整流電路及電源的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型實(shí)施例公開(kāi)了一種整流電路及電源。其中，整流電路包括：二個(gè)以上MOSFET，所述二個(gè)以上MOSFET在PCB上集中設(shè)置；及散熱片，所述散熱片覆蓋于所述二個(gè)以上MOSFET的上表面。本實(shí)用新型實(shí)施例通過(guò)將整流電路中的MOSFET在PCB上集中設(shè)置，并采用散熱片覆蓋所有的MOSFET，使MOSFET產(chǎn)生的熱量傳遞到散熱片，通過(guò)散熱片向外散出，可以獲得較好的散熱效果，解決了在開(kāi)關(guān)電源輸出端的整流電路中具有多個(gè)MOSFET時(shí)的散熱問(wèn)題。
【專利說(shuō)明】
整流電路及電源
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型屬于電源技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種整流電路及電源。
【背景技術(shù)】
[0002]由于現(xiàn)代高速超大規(guī)模集成電路的尺寸不斷減小，同時(shí)對(duì)功率的要求又不斷增加，因此必須要提高供電電源的功率密度。而在有限的散熱空間中增加電源的功率密度，就必須提高電源的工作效率。
[0003]近年來(lái)，通過(guò)在開(kāi)關(guān)電源的輸出端采用同步整流技術(shù)，使開(kāi)關(guān)電源的工作效率得到了大幅度提高。然而隨著開(kāi)關(guān)電源高功率的要求，輸出的電流不斷增加，在開(kāi)關(guān)電源輸出端同步整流電路中金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect Transistor,MOSFET)的數(shù)量也隨之增加，同時(shí)也帶來(lái)了MOSFET散熱的問(wèn)題。
[0004]在現(xiàn)有技術(shù)中，MOSFET—般是通過(guò)在印制電路板(Printed Circuit Board,PCB)中增加過(guò)孔進(jìn)行散熱，以及通過(guò)MOSFET上表面的空氣進(jìn)行散熱，散熱效果較差。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0005]本實(shí)用新型實(shí)施例要解決的一個(gè)技術(shù)問(wèn)題是:提供一種整流電路及電源，以獲得較好的散熱效果。
[0006]根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的一個(gè)方面，提供一種整流電路，包括:
[0007 ] 二個(gè)以上MOSFET，所述二個(gè)以上MOSFET在PCB上集中設(shè)置;及
[0008]散熱片，所述散熱片覆蓋于所述二個(gè)以上MOSFET的上表面。
[0009]在基于本實(shí)用新型上述整流電路的另一實(shí)施例中，所述散熱片為一塊散熱片，覆蓋于所有MOSFET的上表面。
[0010]在基于本實(shí)用新型上述整流電路的另一實(shí)施例中，所述MOSFET為貼片封裝MOSFETo
[0011]在基于本實(shí)用新型上述整流電路的另一實(shí)施例中，在所述貼片封裝MOSFET的上表面設(shè)有裸露的電極金屬焊盤，所述裸露的電極金屬焊盤與所述散熱片接觸。
[0012]在基于本實(shí)用新型上述整流電路的另一實(shí)施例中，所述散熱片與所述PCB的地極連接。
[0013]在基于本實(shí)用新型上述整流電路的另一實(shí)施例中，所述MOSFET為電力M0SFET。
[0014]在基于本實(shí)用新型上述整流電路的另一實(shí)施例中，所述二個(gè)以上MOSFET在所述PCB上并排設(shè)置。
[0015]在基于本實(shí)用新型上述整流電路的另一實(shí)施例中，所述散熱片為鋁散熱片或者銅散熱片。
[0016]根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的另一個(gè)方面，提供一種電源，包括:根據(jù)上述任一實(shí)施例所述的整流電路。
[0017]在基于本實(shí)用新型上述電源的另一實(shí)施例中，所述整流電路設(shè)置于所述電源的輸出端。
[0018]基于本實(shí)用新型實(shí)施例提供的整流電路及電源，通過(guò)將整流電路中的MOSFET在PCB上集中設(shè)置，并采用散熱片覆蓋所有的M0SFET，使MOSFET產(chǎn)生的熱量傳遞到散熱片，通過(guò)散熱片向外散出，可以獲得較好的散熱效果，解決了在開(kāi)關(guān)電源輸出端的整流電路中具有多個(gè)MOSFET時(shí)的散熱問(wèn)題。
【附圖說(shuō)明】
[0019]構(gòu)成說(shuō)明書(shū)的一部分的附圖描述了本實(shí)用新型的實(shí)施例，并且連同描述一起用于解釋本實(shí)用新型的原理。
[0020]參照附圖，根據(jù)下面的詳細(xì)描述，可以更加清楚地理解本實(shí)用新型，其中:
[0021 ]圖1是本實(shí)用新型整流電路中MOSFET在PCB上設(shè)置的一個(gè)實(shí)施例的立體圖。
[0022]圖2是在圖1中的MOSFET上覆蓋散熱片后的局部剖視立體圖。
[0023]圖3是常見(jiàn)的只采用一層塑封的貼片封裝MOSFET的立體圖。
[0024]圖4是在上表面設(shè)有裸露的電極金屬焊盤的貼片封裝MOSFET的立體圖。
【具體實(shí)施方式】
[0025]現(xiàn)在將參照附圖來(lái)詳細(xì)描述本實(shí)用新型的各種示例性實(shí)施例。應(yīng)注意到:除非另外具體說(shuō)明，否則在這些實(shí)施例中闡述的部件的相對(duì)布置、數(shù)字表達(dá)式和數(shù)值不限制本實(shí)用新型的范圍。
[0026]同時(shí)，應(yīng)當(dāng)明白，為了便于描述，附圖中所示出的各個(gè)部分的尺寸并不是按照實(shí)際的比例關(guān)系繪制的。
[0027]以下對(duì)至少一個(gè)示例性實(shí)施例的描述實(shí)際上僅僅是說(shuō)明性的，決不作為對(duì)本實(shí)用新型及其應(yīng)用或使用的任何限制。
[0028]對(duì)于相關(guān)領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的技術(shù)和設(shè)備可能不作詳細(xì)討論，但在適當(dāng)情況下，所述技術(shù)和設(shè)備應(yīng)當(dāng)被視為說(shuō)明書(shū)的一部分。
[0029]應(yīng)注意到:相似的標(biāo)號(hào)和字母在下面的附圖中表示類似項(xiàng)，因此，一旦某一項(xiàng)在一個(gè)附圖中被定義，則在隨后的附圖中不需要對(duì)其進(jìn)行進(jìn)一步討論。
[0030]圖1是本實(shí)用新型整流電路中MOSFET在PCB上設(shè)置的一個(gè)實(shí)施例的立體圖。圖2是在圖1中的MOSFET上覆蓋散熱片后的局部剖視立體圖。如圖1及圖2所示，本實(shí)用新型實(shí)施例的整流電路包括:二個(gè)以上MOSFET 110及散熱片120，這些MOSFET 110在PCB 130上集中設(shè)置，散熱片120覆蓋于這些MOSFET 110的上表面?；诒緦?shí)用新型實(shí)施例提供的整流電路，通過(guò)將整流電路中的MOSFET 110在PCB 130上集中設(shè)置，并采用散熱片120覆蓋所有的MOSFET 110 JiMOSFET 110產(chǎn)生的熱量傳遞到散熱片120，通過(guò)散熱片120向外散出，可以獲得較好的散熱效果，解決了在開(kāi)關(guān)電源輸出端的整流電路中具有多個(gè)MOSFET 110時(shí)的散熱問(wèn)題。
[0031]在本實(shí)施例中，MOSFET 110可以采用貼片封裝MOSFET，常見(jiàn)的只采用一層塑封的貼片封裝MOSFET如圖3所示，另一種在上表面設(shè)有裸露的電極金屬焊盤111的貼片封裝MOSFET如圖4所示，本實(shí)施例并不對(duì)MOSFET 110的封裝形式做具體限定。
[0032]當(dāng)本實(shí)施例的整流電路采用圖3中的貼片封裝MOSFET時(shí)，只需要使散熱片120覆蓋于貼片封裝MOSFET的上表面即可。當(dāng)本實(shí)施例的整流電路采用圖4中的貼片封裝MOSFET時(shí)，散熱片120覆蓋于貼片封裝MOSFET的上表面，裸露的電極金屬焊盤111與散熱片120接觸，貝占片封裝MOSFET產(chǎn)生的熱量將通過(guò)裸露的電極金屬焊盤111直接傳遞到散熱片120上，由散熱片120向外散出，從而可以獲得更好的散熱效果。
[0033]在本實(shí)施例中，MOSFET110在PCB 130上可以采用并排設(shè)置的方式，本實(shí)施例并不對(duì)MOSFET 110在PCB 130上的排列方式做具體限定，只要是能夠有利于散熱片120的設(shè)置而又不會(huì)造成功率損耗增加的MOSFET 110的排列方式均包含在本實(shí)施例中。
[0034]在本實(shí)施例中，散熱片120可以采用鋁散熱片或者銅散熱片，本實(shí)施例并不對(duì)散熱片120的材料、形狀和數(shù)量做具體限定，只要是采用導(dǎo)熱性能夠良好的材料制成的能夠滿足有利于熱量散出的要求且安裝空間允許的散熱片120的形狀和數(shù)量均包含在本實(shí)施例中。
[0035]在一個(gè)具體實(shí)施例中，如圖1所示，整流電路包括十二個(gè)MOSFET 110, MOSFET 110采用在上表面設(shè)有裸露的電極金屬焊盤111的貼片封裝MOSFET，十二個(gè)MOSFET 110在PCB130上并排設(shè)置，采用這種MOSFET 110并排設(shè)置的排列方式可以縮短與整流電路連接的變壓器次級(jí)到MOSFET 110的走線長(zhǎng)度，從而減小PCB 130上走線的功率損耗，提高效率。如圖2所示，在這些MOSFET 110的上表面覆蓋一塊散熱片120，并且散熱片120與PCB 130的地極連接，這樣所有MOSFET 110裸露的電極金屬焊盤111將通過(guò)散熱片120與PCB 130的地極連接，從而可以獲得較好的共地效果，減小MOSFET 110的驅(qū)動(dòng)誤差，同時(shí)還可以通過(guò)散熱片120流通電流。
[0036]其中，散熱片120與PCB130的地極的連接方式，可以是通過(guò)在散熱片120上設(shè)置螺絲孔，利用與螺絲孔配合的金屬螺絲與PCB 130的地極，本實(shí)施例并不對(duì)散熱片120與PCB130的地極的連接方式做具體限定，只要是能夠?qū)崿F(xiàn)散熱片120與PCB 130的地極連接的連接方式均包含在本實(shí)施例中。
[0037]在本實(shí)施例中，MOSFET 110可以采用通態(tài)電阻極低的電力MOSFET，以提高電路的效率，減輕散熱壓力，并且有利于實(shí)現(xiàn)電路的小型化，滿足低電壓、大電流、高效率、小體積的需要。具體地，MOSFET 110為N溝道MOSFET或者P溝道MOSFET。其中，當(dāng)MOSFET 110為N溝道MOSFET時(shí)，在貼片封裝MOSFET上表面裸露的電極金屬焊盤為源極S金屬焊盤，當(dāng)MOSFET 110為P溝道MOSFET時(shí)，在貼片封裝MOSFET上表面裸露的電極金屬焊盤為漏極D金屬焊盤。
[0038]另外，本實(shí)用新型實(shí)施例還提供了一種電源，包括:上述任一實(shí)施例的整流電路。具體地，整流電路設(shè)置于電源的輸出端。
[0039]基于本實(shí)用新型實(shí)施例提供的電源，設(shè)置有上述任一實(shí)施例的整流電路，通過(guò)將整流電路中的MOSFET在PCB上集中設(shè)置，并采用散熱片覆蓋所有的MOSFET，使MOSFET產(chǎn)生的熱量傳遞到散熱片，通過(guò)散熱片向外散出，可以獲得較好的散熱效果，解決了在開(kāi)關(guān)電源輸出端的整流電路中具有多個(gè)MOSFET時(shí)的散熱問(wèn)題。
[0040]本說(shuō)明書(shū)中各個(gè)實(shí)施例均采用遞進(jìn)的方式描述，每個(gè)實(shí)施例重點(diǎn)說(shuō)明的都是與其它實(shí)施例的不同之處，各個(gè)實(shí)施例之間相同或相似的部分相互參見(jiàn)即可。
[0041]本實(shí)用新型的描述是為了示例和描述起見(jiàn)而給出的，而并不是無(wú)遺漏的或者將本實(shí)用新型限于所公開(kāi)的形式。很多修改和變化對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言是顯然的。選擇和描述實(shí)施例是為了更好說(shuō)明本實(shí)用新型的原理和實(shí)際應(yīng)用，并且使本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員能夠理解本實(shí)用新型從而設(shè)計(jì)適于特定用途的帶有各種修改的各種實(shí)施例。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種整流電路，其特征在于，包括: 二個(gè)以上金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管MOSFET，所述二個(gè)以上MOSFET在印制電路板PCB上集中設(shè)置;及 散熱片，所述散熱片覆蓋于所述二個(gè)以上MOSFET的上表面。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的整流電路，其特征在于，所述散熱片為一塊散熱片，覆蓋于所有MOSFET的上表面。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的整流電路，其特征在于，所述MOSFET為貼片封裝MOSFET。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的整流電路，其特征在于，在所述貼片封裝MOSFET的上表面設(shè)有裸露的電極金屬焊盤，所述裸露的電極金屬焊盤與所述散熱片接觸。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的整流電路，其特征在于，所述散熱片與所述PCB的地極連接。6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的整流電路，其特征在于，所述MOSFET為電力MOSFET。7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的整流電路，其特征在于，所述二個(gè)以上MOSFET在所述PCB上并排設(shè)置。8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的整流電路，其特征在于，所述散熱片為鋁散熱片或者銅散熱片。9.一種電源，其特征在于，包括:根據(jù)權(quán)利要求1至8任意一項(xiàng)所述的整流電路。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電源，其特征在于，所述整流電路設(shè)置于所述電源的輸出端。
【文檔編號(hào)】H05K7/20GK205670746SQ201620537279
【公開(kāi)日】2016年11月2日
【申請(qǐng)日】2016年6月3日
【發(fā)明人】張金寶, 陳娜
【申請(qǐng)人】北京比特大陸科技有限公司