一種教學(xué)投影儀內(nèi)部ir2110芯片保護(hù)電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種保護(hù)電路，具體是一種教學(xué)投影儀內(nèi)部IR2110芯片保護(hù)電路。
【背景技術(shù)】
[0002]驅(qū)動(dòng)IGBT電壓型功率器件有多種具有保護(hù)及隔離功能的集成驅(qū)動(dòng)模塊，這些模塊具有多種保護(hù)功能、隔離驅(qū)動(dòng)、電路參數(shù)一致性好、運(yùn)行穩(wěn)定可靠等優(yōu)點(diǎn)，但其相對(duì)價(jià)格較高，且只能驅(qū)動(dòng)單個(gè)功率管。而IR2110是雙通道高壓、高速電壓型功率開(kāi)關(guān)器件柵極驅(qū)動(dòng)器，具有自舉浮動(dòng)電源，驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單，只需一路電源即可同時(shí)驅(qū)動(dòng)上、下橋臂，但存在不能產(chǎn)生負(fù)偏壓、穩(wěn)定性低，在抗干擾方面較薄弱等缺陷，這種情況在教學(xué)用的投影儀內(nèi)部尤其突出。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]本實(shí)用新型的目的在于提供一種教學(xué)投影儀內(nèi)部IR2110芯片保護(hù)電路，以解決上述【背景技術(shù)】中提出的問(wèn)題。
[0004]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供如下技術(shù)方案:
[0005]—種教學(xué)投影儀內(nèi)部IR2110芯片保護(hù)電路，包括電阻R5、電阻R6、電容C4、二極管VD1、芯片U1和三極管VQ2，所述電阻R5 —端分別連接電阻R6、M0S管VQ3的D極和電源VCC，電阻R5另一端分別連接三極管VQ2基極和二極管VD1負(fù)極，二極管VD1正極連接電阻R7并接地，電阻R7另一端分別連接三極管VQ2集電極和芯片U2引腳4，三極管VQ2集電極分別連接電阻R6另一端、電阻R8和電阻R9，電阻R9另一端分別連接電阻R10、電容C4和芯片U2引腳1，電阻R10另一端分別連接電容C4另一端、芯片U2引腳2和M0S管VQ3的S極，所述電阻R8另一端分別連接芯片U2引腳3和M0S管VQ3的G極，芯片U2引腳5連接電阻R12，電阻R12另一端分別連接二極管VD2負(fù)極和電阻R11，電阻R11另一端連接電源VCC，二極管VD2正極連接外部IGBT管的E極，芯片U2引腳6分別連接電阻R14、電阻R15和M0S管VQ4的D極，M0S管VQ4的S極連接電容C5并接地，電容C5另一端分別連接電阻R15和電阻R16，電阻R16另一端連接二極管VD3正極，二極管VD3負(fù)極連接外部IGBT管的C極，所述電阻R14另一端分別連接電源VCC和芯片U2引腳8，所述M0S管VQ4的G極連接MSURE信號(hào)端，所述芯片U1為T(mén)LC555。
[0006]作為本實(shí)用新型再進(jìn)一步的方案:所述電源VCC電壓為15V。
[0007]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果是:本實(shí)用新型教學(xué)投影儀內(nèi)部IR2110芯片保護(hù)電路安全性高，電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，成本低，體積小，非常適合推廣使用。
【附圖說(shuō)明】
[0008]圖1為教學(xué)投影儀內(nèi)部IR2110芯片保護(hù)電路的電路圖。
【具體實(shí)施方式】
[0009]下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本實(shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0010]請(qǐng)參閱圖1，本實(shí)用新型實(shí)施例中，一種教學(xué)投影儀內(nèi)部IR2110芯片保護(hù)電路，包括電阻R5、電阻R6、電容C4、二極管VD1、芯片Ul和三極管VQ2，所述電阻R5 —端分別連接電阻R6、MOS管VQ3的D極和電源VCC，電阻R5另一端分別連接三極管VQ2基極和二極管VDl負(fù)極，二極管VDl正極連接電阻R7并接地，電阻R7另一端分別連接三極管VQ2集電極和芯片U2引腳4，三極管VQ2集電極分別連接電阻R6另一端、電阻R8和電阻R9，電阻R9另一端分別連接電阻R10、電容C4和芯片U2引腳1，電阻RlO另一端分別連接電容C4另一端、芯片U2引腳2和MOS管VQ3的S極，所述電阻R8另一端分別連接芯片U2引腳3和MOS管VQ3的G極，芯片U2引腳5連接電阻R12，電阻R12另一端分別連接二極管VD2負(fù)極和電阻R11，電阻Rll另一端連接電源VCC，二極管VD2正極連接外部IGBT管的E極，芯片U2引腳6分別連接電阻R14、電阻R15和MOS管VQ4的D極，MOS管VQ4的S極連接電容C5并接地，電容C5另一端分別連接電阻R15和電阻R16，電阻R16另一端連接二極管VD3正極，二極管VD3負(fù)極連接外部IGBT管的C極，所述電阻R14另一端分別連接電源VCC和芯片U2引腳8，所述MOS管VQ4的G極連接MSURE信號(hào)端，所述芯片Ul為T(mén)LC555。
[0011]電源VCC電壓為15V。
[0012]本實(shí)用新型的工作原理是:IR2110自帶保護(hù)功能，輸入端SD可實(shí)現(xiàn)過(guò)電流保護(hù)控制功能，但在驅(qū)動(dòng)大中功率IGBT管時(shí)應(yīng)慎用，因?yàn)榇箅娏飨玛P(guān)斷di / dt很大，控制及驅(qū)動(dòng)電路屏蔽不好的情況下會(huì)產(chǎn)生很大的干擾信號(hào)，容易引起SD端保護(hù)誤動(dòng)作，在強(qiáng)感性大電流下關(guān)斷驅(qū)動(dòng)會(huì)導(dǎo)致直流母線上的高壓毛刺，而IR2110允許的最高電壓只有500 V，很可能使驅(qū)動(dòng)模塊失效而燒壞IGBT模塊。因此這里重新設(shè)計(jì)保護(hù)電路，使其能更好保護(hù)封鎖信號(hào)，提尚穩(wěn)定性。
[0013]請(qǐng)參閱圖1，(I)過(guò)流保護(hù)電路，二極管VD3、電阻R14、電阻R16、電阻R15、電容C6、MOS管VQ4組成過(guò)流反饋電路，與R11、R12及穩(wěn)壓管VD2組成的參考電壓相比較，R8、R9、R10、C4與MOS管VQ3組成阻斷時(shí)間電路，當(dāng)有信號(hào)輸入時(shí)(外部IGBT導(dǎo)通)，MSURE信號(hào)為低電平，VQ4截止，外部IGBT的C極的電壓反饋到LM555的引腳6 ;當(dāng)無(wú)信號(hào)輸入時(shí)(IGBT截止)，VQ4導(dǎo)通，則LM555引腳6的電壓為O V，在外部IGBT導(dǎo)通期間，當(dāng)VCE (C極相對(duì)于E極的電壓)超過(guò)一定值時(shí)，V6E(LM555的引腳6相對(duì)于E極的電壓)大于V5E(LM555的引腳5相對(duì)于E極的電壓)，LM555引腳7輸出為低電平，即OVC為低電平，啟動(dòng)過(guò)流保護(hù)，經(jīng)阻斷時(shí)間后恢復(fù)正常；否則，LM555引腳7為門(mén)極開(kāi)路，電路工作正常。
[0014](2)欠壓保護(hù)電路包括電阻R5、電阻R6、電阻R7、電阻晶體管VQ2及穩(wěn)壓管VD1。正常狀態(tài)下，晶體管VQ2導(dǎo)通，LM555的RESET信號(hào)(引腳4)不起作用；當(dāng)給定電壓低到一定值時(shí)，LM555的引腳4為0V，RESET信號(hào)起作用，使LM555處于復(fù)位狀態(tài)，LM555引腳7即OVC為低電平，保護(hù)電路啟動(dòng)。
[0015]對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，顯然本實(shí)用新型不限于上述示范性實(shí)施例的細(xì)節(jié)，而且在不背離本實(shí)用新型的精神或基本特征的情況下，能夠以其他的具體形式實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型。因此，無(wú)論從哪一點(diǎn)來(lái)看，均應(yīng)將實(shí)施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本實(shí)用新型的范圍由所附權(quán)利要求而不是上述說(shuō)明限定，因此旨在將落在權(quán)利要求的等同要件的含義和范圍內(nèi)的所有變化囊括在本實(shí)用新型內(nèi)。不應(yīng)將權(quán)利要求中的任何附圖標(biāo)記視為限制所涉及的權(quán)利要求。
[0016]此外，應(yīng)當(dāng)理解，雖然本說(shuō)明書(shū)按照實(shí)施方式加以描述，但并非每個(gè)實(shí)施方式僅包含一個(gè)獨(dú)立的技術(shù)方案，說(shuō)明書(shū)的這種敘述方式僅僅是為清楚起見(jiàn)，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)將說(shuō)明書(shū)作為一個(gè)整體，各實(shí)施例中的技術(shù)方案也可以經(jīng)適當(dāng)組合，形成本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的其他實(shí)施方式。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種教學(xué)投影儀內(nèi)部IR2110芯片保護(hù)電路，包括電阻R5、電阻R6、電容C4、二極管VD1、芯片U1和三極管VQ2，其特征在于，所述電阻R5 —端分別連接電阻R6、MOS管VQ3的D極和電源VCC，電阻R5另一端分別連接三極管VQ2基極和二極管VD1負(fù)極，二極管VD1正極連接電阻R7并接地，電阻R7另一端分別連接三極管VQ2集電極和芯片U2引腳4，三極管VQ2集電極分別連接電阻R6另一端、電阻R8和電阻R9，電阻R9另一端分別連接電阻R10、電容C4和芯片U2引腳1，電阻R10另一端分別連接電容C4另一端、芯片U2引腳2和MOS管VQ3的S極，所述電阻R8另一端分別連接芯片U2引腳3和MOS管VQ3的G極，芯片U2引腳5連接電阻R12，電阻R12另一端分別連接二極管VD2負(fù)極和電阻R11，電阻R11另一端連接電源VCC，二極管VD2正極連接外部IGBT管的E極，芯片U2引腳6分別連接電阻R14、電阻R15和MOS管VQ4的D極，MOS管VQ4的S極連接電容C5并接地，電容C5另一端分別連接電阻R15和電阻R16，電阻R16另一端連接二極管VD3正極，二極管VD3負(fù)極連接外部IGBT管的C極，所述電阻R14另一端分別連接電源VCC和芯片U2引腳8，所述MOS管VQ4的G極連接MSURE信號(hào)端，所述芯片U1為T(mén)LC555。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的教學(xué)投影儀內(nèi)部IR2110芯片保護(hù)電路，其特征在于，所述電源VCC電壓為15V。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種教學(xué)投影儀內(nèi)部IR2110芯片保護(hù)電路，包括電阻R5、電阻R6、電容C4、二極管VD1、芯片U1和三極管VQ2，所述電阻R5一端分別連接電阻R6、MOS管VQ3的D極和電源VCC，電阻R5另一端分別連接三極管VQ2基極和二極管VD1負(fù)極，二極管VD1正極連接電阻R7并接地，電阻R7另一端分別連接三極管VQ2集電極和芯片U2引腳4，三極管VQ2集電極分別連接電阻R6另一端、電阻R8和電阻R9，電阻R9另一端分別連接電阻R10、電容C4和芯片U2引腳1。本實(shí)用新型教學(xué)投影儀內(nèi)部IR2110芯片保護(hù)電路安全性高，電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，成本低，體積小，非常適合推廣使用。
【IPC分類】H02H7/20
【公開(kāi)號(hào)】CN204992548
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520673052
【發(fā)明人】楊勇, 曾凡金, 覃信茂, 郭笑天
【申請(qǐng)人】安順學(xué)院
【公開(kāi)日】2016年1月20日
【申請(qǐng)日】2015年8月31日