磁電機(jī)用單相整流、電壓調(diào)節(jié)功率模塊的制作方法
【專利摘要】磁電機(jī)用單相整流、電壓調(diào)節(jié)功率模塊。涉及一種車用整流、電壓調(diào)節(jié)功部件，尤其涉及一種磁電機(jī)用單相整流、電壓調(diào)節(jié)功率模塊。提供了一種成本低、功耗小、性能穩(wěn)定、加工效率高、工作量小、結(jié)構(gòu)緊湊，能夠適應(yīng)流水線加工且進(jìn)行模塊化制作的磁電機(jī)用單相整流、電壓調(diào)節(jié)功率模塊。所述基板上設(shè)有正極引出端子、負(fù)極引出端子、兩個(gè)交流引出端子和兩個(gè)門(mén)極引出端子、一個(gè)接地端子。所述正極引出端子、負(fù)極引出端子、交流引出端子在伸出封裝體之前的部分設(shè)有段差面。采用全封裝結(jié)構(gòu)，工作環(huán)境穩(wěn)定，對(duì)性能影響小，避免了現(xiàn)有技術(shù)中半封裝結(jié)構(gòu)存在的環(huán)境濕度大導(dǎo)致工作不穩(wěn)定的問(wèn)題。
【專利說(shuō)明】
磁電機(jī)用單相整流、電壓調(diào)節(jié)功率模塊
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型涉及一種車用整流、電壓調(diào)節(jié)功部件，尤其涉及磁電機(jī)用單相整流、電壓調(diào)節(jié)功率模塊。
【背景技術(shù)】
[0002]整流、電壓調(diào)節(jié)器一般應(yīng)用于汽車電路中，汽車電路中一般利用磁電機(jī)為為附設(shè)電路提供電能，整流、電壓調(diào)節(jié)器置于磁電機(jī)與附設(shè)電路之間，將磁電機(jī)發(fā)出的電能轉(zhuǎn)化為穩(wěn)定的直流電源為附設(shè)電路供電。所以整流、電壓調(diào)節(jié)器的質(zhì)量直接關(guān)系到整個(gè)汽車電路的安全與穩(wěn)定。整流、電壓調(diào)節(jié)器內(nèi)部電路中的整流電路和可控硅芯片調(diào)節(jié)電路工作時(shí)均有較大的電流通過(guò)，其功耗較大。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)中磁電機(jī)用整流電壓調(diào)節(jié)器的功率部分普遍使用整流二極管單元器件(gpCELL)和T0-220封裝可控硅芯片器件，通過(guò)回流焊接工藝安裝在鋁基敷銅板上?，F(xiàn)有工藝技術(shù)產(chǎn)品的整流電路部分，均采用單元整流二極管(即CELL)組成，該單元整流二極管是半封裝外形，用酸腐蝕工藝制成。使用中因環(huán)境濕度大，焊接溫度高等因素，經(jīng)常發(fā)生電氣性能衰降的不穩(wěn)定情況;磁電機(jī)用整流電壓調(diào)節(jié)器電路對(duì)可控硅芯片器件的部分參數(shù)有配對(duì)要求，由于使用了單體的T0-220封裝的可控硅芯片，因此需要對(duì)可控硅芯片器件進(jìn)行人工測(cè)量篩選配對(duì);增加配對(duì)測(cè)量的工序及工作量。
[0004]磁電機(jī)用整流電壓調(diào)節(jié)器中電路板采用鋁基敷銅底板與二極管、可控硅芯片進(jìn)行焊接，其元器件位置及功率總成的引出端子之間位置尺寸不一致，造成功率底板和控制PCB板對(duì)接端子不能準(zhǔn)確對(duì)位，給生產(chǎn)操作帶來(lái)難度，影響生產(chǎn)效率。半封裝外形的二極管和可控硅器件經(jīng)過(guò)與鋁基敷銅板的高溫焊接(可達(dá)250°C)，其電器性能會(huì)發(fā)生一定比例的變化，且在線器件難以通過(guò)測(cè)量進(jìn)行篩選，容易造成隱患產(chǎn)品流入市場(chǎng)。
[0005]現(xiàn)有技術(shù)在生產(chǎn)過(guò)程中，需要采用單元二極管(CELL)、可控硅器件、鋁基敷銅板、焊錫膏和銅質(zhì)引出端子，進(jìn)行裝配焊接，無(wú)法實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化生產(chǎn)，耗費(fèi)較多的人工，生產(chǎn)成本較高。形成的產(chǎn)品功耗大、性能不穩(wěn)定(環(huán)境濕度和溫度變化大)。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0006]本實(shí)用新型針對(duì)以上問(wèn)題，提供了一種成本低、功耗小、性能穩(wěn)定、加工效率高、工作量小、結(jié)構(gòu)緊湊，能夠適應(yīng)流水線加工且進(jìn)行模塊化制作的磁電機(jī)用單相整流、電壓調(diào)節(jié)功率模塊。
[0007]本實(shí)用新型的技術(shù)方案是:磁電機(jī)用單相整流、電壓調(diào)節(jié)功率模塊，包括封裝體，以及伸出封裝體的若干接線用的引出端子，在封裝體內(nèi)設(shè)有基板，在所述基板上設(shè)置低功耗整流、電壓調(diào)節(jié)電路，所述整流、電壓調(diào)節(jié)電路固定于所述基板上；
[0008]所述基板上設(shè)有正極引出端子、負(fù)極引出端子、兩個(gè)交流引出端子、兩個(gè)門(mén)極引出端子和一個(gè)接地端子。
[0009]所述正極引出端子、負(fù)極引出端子、交流引出端子在伸出封裝體之前的部分設(shè)有段差面。
[0010]所述基板上設(shè)有若干通孔。
[0011 ] 所述基板分割為相互絕緣的區(qū)域一 A、區(qū)域二 A、區(qū)域三A、區(qū)域四A和區(qū)域五A，
[0012]所述區(qū)域一A上設(shè)二極管芯片一 A焊接位和二極管芯片二 A焊接位，且區(qū)域一 A包括伸出封裝體的正極引出端子A;
[0013]所述區(qū)域二A上設(shè)二極管芯片四A焊接位，且區(qū)域二 A包括伸出封裝體的交流引出端子一 A ；
[0014]所述區(qū)域三A上設(shè)二極管芯片三A焊接位和可控硅芯片一 A焊接位，且區(qū)域三A包括伸出封裝體的交流引出端子二 A;
[0015]所述區(qū)域四A上設(shè)有可控硅芯片二 A焊接位；
[0016]所述區(qū)域五A包括伸出封裝體的負(fù)極引出端子A和接地端子A;
[0017]所述區(qū)域四A和區(qū)域二A通過(guò)上層電路連接片相連；
[0018]所述低功耗整流、電壓調(diào)節(jié)電路包括二極管芯片一A、二極管芯片二 A、二極管芯片三A、二極管芯片四A、可控硅芯片一 A和可控硅芯片二 A;
[0019]所述二極管芯片一A的負(fù)極向下焊接于所述二極管芯片一 A焊接位上；
[0020]所述二極管芯片二A的負(fù)極向下焊接于所述二極管芯片二 A焊接位上；
[0021]所述二極管芯片三A的負(fù)極向下焊接于所述二極管芯片三A焊接位上；
[0022]所述二極管芯片四A的負(fù)極向下焊接于所述二極管芯片四A焊接位上；
[0023]所述二極管芯片一A的正極通過(guò)上層電路連接片連通基板上的區(qū)域三A，同時(shí)連接所述交流引出端子二 A;
[0024]所述二極管芯片二A的正極通過(guò)上層電路連接片連通基板上的區(qū)域二A，同時(shí)連接所述交流引出端子一 A;
[0025]所述二極管芯片三A的正極與所述區(qū)域五A通過(guò)上層電路連接片相連，
[0026]所述二極管芯片四A的正極與所述區(qū)域五A通過(guò)上層電路連接片相連;使得二極管芯片三A的正極和二極管芯片四A的正極連通至負(fù)極引出端子；
[0027]所述可控硅芯片一A的陽(yáng)極向下焊接于所述可控硅芯片一 A焊接位上;所述可控硅芯片一 A的門(mén)極通過(guò)鋁絲鍵合與所述門(mén)極引出端子一連接;所述可控硅芯片一 A的陰極通過(guò)鋁絲鍵合連通區(qū)域四A;
[0028]所述可控硅芯片二 A的陽(yáng)極向下焊接于所述可控硅芯片二 A焊接位上;所述可控硅芯片二 A的門(mén)極通過(guò)鋁絲鍵合與所述門(mén)極引出端子二連接;可控硅芯片二 A的陰極通過(guò)鋁絲鍵合連通區(qū)域三A。
[0029 ] 所述基板分割為相互絕緣的區(qū)域一 B、區(qū)域二 B、區(qū)域三B、區(qū)域四B、區(qū)域五B和區(qū)域六，
[0030]所述區(qū)域一B上設(shè)有二極管芯片一 B焊接位和二極管芯片二 B焊接位，且所述區(qū)域一B上包括伸出封裝體的正極引出端子B，
[0031]所述區(qū)域二B上設(shè)有二極管芯片三B焊接位和二極管芯片四B焊接位，且所述區(qū)域二B上包括伸出封裝體的負(fù)極引出端子B和接地端子B，
[0032]所述區(qū)域三B上設(shè)有可控硅芯片二 B焊接位，
[0033]所述區(qū)域四B上設(shè)有可控硅芯片一 B焊接位，
[0034]所述區(qū)域五B上包括伸出封裝體的交流引出端子一B，
[0035]所述區(qū)域六上包括伸出封裝體的交流引出端子二B;
[0036]所述區(qū)域四B和所述區(qū)域五B通過(guò)上層電路連接片相連，
[0037]所述區(qū)域三B和所述區(qū)域六B通過(guò)上層電路連接片相連；
[0038]所述低功耗整流、電壓調(diào)節(jié)電路包括二極管芯片一B、二極管芯片二 B、二極管芯片三B、二極管芯片四B、可控硅芯片一 B和可控硅芯片二 B，
[0039]所述二極管芯片一B的負(fù)極向下焊接于所述二極管芯片一 B焊接位上；
[0040]所述二極管芯片二B的負(fù)極向下焊接于所述二極管芯片二 B焊接位上；
[0041]所述二極管芯片三B的負(fù)極向下焊接于所述二極管芯片三B焊接位上；
[0042]所述二極管芯片四B的負(fù)極向下焊接于所述二極管芯片四B焊接位上；
[0043]所述二極管芯片一 B的正極通過(guò)上層電路連接片連通基板上的區(qū)域五B再連通所述交流引出端子一 B，
[0044]所述二極管芯片二 B的正極通過(guò)上層電路連接片連通基板上的區(qū)域六再連通所述交流引出端子二 B，
[0045]所述二極管芯片三B的正極通過(guò)上層電路連接片連通基板上的區(qū)域五B再連通所述交流引出端子一 B，
[0046]所述二極管芯片四B的正極通過(guò)上層電路連接片連通基板上的區(qū)域六再連通所述交流引出端子二 B，
[0047]所述可控硅芯片一 B的陽(yáng)極向下焊接于所述可控硅芯片一 B焊接位上;所述可控硅芯片一 B的門(mén)極通過(guò)鋁絲鍵合與所述門(mén)極引出端子一 B連接;所述可控硅芯片一 B的陰極通過(guò)鋁絲鍵合連通區(qū)域二 B;
[0048]所述可控硅芯片二 B的陽(yáng)極向下焊接于所述可控硅芯片二 B焊接位上;所述可控硅芯片二 B的門(mén)極通過(guò)鋁絲鍵合與所述門(mén)極引出端子二 B連接;可控硅芯片二 B的陰極通過(guò)鋁絲鍵合連通區(qū)域二 B。
[0049]所述二極管芯片三和二極管芯片四為反極性二極管芯片。
[0050]所述基板分割為相互絕緣的區(qū)域一 C、區(qū)域二 C、區(qū)域三C、區(qū)域四C、區(qū)域五C，
[0051]所述區(qū)域一C上設(shè)有二極管芯片一 C焊接位，且所述區(qū)域一 B上包括伸出封裝體的交流引出端子一 C，
[0052]所述區(qū)域二C上設(shè)有二極管芯片二 C焊接位和可控硅芯片二 C焊接位，且所述區(qū)域二 C上包括伸出封裝體的交流引出端子二 C，
[0053]所述區(qū)域三C上設(shè)有可控硅芯片一 C焊接位，
[0054]所述區(qū)域四包括伸出封裝體的負(fù)極引出端子C和接地端子C，
[0055]所述區(qū)域五C上包括伸出封裝體的正極引出端子C，
[0056]所述區(qū)域四C和所述區(qū)域一C通過(guò)上層電路連接片相連，
[0057]所述低功耗整流、電壓調(diào)節(jié)電路包括二極管芯片一C、二極管芯片二 C、可控硅芯片一C和可控娃芯片二C，
[0058]所述二極管芯片一C的負(fù)極向下焊接于所述二極管芯片一 C焊接位上；
[0059]所述二極管芯片二C的負(fù)極向下焊接于所述二極管芯片二 C焊接位上；
[0060]所述二極管芯片一C的正極和二極管二 C的正極分別通過(guò)上層電路連接片連通基板上的區(qū)域四C再連通所述負(fù)極引出端子C，
[0061]所述可控硅芯片一C的陽(yáng)極向下焊接于所述可控硅芯片一 C焊接位上;所述可控硅芯片一 C的門(mén)極通過(guò)鋁絲鍵合與所述門(mén)極引出端子一 C連接;所述可控硅芯片一 C的陰極通過(guò)鋁絲鍵合連通區(qū)域五C;
[0062]所述可控硅芯片二C的陽(yáng)極向下焊接于所述可控硅芯片二 C焊接位上;所述可控硅芯片二 C的門(mén)極通過(guò)鋁絲鍵合與所述門(mén)極引出端子二 C連接;可控硅芯片二 C的陰極通過(guò)鋁絲鍵合連通區(qū)域五C。
[0063]還包括外設(shè)電路，所述外設(shè)電路包括磁電機(jī)、控制電路、蓄電池和負(fù)載，
[0064]所述磁電機(jī)的兩個(gè)輸出端分別連接交流引出端子一、交流引出端子二；
[0065]所述控制電路的兩個(gè)控制端分別連接門(mén)極引出端子一、門(mén)極引出端子二，所述控制電路的兩個(gè)輸入端分別連接正極引出端子、負(fù)極引出端子；
[0066]所述蓄電池的負(fù)極與所述負(fù)極引出端子相連，所述蓄電池的正極與所述正極引出端子相連；
[0067]所述蓄電池的負(fù)極與所述正極引出端子之間設(shè)有電容；
[0068]所述負(fù)載與所述蓄電池連接。
[0069]所述上層電路連接片為橋狀。
[0070]本實(shí)用新型中將不同類型的多個(gè)器件芯片集成為一個(gè)結(jié)構(gòu)緊湊、能適應(yīng)全天候使用環(huán)境的模塊化器件，具有整流、電壓調(diào)節(jié)功能，具有與外部電路相適配的標(biāo)準(zhǔn)化端口，不需要對(duì)器件進(jìn)行逐一配對(duì)，避免了現(xiàn)有技術(shù)中生產(chǎn)成本高，耗費(fèi)人力物力大的弊端。
[0071]本實(shí)用新型采用整體封裝的工藝，器件位置固定，易于加工，解決現(xiàn)有技術(shù)中并未采用整體封裝的形式，各個(gè)器件很難精確定位，加工難度大的問(wèn)題。
[0072]本實(shí)用新型一次焊接加工成型，不需要進(jìn)行多次焊接，避免了高溫對(duì)器件電氣性能的影響，可靠性高，使用壽命長(zhǎng)，避免了現(xiàn)有技術(shù)中采用回流焊工藝進(jìn)行加工，需要進(jìn)行多次高溫焊接，對(duì)器件的電性能造成影響，產(chǎn)品可靠性低，壽命短的缺陷。
[0073]本實(shí)用新型中一次焊接成型，各器件連接電阻小，功耗低，避免現(xiàn)有技術(shù)中因多次焊接導(dǎo)致的內(nèi)部功耗大的缺陷。
[0074]本實(shí)用新型采用全封裝結(jié)構(gòu)，器件工作環(huán)境穩(wěn)定，對(duì)器件性能影響小，避免了現(xiàn)有技術(shù)中半封裝結(jié)構(gòu)存在的環(huán)境濕度大導(dǎo)致器件工作不穩(wěn)定的問(wèn)題。
【附圖說(shuō)明】
[0075]圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)不意圖，
[0076]圖2是圖1的側(cè)視圖，
[0077]圖3是本實(shí)用新型實(shí)施例一的基板結(jié)構(gòu)不意圖，
[0078]圖4是本實(shí)用新型實(shí)施例一的器件位置排布圖，
[0079]圖5是本實(shí)用新型實(shí)施例一的連接結(jié)構(gòu)示意圖，
[0080]圖6是圖5的側(cè)視圖，
[0081]圖7是本實(shí)用新型實(shí)施例一的電氣原理圖，
[0082]圖8是本實(shí)用新型實(shí)施例一的應(yīng)用電路圖，
[0083]圖9是本實(shí)用新型實(shí)施例一■的基板結(jié)構(gòu)不意圖，
[0084]圖10是本實(shí)用新型實(shí)施例二的器件位置排布圖，
[0085]圖11是本實(shí)用新型實(shí)施例二的連接結(jié)構(gòu)示意圖，
[0086]圖12是圖11的側(cè)視圖，
[0087]圖13是本實(shí)用新型實(shí)施例二的電氣原理圖，
[0088]圖14是本實(shí)用新型實(shí)施例二的應(yīng)用電路圖，
[0089]圖15是本實(shí)用新型實(shí)施例三的基板結(jié)構(gòu)示意圖，
[0090]圖16是本實(shí)用新型實(shí)施例三的器件位置排布圖，
[0091 ]圖17是本實(shí)用新型實(shí)施例三的連接結(jié)構(gòu)示意圖，
[0092]圖18是圖17的側(cè)視圖，
[0093]圖19是本實(shí)用新型實(shí)施例三的電氣原理圖，
[0094]圖20是本實(shí)用新型實(shí)施例三的應(yīng)用電路圖，
[0095]圖21是本實(shí)用新型中上層電路連接片結(jié)構(gòu)示意圖，
[0096]圖22是圖21的俯視圖；
[0097]圖中I是封裝體，
[0098]2是基板，
[0099 ] 21A是區(qū)域一A，22A是區(qū)域二A，23A是區(qū)域三A，24A是區(qū)域四A，25A是區(qū)域五A，211A是二極管芯片一A焊接位，212A是二極管芯片二A焊接位，221A是二極管芯片四A焊接位，231A是二級(jí)管芯片三A焊接位，232A是可控硅芯片一 A焊接位241A是可控硅芯片二 A焊接位，
[0100]21B是區(qū)域一 B，22B是區(qū)域二 B，23B是區(qū)域三B，24B是區(qū)域四B，25B是區(qū)域五B，26是區(qū)域六，21IB是二極管芯片一 B焊接位，212B是二極管芯片二 B焊接位，221B是二極管芯片三B焊接位，222B是二級(jí)管芯片四B焊接位，23IB是可控硅芯片二 B焊接位，241B是可控硅芯片一B焊接位，
[0101]21C是區(qū)域一 C，22C是區(qū)域二 C，23C是區(qū)域三C，24C是區(qū)域四C，25C是區(qū)域五C，211C是二級(jí)管芯片一C焊接位，221C是二級(jí)管芯片二C焊接位，222C是可控硅芯片二C焊接位，231C是可控硅芯片一 C焊接位，
[0102]31是正極引出端子，32是負(fù)極引出端子，33是交流引出端子，34是門(mén)極引出端子，35是接地端子，
[0103]31A是正極引出端子A，32A是負(fù)極引出端子A，331A是交流引出端子一A，332A是交流引出端子二A，341A是門(mén)極引出端子一A，342A是門(mén)極引出端子二A，35A是接地端子A
[0104]31B是正極引出端子B，32B是負(fù)極引出端子B，331B是交流引出端子一B，332B是交流引出端子二 B，341B是門(mén)極引出端子一 B，342B是門(mén)極引出端子二 B，35B是接地端子B，
[0105]31C是正極引出端子C，32C是負(fù)極引出端子C，331C是交流引出端子一C，332C是交流引出端子二 C，341C是門(mén)極引出端子一 C，342C是門(mén)極引出端子二 C，35C是接地端子C，
[0106]41A是二級(jí)管芯片一 A，42A是二級(jí)管芯片二 A，43A是二級(jí)管芯片三A，44A是二級(jí)管芯片四A，
[0107]41B是二級(jí)管芯片一 B，42B是二級(jí)管芯片二 B，43B是二級(jí)管芯片三B，44B是二級(jí)管芯片四B，
[0108]41C是二級(jí)管芯片一 C，42C是二級(jí)管芯片二 C，
[0109]51A是可控硅芯片一 A，52A是可控硅芯片二 A，
[0110]51B是可控硅芯片一 B，52B是可控硅芯片二 B，
[0111]51C是可控硅芯片一 C，52是可控硅芯片二 C，
[0112]6是斷差面，7是上層電路連接片。
【具體實(shí)施方式】
[0113]本實(shí)用新型如圖所示1-20所示，包括封裝體I，以及伸出封裝體的若干接線用的引出端子，在封裝體內(nèi)設(shè)有基板2，在所述基板2上設(shè)置低功耗整流、電壓調(diào)節(jié)電路，所述整流、電壓調(diào)節(jié)電路固定于所述基板2上。形成模塊化設(shè)計(jì)，為設(shè)在封裝體內(nèi)的整流、電壓調(diào)節(jié)電路提供一個(gè)溫度和濕度相對(duì)穩(wěn)定的工作環(huán)境，避免了現(xiàn)有技術(shù)在使用過(guò)程中中因環(huán)境濕度大，焊接溫度高等因素，克服了現(xiàn)有技術(shù)經(jīng)常發(fā)生的電性能衰降情況。延長(zhǎng)了整流、電壓調(diào)節(jié)電路的使用壽命，保證整流、電壓調(diào)節(jié)電路在使用過(guò)程中的穩(wěn)定性。
[0114]所述基板2上設(shè)有正極引出端子31、負(fù)極引出端子32、兩個(gè)交流引出端子33、兩個(gè)門(mén)極引出端子34和一個(gè)接地端子35，方便與外設(shè)電路連接。其中兩個(gè)門(mén)極引出端子34和一個(gè)接地端子35為控制板提供電源基準(zhǔn)(電源地線)。
[0115]如圖2所示，所述正極引出端子31、負(fù)極引出端子32、兩個(gè)交流引出端子33和兩個(gè)門(mén)極引出端子34在伸出封裝體之前的部分設(shè)有段差面6，減少基板應(yīng)力，增加基板使用壽命O
[0116]所述基板2上設(shè)有若干通孔。基板中間設(shè)置的通孔，給封裝后的器件提供了散熱渠道，便于在工作狀態(tài)下散熱，防止器件過(guò)熱影響性能。在基板上還有其余通孔，方便封裝時(shí)對(duì)器件及基板進(jìn)行定位，同時(shí)，封裝后能夠固定器件位置，防止封裝體內(nèi)部的電路因碰撞出現(xiàn)斷點(diǎn)或者短路的狀況。
[0117]如圖21-22所示，上層電路連接片7采用導(dǎo)電性能好的金屬制作，兩端均成方形兩端低而中間高，成橋狀。搭接在需要連通的區(qū)域和器件之間，中間高的設(shè)計(jì)能夠避免電路連接片在搭接過(guò)程中跨越不需要連接的器件，防止連接出現(xiàn)不必要的短路事故。
[0118]實(shí)施例一
[0119]如圖3-5所示，所述基板分割為相互絕緣的區(qū)域一 21A、區(qū)域二 22A、區(qū)域三23A、區(qū)域四24A和區(qū)域五A。各區(qū)域間相互絕緣，保證了器件之間的絕緣性能，防止出現(xiàn)不必要的短路。
[0120]所述區(qū)域一A上設(shè)二極管芯片一 A焊接位211A和二極管芯片二 A焊接位212A，所述區(qū)域二 A上設(shè)二極管芯片四A焊接位221A，所述區(qū)域三A上設(shè)二極管芯片三A焊接位231A和可控硅芯片一 A焊接位232A，所述區(qū)域四A上設(shè)有可控硅芯片二 A焊接位241A;每個(gè)區(qū)域內(nèi)的焊接位位置固定，方便進(jìn)行流水線加工和精確定位，解放了勞動(dòng)力資源，降低生產(chǎn)成本。
[0121]區(qū)域一A包括伸出封裝體的正極引出端子A;區(qū)域二A包括伸出封裝體的交流引出端子一A;區(qū)域三A包括伸出封裝體的交流引出端子二A;所述區(qū)域五A包括伸出封裝體的負(fù)極引出端子和接地端子A;所述區(qū)域四A和區(qū)域二A通過(guò)上層電路連接片相連；引出端子用于與外設(shè)電路進(jìn)行連接，發(fā)揮電路功能。且引出端子與基板一體制造，減少不必要的焊點(diǎn)，降低整個(gè)電路的電阻，從而降低功耗。上層電路連接片將有連通需要的區(qū)域進(jìn)行連通，保證各器件的連通性。
[0122]所述低功耗整流、電壓調(diào)節(jié)電路包括二極管芯片一A、二極管芯片二 A、二極管芯片三A、二極管芯片四A、可控硅芯片一 A和可控硅芯片二 A。
[0123]所述二極管芯片一A的負(fù)極向下焊接于所述二極管芯片一 A焊接位上；
[0124]所述二極管芯片二A的負(fù)極向下焊接于所述二極管芯片二 A焊接位上；
[0125]所述二極管芯片三A的負(fù)極向下焊接于所述二極管芯片三A焊接位上；
[0126]所述二極管芯片四A的負(fù)極向下焊接于所述二極管芯片四A焊接位上；
[0127]所述二極管芯片一 A的正極通過(guò)上層電路連接片連通基板上的區(qū)域三A再連通所述交流引出端子二 A;
[0128]所述二極管芯片二 A的正極通過(guò)上層電路連接片連通基板上的區(qū)域二 A再連通所述交流引出端子一 A;
[0129]所述二極管芯片三A的正極與所述區(qū)域五A通過(guò)上層電路連接片相連，
[0130]所述二極管芯片四A的正極與所述區(qū)域五A通過(guò)上層電路連接片相連;使得二極管芯片三A的正極和二極管芯片四A的正極連通至負(fù)極引出端子；
[0131]所述可控硅芯片一A的陽(yáng)極向下焊接于所述可控硅芯片一 A焊接位上;所述可控硅芯片一 A的門(mén)極通過(guò)鋁絲鍵合與所述門(mén)極引出端子一連接;所述可控硅芯片一 A的陰極通過(guò)鋁絲鍵合連通區(qū)域四A;
[0132]所述可控硅芯片二A的陽(yáng)極向下焊接于所述可控硅芯片二 A焊接位上;所述可控硅芯片二 A的門(mén)極通過(guò)鋁絲鍵合與所述門(mén)極引出端子二連接;可控硅芯片二 A的陽(yáng)極通過(guò)鋁絲鍵合連通區(qū)域三A。
[0133]在相應(yīng)焊接位內(nèi)鋪滿焊膏，將所有器件一次性焊接完畢，避免了現(xiàn)有技術(shù)中進(jìn)行多次焊接影響器件性能和電路穩(wěn)定性的缺陷，提升了電路穩(wěn)定性，延長(zhǎng)了器件更換時(shí)間，延長(zhǎng)了電路使用壽命。
[0134]如圖7所示，是實(shí)施例一相對(duì)應(yīng)的電氣原理圖，由圖7可以直觀的了解焊接在基板上的各個(gè)器件的連接方式，二極管芯片一A和二極管芯片三A正向串聯(lián)，二極管芯片二A和二極管芯片四A正向串聯(lián)，二極管芯片一 A的負(fù)極和二極管芯片二 A的負(fù)極相連，二極管芯片三A的正極與二極管芯片四A的正極連接，四個(gè)二極管芯片構(gòu)成一個(gè)單相整流橋，將交流電轉(zhuǎn)化為相應(yīng)等級(jí)的直流電，可控硅芯片一 A和可控硅芯片二 A反向并聯(lián)后串接于二極管芯片一的正極管芯片二的正極之間，在單相整流橋整流的同時(shí)進(jìn)行調(diào)壓，將電壓調(diào)整至需要等級(jí)，共同構(gòu)成了整流、電壓調(diào)節(jié)電路，實(shí)現(xiàn)整流、電壓調(diào)節(jié)的功能。
[0135]如圖8所示，是本實(shí)用新型實(shí)際應(yīng)用時(shí)的電路連接圖，磁電機(jī)發(fā)出正弦波交流電，經(jīng)四個(gè)二極管芯片進(jìn)行整流，在整流時(shí)，兩個(gè)可控硅芯片的門(mén)極受控制電路的控制，交替通斷，即可同時(shí)實(shí)現(xiàn)整流、電壓調(diào)節(jié)功能。
[0136]本實(shí)用新型將整流電路和調(diào)壓電路合并成一個(gè)電路，簡(jiǎn)化了電路結(jié)構(gòu)，并進(jìn)行了模塊化封裝，封裝后的整流、電壓調(diào)節(jié)電路工作環(huán)境(溫度、濕度)穩(wěn)定，受外部環(huán)境影響小，性能穩(wěn)定，在模塊化制作過(guò)程中進(jìn)行一次性焊接，減少焊點(diǎn)，降低整個(gè)整流、電壓調(diào)節(jié)電路的功耗，進(jìn)行模塊化制作后，安裝以及更換方便，提升了用戶體驗(yàn)。
[0137]實(shí)施例二
[0138]如圖9-11所示，所述基板分割為相互絕緣的區(qū)域一 B、區(qū)域二 B、區(qū)域三B、區(qū)域四B、區(qū)域五B和區(qū)域六，各區(qū)域相互絕緣，保證各個(gè)器件以及各個(gè)區(qū)域之間的絕緣良好，避免不必要的短路事故的發(fā)生。
[0139]如圖10所示，所述區(qū)域一B上設(shè)有二極管芯片一 B焊接位211B和二極管芯片二 B焊接位212B，且所述區(qū)域一B上包括伸出封裝體的正極引出端子B，
[0140]所述區(qū)域二 B上設(shè)有二極管芯片三B焊接位221B和二極管芯片四B焊接位222B，且所述區(qū)域二B上包括伸出封裝體的負(fù)極引出端子B和接地端子B，
[0141]所述區(qū)域三B上設(shè)有可控硅芯片二 B焊接位231B，
[0142]所述區(qū)域四B上設(shè)有可控硅芯片一 B焊接位241B，
[0143]所述區(qū)域五B上包括伸出封裝體的交流引出端子一B，
[0144]所述區(qū)域六上包括伸出封裝體的交流引出端子二B;
[0145]所述區(qū)域四B和所述區(qū)域五B通過(guò)上層電路連接片7相連，
[0146]所述區(qū)域三B和所述區(qū)域六B通過(guò)上層電路連接片7相連；
[0147]各器件的焊接位固定，方便進(jìn)行精準(zhǔn)定位，方便進(jìn)行流水線加工和精確定位，解放了勞動(dòng)力資源，降低生產(chǎn)成本。利用上層電路連接片在需要進(jìn)行連接的器件之間搭建通路，避免不必要的材料浪費(fèi)，同時(shí)減小整個(gè)基板的體積?；迮c引出端子一體制作減少了焊點(diǎn)，降低了整個(gè)電路的功耗。
[0148]如圖11所示，所述低功耗整流、電壓調(diào)節(jié)電路包括二極管芯片一B、二極管芯片二
B、二極管芯片三B、二極管芯片四B、可控硅芯片一 B和可控硅芯片二 B，
[0149]所述二極管芯片一B的負(fù)極向下焊接于所述二極管芯片一 B焊接位上；
[0150]所述二極管芯片二B的負(fù)極向下焊接于所述二極管芯片二 B焊接位上；
[0151]所述二極管芯片三B的負(fù)極向下焊接于所述二極管芯片三B焊接位上；
[0152]所述二極管芯片四B的負(fù)極向下焊接于所述二極管芯片四B焊接位上；
[0153]所述二極管芯片一 B的正極通過(guò)上層電路連接片連通基板上的區(qū)域五B再連通所述交流引出端子一 B，
[0154]所述二極管芯片二 B的正極通過(guò)上層電路連接片連通基板上的區(qū)域六再連通所述交流引出端子二 B，
[0155]所述二極管芯片三B的正極通過(guò)上層電路連接片連通基板上的區(qū)域五B再連通所述交流引出端子一 B，
[0156]所述二極管芯片四B的正極通過(guò)上層電路連接片連通基板上的區(qū)域六再連通所述交流引出端子二 B，
[0157]所述可控硅芯片一B的陽(yáng)極向下焊接于所述可控硅芯片一 B焊接位上;所述可控硅芯片一 B的門(mén)極通過(guò)鋁絲鍵合與所述門(mén)極引出端子一 B連接;所述可控硅芯片一 B的陰極通過(guò)鋁絲鍵合連通區(qū)域二 B;
[0158]所述可控硅芯片二B的陽(yáng)極向下焊接于所述可控硅芯片二 B焊接位上;所述可控硅芯片二 B的門(mén)極通過(guò)鋁絲鍵合與所述門(mén)極引出端子二 B連接;可控硅芯片二 B的陰極通過(guò)連接片連通區(qū)域二 B。
[0159]各個(gè)需要連接的器件通過(guò)上層電路連接片連接，避免了不需要連接的器件之間出現(xiàn)誤連接的幾率。
[0160]在相應(yīng)焊接位內(nèi)鋪滿焊膏，將所有器件一次性焊接完畢，避免了現(xiàn)有技術(shù)中進(jìn)行多次焊接影響器件性能和電路穩(wěn)定性的缺陷，提升了電路穩(wěn)定性，延長(zhǎng)了器件更換時(shí)間，延長(zhǎng)了電路使用壽命。
[0161]所述二極管芯片三和二極管芯片四為反極性二極管芯片。二極管芯片三和二極管芯片四為反極性二極管芯片，反極性二極管芯片即在正常的芯片放置位置的前提下，二極管芯片的正極發(fā)揮負(fù)極的功能而負(fù)極發(fā)揮正極的功能。利用反極性二極管芯片，能夠便捷的在不需要增加其他器件數(shù)量的前提下實(shí)現(xiàn)電路功能，降低生產(chǎn)成本，減少單個(gè)成品的生廣時(shí)間，提尚生廣效率。
[0162]如圖13所示，是實(shí)施例二相應(yīng)的電氣原理圖，二極管芯片一B和二極管芯片三B正向串聯(lián)，二極管芯片二 B和二極管芯片四B正向串聯(lián)，二極管芯片一 B的負(fù)極和二極管芯片二B的負(fù)極相連，二極管芯片三B的正極與二極管芯片四B的正極連接，可控硅芯片一 B和二極管芯片三B反向并聯(lián)，可控硅芯片二 B和二極管芯片四B反向并聯(lián)，四個(gè)二極管芯片構(gòu)成一個(gè)單相整流橋，將交流電轉(zhuǎn)化為相應(yīng)等級(jí)的直流電，可控硅芯片一和可控硅芯片二反向并聯(lián)后串接于二極管芯片一的正極管芯片二的正極之間，在單相整流橋整流的同時(shí)進(jìn)行調(diào)壓，將電壓調(diào)整至需要等級(jí)，共同構(gòu)成了整流、電壓調(diào)節(jié)電路，實(shí)現(xiàn)整流、電壓調(diào)節(jié)的功能。
[0163]如圖14所示，是實(shí)施例二在實(shí)際應(yīng)用時(shí)的電路接線圖，磁電機(jī)的兩個(gè)輸出和整流、電壓調(diào)節(jié)電路的兩個(gè)交流引出端子連接，控制電路分別正極引出端子、負(fù)極引出端子、可控硅芯片的門(mén)極、蓄電池，蓄電池給控制電路供電，在單相整流橋與其中一個(gè)可控硅芯片(如可控硅芯片一)構(gòu)成完整的整流電路，在進(jìn)行整流的過(guò)程中，可控硅芯片一的門(mén)極形成一個(gè)脈沖信號(hào)，控制電路將可控硅芯片一給的脈沖信號(hào)傳遞給可控硅芯片二的門(mén)極，控制可控硅芯片二導(dǎo)通和關(guān)斷動(dòng)作，當(dāng)電壓波形為上半周時(shí)，可控硅芯片二關(guān)斷，由于在蓄電池的正負(fù)極不能形成完整額回路，蓄電池放電，電壓等級(jí)逐漸降低，整流、電壓調(diào)節(jié)電路的整體輸出功率降低；當(dāng)電壓波形為下半周時(shí)，可控硅芯片二導(dǎo)通，在蓄電池的正負(fù)極形成完整額回路，為蓄電池充電，蓄電池電壓等級(jí)升高，整流、電壓調(diào)節(jié)電路整體的帶載能力增強(qiáng)，即隨著可控硅芯片一和可控硅芯片二的交替導(dǎo)通，蓄電池重復(fù)進(jìn)行充放電動(dòng)作，在負(fù)載一定的前提下能夠?qū)崿F(xiàn)調(diào)壓。
[0164]本實(shí)用新型將整流電路和調(diào)壓電路合并成一個(gè)電路，簡(jiǎn)化了電路結(jié)構(gòu)，并進(jìn)行了模塊化封裝，封裝后的整流、電壓調(diào)節(jié)電路工作環(huán)境(溫度、濕度)穩(wěn)定，受外部環(huán)境影響小，性能穩(wěn)定，且原件固定于封裝體內(nèi)，碰撞對(duì)整流、電壓調(diào)節(jié)電路影響小，提升了穩(wěn)定性，降低生產(chǎn)過(guò)程中的廢品率。在模塊化制作過(guò)程中進(jìn)行一次性焊接，減少焊點(diǎn)，降低整個(gè)整流、電壓調(diào)節(jié)電路的功耗，進(jìn)行模塊化制作后，安裝以及更換方便，提升了用戶體驗(yàn)。
[0165]實(shí)施例三
[0166]如圖15-18所示，所述基板分割為相互絕緣的區(qū)域一 C、區(qū)域二 C、區(qū)域三C、區(qū)域四
C、區(qū)域五C，各區(qū)域之間相互絕緣，保證各區(qū)域之間的絕緣性能，防止出現(xiàn)不必要的短路事故。
[0167]如圖16所示，所述區(qū)域一C上設(shè)有二極管芯片一 C焊接位，且所述區(qū)域一 B上包括伸出封裝體的交流引出端子一C，
[0168]所述區(qū)域二C上設(shè)有二極管芯片二 C焊接位和可控硅芯片二 C焊接位，且所述區(qū)域二C上包括伸出封裝體的交流引出端子二 C，
[0169]所述區(qū)域三C上設(shè)有可控硅芯片一 C焊接位，
[0170]所述區(qū)域四包括伸出封裝體的負(fù)極引出端子C和接地端子C，
[0171]所述區(qū)域五C上包括伸出封裝體的正極引出端子C，
[0172]所述區(qū)域四C和所述區(qū)域一C通過(guò)上層電路連接片相連，
[0173]各器件的焊接位的位置固定，方便進(jìn)行精準(zhǔn)定位和流水線生產(chǎn)，減少人工配對(duì)的工作量，解放了勞動(dòng)力。在需要連通的區(qū)域之間設(shè)有上層電路連接片，既能滿足電路連接需求，又能滿足各區(qū)域之間的絕緣性能。各引出端子與基板一體制作，減少不必要的焊點(diǎn)，減少了整流、電壓調(diào)節(jié)電路的功耗，滿足低功耗的需求。
[0174]如圖17所示所述低功耗整流、電壓調(diào)節(jié)電路包括二極管芯片一C、二極管芯片二 C、可控硅芯片一 C和可控硅芯片二 C，
[0175]所述二極管芯片一C的負(fù)極向下焊接于所述二極管芯片一 C焊接位上；
[0176]所述二極管芯片二C的負(fù)極向下焊接于所述二極管芯片二 C焊接位上；
[0177]所述二極管芯片一C的正極和二極管二 C的正極分別通過(guò)上層電路連接片連通基板上的區(qū)域四C再連通所述負(fù)極引出端子C，
[0178]所述可控硅芯片一C的陽(yáng)極向下焊接于所述可控硅芯片一 C焊接位上;所述可控硅芯片一 C的門(mén)極通過(guò)鋁絲鍵合與所述門(mén)極引出端子一 C連接;所述可控硅芯片一 C的陰極通過(guò)鋁絲鍵合連通區(qū)域五C;
[0179]所述可控硅芯片二C的陽(yáng)極向下焊接于所述可控硅芯片二 C焊接位上;所述可控硅芯片二 C的門(mén)極通過(guò)鋁絲鍵合與所述門(mén)極引出端子二 C連接;可控硅芯片二 C的陰極通過(guò)鋁絲鍵合連通區(qū)域五C。
[0180]如圖19所示，是實(shí)施例三相應(yīng)的電氣原理圖，可控硅芯片一 C和二極管芯片一 C正向串聯(lián)，可控硅芯片二 C和二極管芯片二 C正向串聯(lián)，可控硅芯片一 C的負(fù)極和可控硅芯片二C的負(fù)極相連，二極管芯片一 C的正極和二極管芯片二 C的正極相連。兩個(gè)可控硅芯片和兩個(gè)二極管芯片構(gòu)成一個(gè)單相整流橋，將交流電轉(zhuǎn)化為相應(yīng)等級(jí)的直流電，且進(jìn)通過(guò)兩個(gè)可控硅芯片進(jìn)行調(diào)壓，將電壓調(diào)整至需要等級(jí)，共同構(gòu)成了整流、電壓調(diào)節(jié)電路，實(shí)現(xiàn)整流、電壓調(diào)節(jié)的功能。
[0181 ]如圖20所示，還包括外設(shè)電路，所述外設(shè)電路包括磁電機(jī)、控制電路、蓄電池和負(fù)載，
[0182]所述磁電機(jī)的兩個(gè)輸出端分別連接交流引出端子一C、交流引出端子二 C;
[0183]所述控制電路的兩個(gè)控制端分別連接門(mén)極引出端子一C、門(mén)極引出端子二C，所述控制電路的兩個(gè)輸入端分別連接正極引出端子C、負(fù)極引出端子C;
[0184]所述蓄電池的負(fù)極與所述負(fù)極引出端子C相連，所述蓄電池的正極與所述正極引出端子C相連；
[0185]所述蓄電池的負(fù)極與所述正極引出端子C之間設(shè)有電容；
[0186]所述負(fù)載與所述蓄電池連接。
[0187]蓄電池給控制電路供電，在整流、電壓調(diào)節(jié)過(guò)程中，當(dāng)電壓波形處于正半周時(shí)，可控硅芯片一C接受控制電路發(fā)出的觸發(fā)信號(hào)和二極管二C承受正向電壓導(dǎo)通，當(dāng)電壓波形處于負(fù)半周時(shí)，可控硅芯片二C接受控制電路發(fā)出的觸發(fā)信號(hào)和二極管一C承受正向電壓導(dǎo)通，由于觸發(fā)信號(hào)有滯后性，且交替導(dǎo)通，實(shí)現(xiàn)了整流、電壓調(diào)節(jié)功能。為了強(qiáng)化整流效果，在蓄電池的負(fù)極與所述正極引出端子C之間設(shè)有電容，電容能夠?qū)崿F(xiàn)簡(jiǎn)單的濾波功能，使得輸出波形更加穩(wěn)定。
[0188]本實(shí)用新型將整流電路和調(diào)壓電路合并成一個(gè)電路，簡(jiǎn)化了電路結(jié)構(gòu)，并進(jìn)行了模塊化封裝，封裝后的整流、電壓調(diào)節(jié)電路工作環(huán)境(溫度、濕度)穩(wěn)定，受外部環(huán)境影響小，性能穩(wěn)定，且原件固定于封裝體內(nèi)，碰撞對(duì)整流、電壓調(diào)節(jié)電路影響小，提升了穩(wěn)定性，降低生產(chǎn)過(guò)程中的廢品率。在模塊化制作過(guò)程中進(jìn)行一次性焊接，減少焊點(diǎn)，降低整個(gè)整流、電壓調(diào)節(jié)電路的功耗，進(jìn)行模塊化制作后，安裝以及更換方便，提升了用戶體驗(yàn)。相較于實(shí)施例一和實(shí)施例二，實(shí)施例三需要用到的器件更少，電路連接更簡(jiǎn)單，成本低，簡(jiǎn)單易操作。
[0189]磁電機(jī)用單相整流、電壓調(diào)節(jié)功率模塊的加工方法，包括如下步驟:
[0190]I)基板制作；
[0191]1.1)基板按照需通過(guò)沖切形成下層電路；
[0192]1.2)按照電氣原理圖在下層電路周期設(shè)計(jì)各板塊的工藝連接條；
[0193]2)整流電壓調(diào)節(jié)器的制作；
[0194]2.1)在基板需要固定器件的部位印刷焊膏；
[0195]2.2)將各個(gè)器件分別放置在對(duì)應(yīng)的焊膏上;該步驟可以用自動(dòng)拾片機(jī)完成，節(jié)約了勞力，降低成本且可實(shí)現(xiàn)流水線生產(chǎn)，提高生產(chǎn)效率。
[0196]2.3)在二極管芯片的正極上涂焊膏；
[0197]2.4)將上層電路的連接片放置在對(duì)應(yīng)位置；
[0198]2.5)在惰性氣體和的保護(hù)下，通過(guò)加熱，將各器件焊接固定在銅底板上，形成上層電路;采用惰性氣體保護(hù)焊接，防止器件以及各個(gè)引出端子在高溫下與氧氣接觸氧化，保證各個(gè)器件之間的電氣性能。
[0199]2.6)將可控硅芯片的極性與封裝體上對(duì)應(yīng)的各個(gè)引出端子進(jìn)行連接;利用連接片將基板上的器件與各個(gè)相對(duì)應(yīng)的引出端子連接，主要是可控硅芯片的門(mén)極和陰極。
[0200]3)進(jìn)行整流電壓調(diào)節(jié)器的模塊化制作;將整個(gè)整流、電壓調(diào)節(jié)電路進(jìn)行封裝，使整流、電壓調(diào)節(jié)電路在工作時(shí)具有相對(duì)穩(wěn)定的溫度以及濕度，提高整流、電壓調(diào)節(jié)電路的穩(wěn)定性。
[0201]3.1)將步驟2)中完成的整流電壓調(diào)節(jié)器放入塑封模具中；
[0202]3.2)用改型環(huán)氧樹(shù)脂對(duì)整流電壓調(diào)節(jié)器進(jìn)行注塑封裝；
[0203]3.3)對(duì)多余部分進(jìn)行切除，使各端子實(shí)現(xiàn)電路分離，并進(jìn)行端子成形，模塊化制作完成;
[0204]4)對(duì)步驟3)中封裝的整流電壓調(diào)節(jié)器進(jìn)行性能測(cè)試，篩選出不合格品，提高產(chǎn)品質(zhì)量。完畢。
[0205]本實(shí)用新型本實(shí)用新型中將不同類型的多個(gè)器件集成為一功率模塊，具有特定的電氣功能，具有與外部電路相適配的標(biāo)準(zhǔn)化端口，不需要對(duì)器件進(jìn)行逐一配對(duì)，可實(shí)現(xiàn)流水線生產(chǎn)，生產(chǎn)成本低。
[0206]本實(shí)用新型采用整體封裝的工藝，器件位置固定，易于加工。本實(shí)用新型一次焊接加工成型，不需要進(jìn)行多次焊接，避免了高溫對(duì)器件電氣性能的影響，可靠性高，使用壽命長(zhǎng)，避免了現(xiàn)有技術(shù)中采用回流焊工藝進(jìn)行加工，需要進(jìn)行多次高溫焊接，對(duì)器件的電性能造成影響，產(chǎn)品可靠性低，壽命短的缺陷。
[0207]本實(shí)用新型中一次焊接成型，焊點(diǎn)少，各器件連接電阻小，功耗低，避免現(xiàn)有技術(shù)中因多次焊接導(dǎo)致的內(nèi)部功耗大的缺陷。
[0208]本實(shí)用新型采用全封裝結(jié)構(gòu)，器件工作環(huán)境穩(wěn)定，對(duì)器件性能影響小，避免了現(xiàn)有技術(shù)中半封裝結(jié)構(gòu)存在的環(huán)境濕度大導(dǎo)致器件工作不穩(wěn)定的問(wèn)題。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.磁電機(jī)用單相整流、電壓調(diào)節(jié)功率模塊，包括封裝體，以及伸出封裝體的若干接線用的引出端子，其特征在于，在封裝體內(nèi)設(shè)有基板，在所述基板上設(shè)置低功耗整流、電壓調(diào)節(jié)電路，所述整流、電壓調(diào)節(jié)電路固定于所述基板上； 所述基板上設(shè)有正極引出端子、負(fù)極引出端子、兩個(gè)交流引出端子、兩個(gè)門(mén)極引出端子和一個(gè)接地端子。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁電機(jī)用單相整流、電壓調(diào)節(jié)功率模塊，其特征在于，所述正極引出端子、負(fù)極引出端子、交流引出端子在伸出封裝體之前的部分設(shè)有段差面。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁電機(jī)用單相整流、電壓調(diào)節(jié)功率模塊，其特征在于，所述基板上設(shè)有若干通孔。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁電機(jī)用單相整流、電壓調(diào)節(jié)功率模塊，其特征在于， 所述基板分割為相互絕緣的區(qū)域一 A、區(qū)域二 A、區(qū)域三A、區(qū)域四A和區(qū)域五A， 所述區(qū)域一 A上設(shè)二極管芯片一 A焊接位和二極管芯片二 A焊接位，且區(qū)域一 A包括伸出封裝體的正極引出端子A; 所述區(qū)域二A上設(shè)二極管芯片四A焊接位，且區(qū)域二A包括伸出封裝體的交流引出端子一A; 所述區(qū)域三A上設(shè)二極管芯片三A焊接位和可控硅芯片一 A焊接位，且區(qū)域三A包括伸出封裝體的交流引出端子二 A; 所述區(qū)域四A上設(shè)有可控硅芯片二 A焊接位； 所述區(qū)域五A包括伸出封裝體的負(fù)極引出端子A和接地端子A; 所述區(qū)域四A和區(qū)域二 A通過(guò)上層電路連接片相連； 所述低功耗整流、電壓調(diào)節(jié)電路包括二極管芯片一 A、二極管芯片二 A、二極管芯片三A、二極管芯片四A、可控硅芯片一 A和可控硅芯片二 A; 所述二極管芯片一 A的負(fù)極向下焊接于所述二極管芯片一 A焊接位上； 所述二極管芯片二 A的負(fù)極向下焊接于所述二極管芯片二 A焊接位上； 所述二極管芯片三A的負(fù)極向下焊接于所述二極管芯片三A焊接位上； 所述二極管芯片四A的負(fù)極向下焊接于所述二極管芯片四A焊接位上； 所述二極管芯片一A的正極通過(guò)上層電路連接片連通基板上的區(qū)域三A，同時(shí)連接所述交流引出端子二 A; 所述二極管芯片二A的正極通過(guò)上層電路連接片連通基板上的區(qū)域二A，同時(shí)連接所述交流引出端子一 A; 所述二極管芯片三A的正極與所述區(qū)域五A通過(guò)上層電路連接片相連， 所述二極管芯片四A的正極與所述區(qū)域五A通過(guò)上層電路連接片相連;使得二極管芯片三A的正極和二極管芯片四A的正極連通至負(fù)極引出端子； 所述可控硅芯片一A的陽(yáng)極向下焊接于所述可控硅芯片一A焊接位上;所述可控硅芯片一A的門(mén)極通過(guò)鋁絲鍵合與所述門(mén)極引出端子一連接;所述可控硅芯片一A的陰極通過(guò)鋁絲鍵合連通區(qū)域四A; 所述可控硅芯片二A的陽(yáng)極向下焊接于所述可控硅芯片二A焊接位上;所述可控硅芯片二A的門(mén)極通過(guò)鋁絲鍵合與所述門(mén)極引出端子二連接;可控硅芯片二A的陰極通過(guò)鋁絲鍵合連通區(qū)域三A。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁電機(jī)用單相整流、電壓調(diào)節(jié)功率模塊，其特征在于， 所述基板分割為相互絕緣的區(qū)域一 B、區(qū)域二 B、區(qū)域三B、區(qū)域四B、區(qū)域五B和區(qū)域六， 所述區(qū)域一 B上設(shè)有二極管芯片一 B焊接位和二極管芯片二 B焊接位，且所述區(qū)域一 B上包括伸出封裝體的正極引出端子B， 所述區(qū)域二 B上設(shè)有二極管芯片三B焊接位和二極管芯片四B焊接位，且所述區(qū)域二 B上包括伸出封裝體的負(fù)極引出端子B和接地端子B， 所述區(qū)域三B上設(shè)有可控硅芯片二 B焊接位， 所述區(qū)域四B上設(shè)有可控硅芯片一 B焊接位， 所述區(qū)域五B上包括伸出封裝體的交流引出端子一 B， 所述區(qū)域六上包括伸出封裝體的交流引出端子二 B; 所述區(qū)域四B和所述區(qū)域五B通過(guò)上層電路連接片相連， 所述區(qū)域三B和所述區(qū)域六B通過(guò)上層電路連接片相連； 所述低功耗整流、電壓調(diào)節(jié)電路包括二極管芯片一 B、二極管芯片二 B、二極管芯片三B、二極管芯片四B、可控硅芯片一 B和可控硅芯片二 B， 所述二極管芯片一 B的負(fù)極向下焊接于所述二極管芯片一 B焊接位上； 所述二極管芯片二 B的負(fù)極向下焊接于所述二極管芯片二 B焊接位上； 所述二極管芯片三B的負(fù)極向下焊接于所述二極管芯片三B焊接位上； 所述二極管芯片四B的負(fù)極向下焊接于所述二極管芯片四B焊接位上； 所述二極管芯片一 B的正極通過(guò)上層電路連接片連通基板上的區(qū)域五B再連通所述交流引出端子一 B， 所述二極管芯片二 B的正極通過(guò)上層電路連接片連通基板上的區(qū)域六再連通所述交流引出端子二 B， 所述二極管芯片三B的正極通過(guò)上層電路連接片連通基板上的區(qū)域五B再連通所述交流引出端子一 B， 所述二極管芯片四B的正極通過(guò)上層電路連接片連通基板上的區(qū)域六再連通所述交流引出端子二 B， 所述可控硅芯片一B的陽(yáng)極向下焊接于所述可控硅芯片一B焊接位上;所述可控硅芯片一B的門(mén)極通過(guò)鋁絲鍵合與所述門(mén)極引出端子一B連接;所述可控硅芯片一B的陰極通過(guò)鋁絲鍵合連通區(qū)域二 B; 所述可控硅芯片二B的陽(yáng)極向下焊接于所述可控硅芯片二B焊接位上;所述可控硅芯片二B的門(mén)極通過(guò)鋁絲鍵合與所述門(mén)極引出端子二B連接;可控硅芯片二 B的陰極通過(guò)鋁絲鍵合連通區(qū)域二 B。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的磁電機(jī)用單相整流、電壓調(diào)節(jié)功率模塊，其特征在于，所述二極管芯片三和二極管芯片四為反極性二極管芯片。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁電機(jī)用單相整流、電壓調(diào)節(jié)功率模塊，其特征在于， 所述基板分割為相互絕緣的區(qū)域一 C、區(qū)域二 C、區(qū)域三C、區(qū)域四C、區(qū)域五C， 所述區(qū)域一 C上設(shè)有二極管芯片一 C焊接位，且所述區(qū)域一 B上包括伸出封裝體的交流引出端子一 C， 所述區(qū)域二 C上設(shè)有二極管芯片二 C焊接位和可控硅芯片二 C焊接位，且所述區(qū)域二 C上包括伸出封裝體的交流引出端子二 C， 所述區(qū)域三C上設(shè)有可控硅芯片一 C焊接位， 所述區(qū)域四包括伸出封裝體的負(fù)極引出端子C和接地端子C， 所述區(qū)域五C上包括伸出封裝體的正極引出端子C， 所述區(qū)域四C和所述區(qū)域一 C通過(guò)上層電路連接片相連， 所述低功耗整流、電壓調(diào)節(jié)電路包括二極管芯片一 C、二極管芯片二 C、可控硅芯片一 C和可控硅芯片二 C， 所述二極管芯片一 C的負(fù)極向下焊接于所述二極管芯片一 C焊接位上； 所述二極管芯片二 C的負(fù)極向下焊接于所述二極管芯片二 C焊接位上； 所述二極管芯片一 C的正極和二極管二 C的正極分別通過(guò)上層電路連接片連通基板上的區(qū)域四C再連通所述負(fù)極引出端子C， 所述可控硅芯片一C的陽(yáng)極向下焊接于所述可控硅芯片一C焊接位上;所述可控硅芯片一C的門(mén)極通過(guò)鋁絲鍵合與所述門(mén)極引出端子一C連接;所述可控硅芯片一C的陰極通過(guò)鋁絲鍵合連通區(qū)域五C; 所述可控硅芯片二C的陽(yáng)極向下焊接于所述可控硅芯片二C焊接位上;所述可控硅芯片二C的門(mén)極通過(guò)鋁絲鍵合與所述門(mén)極引出端子二C連接;可控硅芯片二C的陰極通過(guò)鋁絲鍵合連通區(qū)域五C。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的磁電機(jī)用單相整流、電壓調(diào)節(jié)功率模塊，其特征在于，還包括外設(shè)電路，所述外設(shè)電路包括磁電機(jī)、控制電路、蓄電池和負(fù)載， 所述磁電機(jī)的兩個(gè)輸出端分別連接交流引出端子一、交流引出端子二； 所述控制電路的兩個(gè)控制端分別連接門(mén)極引出端子一、門(mén)極引出端子二，所述控制電路的兩個(gè)輸入端分別連接正極引出端子、負(fù)極引出端子； 所述蓄電池的負(fù)極與所述負(fù)極引出端子相連，所述蓄電池的正極與所述正極引出端子相連； 所述蓄電池的負(fù)極與所述正極引出端子之間設(shè)有電容； 所述負(fù)載與所述蓄電池連接。9.根據(jù)權(quán)利要求4-8任意一項(xiàng)所述的磁電機(jī)用單相整流、電壓調(diào)節(jié)功率模塊，其特征在于，所述上層電路連接片為橋狀。
【文檔編號(hào)】H02M7/17GK205544967SQ201620352800
【公開(kāi)日】2016年8月31日
【申請(qǐng)日】2016年4月25日
【發(fā)明人】蔣李望, 郭劍, 高定健
【申請(qǐng)人】蔣李望, 郭劍