一種基于自舉方式的h橋控制電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及電力控制領(lǐng)域，特別是涉及一種基于自舉方式的Η橋控制電路。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展，永磁開關(guān)在電路中得到了廣泛的應(yīng)用，并進(jìn)一步朝快速化研發(fā)，一些永磁開關(guān)由于是單線圈勵磁，需要對勵磁線圈提供雙向電流，因此必須用Η橋控制電路的方式來實現(xiàn)，關(guān)于四個緣柵雙極型晶體管組成的全橋電路，目前已經(jīng)有較成熟的驅(qū)動芯片，但是驅(qū)動芯片的工作都是基于一定頻率的控制，而對于Η橋當(dāng)普通雙向開關(guān)的控制，目前還沒有系統(tǒng)成型的方法，主要涉及的問題是隔離電源的處理，基于以上原因，需要一種基于自舉方式的Η橋控制電路，以簡易的方式實現(xiàn)了對Η橋的自舉及控制，實現(xiàn)成本低，效果好。
【實用新型內(nèi)容】
[0003]基于此，有必要針對現(xiàn)有技術(shù)問題，提供一種基于自舉方式的Η橋控制電路。
[0004]為解決現(xiàn)有技術(shù)問題，本實用新型公開了一種基于自舉方式的Η橋控制電路，包括絕緣柵雙極型晶體管一、驅(qū)動芯片、自舉電容，所述絕緣柵雙極型晶體管一對側(cè)設(shè)置有絕緣柵雙極型晶體管二，所述絕緣柵雙極型晶體管二下方設(shè)置有絕緣柵雙極型晶體管三，所述絕緣柵雙極型晶體管三對側(cè)設(shè)置有絕緣柵雙極型晶體管四，所述絕緣柵雙極型晶體管一和所述絕緣柵雙極型晶體管四之間設(shè)置有勵磁線圈，所述勵磁線圈一端設(shè)置有永磁開關(guān)，所述驅(qū)動芯片兩側(cè)設(shè)置有功能引腳，所述驅(qū)動芯片一側(cè)連接有所述自舉電容，所述自舉電容一側(cè)設(shè)置有自舉二極管。
[0005]上述結(jié)構(gòu)中，所述絕緣柵雙極型晶體管一、所述絕緣柵雙極型晶體管二、所述絕緣柵雙極型晶體管三和所述絕緣柵雙極型晶體管四構(gòu)成Η橋電路的主體，所述驅(qū)動芯片通過控制所述自舉電容和所述自舉二極管實現(xiàn)對Η橋電路的自舉及控制。
[0006]作為本實用新型的優(yōu)選方案，所述絕緣柵雙極型晶體管一和所述絕緣柵雙極型晶體管四連接在同一線路上，所述絕緣柵雙極型晶體管二和所述絕緣柵雙極型晶體管三連接在同一線路上。
[0007]作為本實用新型的優(yōu)選方案，四個絕緣柵雙極型晶體管通過中間設(shè)置的所述勵磁線圈和所述永磁開關(guān)構(gòu)成Η橋形電路。
[0008]作為本實用新型的優(yōu)選方案，Η橋電路一側(cè)連接有所述驅(qū)動芯片，所述功能引腳焊接在所述驅(qū)動芯片兩側(cè)。
[0009]作為本實用新型的優(yōu)選方案，所述驅(qū)動芯片另一側(cè)電路上設(shè)置有所述自舉電容和所述自舉二極管。
[0010]本實用新型的有益效果在于:采用驅(qū)動芯片結(jié)合控制單片機(jī)的程序，以簡易的方式實現(xiàn)了永磁開關(guān)的雙向勵磁，方便對Η橋的自舉及控制，實現(xiàn)成本低，無需增加額外的隔離電源。
【附圖說明】
[0011]圖1為本實用新型一種基于自舉方式的Η橋控制電路的主視圖；
[0012]圖2為本實用新型一種基于自舉方式的Η橋控制電路的驅(qū)動結(jié)構(gòu)示意圖；
[0013]附圖標(biāo)記說明如下:
[0014]1、絕緣柵雙極型晶體管一 ；2、勵磁線圈；3、永磁開關(guān)；4、絕緣柵雙極型晶體管二 ；
5、絕緣柵雙極型晶體管三；6、絕緣柵雙極型晶體管四；7、功能引腳；8、驅(qū)動芯片；9、自舉電容；10、自舉二極管。
【具體實施方式】
[0015]為了便于理解本實用新型，下面將參照相關(guān)附圖對本實用新型進(jìn)行更全面的描述。附圖中給出了本實用新型的較佳的實施例。但是，本實用新型可以以許多不同的形式來實現(xiàn)，并不限于本文所描述的實施例。相反地，提供這些實施例的目的是使對本實用新型的公開內(nèi)容的理解更加透徹全面。
[0016]如圖1-圖2所示，一種基于自舉方式的Η橋控制電路，包括絕緣柵雙極型晶體管一 1、驅(qū)動芯片8、自舉電容9，絕緣柵雙極型晶體管一 1對側(cè)設(shè)置有絕緣柵雙極型晶體管二4，絕緣柵雙極型晶體管二 4下方設(shè)置有絕緣柵雙極型晶體管三5，絕緣柵雙極型晶體管三5對側(cè)設(shè)置有絕緣柵雙極型晶體管四6，絕緣柵雙極型晶體管作為電力半導(dǎo)體場控自關(guān)斷器件，具有輸進(jìn)阻抗高，電壓控制功耗低等特性，四個絕緣柵雙極型晶體管通過電路連接構(gòu)成Η橋電路的主體，絕緣柵雙極型晶體管一 1和絕緣柵雙極型晶體管四6之間設(shè)置有勵磁線圈2，勵磁線圈2 —端設(shè)置有永磁開關(guān)3，勵磁線圈2用以在電能作用下產(chǎn)生激勵電流控制永磁開關(guān)3的運行，驅(qū)動芯片8兩側(cè)設(shè)置有功能引腳7，驅(qū)動芯片8用以驅(qū)動Η橋電路的工作，功能引腳7用以連接電路的各個功能部件，驅(qū)動芯片8 一側(cè)連接有自舉電容9，用以存儲電荷，自舉電容9 一側(cè)設(shè)置有自舉二極管10，用以防止電流倒灌，二極管和電容共同作用實現(xiàn)Η橋控制電路的自舉。
[0017]上述結(jié)構(gòu)中，絕緣柵雙極型晶體管一 1、絕緣柵雙極型晶體管二 4、絕緣柵雙極型晶體管三5和絕緣柵雙極型晶體管四6構(gòu)成Η橋電路的主體，驅(qū)動芯片8通過控制自舉電容9和自舉二極管10實現(xiàn)對Η橋電路的自舉及控制。
[0018]作為本實用新型的優(yōu)選方案，絕緣柵雙極型晶體管一 1和絕緣柵雙極型晶體管四6連接在同一線路上，絕緣柵雙極型晶體管二 4和絕緣柵雙極型晶體管三5連接在同一線路上，四個絕緣柵雙極型晶體管通過中間設(shè)置的勵磁線圈2和永磁開關(guān)3構(gòu)成Η橋形電路，Η橋電路一側(cè)連接有驅(qū)動芯片8，功能引腳7焊接在驅(qū)動芯片8兩側(cè)，驅(qū)動芯片8另一側(cè)電路上設(shè)置有自舉電容9和自舉二極管10。
[0019]以上所述實施例僅表達(dá)了本實用新型的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對本實用新型專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實用新型構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本實用新型的保護(hù)范圍。因此，本實用新型專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
【主權(quán)項】
1.一種基于自舉方式的Η橋控制電路，其特征在于:包括絕緣柵雙極型晶體管一、驅(qū)動芯片、自舉電容，所述絕緣柵雙極型晶體管一對側(cè)設(shè)置有絕緣柵雙極型晶體管二，所述絕緣柵雙極型晶體管二下方設(shè)置有絕緣柵雙極型晶體管三，所述絕緣柵雙極型晶體管三對側(cè)設(shè)置有絕緣柵雙極型晶體管四，所述絕緣柵雙極型晶體管一和所述絕緣柵雙極型晶體管四之間設(shè)置有勵磁線圈，所述勵磁線圈一端設(shè)置有永磁開關(guān)，所述驅(qū)動芯片兩側(cè)設(shè)置有功能引腳，所述驅(qū)動芯片一側(cè)連接有所述自舉電容，所述自舉電容一側(cè)設(shè)置有自舉二極管。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于自舉方式的Η橋控制電路，其特征在于:所述絕緣柵雙極型晶體管一和所述絕緣柵雙極型晶體管四連接在同一線路上，所述絕緣柵雙極型晶體管二和所述絕緣柵雙極型晶體管三連接在同一線路上。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于自舉方式的Η橋控制電路，其特征在于:四個絕緣柵雙極型晶體管通過中間設(shè)置的所述勵磁線圈和所述永磁開關(guān)構(gòu)成Η橋形電路。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于自舉方式的Η橋控制電路，其特征在于:Η橋電路一側(cè)連接有所述驅(qū)動芯片，所述功能引腳焊接在所述驅(qū)動芯片兩側(cè)。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于自舉方式的Η橋控制電路，其特征在于:所述驅(qū)動芯片另一側(cè)電路上設(shè)置有所述自舉電容和所述自舉二極管。
【專利摘要】本實用新型公開了一種基于自舉方式的H橋控制電路，包括絕緣柵雙極型晶體管一、驅(qū)動芯片、自舉電容，所述絕緣柵雙極型晶體管一對側(cè)設(shè)置有絕緣柵雙極型晶體管二，所述絕緣柵雙極型晶體管二下方設(shè)置有絕緣柵雙極型晶體管三，所述絕緣柵雙極型晶體管三對側(cè)設(shè)置有絕緣柵雙極型晶體管四，所述絕緣柵雙極型晶體管一和所述絕緣柵雙極型晶體管四之間設(shè)置有勵磁線圈，所述勵磁線圈一端設(shè)置有永磁開關(guān)，所述驅(qū)動芯片兩側(cè)設(shè)置有功能引腳，所述驅(qū)動芯片一側(cè)連接有所述自舉電容，所述自舉電容一側(cè)設(shè)置有自舉二極管。有益效果在于：采用驅(qū)動芯片結(jié)合控制單片機(jī)的程序，以簡易的方式實現(xiàn)了對H橋的自舉及控制，實現(xiàn)成本低。
【IPC分類】H02M7/5387
【公開號】CN205092791
【申請?zhí)枴緾N201520796407
【發(fā)明人】肖茂紅, 顏亭, 張國成, 張兆先
【申請人】深圳唐磁電氣有限公司
【公開日】2016年3月16日
【申請日】2015年10月16日