待機(jī)功耗小的驅(qū)動(dòng)mos管的數(shù)字芯片開關(guān)電源的制作方法
【專利說明】
[技術(shù)領(lǐng)域]
[0001]本實(shí)用新型涉及一種待機(jī)功耗小的驅(qū)動(dòng)MOS管的數(shù)字芯片開關(guān)電源。
[【背景技術(shù)】]
[0002]現(xiàn)有技術(shù)中，開關(guān)電源大都使用模擬芯片，模擬芯片效率低、待機(jī)功耗高、電流精度低。為此，需要一種超低啟動(dòng)電流、高快速動(dòng)態(tài)負(fù)載響應(yīng)、待機(jī)功耗低的數(shù)字芯片開關(guān)電源。
[【實(shí)用新型內(nèi)容】]
[0003]本實(shí)用新型提供了一種待機(jī)功耗小的驅(qū)動(dòng)MOS管的數(shù)字芯片開關(guān)電源，其超低啟動(dòng)電流、高快速動(dòng)態(tài)負(fù)載響應(yīng)、待機(jī)功耗低。
[0004]本實(shí)用新型的技術(shù)方案是:
[0005]—種待機(jī)功耗小的驅(qū)動(dòng)MOS管的數(shù)字芯片開關(guān)電源，包括橋堆、變壓器，其還包括:第一 MOS管、第二 MOS管、PffM芯片；其中PffM芯片型號(hào)為G5199 ；
[0006]橋堆的輸出端分別與第一電阻和第一電容的一端連接，第一電容的另一端接地；第一電阻的另一端通過第二電阻與第二 MOS管的漏極連接，第二 MOS管的源極與PffM芯片的VDD管腳連接，第二 MOS管的柵極與PffM芯片的ASU管腳連接，變壓器副邊繞組的起始端與第一二極管的正端連接，第一二極管的負(fù)極與第二 MOS管的源極、第二電容的一端分別連接，變壓器副邊繞組的結(jié)束端及第二電容的另一端分別接地；
[0007]PffM芯片的SD管腳通過熱敏電阻接地，PffM芯片的Multi管腳通過第四電阻接地，PffM芯片的GND管腳接地，PffM芯片的DRV管腳與第一 MOS管的柵極連接，第一 MOS管的漏極與變壓器原邊的起始端連接，第一 MOS管的源極通過第三電阻接地，變壓器副邊繞組的起始端依次通過第六電阻、第七電阻接地，第三電容連接在第七電阻的兩端，PWM芯片的CS管腳連接在第一 MOS管的源極和第三電阻之間，PffM芯片的VS管腳連接在第六電阻和第七電阻之間。
[0008]本實(shí)用新型的數(shù)字芯片開關(guān)電源，采用數(shù)字PffM芯片G5199，在沒有負(fù)載或負(fù)載較小時(shí)，通過斷開第二 MOS管使得第一電阻和第二電阻的功耗為零，達(dá)到待機(jī)功耗低的優(yōu)點(diǎn)；數(shù)字PffM芯片G5199通過第六電阻和第七電阻之間的分壓值作為偵測(cè)值，來控制驅(qū)動(dòng)第一MOS管，實(shí)現(xiàn)超低啟動(dòng)電流、高快速動(dòng)態(tài)負(fù)載響應(yīng)的優(yōu)點(diǎn)。
[【附圖說明】]
[0009]圖1是本實(shí)用新型開關(guān)電源的電路原理圖。
[【具體實(shí)施方式】]
[0010]為了使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案以及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施方式，對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的【具體實(shí)施方式】?jī)H僅用以解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。
[0011]下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的具體實(shí)施例做一詳細(xì)的闡述。
[0012]請(qǐng)參照?qǐng)D1，本實(shí)用新型的一種待機(jī)功耗小的驅(qū)動(dòng)MOS管的數(shù)字芯片開關(guān)電源，包括橋堆BD1、變壓器Tl，其還包括:第一 MOS管Q1、第二 MOS管Q2、PffM芯片；其中PffM芯片型號(hào)為G5199，為市場(chǎng)上可以購買得到的芯片，具體生產(chǎn)廠家為環(huán)球半導(dǎo)體有限公司、英文名為 GLOBAL SEMICONDUCTOR LIMITED ；
[0013]橋堆BDl的輸出端分別與第一電阻Rl和第一電容Cl的一端連接，第一電容Cl的另一端接地；第一電阻Rl的另一端通過第二電阻R2與第二 MOS管Q2的漏極連接，第二 MOS管Q2的源極與PffM芯片的VDD管腳連接，第二 MOS管Q2的柵極與PffM芯片的ASU管腳連接，變壓器Tl副邊繞組的起始端與第一二極管Dl的正端連接，第一二極管Dl的負(fù)極與第二 MOS管Q2的源極、第二電容C2的一端分別連接，變壓器Tl副邊繞組的結(jié)束端及第二電容C2的另一端分別接地；
[0014]PffM芯片的SD管腳通過熱敏電阻R5接地，PffM芯片的Multi管腳通過第四電阻R4接地，PffM芯片的GND管腳接地，PffM芯片的DRV管腳與第一 MOS管Ql的柵極連接，第一 MOS管Ql的漏極與變壓器Tl原邊的起始端連接，第一 MOS管Ql的源極通過第三電阻R3接地，變壓器Tl副邊繞組的起始端依次通過第六電阻R6、第七電阻R7接地，第三電容C3連接在第七電阻R7的兩端，PffM芯片的CS管腳連接在第一 MOS管Ql的源極和第三電阻R3之間，PWM芯片的VS管腳連接在第六電阻R6和第七電阻R7之間。
[0015]本實(shí)用新型的數(shù)字芯片開關(guān)電源，采用數(shù)字PffM芯片G5199，在沒有負(fù)載或負(fù)載較小時(shí)，通過斷開第二 MOS管使得第一電阻和第二電阻的功耗為零，達(dá)到待機(jī)功耗低的優(yōu)點(diǎn)；數(shù)字PffM芯片G5199通過第六電阻和第七電阻之間的分壓值作為偵測(cè)值，來控制驅(qū)動(dòng)第一MOS管，實(shí)現(xiàn)超低啟動(dòng)電流、高快速動(dòng)態(tài)負(fù)載響應(yīng)的優(yōu)點(diǎn)。
[0016]以上所述的本實(shí)用新型實(shí)施方式，并不構(gòu)成對(duì)本實(shí)用新型保護(hù)范圍的限定。任何在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)所作的修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的權(quán)利要求保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種待機(jī)功耗小的驅(qū)動(dòng)MOS管的數(shù)字芯片開關(guān)電源，包括橋堆、變壓器，其特征在于，還包括:第一 MOS管、第二 MOS管、PffM芯片；其中PffM芯片型號(hào)為G5199 ； 橋堆的輸出端分別與第一電阻和第一電容的一端連接，第一電容的另一端接地；第一電阻的另一端通過第二電阻與第二 MOS管的漏極連接，第二 MOS管的源極與PffM芯片的VDD管腳連接，第二 MOS管的柵極與PffM芯片的ASU管腳連接，變壓器副邊繞組的起始端與第一二極管的正端連接，第一二極管的負(fù)極與第二 MOS管的源極、第二電容的一端分別連接，變壓器副邊繞組的結(jié)束端及第二電容的另一端分別接地； PWM芯片的SD管腳通過熱敏電阻接地，PffM芯片的Multi管腳通過第四電阻接地，PffM芯片的GND管腳接地，PffM芯片的DRV管腳與第一 MOS管的柵極連接，第一 MOS管的漏極與變壓器原邊的起始端連接，第一 MOS管的源極通過第三電阻接地，變壓器副邊繞組的起始端依次通過第六電阻、第七電阻接地，第三電容連接在第七電阻的兩端，PWM芯片的CS管腳連接在第一 MOS管的源極和第三電阻之間，PffM芯片的VS管腳連接在第六電阻和第七電阻之間。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種待機(jī)功耗小的驅(qū)動(dòng)MOS管的數(shù)字芯片開關(guān)電源，包括橋堆、變壓器，其還包括：第一MOS管、第二MOS管、PWM芯片；其中PWM芯片型號(hào)為G5199；橋堆的輸出端分別與第一電阻和第一電容的一端連接，第一電容的另一端接地；第一電阻的另一端通過第二電阻與第二MOS管的漏極連接，第二MOS管的源極與PWM芯片的VDD管腳連接，第二MOS管的柵極與PWM芯片的ASU管腳連接，變壓器副邊繞組的起始端與第一二極管的正端連接，第一二極管的負(fù)極與第二MOS管的源極、第二電容的一端分別連接，變壓器副邊繞組的結(jié)束端及第二電容的另一端分別接地。本實(shí)用新型的開關(guān)電源可以實(shí)現(xiàn)超低啟動(dòng)電流、高快速動(dòng)態(tài)負(fù)載響應(yīng)、待機(jī)功耗低的優(yōu)點(diǎn)。
【IPC分類】H02M3/335
【公開號(hào)】CN204906191
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520743438
【發(fā)明人】王剛, 歲金占
【申請(qǐng)人】深圳市港祥輝電子有限公司
【公開日】2015年12月23日
【申請(qǐng)日】2015年9月23日