路，以解決上述【背景技術(shù)】中提出的問(wèn)題。
[0004]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供如下技術(shù)方案:
[0005]—種純正弦波逆變器后級(jí)保護(hù)電路，包括場(chǎng)效應(yīng)管V2、二極管D2、電阻R5、三極管Q3和三極管Q4，所述場(chǎng)效應(yīng)管V2的G極分別連接二極管D2正極、電阻R5、電阻R7和三極管Q3集電極，三極管Q3基極分別連接三極管Q4集電極和電阻R40，三極管Q4基極連接電阻R41，電阻R40另一端連接驅(qū)動(dòng)芯片的VB2端，二極管D2負(fù)極和連接電阻R5另一端和驅(qū)動(dòng)芯片的2H0端，場(chǎng)效應(yīng)管V2的S極分別連接電阻R7另一端、三極管Q3發(fā)射極、三極管Q4發(fā)射極。
[0006]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果是:本實(shí)用新型純正弦波逆變器后級(jí)保護(hù)電路用最簡(jiǎn)潔的電路、最低的成本解決泄放柵極毛刺電壓，解決了上下兩個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管不同時(shí)導(dǎo)通，保證了逆變器安全、可靠、穩(wěn)定運(yùn)行。
【附圖說(shuō)明】
[0007]圖1為使用了本實(shí)用新型純正弦波逆變器后級(jí)保護(hù)電路的逆變器的電路圖；
[0008]圖2為現(xiàn)有的沒(méi)有純正弦波逆變器后級(jí)保護(hù)電路的逆變器的電路圖。
【具體實(shí)施方式】
[0009]下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0010]請(qǐng)參閱圖1，本實(shí)用新型實(shí)施例中，一種純正弦波逆變器后級(jí)保護(hù)電路，包括場(chǎng)效應(yīng)管V2、二極管D2、電阻R5、三極管Q3和三極管Q4，所述場(chǎng)效應(yīng)管V2的G極分別連接二極管D2正極、電阻R5、電阻R7和三極管Q3集電極，三極管Q3基極分別連接三極管Q4集電極和電阻R40，三極管Q4基極連接電阻R41，電阻R40另一端連接驅(qū)動(dòng)芯片的VB2端，二極管D2負(fù)極和連接電阻R5另一端和驅(qū)動(dòng)芯片的2H0端，場(chǎng)效應(yīng)管V2的S極分別連接電阻R7另一端、三極管Q3發(fā)射極、三極管Q4發(fā)射極。
[0011]本實(shí)用新型的工作原理是:請(qǐng)參閱圖1，驅(qū)動(dòng)芯片的2H0端信號(hào)高電平過(guò)來(lái)，在上場(chǎng)效應(yīng)管V2開(kāi)通期間，驅(qū)動(dòng)信號(hào)使三極管Q4導(dǎo)通，把三極管Q3基極電壓拉到0.7V以下，三級(jí)管Q3截止，驅(qū)動(dòng)芯片的2H0端信號(hào)正常驅(qū)動(dòng)場(chǎng)效應(yīng)管，場(chǎng)效應(yīng)管處于導(dǎo)通狀態(tài)，接著驅(qū)動(dòng)芯片的2H0端信號(hào)滿(mǎn)滿(mǎn)變成低電平，就是上場(chǎng)效應(yīng)管關(guān)斷期間，三極管Q4截止，驅(qū)動(dòng)芯片的VB2端高電平使三極管Q3導(dǎo)通，這樣由于密勒效應(yīng)產(chǎn)生的電流將從三極管Q3中流過(guò)，把場(chǎng)效應(yīng)管的柵極上的毛刺電壓減小到0.7V以下，完全關(guān)斷場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)通，從而避免了上下橋臂同時(shí)導(dǎo)通現(xiàn)象的出現(xiàn)，避免了炸管現(xiàn)象。
[0012]本實(shí)用新型是要對(duì)逆變器后級(jí)全橋電路4個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管或IGBT進(jìn)行保護(hù)，為了方面講解只是對(duì)單個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管周邊的保護(hù)電路做講解，里面的場(chǎng)場(chǎng)效應(yīng)管也可以是IGBT，對(duì)場(chǎng)效應(yīng)管和IGBT都具有同樣的保護(hù)效果，本保護(hù)電路要應(yīng)用在整體逆變器后級(jí)全橋電路中才可以體現(xiàn)本實(shí)用新型方案的技術(shù)和構(gòu)思，脫離了這個(gè)整體全橋電路，這個(gè)發(fā)明方案構(gòu)思就沒(méi)有意義，要理解這個(gè)發(fā)明的內(nèi)涵要結(jié)合整體電路去分析才才能體現(xiàn)本實(shí)用新型的意義，顯然本實(shí)用新型不限于上述示范性實(shí)施例的細(xì)節(jié)，而是整體技術(shù)方案的構(gòu)思，這一點(diǎn)是技術(shù)的要點(diǎn)、發(fā)明的所在，本領(lǐng)域其他技術(shù)人員在不背離本實(shí)用新型技術(shù)方案構(gòu)思和整體技術(shù)框架范圍內(nèi)，沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施方案和技術(shù)方案構(gòu)思一樣，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0013]因此，無(wú)論從哪一點(diǎn)來(lái)看，均應(yīng)將實(shí)施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本實(shí)用新型的范圍由所附權(quán)利要求而不是上述說(shuō)明限定，因此旨在將落在權(quán)利要求的等同要件的含義和范圍內(nèi)的所有變化囊括在本實(shí)用新型內(nèi)。不應(yīng)將權(quán)利要求中的任何附圖標(biāo)記視為限制所涉及的權(quán)利要求。
[0014]此外，應(yīng)當(dāng)理解，雖然本說(shuō)明書(shū)按照實(shí)施方式加以描述，但并非每個(gè)實(shí)施方式僅包含一個(gè)獨(dú)立的技術(shù)方案，說(shuō)明書(shū)的這種敘述方式僅僅是為清楚起見(jiàn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種純正弦波逆變器后級(jí)保護(hù)電路，包括場(chǎng)效應(yīng)管V2、二極管D2、電阻R5、三極管Q3和三極管Q4，其特征在于，所述場(chǎng)效應(yīng)管V2的G極分別連接二極管D2正極、電阻R5、電阻R7和三極管Q3集電極，三極管Q3基極分別連接三極管Q4集電極和電阻R40，三極管Q4基極連接電阻R41，電阻R40另一端連接驅(qū)動(dòng)芯片的VB2端，二極管D2負(fù)極和連接電阻R5另一端和驅(qū)動(dòng)芯片的2H0端，場(chǎng)效應(yīng)管V2的S極分別連接電阻R7另一端、三極管Q3發(fā)射極、三極管Q4發(fā)射極。
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種純正弦波逆變器后級(jí)保護(hù)電路，包括場(chǎng)效應(yīng)管V2、二極管D2、電阻R5、三極管Q3和三極管Q4，所述場(chǎng)效應(yīng)管V2的G極分別連接二極管D2正極、電阻R5、電阻R7和三極管Q3集電極，三極管Q3基極分別連接三極管Q4集電極和電阻R40，三極管Q4基極連接電阻R41，電阻R40另一端連接驅(qū)動(dòng)芯片的VB2端，二極管D2負(fù)極和連接電阻R5另一端和驅(qū)動(dòng)芯片的2HO端，場(chǎng)效應(yīng)管V2的S極分別連接電阻R7另一端、三極管Q3發(fā)射極、三極管Q4發(fā)射極。本實(shí)用新型純正弦波逆變器后級(jí)保護(hù)電路用最簡(jiǎn)潔的電路、最低的成本解決泄放柵極毛刺電壓，解決了上下兩個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管不同時(shí)導(dǎo)通，保證了逆變器安全、可靠、穩(wěn)定運(yùn)行。
【IPC分類(lèi)】H02M7/5387, H02M1/38, H02M1/32
【公開(kāi)號(hào)】CN204886683
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520624891
【發(fā)明人】上官光信
【申請(qǐng)人】上官光信
【公開(kāi)日】2015年12月16日
【申請(qǐng)日】2015年8月19日