一種低壓降單向?qū)娐芳熬哂性撾娐返膒os設(shè)備的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及電子電路領(lǐng)域，尤其涉及一種低壓降單向?qū)娐芳熬哂性撾娐返腜OS設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]防止POS的電源接口插入極性相反電源損壞POS機(jī)，通常需要在電源接口部位增加單向?qū)娐?。單向?qū)娐吠ǔ２捎枚O管，不過(guò)二極管兩端壓降通常有0.7V或更高且隨著電流的增大而增大，當(dāng)大電流流過(guò)二極管時(shí)，二極管上將產(chǎn)生較大功耗導(dǎo)致系統(tǒng)溫度升高、同時(shí)由于壓降的影響也導(dǎo)致后級(jí)電路電壓降低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題，在于提供一種低壓降單向?qū)娐芳熬哂性撾娐返腜OS設(shè)備，解決單向?qū)娐穳航荡蟮膯?wèn)題。
[0004]本實(shí)用新型是這樣實(shí)現(xiàn)的:一種低壓降單向?qū)娐?，包括電源正極端、電源負(fù)極輸入端、電源負(fù)極輸出端，電源正極端與第一電阻的一端、第二電阻的一端連接，第一電阻的另一端與第一三極管的集電極、第一三極管的基極和第二三極管的基極連接，第一三極管的發(fā)射極與第一二極管的正極連接，第一二極管的負(fù)極與晶體管的漏極和電源負(fù)極輸入端連接，第二電阻的另一端與第二三極管的集電極、第三電阻的一端和晶體管的柵極連接，第二三極管的發(fā)射極與第二二極管的正極連接，第二二極管的負(fù)極與第三電阻的另一端、晶體管的源極和電源負(fù)極輸出端連接。
[0005]進(jìn)一步地，所述晶體管具有體二極管。
[0006]以及本實(shí)用新型還提供一種具有低壓降單向?qū)娐返腜OS設(shè)備，包括電源電路、處理單元、顯示單元、輸入單元、通信單元和刷卡單元，所述電源電路與處理單元、顯示單元、輸入單元、通信單元和刷卡單元連接，處理單元與顯示單元、輸入單元、通信單元和刷卡單元分別連接，電源電路還與上述的一種低壓降單向?qū)娐愤B接。
[0007]本實(shí)用新型具有如下優(yōu)點(diǎn):在電源正極端與外部電源正極連接，電源負(fù)極輸入端與外部電源負(fù)極連接時(shí)，晶體管導(dǎo)通，導(dǎo)通壓降為晶體管壓降，由于晶體管內(nèi)阻極小，則本電路的單向?qū)▔航敌　６谕獠侩娫礃O性反向接入時(shí)，晶體管不導(dǎo)通，則電源不會(huì)連入后級(jí)電路，可以避免反向接入時(shí)損壞后級(jí)電路的情況，實(shí)現(xiàn)單向?qū)ā?br>【附圖說(shuō)明】
[0008]圖1為本實(shí)用新型一實(shí)施例的電路圖。
【具體實(shí)施方式】
[0009]為詳細(xì)說(shuō)明本實(shí)用新型的技術(shù)內(nèi)容、構(gòu)造特征、所實(shí)現(xiàn)目的及效果，以下結(jié)合實(shí)施方式并配合附圖詳予說(shuō)明。
[0010]請(qǐng)參閱圖1，本實(shí)用新型提供一種低壓降單向?qū)娐?，包括電源正極端VCC、電源負(fù)極輸入端GND_P、電源負(fù)極輸出端GND，電源正極端與第一電阻Rl的一端、第二電阻R2的一端連接，第一電阻的另一端與第一三極管Ql-A的集電極、第一三極管的基極和第二三極管Ql-B的基極連接，第一三極管的發(fā)射極與第一二極管Dl-A的正極連接，第一二極管的負(fù)極與晶體管(M0SFET)Q2的漏極和電源負(fù)極輸入端連接，第二電阻的另一端與第二三極管的集電極、第三電阻R3的一端和晶體管的柵極連接，第二三極管的發(fā)射極與第二二極管Dl-B的正極連接，第二二極管的負(fù)極與第三電阻的另一端、晶體管的源極和電源負(fù)極輸出端連接。
[0011]本實(shí)用新型中的兩個(gè)三極管Q1-A、Q1-B、兩個(gè)二極管D1-A、D1-B和兩個(gè)電阻R1、R2可以看成對(duì)稱式的采樣電路。本實(shí)用新型在使用時(shí)，在電源正極端與外部電源正極連接，電源負(fù)極輸入端與外部電源負(fù)極連接時(shí)，則電流從GND流向GND_P，GND_P端電壓低于GND、三極管Ql-A處于導(dǎo)通狀態(tài)、三極管Ql-B處于截止?fàn)顟B(tài)、電阻R3遠(yuǎn)小于R2(R2與R3的分壓低于晶體管導(dǎo)通電壓即可)、M0SFET的G極(柵極)為高電平、MOSFET處于導(dǎo)通狀態(tài)。由于晶體管導(dǎo)通壓降很小，小于二極管的壓降，則本實(shí)用新型的導(dǎo)通電路為低壓降導(dǎo)通電路。而在外部電源極性反向接入時(shí)，則GND_Pi壓高于GND，三極管Ql-A處于截止?fàn)顟B(tài)、三極管Ql-B處于導(dǎo)通狀態(tài)、MOSFET的G極為低電平、MOSFET處于截止?fàn)顟B(tài)，電流無(wú)法從GND_P流向GND端，實(shí)現(xiàn)了單向?qū)?。綜上，此電路實(shí)現(xiàn)了單向?qū)щ?，?dǎo)通壓降為MOSFET壓降，因MOSFET導(dǎo)通內(nèi)阻極小，故此構(gòu)成了低壓降單向?qū)娐?，解決了現(xiàn)有采用二極管單向?qū)娐穳航荡蟮膯?wèn)題。
[0012]在某些實(shí)施例中，所述晶體管具有體二極管，如圖1中Q2的D、S間二極管是Q2的體二極管，體二極管可以避免反向電流沖擊。
[0013]以及本實(shí)用新型還提供一種具有低壓降單向?qū)娐返腜OS設(shè)備，包括電源電路、處理單元、顯示單元、輸入單元、通信單元和刷卡單元，所述電源電路與處理單元、顯示單元、輸入單元、通信單元和刷卡單元連接，處理單元與顯示單元、輸入單元、通信單元和刷卡單元分別連接，電源電路還與上述的一種低壓降單向?qū)娐愤B接。其中，電源電路用于給各個(gè)單元提供電源，處理單元用于處理數(shù)據(jù)，顯示單元用于顯示消息，輸入單元用于輸入密碼，通信單元用于與外界通訊，刷卡單元用于獲取銀行卡信息。具有上述低壓降單向?qū)娐返腜OS設(shè)備可以實(shí)現(xiàn)更低的導(dǎo)通壓降，避免在大電流時(shí)，現(xiàn)有電路中二極管上將產(chǎn)生較大功耗導(dǎo)致系統(tǒng)溫度升高、同時(shí)由于壓降的影響也導(dǎo)致后級(jí)電路電壓降低的情況。
[0014]以上所述僅為本實(shí)用新型的實(shí)施例，并非因此限制本實(shí)用新型的專利保護(hù)范圍，凡是利用本實(shí)用新型說(shuō)明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本實(shí)用新型的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種低壓降單向?qū)娐?，其特征在?包括電源正極端、電源負(fù)極輸入端、電源負(fù)極輸出端，電源正極端與第一電阻的一端、第二電阻的一端連接，第一電阻的另一端與第一三極管的集電極、第一三極管的基極和第二三極管的基極連接，第一三極管的發(fā)射極與第一二極管的正極連接，第一二極管的負(fù)極與晶體管的漏極和電源負(fù)極輸入端連接，第二電阻的另一端與第二三極管的集電極、第三電阻的一端和晶體管的柵極連接，第二三極管的發(fā)射極與第二二極管的正極連接，第二二極管的負(fù)極與第三電阻的另一端、晶體管的源極和電源負(fù)極輸出端連接。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低壓降單向?qū)娐?，其特征在?所述晶體管具有體二極管。3.—種具有低壓降單向?qū)娐返腜OS設(shè)備，其特征在于:包括電源電路、處理單元、顯示單元、輸入單元、通信單元和刷卡單元，所述電源電路與處理單元、顯示單元、輸入單元、通信單元和刷卡單元連接，處理單元與顯示單元、輸入單元、通信單元和刷卡單元分別連接，電源電路還與權(quán)利要求1或2所述的一種低壓降單向?qū)娐愤B接。
【專利摘要】本實(shí)用新型提供一種低壓降單向?qū)娐芳熬哂性撾娐返腜OS設(shè)備，其中電路包括電源正極端、電源負(fù)極輸入端、電源負(fù)極輸出端，電源正極端與第一電阻的一端、第二電阻的一端連接，第一電阻的另一端與第一三極管的集電極、第一三極管的基極和第二三極管的基極連接，第一三極管的發(fā)射極與第一二極管的正極連接，第一二極管的負(fù)極與晶體管的漏極和電源負(fù)極輸入端連接，第二電阻的另一端與第二三極管的集電極、第三電阻的一端和晶體管的柵極連接。本實(shí)用新型在電源正極端與外部電源正極連接，電源負(fù)極輸入端與外部電源負(fù)極連接時(shí)，晶體管導(dǎo)通，導(dǎo)通壓降為晶體管壓降，由于晶體管內(nèi)阻極小，則本電路的導(dǎo)向?qū)▔航敌　?br>【IPC分類】H02H11/00
【公開(kāi)號(hào)】CN205212428
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201521083718
【發(fā)明人】陳孝錫, 蘭文亮, 陳慶渝
【申請(qǐng)人】福建聯(lián)迪商用設(shè)備有限公司
【公開(kāi)日】2016年5月4日
【申請(qǐng)日】2015年12月23日