一種可控的驅(qū)動電源的制作方法
【專利摘要】本實用新型適用于電源技術(shù)改進領(lǐng)域,提供了一種可控的驅(qū)動電源,所述驅(qū)動電源包括整流單元、切換單元、中央處理器MCU、濾波單元及擴展單元,所述整流單元的輸出端分別連接所述切換單元、中央處理器MCU及擴展單元,所述中央處理器MCU連接所述切換單元雙向通訊,所述中央處理器MCU連接所述擴展單元雙向通訊,所述濾波單元的一端分別連接所述中央處理器MCU的輸入端及整流單元的輸出端。在傳統(tǒng)電源的基礎(chǔ)上增加單片機控制的多路控制系統(tǒng)。將一路主電源根據(jù)需要分成可獨立工作的多路電源。再由該電源去驅(qū)動多路調(diào)光玻璃。既降低了驅(qū)動多塊玻璃的電源成本,也減小了整個電源的體積。
【專利說明】
一種可控的驅(qū)動電源
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實用新型屬于電源改進技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種可控的驅(qū)動電源。
【背景技術(shù)】
[0002]前市面上的調(diào)光玻璃電源一般為單路電源。僅能給一塊玻璃供電。
[0003]當需要幾塊調(diào)光玻璃時,就需要有幾塊電源。各電源之間無法實現(xiàn)協(xié)調(diào)控制。多個電源放在一起,體積笨重且接線麻煩。尤其是目前市場上已經(jīng)出現(xiàn)了,單塊多區(qū)域顯示調(diào)光玻璃。而這種新型玻璃是在一塊玻璃上分割成不同區(qū)域。分別顯示。而如果要使用傳統(tǒng)的電源。就成了一塊屏幕要配多個電源使用。使用非常不便。
【實用新型內(nèi)容】
[0004]本實用新型的目的在于提供一種可控的驅(qū)動電源,旨在解決上述的技術(shù)問題。
[0005]本實用新型是這樣實現(xiàn)的,一種可控的驅(qū)動電源,所述驅(qū)動電源包括整流單元、切換單元、中央處理器MCU、濾波單元及擴展單元,所述整流單元的輸出端分別連接所述切換單元、中央處理器MCU及擴展單元,所述中央處理器M⑶連接所述切換單元雙向通訊,所述中央處理器MCU連接所述擴展單元雙向通訊,所述濾波單元的一端分別連接所述中央處理器MCU的輸入端及整流單元的輸出端。
[0006]本實用新型的進一步技術(shù)方案是:所述切換單元包括MOS管QUMOS管Q2、M0S管Q5、MOS管Q6、電阻R5、電阻R6、電阻R7、電阻R8、電阻R9、電阻RlO、電阻Rl 1、電阻Rl 2、電阻Rl 3、電阻R14、電阻R15、電阻R16、電阻R17、電阻R18、電阻R19、電阻R20、電感L1、三極管Q3、三極管Q4、三極管Q7、三極管Q8、接線排JPl及接線排JP2,所述接線排JPl的第2腳分別連接所述電阻R5的一端、電阻R7的一端、MOS管Ql的源極、MOS管Q5的源極、電阻R17的一端及電阻R14的一端,所述MOS管Ql的漏極分別連接所述MOS管Q2的漏極、電阻RlO的一端及電感LI的一端,所述電感LI的另一端連接所述接線排JP2的第I腳,所述電阻R5的另一端分別連接所述電阻R6的一端及MOS管Ql的柵極,電阻R6的另一端連接所述三極管Q3的集電極,所述三極管Q3的基極連接所述電阻R8的一端,所述電阻R7的另一端分別連接所述三極管Q4的集電極、電阻R9的一端及MOS管Q2的柵極,所述三極管Q4的基極連接所述電阻Rll的一端,所述電阻R14的另一端分別連接所述電阻R15的一端及MOS管Q5的柵極,所述電阻R15的另一端連接所述三極管Q7的集電極,所述三極管Q7的基極連接所述電阻R18的一端,所述電阻R17的另一端分別連接所述三極管Q8的集電極、電阻R19的一端及MOS管Q6的柵極,所述三極管Q8的基極連接所述電阻R20的一端,所述接線排JP2的第2腳分別連接所述電阻Rl 2的一端、MOS管Q5的漏極及MOS管Q6的漏極,所述電阻R12的另一端經(jīng)所述電阻R16接地,所述電阻10的另一端經(jīng)所述電阻R13接地,所述電阻R19的另一端、三極管Q8的發(fā)射極、三極管Q7的發(fā)射極、電阻R9的另一端、三極管Q4的發(fā)射極、三極管Q3的發(fā)射極、MOS管Q2的源極、MOS管Q6的源極及接線排JPl的第I腳均接地。
[0007]本實用新型的進一步技術(shù)方案是:所述切換單元為多路。
[0008]本實用新型的進一步技術(shù)方案是:所述中央處理器MCU包括芯片U1、電阻R1、電阻R2、電阻R3、電阻R4、電容C2、電容C3、電容C4及晶振Zl,所述芯片U的第29腳分別連接所述電阻Rl的一端及電容C2的一端,所述電阻Rl的另一端連接電源5V,所述芯片Ul的第7腳經(jīng)所述電阻R2分別連接所述電阻R4的一端、晶振Zl的一端及電容C3的一端,所述芯片Ul的第8腳經(jīng)所述電阻R3的一端分別連接所述電阻R4的另一端、晶振Zl的另一端及電容C4的一端,所述電容C3的另一端及電容C4的另一端均接地。
[0009]本實用新型的進一步技術(shù)方案是:所述濾波單元包括電容CPl、電容CP2、電容Cl、極性電容ECl及接線座XSl,所述電容CPl、電容CP2、電容Cl及極性電容ECl并聯(lián)的一端分別連接供電5V及接線座XSl,所述電容CPl、電容CP2、電容Cl及極性電容ECl并聯(lián)的另一端接地,所述接線座XSl的第2、3腳均接地。
[0010]本實用新型的進一步技術(shù)方案是:所述擴展單元包括開關(guān)模塊、第一轉(zhuǎn)接模塊及第二轉(zhuǎn)接模塊,所述第一轉(zhuǎn)接模塊的輸出端連接所述開關(guān)模塊的輸入端,所述開關(guān)模塊的輸出端連接所述第二轉(zhuǎn)接模塊的輸入端。
[0011]本實用新型的進一步技術(shù)方案是:所述第一轉(zhuǎn)接模塊包括第一轉(zhuǎn)接芯片U1、第二轉(zhuǎn)接芯片U3及若干接線母頭,所述若干接線母頭的第2腳分別連接所述第一轉(zhuǎn)接芯片Ul,所述若干接線母頭的第3腳分別連接所述第二轉(zhuǎn)接芯片U3。
[0012]本實用新型的進一步技術(shù)方案是:所述第二轉(zhuǎn)接模塊包括第三轉(zhuǎn)接芯片U4、第四轉(zhuǎn)接芯片U5、第二接線母頭及第一接線母頭,所述第一接線母頭分別連接所述第三轉(zhuǎn)接芯片U4及第四轉(zhuǎn)接芯片U5,所述第二接線母頭分別連接所述第三轉(zhuǎn)接芯片U4及第四轉(zhuǎn)接芯片U5o
[0013]本實用新型的進一步技術(shù)方案是:所述開關(guān)芯片U2采用的是74HC595芯片,所述第一轉(zhuǎn)接芯片Ul及第二轉(zhuǎn)接芯片U3均采用的是74HC4051芯片;所述第三轉(zhuǎn)接芯片U4及第四轉(zhuǎn)接芯片U5采用的是74HC14芯片,所述第二接線母頭、第一接線母頭及若干接線母頭均采用的是 BLMl 8PG121 SNl 母頭。
[0014]本實用新型的進一步技術(shù)方案是:所述芯片Ul采用的是LGT8F88A芯片,所述MOS管Ql及MOS管Q5均采用的是IRF6216型號,所述MOS管Q2及MOS管Q6均采用的是Si4490DY型號,所述三極管Q3、Q4、Q7、Q8均采用MMBTA44型號。
[0015]本實用新型的有益效果是:在傳統(tǒng)電源的基礎(chǔ)上增加單片機控制的多路控制系統(tǒng)。將一路主電源根據(jù)需要分成可獨立工作的多路電源。再由該電源去驅(qū)動多路調(diào)光玻璃。既降低了驅(qū)動多塊玻璃的電源成本,也減小了整個電源的體積。在系統(tǒng)中增加電源外部控制功能。使得用戶可以根據(jù)需要隨時打開或關(guān)閉任何一路電源。同時電源還具備亮度調(diào)節(jié)功能??梢苑謩e設(shè)置每一路的電源輸出的占空比來調(diào)節(jié)調(diào)光玻璃的亮度。
【附圖說明】
[0016]圖1是本實用新型實施例提供的中央處理器M⑶的電氣原理圖。
[0017]圖2是本實用新型實施例提供的濾波單元的電氣原理圖。
[0018]圖3是本實用新型實施例提供的串口接線母頭的電氣原理圖。
[0019]圖4是本實用新型實施例提供的第一路切換單元的電氣原理圖。
[0020]圖5是本實用新型實施例提供的第二路切換單元的電氣原理圖。
[0021]圖6是本實用新型實施例提供的第三路切換單元的電氣原理圖。
[0022]圖7是本實用新型實施例提供的第四路切換單元的電氣原理圖。
[0023]圖8是本實用新型實施例提供的串口轉(zhuǎn)接芯片一的電氣原理圖。
[0024]圖9是本實用新型實施例提供的串口轉(zhuǎn)接芯片二的電氣原理圖。
[0025]圖10是本實用新型實施例提供的串口轉(zhuǎn)接芯片三的電氣原理圖。
[0026]圖11是本實用新型實施例提供的串口轉(zhuǎn)接芯片四的電氣原理圖。
[0027]圖12是本實用新型實施例提供的開關(guān)芯片的電氣原理圖。
[0028]圖13是本實用新型實施例提供的串口母頭一的電氣原理圖。
[0029]圖14是本實用新型實施例提供的串口母頭二電氣原理圖。
[0030]圖15是本實用新型實施例提供的可控的驅(qū)動電源的結(jié)構(gòu)框圖。
【具體實施方式】
[0031]圖1-15示出了本實用新型提供的一種可控的驅(qū)動電源,所述驅(qū)動電源包括整流單元、切換單元、中央處理器MCU、濾波單元及擴展單元,所述整流單元的輸出端分別連接所述切換單元、中央處理器M⑶及擴展單元,所述中央處理器MCU連接所述切換單元雙向通訊,所述中央處理器MCU連接所述擴展單元雙向通訊,所述濾波單元的一端分別連接所述中央處理器MCU的輸入端及整流單元的輸出端。
[0032]所述切換單元為多路。所述切換單元可以根據(jù)用戶的需要進行擴展。在本申請中以四路電路為實例進行舉例說明,所述切換單元包括第一切換模塊、第二切換模塊、第三切換模塊及第四切換模塊,其中第一切換模塊、第二切換模塊、第三切換模塊及第四切換模塊的結(jié)構(gòu)相同。
[0033]所述第一切換模塊包括MOS管Ql、M0S管Q2、M0S管Q5、M0S管Q6、電阻R5、電阻R6、電阻R7、電阻R8、電阻R9、電阻R10、電阻R11、電阻R12、電阻R13、電阻R14、電阻R15、電阻R16、電阻R17、電阻R18、電阻R19、電阻R20、電感L1、三極管Q3、三極管Q4、三極管Q7、三極管Q8、接線排JPl及接線排JP2,所述接線排JPl的第2腳分別連接所述電阻R5的一端、電阻R7的一端、MOS管Ql的源極、MOS管Q5的源極、電阻R17的一端及電阻R14的一端,所述MOS管Ql的漏極分別連接所述MOS管Q2的漏極、電阻RlO的一端及電感LI的一端,所述電感LI的另一端連接所述接線排JP2的第I腳,所述電阻R5的另一端分別連接所述電阻R6的一端及MOS管Ql的柵極,電阻R6的另一端連接所述三極管Q3的集電極,所述三極管Q3的基極連接所述電阻R8的一端,所述電阻R7的另一端分別連接所述三極管Q4的集電極、電阻R9的一端及MOS管Q2的柵極,所述三極管Q4的基極連接所述電阻Rll的一端,所述電阻R14的另一端分別連接所述電阻R15的一端及MOS管Q5的柵極,所述電阻R15的另一端連接所述三極管Q7的集電極,所述三極管Q7的基極連接所述電阻R18的一端,所述電阻R17的另一端分別連接所述三極管Q8的集電極、電阻R19的一端及MOS管Q6的柵極,所述三極管Q8的基極連接所述電阻R20的一端,所述接線排JP2的第2腳分別連接所述電阻R12的一端、MOS管Q5的漏極及MOS管Q6的漏極,所述電阻Rl 2的另一端經(jīng)所述電阻Rl 6接地,所述電阻1的另一端經(jīng)所述電阻Rl 3接地,所述電阻Rl 9的另一端、三極管Q8的發(fā)射極、三極管Q7的發(fā)射極、電阻R9的另一端、三極管Q4的發(fā)射極、三極管Q3的發(fā)射極、MOS管Q2的源極、MOS管Q6的源極及接線排JPl的第I腳均接地。
[0034]所述第二切換模塊包括MOS管Q9、M0S管Q10、M0S管Q13、M0S管Q14、電阻R21、電阻尺22、電阻!?23、電阻1?24、電阻1?25、電阻1?26、電阻1?27、電阻1?28、電阻1?29、電阻1?30、電阻1?31、電阻1?32、電阻1?33、電阻1?4、電阻1?35、電阻1?6、電感1^、三極管011、三極管012、三極管015、三極管Q16及接線排JP3,電源80V連接所述電阻R21的一端、電阻R23的一端、MOS管Q9的源極、MOS管Q13的源極、電阻R33的一端及電阻R30的一端,所述MOS管Q9的漏極分別連接所述MOS管QlO的漏極、電阻R26的一端及電感L2的一端,所述電感L2的另一端連接所述接線排JP3的第I腳,所述電阻R21的另一端分別連接所述電阻R22的一端及MOS管Q9的柵極,電阻R22的另一端連接所述三極管Qll的集電極,所述三極管Qll的基極連接所述電阻R34的一端,所述電阻R23的另一端分別連接所述三極管Q12的集電極、電阻R25的一端及MOS管Q210的柵極,所述三極管Q12的基極連接所述電阻R27的一端,所述電阻R30的另一端分別連接所述電阻R31的一端及MOS管Q13的柵極,所述電阻R31的另一端連接所述三極管Q15的集電極,所述三極管Q15的基極連接所述電阻R34的一端,所述電阻R33的另一端分別連接所述三極管Q16的集電極、電阻R35的一端及MOS管Q14的柵極,所述三極管Q16的基極連接所述電阻R36的一端,所述接線排JP3的第2腳分別連接所述電阻R28的一端、MOS管Q13的漏極及MOS管Q14的漏極,所述電阻R28的另一端經(jīng)所述電阻R32接地,所述電阻26的另一端經(jīng)所述電阻R29接地,所述電阻R35的另一端、三極管Ql 6的發(fā)射極、三極管Ql 5的發(fā)射極、電阻R25的另一端、三極管Q12的發(fā)射極、三極管Qll的發(fā)射極、MOS管QlO的源極及MOS管Q14的源極均接地。
[0035]所述第三切換模塊及第四切換模塊的結(jié)構(gòu)與第三切換模塊相同只是對元器件的編號不同,如圖5-7所不。
[0036]所述中央處理器M⑶包括芯片U1、電阻R1、電阻R2、電阻R3、電阻R4、電容C2、電容C3、電容C4及晶振Zl,所述芯片U的第29腳分別連接所述電阻Rl的一端及電容C2的一端,所述電阻Rl的另一端連接電源5V,所述芯片Ul的第7腳經(jīng)所述電阻R2分別連接所述電阻R4的一端、晶振Zl的一端及電容C3的一端,所述芯片Ul的第8腳經(jīng)所述電阻R3的一端分別連接所述電阻R4的另一端、晶振ZI的另一端及電容C4的一端,所述電容C3的另一端及電容C4的另一端均接地。
[0037]所述濾波單元包括電容CPl、電容CP2、電容Cl、極性電容ECl及接線座XSl,所述電容CPl、電容CP2、電容Cl及極性電容ECl并聯(lián)的一端分別連接供電5V及接線座XSl,所述電容CP1、電容CP2、電容Cl及極性電容ECl并聯(lián)的另一端接地,所述接線座XSI的第2、3腳均接地。
[0038]所述擴展單元包括開關(guān)模塊、第一轉(zhuǎn)接模塊及第二轉(zhuǎn)接模塊,所述第一轉(zhuǎn)接模塊的輸出端連接所述開關(guān)模塊的輸入端,所述開關(guān)模塊的輸出端連接所述第二轉(zhuǎn)接模塊的輸入端。
[0039]所述第一轉(zhuǎn)接模塊包括第一轉(zhuǎn)接芯片U1、第二轉(zhuǎn)接芯片U3及若干接線母頭,所述若干接線母頭的第2腳分別連接所述第一轉(zhuǎn)接芯片Ul,所述若干接線母頭的第3腳分別連接所述第二轉(zhuǎn)接芯片U3。
[0040]所述第二轉(zhuǎn)接模塊包括第三轉(zhuǎn)接芯片U4、第四轉(zhuǎn)接芯片U5、第二接線母頭及第一接線母頭,所述第一接線母頭分別連接所述第三轉(zhuǎn)接芯片U4及第四轉(zhuǎn)接芯片U5,所述第二接線母頭分別連接所述第三轉(zhuǎn)接芯片U4及第四轉(zhuǎn)接芯片U5。
[0041 ]所述開關(guān)芯片U2采用的是74HC595芯片,所述第一轉(zhuǎn)接芯片Ul及第二轉(zhuǎn)接芯片U3均采用的是74HC4051芯片;所述第三轉(zhuǎn)接芯片U4及第四轉(zhuǎn)接芯片U5采用的是74HC14芯片,所述第二接線母頭、第一接線母頭及若干接線母頭均采用的是BLM18PG121SN1母頭。
[0042]所述芯片Ul采用的是LGT8F88A芯片,所述MOS管Ql及MOS管Q5均采用的是IRF6216型號,所述MOS管Q2及MOS管Q6均采用的是Si4490DY型號,所述三極管Q3、Q4、Q7、Q8均采用MMBTA44型號。
[0043]1、電源部分
[0044]系統(tǒng)有兩路工作電源,通過交流變壓器分別產(chǎn)生5V和80V電壓,其中5V用于核心芯片的驅(qū)動電路的供電。80V用于驅(qū)動調(diào)光玻璃。
[0045]2、外部控制部分
[0046]本產(chǎn)品支持通過外部UART串口向核心單片機發(fā)送不同的命令,來開關(guān)不同路調(diào)光玻璃電源,以及修改各路電源的占空比等。
[0047]3、電源輸出控制部分
[0048]Ul作為主控芯片,根據(jù)UART串口發(fā)送來的不同命令??刂葡鄳?yīng)的1口產(chǎn)生高低電平,從而控制由麗BTA44,IRF6216,S14490組成的MOS管控制電路,使得80V電壓在輸出端口打開或者關(guān)閉。最終控制調(diào)光玻璃的殼暗。
[0049]本產(chǎn)品通過兩路變壓器整流橋分別將市電(220V/110V交流)變壓到80V交流和5V直流。其中80V交流電壓用于驅(qū)動,調(diào)光玻璃薄膜。5V給中央控制單元供電。中央控制單元,根據(jù)輸入單元(本產(chǎn)品中為UART串口)的操作控制電源輸出模塊使得最終輸出端產(chǎn)生可獨立受控的80V交流電源。提供給每組不同的調(diào)光玻璃或者多路薄膜使用。
[0050]以上所述僅為本實用新型的較佳實施例而已,并不用以限制本實用新型,凡在本實用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進等,均應(yīng)包含在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種可控的驅(qū)動電源,其特征在于:所述驅(qū)動電源包括整流單元、切換單元、中央處理器MCU、濾波單元及擴展單元,所述整流單元的輸出端分別連接所述切換單元、中央處理器MCU及擴展單元,所述中央處理器M⑶連接所述切換單元雙向通訊,所述中央處理器MCU連接所述擴展單元雙向通訊,所述濾波單元的一端分別連接所述中央處理器MCU的輸入端及整流單元的輸出端。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的驅(qū)動電源,其特征在于,所述切換單元包括MOS管QUMOS管Q2、MOS管Q5、M0S管Q6、電阻R5、電阻R6、電阻R7、電阻R8、電阻R9、電阻R10、電阻町1、電阻1?12、電阻R13、電阻R14、電阻R15、電阻R16、電阻R17、電阻R18、電阻R19、電阻R20、電感L1、三極管Q3、三極管Q4、三極管Q7、三極管Q8、接線排JPI及接線排JP2,所述接線排JPI的第2腳分別連接所述電阻R5的一端、電阻R7的一端、MOS管Ql的源極、MOS管Q5的源極、電阻R17的一端及電阻R14的一端,所述MOS管Ql的漏極分別連接所述MOS管Q2的漏極、電阻RlO的一端及電感LI的一端,所述電感LI的另一端連接所述接線排JP2的第I腳,所述電阻R5的另一端分別連接所述電阻R6的一端及MOS管Ql的柵極,電阻R6的另一端連接所述三極管Q3的集電極,所述三極管Q3的基極連接所述電阻R8的一端,所述電阻R7的另一端分別連接所述三極管Q4的集電極、電阻R9的一端及MOS管Q2的柵極,所述三極管Q4的基極連接所述電阻Rll的一端,所述電阻R14的另一端分別連接所述電阻R15的一端及MOS管Q5的柵極,所述電阻R15的另一端連接所述三極管Q7的集電極,所述三極管Q7的基極連接所述電阻R18的一端,所述電阻R17的另一端分別連接所述三極管Q8的集電極、電阻R19的一端及MOS管Q6的柵極,所述三極管Q8的基極連接所述電阻R20的一端,所述接線排JP2的第2腳分別連接所述電阻Rl 2的一端、MOS管Q5的漏極及MOS管Q6的漏極,所述電阻R12的另一端經(jīng)所述電阻R16接地,所述電阻RlO的另一端經(jīng)所述電阻R13接地,所述電阻R19的另一端、三極管Q8的發(fā)射極、三極管Q7的發(fā)射極、電阻R9的另一端、三極管Q4的發(fā)射極、三極管Q3的發(fā)射極、MOS管Q2的源極、MOS管Q6的源極及接線排JPl的第I腳均接地。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的驅(qū)動電源,其特征在于,所述切換單元為多路。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的驅(qū)動電源,其特征在于,所述中央處理器MCU包括芯片U1、電阻Rl、電阻R2、電阻R3、電阻R4、電容C2、電容C3、電容C4及晶振Zl,所述芯片U的第29腳分別連接所述電阻Rl的一端及電容C2的一端,所述電阻Rl的另一端連接電源5V,所述芯片Ul的第7腳經(jīng)所述電阻R2分別連接所述電阻R4的一端、晶振Zl的一端及電容C3的一端,所述芯片Ul的第8腳經(jīng)所述電阻R3的一端分別連接所述電阻R4的另一端、晶振Zl的另一端及電容C4的一端,所述電容C3的另一端及電容C4的另一端均接地。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的驅(qū)動電源,其特征在于,所述濾波單元包括電容CP1、電容CP2、電容Cl、極性電容ECl及接線座XSl,所述電容CPl、電容CP2、電容Cl及極性電容ECl并聯(lián)的一端分別連接供電5V及接線座XSl,所述電容CPl、電容CP2、電容Cl及極性電容ECl并聯(lián)的另一端接地,所述接線座XSl的第2、3腳均接地。6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的驅(qū)動電源,其特征在于,所述擴展單元包括開關(guān)模塊、第一轉(zhuǎn)接模塊及第二轉(zhuǎn)接模塊,所述第一轉(zhuǎn)接模塊的輸出端連接所述開關(guān)模塊的輸入端,所述開關(guān)模塊的輸出端連接所述第二轉(zhuǎn)接模塊的輸入端。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的驅(qū)動電源,其特征在于,所述第一轉(zhuǎn)接模塊包括第一轉(zhuǎn)接芯片U1、第二轉(zhuǎn)接芯片U3及若干接線母頭,所述若干接線母頭的第2腳分別連接所述第一轉(zhuǎn)接芯片Ul,所述若干接線母頭的第3腳分別連接所述第二轉(zhuǎn)接芯片U3。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的驅(qū)動電源,其特征在于,所述第二轉(zhuǎn)接模塊包括第三轉(zhuǎn)接芯片U4、第四轉(zhuǎn)接芯片U5、第二接線母頭及第一接線母頭,所述第一接線母頭分別連接所述第三轉(zhuǎn)接芯片U4及第四轉(zhuǎn)接芯片U5,所述第二接線母頭分別連接所述第三轉(zhuǎn)接芯片U4及第四轉(zhuǎn)接芯片U5。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的驅(qū)動電源,其特征在于,所述開關(guān)芯片U2采用的是74HC595芯片,所述第一轉(zhuǎn)接芯片Ul及第二轉(zhuǎn)接芯片U3均采用的是74HC4051芯片;所述第三轉(zhuǎn)接芯片U4及第四轉(zhuǎn)接芯片U5采用的是74HC14芯片,所述第二接線母頭、第一接線母頭及若干接線母頭均采用的是BLM18PG121SN1母頭。10.根據(jù)權(quán)利要求4所述的驅(qū)動電源,其特征在于,所述芯片Ul采用的是LGT8F88A芯片,所述MOS管Ql及MOS管Q5均采用的是IRF6216型號,所述MOS管Q2及MOS管Q6均采用的是Si4490DY型號,所述三極管Q3、Q4、Q7、Q8均采用MMBTA44型號。
【文檔編號】H02M7/217GK205544978SQ201521100636
【公開日】2016年8月31日
【申請日】2015年12月25日
【發(fā)明人】趙超, 劉歡, 高安生, 李冀科
【申請人】深圳市立昱迅科技有限公司