專利名稱：減少工作電壓與溫度所造成的影響的推動電壓產生器的制作方法
技術領域：
本發(fā)明是有關于一種推動電壓產生器，且特別是有關于一種減少工作電壓與溫度所造成的影響的推動電壓產生器。
如

圖1為普通推動電壓產生器的電路圖所示，當推動電壓產生器100未工作時，在NMOS 102的柵極所接收的重置信號RESET為“H”(即高準位)，則NMOS 102導通，在提高電容Cx 104的電位Vx的電壓為0V，提高電容Cx 104的電位Vo的電壓為一提高電壓Vup。當推動電壓產生器100開始工作時，在NMOS 102的柵極所接收的重置信號RESET為“L”(即低準位)，則NMOS 102關閉，控制信號C0、C1、C2為“L”，使PMOS 106～114導通并對提高電容Cx 104充電。當提高電容Cx 104的電位Vx充電到電壓為VDD時，提高電容Cx 104的電位Vo的電壓為Vup+VDD×Cx/(Cx+Cy)，此電壓即為所要提高電壓準位。其中，電容Cy 116為寄生電容。
在圖1中，PMOS 106～114是同時導通的，但是并非同時關閉的，如圖2A為普通推動電壓產生器的工作曲線圖所示，當PMOS106～114同時導通時，電位Vo由電壓值V1充電到電壓值V2，而且由電壓偵測電路(未繪出)偵測到電位Vo的電壓值為V2，此時，控制信號C0由“L”轉為“H”，PMOS 106～108關閉，而提高電容Cx104的充電電流減少。因此，在圖2中，從電壓值V2繼續(xù)充電的充電斜率變小。
當電位Vo由電壓值V2充電到電壓值V3時，而且由電壓偵測電路(未繪出)偵測到電位Vo的電壓值為V3，此時，控制信號C1由“L”轉為“H”，PMOS 109～111關閉，而提高電容Cx 104的充電電流再次減少。因此，在圖2中，從電壓值V3繼續(xù)充電的充電斜率再次變小。
當電位Vo由電壓值V3充電到電壓值V4時，而且由電壓偵測電路(未繪出)偵測到電位Vo的電壓值為V4，此時，控制信號C2由“L”轉為“H”，PMOS 112～114關閉，而提高電容Cx 104不再充電。因此，在圖2中，從電壓值V4之后的充電斜率為0。
當電壓偵測電路(未繪出)偵測到電位Vo已經達到所要的提高電壓時，PMOS 106～114會全部關閉，使提高電容Cx 104不再充電。然而，當工作電壓改變或芯片溫度變化，會大大地影響電壓偵測電路(未繪出)所偵測的電壓值，因為工作電壓改變或芯片溫度變化，使電壓偵測電路(未繪出)內部用于比較的參考值會隨之改變，因此，推動電壓產生器100所提高的電壓值不再是所要的數(shù)值。
再者，假設此芯片的工作電壓與操作溫度分別為2.6V～3.7V與-40℃～85℃之間，如圖2B為普通推動電壓產生器操作在不同溫度的工作曲線圖所示，當芯片操作在溫度-40℃時，推動電壓產生器具有較高的充電斜率；當芯片操作在溫度85℃時，推動電壓產生器具有較低的充電斜率。同樣地，如圖2C為普通推動電壓產生器操作在不同工作電壓的工作曲線圖所示，當芯片的工作電壓為3.7V時，推動電壓產生器具有較高的充電斜率；當芯片的工作電壓為2.6V時，推動電壓產生器具有較低的充電斜率。當充電斜率愈高時，表示推動電壓產生器所輸出的充電電流愈大，則充電所需要的時間愈短；反之，表示推動電壓產生器所輸出的充電電流愈小，則充電所需要的時間愈長。因此，芯片操作在在溫度為85℃、工作電壓為2.6V的條件下，則推動電壓產生器對于所要提高的電壓的修正能力就很差(如充電電流小、充電時間長、充電的電壓值并非所要的)。在圖2B與圖2C中的兩條曲線，其最終電壓值的差異是由于電壓偵測電路所造成的，其原因如上所述。
本發(fā)明提供一種減少工作電壓與溫度所造成的影響的推動電壓產生器，其包括一延遲線電路與一電壓推動電路。延遲線電路用以根據(jù)一起始推動信號而做時間延遲，并產生一控制信號；以及，電壓推動電路用以根據(jù)控制信號以做電壓提高的工作。如此，當芯片的工作電壓與溫度改變時，使其不受工作電壓與溫度改變的影響，再者，當芯片操作低轉角點的操作條件時，推動電壓產生器仍然有很好的工作特性。
因此，本發(fā)明的優(yōu)點為有效改善因工作電壓與溫度改變所造成的提高電壓的誤差。
本發(fā)明的另一優(yōu)點是對芯片操作在低轉角點的條件下，具有極佳的補強修正能力。
100，370推動電壓產生器(Boost Level Generator)102，606，914，1414NMOS104提高電容Cx(Boost Capacitor Cx)106～114，1206，1208，1301～1309，1420PMOS116，1313寄生電容Cy(Parasitic Capacitor Cy)
372延遲線電路(Delay Line Circuit)374電壓推動電路(Boost Level Circuit)376電容402，702，714，1002，1318，1320，1322延遲線邏輯電路(DelayLine Logic Circuit)404，408，601～604，704，708，720，901～904，907，908，1004，1008，1201～1204，1312，1314，1326，1334，1344，1401～1408反相器406，706，718，1324，1332電壓補償延遲線電路410，710，724，1010，1328，1338，1348與非門(NAND Gate)608，610，1210，1212電容C612，614，930，934，1214，1216，1430，1432，1434反相器組712，1316時間延遲電路716，1330，1340RS正反器(RS Flip-Flop)722，1336，1346或非門(NOR Gate)910，1410，1412RC時間延遲電路936，1436，1438RC電路1006，1342電壓溫度補償延遲線電路1313重置用MOS(Reset MOS)
其中，電壓推動電路374可以是數(shù)個MOS所組成(如圖1所示)。電壓推動電路還包括一重置用MOS(如圖1的NMOS 102)，此重置用MOS(如圖1的NMOS 102)根據(jù)所接收的起始推動信號BST來重置電壓推動電路374所輸出的電壓。延遲線電路372可以是具有工作電壓補償或是溫度補償?shù)难舆t線電路372。如圖4為本發(fā)明具有電壓補償?shù)耐苿与妷寒a生器的電路方框圖所示，由電壓補償延遲線電路406、反相器408與與非門410組成一延遲線邏輯電路402。反相器404反相起始推動信號BSTB做反相，由反相器404輸出起始推動信號BST至電壓補償延遲線電路406和與非門410。電壓補償延遲線電路406接收起始推動信號BST，并將此起始推動信號BST做時間延遲，以輸出延遲起始推動信號BSTD至反相器408。此時，反相器408將延遲起始推動信號BSTD做反相之后，反相器408輸出延遲信號BSTDB至與非門410。與非門410根據(jù)起始推動信號BST與延遲信號BSTDB來做與非門運算，并輸出控制信號至電壓推動電路374。
圖5為圖4電路的控制信號時序圖。在圖5中(并參考圖4之圖標說明)，當反相起始推動信號BSTB在時間點t1由“H”轉“L”時，延遲線邏輯電路402在時間點t1使輸出的控制信號由“H”轉“L”，則電壓推動電路374對電容376充電。當電位Vo的電壓提高至所需的操作電壓時，延遲線邏輯電路402在時間點t2將控制信號由“L”轉“H”。若推動電壓產生器370的工作電壓改變時，電壓補償延遲線電路406會做工作電壓的補償，則因工作電壓的改變，控制信號可能在時間點t2’或t2”由“L”轉“H”。
在圖4中的電壓補償延遲線電路406的電路架構如圖6為本發(fā)明推動電壓產生器中的電壓補償延遲線電路的一較佳實施例的電路圖所示。在圖6中，在反相器組612中的反相器601的輸入端接收起始推動信號BST，在反相器601的輸出端輸出一反相信號NOT。開關用NMOS 606(也可使用PMOS)的電源端耦接至工作電壓VDD，開關用NMOS 606的控制端耦接至開關用NMOS 606的電源端，而此開關用NMOS 606是操作在飽和區(qū)。在反相器組612中的反相器602的電源端耦接至開關用NMOS 606的負載端，反相器602的接地端接地，反相器602的輸入端接收反相器601所輸出的反相信號NOT，反相器602的輸出端輸出一反相信號NOTB。在反相器組614中的反相器603的輸入端接收反相器602所輸出的反相信號NOTB，在反相器603的輸出端輸出一反相信號DB。在反相器組614中的反相器604的輸入端接收反相器603所輸出的反相信號DB，在反相器604的輸出端輸出一延遲起始推動信號BSTD。數(shù)個電容608、610的第一端并聯(lián)耦接至反相器602的輸出端與反相器603的輸入端之間，電容608、610的第二端接地。
在圖6中，電容C可以用MOS來完成電容的功能，電容C的個數(shù)取決于電壓補償延遲線電路406的充放電時間的長短，若要其充放電時間愈長，則需要電容C的個數(shù)就愈多；反之，則需要電容C的個數(shù)就愈少。反相器601～604可做隔離的效果，使外部的信號不會進入電容C 608、610充放電電路，而影響電容C 608、610充放電的電流大小與充電時間。另外，影響此電壓補償延遲線電路406的時間延遲長短，其在于工作電壓VDD，因為電容C 608、610是由反相器602進行充放電，而反相器602的工作電壓即為VDD。如此，當工作電壓VDD改變時，則電容C 608、610的充放電的的電流與時間也隨之改變，所以，電壓補償延遲線電路406可調整因工作電壓VDD改變而改變電壓推動電路374(參考圖3)對電容376(參考圖3)的充電時間，減少因工作電壓VDD的改變，而影響到推動電壓產生器370(參考圖3)的工作效能。
圖7為本發(fā)明具有電壓補償?shù)耐苿与妷寒a生器的另一種電路方框圖。在圖7中，由電壓補償延遲線電路706、反相器708和與非門710組成一延遲線邏輯電路702。反相器704反相起始推動信號BSTB做反相，由反相器704輸出起始推動信號BST至電壓補償延遲線電路706與與非門710。電壓補償延遲線電路706接收起始推動信號BST，并將此起始推動信號BST做時間延遲，以輸出延遲起始推動信號BSTD1至反相器708。此時，反相器708將延遲起始推動信號BSTD1做反相之后，反相器708輸出延遲信號BSTDB1至與非門710。與非門710根據(jù)起始推動信號BST與延遲信號BSTDB1來做與非門運算，并輸出控制信號C0至電壓推動電路374。
時間延遲電路712將起始推動信號BST做時間延遲，以輸出起始時間信號TIMEUPB延遲線邏輯電路714。由RS正反器716、電壓補償延遲線電路718、反相器720、或非門722與與非門724組成一延遲線邏輯電路714。RS正反器714根據(jù)延遲線邏輯電路702所輸出的延遲起始推動信號BSTD1與時間延遲電路712所輸出的起始時間信號TIMEUPB的狀態(tài)，以輸出信號FF1至電壓補償延遲線電路718與反相器720。電壓補償延遲線電路718接收信號FF1，并將此信號FF1做時間延遲，以輸出延遲起始推動信號BSTD2至或非門722。反相器720將所接收的信號FF1做反相，以輸出一反相信號FF1B至或非門722。或非門722根據(jù)反相信號FF1B與延遲信號BSTDB2來做或非門運算，并輸出信號BSTDB2至與非門724。與非門724根據(jù)起始推動信號BST與信號BSTDB2來做與非門運算，并輸出控制信號C1至電壓推動電路374。
圖8為圖7電路的控制信號時序圖。在圖8中(參考圖7的圖標說明)，在時間點t1，當信號BSTB由“H”轉“L”時，表示起始推動信號BST由“L”轉“H”，時間延遲電路712與延遲線邏輯電路702開始工作。而延遲線邏輯電路702在時間點t1也將控制信號C0由“H”轉“L”，使電壓推動電路374對電容376充電，如此使得電位Vo的電壓提高。
在時間點t3，因控制信號C0仍然在“L”的狀態(tài)下，延遲線電路316在經過一段延遲時間后，將起始時間信號TIMEUPB由“H”轉“L”并送至延遲線邏輯電路714，此時，延遲線邏輯電路702送出延遲信號BSTDB1為“H”至延遲線邏輯電路714，當延遲線邏輯電路714接收到為“L”的起始時間信號TIMEUPB與為“H”的延遲信號BSTDB1時，延遲線邏輯電路714開始工作。同樣在時間點t3，控制信號C1由“H”轉“L”，而使電壓推動電路374對電容376再次充電，如此使得電位Vo的電壓再次提高。
當推動電壓產生器370將提高的電壓達到所需的操作電壓之后，在時間點t5，信號BSTB由“L”轉“H”，即起始推動信號BST由“H”轉“L”。此時，時間延遲電路712、延遲線邏輯電路702與延遲線邏輯電路714不再工作，則控制信號C0與C1都為“H”。
若推動電壓產生器370的工作電壓改變時，電壓補償延遲線電路706、718會做工作電壓的補償，則因工作電壓的改變，控制信號C0、C1可能分別在時間點t2’或t2”與時間點t4’或t4”由“L”轉“H”。
在圖7中的電壓補償延遲線電路706、718的電路架構如圖6所示，而電壓補償延遲線電路706、718與圖6的電路架構的差異在于電壓補償延遲線電路706、718的輸入信號與輸出信號。電壓補償延遲線電路706的輸入信號為起始推動信號BST，而輸出信號為延遲信號BSTDB1；電壓補償延遲線電路706的輸入信號為信號FF1，而輸出信號為延遲信號BSTDB2，則電壓補償延遲線電路706、718的電路架構與圖6相同。
圖9為本發(fā)明推動電壓產生器中的時間延遲電路的一較佳實施例的電路圖。在圖9中，時間延遲電路712中的反相器901的輸入端接收起始推動信號BST，在反相器901的輸出端輸出一第一反相信號。反相器902的輸入端接收反相器901所輸出的第一反相信號，在反相器902的輸出端輸出一第二反相信號。在反相器組930中的反相器903的輸入端接收反相器902所輸出的該第一反相信號，在反相器903的輸出端輸出一第三反相信號。在反相器組930中的反相器904的輸入端接收反相器903所輸出的第三反相信號，在反相器904的輸出端輸出一第四反相信號。
RC時間延遲電路910的電源端耦接至工作電壓VDD，RC時間延遲電路910的第一信號輸入端接收反相器902所輸出的第二反相信號，RC時間延遲電路910的第二信號輸入端接收反相器904所輸出的第四反相信號，RC時間延遲電路910在做時間延遲之后，以產生時間延遲信號TD，并由時間延遲信號輸出端輸出時間延遲信號TD。
在反相器組934中的反相器907的輸入端接收RC時間延遲電路910所輸出的時間延遲信號TD，在反相器907的輸出端輸出一第五反相信號。在反相器組934中的反相器908的輸入端接收反相器907所輸出的第五反相信號，在反相器908的輸出端輸出起始時間信號TIMEUPB。
在圖9中，根據(jù)起始時間信號TIMEUPB的充放電的工作周期(Duty Cycle)，可以使用與RC時間延遲電路910相同的數(shù)組時間延遲電路，以對其工作周期做調整。RC時間延遲電路910中的開關用PMOS 914(也可使用NMOS)的電源端耦接至工作電壓VDD，開關用PMOS 914的控制端耦接至反相 902的輸出端，開關用PMOS 914的負載端提供充電電源至RC電路936，RC電路936將反相器904所送出的第四反相信號延遲一段時間后，再送出時間延遲信號TD至反相器907的輸入端。而RC電路936的電路型式很多，在圖4中的RC電路936為其中的一種接法，在此不多加描述。其中，RC電路936中的電容C可以用MOS來完成電容的功能，RC電路436中的電阻R系使用低溫度系數(shù)的電阻(如Poly R)，如此在做RC充放電時，其充電的電流大小與充電時間較不受溫度的影響。而且，時間延遲電路712中使用反相器組430、434的原因，除了使RC充放電到一定的準位切換電壓后，可進行“H”與“L”的準位切換，并有隔離RC電路的效果，使外部的信號不會進入RC充放電電路，而影響RC充放電的電流大小與充電時間。
圖10為本發(fā)明具有電壓與溫度補償?shù)耐苿与妷寒a生器的電路方框圖。在圖10中，由電壓溫度補償延遲線電路1006、反相器1008與與非門1010組成一延遲線邏輯電路1002。反相器1004反相起始推動信號BSTB做反相，由反相器1004輸出起始推動信號BST至電壓溫度補償延遲線電路1006與與非門1010。電壓溫度補償延遲線電路1006接收起始推動信號BST，并將此起始推動信號BST做時間延遲，以輸出延遲起始推動信號BSTD至反相器1008。此時，反相器1008將延遲起始推動信號BSTD做反相之后，反相器1008輸出延遲信號BSTDB至與非門1010。與非門1010根據(jù)起始推動信號BST與延遲信號BSTDB來做與非門運算，并輸出控制信號至電壓推動電路374。
圖11為圖10電路的控制信號時序圖。在圖11中(并參考圖10的圖標說明)，當反相起始推動信號BSTB在時間點t1由“H”轉“L”時，延遲線邏輯電路1002在時間點t1使輸出的控制信號由“H”轉“L”，則電壓推動電路374對電容376充電。當電位Vo的電壓提高至所需的操作電壓時，延遲線邏輯電路1002在時間點t2將控制信號由“L”轉“H”。若推動電壓產生器370的工作電壓與溫度改變時，電壓溫度補償延遲線電路1006會做工作電壓與溫度的補償，則因工作電壓與溫度的改變，控制信號可能在時間點t2’或t2”由“L”轉“H”。
圖12為本發(fā)明推動電壓產生器中的電壓溫度補償延遲線電路的一較佳實施例的電路圖。在圖12中，在反相器組1214中的反相器1201的輸入端接收起始推動信號BST，在反相器1201的輸出端輸出一反相信號NOT。開關用PMOS 1206(也可使用NMOS)的電源端耦接至工作電壓VDD，開關用PMOS 1206的控制端接地。開關用PMOS 1208的電源端耦接至開關用PMOS 1206的負載端，開關用PMOS 1208的控制端接地，而此開關用PMOS 1206、1208是操作在線性區(qū)(Linear Region)。在反相器組1214中的反相器1202的電源端耦接至開關用PMOS 1208的負載端，反相器1202的接地端接地，反相器1202的輸入端接收反相器1201所輸出的反相信號NOT，反相器1202的輸出端輸出一反相信號NOTB。在反相器組1216中的反相器1203的輸入端接收反相器1202所輸出的反相信號NOTB，在反相器1203的輸出端輸出一反相信號BSTDB。在反相器組1216中的反相器1204的輸入端接收反相器1203所輸出的反相信號BSTDB，在反相器1204的輸出端輸出一延遲起始推動信號BSTD。數(shù)個電容1210、1212的第一端并聯(lián)耦接至反相器1202的輸出端與反相器1203的輸入端之間，電容1210、1212的第二端接地。
在圖12中，電容C可以用MOS來完成電容的功能，電容C的個數(shù)取決于電壓溫度補償延遲線電路1006的充放電時間的長短，若要其充放電時間愈長，則需要電容C的個數(shù)就愈多；反之，則需要電容C的個數(shù)就愈小。反相器組1214、1216可做隔離的效果，使外部的信號不會進入電容C 1210、1212充放電電路，而影響電容C1210、1212充放電的電流大小與充電時間。另外，影響此電壓溫度補償延遲線電路1006的時間延遲長短，其在于工作電壓VDD以及芯片的溫度，因為電容C 1210、1212是由反相器1202進行充放電，而反相器1202的工作電壓即為VDD，并且，開關用PMOS 1206、1208操作線性區(qū)，流經開關用PMOS 1206、1208的操作電流易受溫度的影響，當芯片溫度愈高時，流經開關用PMOS 1206、1208的操作電流就愈?。环粗?，流經開關用PMOS 1206、1208的操作電流就愈大。如此，當工作電壓VDD改變或芯片溫度改變時，則電容1210、1212的充放電的的電流與時間也隨之改變，所以，此電壓溫度補償延遲線電路1006可調整因工作電壓VDD改變或芯片溫度改變而改變電壓推動電路374(參考圖10)對電容376(參考圖10)的充電時間，減少因工作電壓VDD的改變或芯片溫度的改變，而影響到推動電壓產生器370(參考圖10)的工作效能。
圖13為本發(fā)明具有電壓與溫度補償?shù)耐苿与妷寒a生器的另一電路方框圖。在圖13中，根據(jù)控制信號C0的“H”與“L”來使電壓推動用PMOS 301、302、303導通或關閉，來對提高電壓用的電容376與寄生電容Cy 1313充電，以決定在電位Vo的電壓提高時的運作的時間區(qū)段；根據(jù)控制信號C1的“H”與“L”來使電壓推動用PMOS 304、305、306導通或關閉，來對提高電壓用的電容376與寄生電容Cy 1313充電，以決定在電位Vo的電壓提高時之運作的時間區(qū)段；根據(jù)控制信號C2的“H”與“L”來使電壓推動用PMOS 307、308、309導通或關閉，來對提高電壓用的電容376與寄生電容Cy 1313充電，以決定在電位Vo的電壓提高時的運作的時間區(qū)段。前述電壓推動用PMOS1301～1309(即為圖3中的電壓推動電路374)的個數(shù)需視推動電壓產生器370的充電電流大小與充電時間長短來決定，其個數(shù)并非固定不變的，而且，電壓推動用PMOS也可使用NMOS。
重置用NMOS 1310(在本實施例是使用NMOS，也可使用PMOS)根據(jù)所接收的反相起始推動信號BSTB，來重置電壓推動用PMOS1301～1309在電位Vo所輸出的電壓。反相器1312的輸入端接收反相起始推動信號BSTB，在反相器1312的輸出端輸出起始推動信號BST。反相器1314的輸入端接收起始推動信號BST，在反相器1314的輸出端輸出反相起始推動信號BSTB。
時間延遲電路1316將起始推動信號BST做時間延遲，以產生起始時間信號TIMEUP0B與起始時間信號TIMEUP1B，其中起始時間信號TIMEUP0B、起始時間信號TIMEUP1B與起始推動信號BST之間有不同的延遲時間。
延遲線邏輯電路1318(包含在圖3中的延遲線電路372)具有補償工作電壓的變化的功能，延遲線邏輯電路318將起始推動信號BST做時間延遲與邏輯判斷，以產生延遲信號DEL1與控制信號C0。延遲線邏輯電路1320(包含在圖3中的延遲線電路372)也具有補償工作電壓的變化的功能，延遲線邏輯電路1320將起始推動信號BST、延遲信號DEL1與起始時間信號TIMEUP0B做時間延遲與邏輯判斷，以產生延遲信號DEL2與控制信號C1。延遲線邏輯電路1322(包含在圖3中的延遲線電路372)具有補償工作電壓與芯片溫度的變化的功能，延遲線邏輯電路1322將起始推動信號BST、延遲信號DEL2與起始時間信號TIMEUP1B做時間延遲與邏輯判斷，以產生控制信號C2。
在圖13中，延遲線邏輯電路1318更包括一電壓補償延遲線電路1324、一反相器1326與一與非門1328。電壓補償延遲線電路1324將起始推動信號BST做時間延遲，以產生一延遲起始推動信號BSTD1。反相器1326的輸入端接收電壓補償延遲線電路1324所輸出的延遲起始推動信號BSTD1，在反相器1326的輸出端輸出延遲信號DEL1。與非門1328根據(jù)起始推動信號BST與延遲信號DEL1來做與非門運算，以得到控制信號C0。
在圖13中，延遲線邏輯電路1320更包括一RS正反器1330、一電壓補償延遲線電路1332、一反相器1334、一或非門1336與一與非門1338。RS正反器1330的S端接收延遲信號DEL1，RS 正反器1330的R端接收起始時間信號TIMEUP0B，并根據(jù)起始時間信號TIMEUP0B與延遲信號DEL1，以產生正反器信號FF1。電壓補償延遲線電路1332將RS正反器1330所輸出的正反器信號FF1做時間延遲，以產生一延遲起始推動信號BSTD2。反相器1334的輸入端接收RS正反器1330所輸出的正反器信號FF1，在輸出端輸出一反相信號FF1B?；蚍情T1336根據(jù)電壓補償延遲線電路1332所輸出的延遲起始推動信號BSTD2與反相器1334所輸出的反相信號FF1B來做或非門運算，以得到延遲信號DEL2。與非門1338根據(jù)起始推動信號BST與或非門1336所輸出的延遲信號DEL2來做與非門運算，以得到控制信號C1。
在圖13中，延遲線邏輯電路1322更包括一RS正反器1340、一電壓溫度補償延遲線電路1342、一反相器1344、一或非門1346與一與非門1348。RS正反器1340的S端接收延遲信號DEL2，RS正反器1330的R端接收起始時間信號TIMEUP1B，并根據(jù)起始時間信號TIMEUP1B與延遲信號DEL2，以產生正反器信號FF2。電壓溫度補償延遲線電路1342將RS正反器1340所輸出的正反器信號FF2做時間延遲，以產生一延遲起始推動信號BSTD3。反相器1344的輸入端接收RS正反器1340所輸出的正反器信號FF2，在輸出端輸出一反相信號FF2B?；蚍情T1346根據(jù)電壓溫度補償延遲線電路1342所輸出的延遲起始推動信號BSTD3與反相器1344所輸出的反相信號FF2B來做或非門運算，以得到延遲信號DEL3。與非門1348根據(jù)起始推動信號BST與或非門1346所輸出的延遲信號DEL3來做與非門運算，以得到控制信號C2。
圖14為本發(fā)明推動電壓產生器中的時間延遲電路的另一較佳實施例的電路圖，在圖14中，時間延遲電路712中的反相器1401的輸入端接收起始推動信號BST，在反相器1401的輸出端輸出一第一反相信號。反相器1402的輸入端接收反相器1401所輸出的第一反相信號，在反相器1402的輸出端輸出一第二反相信號。在反相器組1430中的反相器1403的輸入端接收反相器1402所輸出的該第一反相信號，在反相器1403的輸出端輸出一第三反相信號。在反相器組1430中的反相器1404的輸入端接收反相器1403所輸出的第三反相信號，在反相器1404的輸出端輸出一第四反相信號。
時間延遲電路1410的電源端耦接至工作電壓VDD，時間延遲電路1410的第一信號輸入端接收反相器1402所輸出的第二反相信號，時間延遲電路1410的第二信號輸入端接收反相器1404所輸出的第四反相信號，時間延遲電路1410在做時間延遲之后，以產生時間延遲信號TD1，并由時間延遲信號輸出端輸出時間延遲信號TD1。時間延遲電路1412的該電源端耦接至工作電壓VDD，時間延遲電路1412的第一信號輸入端接收反相器1402所輸出的第二反相信號，時間延遲電路1412的第二信號輸入端接收時間延遲電路1410所輸出的時間延遲信號TD1，時間延遲電路1412在做時間延遲之后，以產生時間延遲信號TD2，并由時間延遲信號輸出端輸出延遲信號TD2。
在反相器組1434中的反相器1407的輸入端接收時間延遲電路1410所輸出的時間延遲信號TD1，在反相器1407的輸出端輸出一第五反相信號。在反相器組1434中的反相器1408的輸入端接收反相器1407所輸出的第五反相信號，在反相器1408的輸出端輸出起始時間信號TIMEUP0B。在反相器組1432中的反相器1405的輸入端接收時間延遲電路1412所輸出的時間延遲信號TD2，在反相器1405的輸出端輸出一第七反相信號。在反相器組1434中的反相器1406的輸入端可接收反相器1405所輸出的第七反相信號，在反相器1406的輸出端輸出起始時間信號TIMEUP1B。
在圖14中，根據(jù)起始時間信號TIMEUP0B的充放電的工作周期，可以使用與時間延遲電路1410相同的數(shù)組時間延遲電路，以對其工作周期做調整。同樣地，根據(jù)起始時間信號TIMEUP1B的充放電的工作周期，可以使用與時間延遲電路1412相同的數(shù)組時間延遲電路，以對其工作周期做調整。
在圖14中，時間延遲電路1410中的開關用PMOS 1414(也可使用NMOS)的電源端耦接至工作電壓VDD，開關用PMOS 1414的控制端耦接至反相器1402的輸出端，開關用PMOS 1414的負載端提供充電電源至RC電路1436，RC電路1436將反相器1404所送出的第四反相信號延遲一段時間后，再送出時間延遲信號TD1至反相器1407的輸入端。而RC電路1436的電路型式很多，在圖14中的RC電路1436為其中的一種接法，在此不多加描述。同樣地，時間延遲電路1412中的開關用PMOS 1420(也可使用NMOS)的電源端耦接至工作電壓VDD，開關用PMOS 1420的控制端耦接至反相器1402的輸出端，開關用PMOS 1420的負載端提供充電電源至RC電路1438，RC電路1438將時間延遲電路1410所送出的時間延遲信號TD1延遲一段時間后，再送出時間延遲信號TD2至反相器1405的輸入端。其中，RC電路1436、1438中的電容C可以用MOS來完成電容的功能，RC電路1436、1438中的電阻R系使用低溫度系數(shù)的電阻(如Poly R)，如此在做RC充放電時，其充電的電流大小與充電時間較不受溫度的影響。而且，時間延遲電路712中使用反相器組1410、1434的原因，除了使RC充放電到一定的準位切換電壓后，可進行“H”與“L”的準位切換，并有隔離RC電路的效果，使外部的信號不會進入RC充放電電路，而影響RC充放電的電流大小與充電時間。
在圖13中的電壓補償延遲線電路1324、1332的電路架構如圖6所示，而電壓補償延遲線電路1324、1332與圖6的電路架構的差異在于電壓補償延遲線電路1324、1332的輸入信號與輸出信號。電壓補償延遲線電路1324的輸入信號為起始推動信號BST，而輸出信號為延遲信號BSTDB1；電壓補償延遲線電路1332的輸入信號為正反器信號FF1，而輸出信號為延遲信號BSTDB2，則電壓補償延遲線電路1324、1332的電路架構與圖6相同。再者，在圖13中的電壓溫度補償延遲線電路1342與圖12的電路架構的差異在于電壓溫度補償延遲線電路1342的輸入信號與輸出信號。電壓溫度補償延遲線電路1342的輸入信號為正反器信號FF2，而輸出信號為延遲信號BSTDB3，則電壓溫度補償延遲線電路1342的電路架構與圖12相同。
圖15為圖13電路的控制信號時序圖。在圖15中，考慮此芯片在正常操作的范圍的工作電壓與操作溫度分別為2.6V～3.7V與-40℃～85℃之間，以極端的工作電壓與操作溫度可定義2.6V與85℃為低轉角點及3.7V與-40℃為高轉角點(High Corner)。以低轉角點為操作條件(工作電壓為2.6V，操作溫度為85℃)并參考圖13做以下的說明。在時間點t1，當信號BSTB由“H”轉“L”時，表示起始推動信號BST由“L”轉“H”，時間延遲電路1316與延遲線邏輯電路1318開始工作。而延遲線邏輯電路1318在時間點t1也將控制信號C0由“H”轉“L”，使PMOS 1301～1303導通，如此使得電位Vo的電壓提高。
在時間點t2，因控制信號C0仍然在“L”的狀態(tài)下，時間延遲電路13 16在經過一段延遲時間后，將起始時間信號TIMEUP0B由“H”轉“L”并送至延遲線邏輯電路1320，此時，延遲線邏輯電路1318送出延遲信號DEL1為“H”至延遲線邏輯電路1320，當延遲線邏輯電路1320接收到為“L”的起始時間信號TIMEUP0B與為“H”的延遲信號DEL1時，延遲線邏輯電路1320開始工作。同樣在時間點t2，控制信號C1由“H”轉“L”，而使PMOS 1304～1306導通，如此使得電位Vo的電壓再次提高。
在時間點t3，因控制信號C1仍然在“L”的狀態(tài)下，時間延遲電路1316起始時間信號TIMEUP1B由“H”轉“L”并送至延遲線邏輯電路1322，此時，延遲線邏輯電路1320送出延遲信號DEL2為“H”至延遲線邏輯電路1320，當延遲線邏輯電路1322接收到為“L”的起始時間信號TIMEUP1B與為“H”的延遲信號DEL2時，延遲線邏輯電路1322開始工作。同樣在時間點t3，控制信號C2由“H”轉“L”，而使PMOS 1307～1309導通，如此使得電位Vo的電壓再次提高。
當推動電壓產生器370將提高的電壓達到所需的操作電壓時，即在時間點t4，信號BSTB由“L”轉“H”，即起始推動信號BST由“H”轉“L”。此時，時間延遲電路1316、延遲線邏輯電路1318、延遲線邏輯電路1320與延遲線邏輯電路1322不再工作，則控制信號C0、C1與C2都為“H”。
若推動電壓產生器370操作在高轉角點的操作條件(工作電壓為3.7V，操作溫度為-40℃)下，則因為延遲線邏輯電路1318、延遲線邏輯電路1320與延遲線邏輯電路1322的內部電路的充電電流增大，將使其充電時間縮短。如圖15所示，控制信號C0由“L”轉“H”的時間位置由時間點t1’移至時間點t1”，此時，起始時間信號TIMEUP0B仍然在“H”的狀態(tài)下，表示在電位Vo的電壓已經提高到所需的操作電壓，則信號BSTB在時間點t1”由“L”轉“H”，而控制信號C1、控制信號C2、起始時間信號TIMEUP0B與起始時間信號TIMEUP1B將不會發(fā)生由“H”轉“L”的狀態(tài)。
若控制信號C0由“L”轉“H”的時間位置是在時間點t2與時間點t1’之間，且起始時間信號TIMEUP0B在時間點t2由“H”轉“L”，則控制信號C1也在時間點t2由”H”轉”L”。當控制信號C1由”L”轉”H”的時間位置由時間點t2’移至時間點t2”，此時，起始時間信號TIMEUP1B仍然在“H”的狀態(tài)下，表示在電位Vo的電壓已經提高到所需的操作電壓，而起始時間信號TIMEUP1B仍在時間點t3由“H”轉“L”，但控制信號C2會根據(jù)起始時間信號TIMEUP1B與控制信號C1的狀態(tài)而決定是否要由“H”轉“L”。
若控制信號C1由“L”轉“H”的時間位置是在時間點t3與時間點t2’之間，且起始時間信號TIMEUP1B在時間點t3由“H”轉“L”，則控制信號C2也在時間點t2由“H”轉“L”?？刂菩盘朇2由“L”轉“H”的時間位置由時間點t3移至時間點t3’，如此，推動電壓產生器370將提高的電壓達到所需的操作電壓，其所花費的時間可縮短。接著，在時間點t4，信號BSTB會將狀態(tài)由“L”轉“H”，使NMOS 1310(參考圖13)對電位Vo進行重置的工作。但一般推動電壓產生器370是操作在工作電壓與操作溫度分別為2.6V～3.7V與-40℃～85℃之間，所以控制信號C0由“L”轉“H”的時間位置是在時間點t1’移至時間點t1”之間，其它信號也同。
圖16為圖13的推動電壓產生器的工作曲線圖，并對照圖15的時序圖與圖13的電路圖加以說明。當在時間點t1時，信號BSTB由“H”轉“L”，而控制信號C0也由“H”轉“L”，推動電壓產生器374將電位Vo由電壓V1開始提高。在時間點t2，控制信號C1由“H”轉“L”，推動電壓產生器374將電位Vo由電壓V2再次提高。在時間點t3，控制信號C2由“H”轉“L”，推動電壓產生器374將電位Vo由電壓V3繼續(xù)提高。在時間點t3’時，控制信號C0、控制信號C1與控制信號C2都為“H”，表示推動電壓產生器300將提高的電壓達到所需的操作電壓V4。在時間點t4時，信號BSTB由“L”轉“H”，使NMOS 1310導通，提高電容Cx 376與寄生電容Cy 1313開始放電，則使得電位Vo的電壓從V4開始下降。
綜上所述，當芯片的工作電壓與溫度改變時，即設計兩種不同的延遲線電路，一種延遲線電路是當工作電壓改變時，可隨之改變延遲線電路的充電時間與電壓推動用MOS導通的個數(shù)，以因應工作電壓改變。另一種延遲線電路是當工作電壓與溫度改變時，也可隨之改變延遲線電路的充電時間與電壓推動用MOS導通的個數(shù)，以因應工作電壓與溫度改變。如此，推動電壓產生器在不受工作電壓與溫度改變的影響，可使推動電壓產生器能夠確實地提高電壓到所需的操作電壓。再者，當芯片操作低轉角點的操作條件時，仍可由推動電壓產生器內部的數(shù)組延遲線電路，其調整延遲線電路的充電時間與電壓推動用MOS導通的個數(shù)，使推動電壓產生器仍然有很好的工作特性。
權利要求
1.一種減少工作電壓與溫度所造成的影響的推動電壓產生器，其特征是，其包括一根據(jù)一起始推動信號而做時間延遲的、并產生一控制信號的延遲線電路；以及一根據(jù)該控制信號做電壓提高工作的電壓推動電路。
2.如權利要求1所述的減少工作電壓與溫度所造成的影響的推動電壓產生器，其特征是，該推動電壓產生器更包括一電容，該電容耦接至該電壓推動電路。
3.如權利要求1所述的減少工作電壓與溫度所造成的影響的推動電壓產生器，其特征是，該電壓推動電路是由多個MOS組成。
4.如權利要求3所述的減少工作電壓與溫度所造成的影響的推動電壓產生器，其特征是，該電壓推動電路更包括一重置用MOS，該重置用MOS根據(jù)所接收的該起始推動信號，重置該些MOS所輸出的電壓。
5.如權利要求1所述的減少工作電壓與溫度所造成的影響的推動電壓產生器，其特征是，該延遲線電路為一延遲線邏輯電路，該延遲線邏輯電路用以補償該工作電壓的變化，根據(jù)該起始推動信號來做時間延遲與邏輯判斷，以產生該控制信號。
6.如權利要求1所述的減少工作電壓與溫度所造成的影響的推動電壓產生器，其特征是，該延遲線電路為一延遲線邏輯電路，該延遲線邏輯電路用以同時補償該工作電壓與該溫度的變化的功能，將該起始推動信號做時間延遲與邏輯判斷，以產生該控制信號。
7.如權利要求1所述的減少工作電壓與溫度所造成的影響的推動電壓產生器，其特征是，該延遲線電路更包括一時間延遲電路，該電路將該起始推動信號做時間延遲，產生一起始時間信號；一第一延遲線邏輯電路，該電路補償該工作電壓的變化，將該起始推動信號做時間延遲與邏輯判斷，產生一第一延遲信號與一第一控制信號；以及一第二延遲線邏輯電路，該電路同時補償該工作電壓與溫度的變化，將該第一延遲信號、該第二起始時間信號與該起始推動信號做時間延遲與邏輯判斷，產生一第二控制信號；其中，該電壓推動電路根據(jù)該第一控制信號與該第二控制信號，以做電壓提高的工作。
8.如權利要求5所述的減少工作電壓與溫度所造成的影響的推動電壓產生器，其特征是，該延遲線邏輯電路更包括一第一電壓補償延遲線電路，將該起始推動信號做時間延遲，產生一第一延遲起始推動信號；一第一反相器，將該第一延遲起始推動信號做反相，輸出一第一延遲信號；以及一第一與非門，根據(jù)該起始推動信號與該第一延遲信號來做與非門運算，輸出一第一控制信號至該電壓推動電路。
9.如權利要求8所述的減少工作電壓與溫度所造成的影響的推動電壓產生器，其特征是，該第一電壓補償延遲線電路更包括一第一反相器組，將該起始推動信號做反相，輸出一第二反相信號；一第一開關MOS，該第一開關MOS的電源端耦接至一工作電壓，該第一開關MOS的控制端耦接至該第一開關MOS的電源端，該第一開關MOS的負載端提供電源至該該第一反相器組；一第二反相器組，將該第二反相信號做反相，輸出一第一延遲起始推動信號；以及一第一電容，該第一電容的第一端耦接至該第一反相器組的輸出端與該第二反相器組的輸入端之間，該第一電容的第二端接地。
10.如權利要求9所述的減少工作電壓與溫度所造成的影響的推動電壓產生器，其特征是，該第一延遲線邏輯電路更可包括一時間延遲電路，將該起始推動信號做時間延遲，產生一起始時間信號；以及一第二延遲線邏輯電路，補償該工作電壓的變化，將該起始推動信號、該起始時間信號與該第一延遲起始推動信號做時間延遲與邏輯判斷，產生一第二控制信號。
11.如權利要求10所述的減少工作電壓與溫度所造成的影響的推動電壓產生器，其特征是，該第二延遲線邏輯電路用該第二延遲線邏輯電路包括一第一RS正反器，根據(jù)該起始時間信號與該第一延遲信號，產生一第一正反器信號；一第二電壓補償延遲線電路，將該第一正反器信號做時間延遲，產生一第二延遲起始推動信號；一第二反相器，將該第一正反器信號做反相，輸出一第三反相信號；一第一或非門，根據(jù)該第二延遲起始推動信號與該第三反相信號來做或非門運算，輸出一第二延遲信號；以及一第二與非門，根據(jù)該起始推動信號與該第二延遲信號來做與非門運算，輸出一第二控制信號至該電壓推動電路。
12.如權利要求11所述的減少工作電壓與溫度所造成的影響的推動電壓產生器，其特征是，該第二電壓補償延遲線電路更包括一第三反相器組，將該第一正反器信號做反相，輸出一第四反相信號；一第二開關MOS，該第二開關MOS的電源端耦接至該工作電壓，該第二開關MOS的控制端耦接至該第二開關MOS的電源端，該第二開關MOS的負載端提供電源至該該第三反相器組；一第四反相器組，將該第四反相信號做反相，輸出該第二延遲起始推動信號；以及一第二電容，該第二電容的第一端耦接至該第三反相器組的輸出端與該第四反相器組的輸入端之間，該第二電容的第二端接地。
13.如權利要求8所述的減少工作電壓與溫度所造成的影響的推動電壓產生器，其特征是，該時間延遲電路更包括一第二反相器，將該起始推動信號做反相，輸出一第二反相信號；一第三反相器，將該第二反相信號做反相，輸出一第三反相信號；一第一反相器組，將該第一反相信號做反相，輸出一第四反相信號；一RC時間延遲電路，根據(jù)該第三反相信號與該第四反相信號并做時間延遲之后，產生一RC時間延遲信號；以及一第二反相器組，將該RC時間延遲信號做反相，輸出該起始時間信號。
14.如權利要求13所述的減少工作電壓與溫度所造成的影響的推動電壓產生器，其特征是，該RC時間延遲電路更包括一開關MOS，該開關MOS的電源端耦接至該工作電壓，該開關MOS的控制端耦接至該第三反相器的輸出端；以及一RC電路，由該開關MOS的負載端提供充電電源至該RC電路，該RC電路將該第四反相信號延遲一段時間后，送出該RC時間延遲信號至該第二反相器組。
15.如權利要求6所述的減少工作電壓與溫度所造成的影響的推動電壓產生器，其特征是，該延遲線邏輯電路更包括一第一反相器，將該起始推信號反相，輸出產生一第一反相信號；一電壓溫度補償延遲線電路，將該第一反相信號做時間延遲，產生一延遲信號；一第二反相器，將延遲起始推動信號做反相，輸出一反相延遲信號；以及一與非門，根據(jù)該第一反相信號與該反相延遲信號來做與非門運算，輸出該控制信號。
16.如權利要求15所述的減少工作電壓與溫度所造成的影響的推動電壓產生器，其特征是，該電壓溫度補償延遲線電路更包括一第一反相器組，該第一反相器組接收該第一反相信號，該反相器組輸出一第三反相信號；一第一開關MOS，該第一開關MOS的電源端耦接至該工作電壓，該第一開關MOS的控制端接地；一第二開關MOS，該第二開關MOS的電源端耦接至該第一開關MOS的負載端，該第二開關MOS的控制端接地，該第二開關MOS的負載端提供電源至該第一反相器組；一第二反相器組，該第二反相器組接收該第三反相信號，該第二反相器組輸出該延遲信號；以及一電容，該電容的第一端耦接至該第一反相器組的輸出端與該第二反相器的輸入端之間，該電容的第二端接地。
17.如權利要求7所述的減少工作電壓與溫度所造成的影響的推動電壓產生器，其特征是，該時間延遲電路更包括一第一反相器，將該起始推動信號做反相，輸出一第一反相信號；一第二反相器，將該第一反相信號做反相，輸出一第二反相信號；一第一反相器組，將該第一反相信號做反相，輸出端輸出一第三反相信號；一RC時間延遲電路，根據(jù)該第二反相信號與該第三反相信號并做時間延遲之后，產生一RC時間延遲信號；以及一第二反相器組，將該RC時間延遲信號做反相，輸出該起始時間信號。
18.如權利要求17所述的減少工作電壓與溫度所造成的影響的推動電壓產生器，其特征是，該第一RC時間延遲電路更包括一開關MOS，該開關MOS的電源端耦接至該工作電壓，該開關MOS的控制端耦接至該第二反相器；以及一RC電路，由該開關MOS的負載端提供充電電源至該RC電路，該RC電路將該第三反相信號延遲一段時間后，送出該RC時間延遲信號至該第二反相器組。
19.如權利要求1所述的減少工作電壓與溫度所造成的影響的推動電壓產生器，其特征是，該電壓推動電路更包括一第一電壓推動電路，根據(jù)一第一控制信號以決定電壓提高的運作的時間區(qū)段；一第二電壓推動電路，根據(jù)一第二控制信號以決定電壓提高的運作的時間區(qū)段；以及一第三電壓推動電路，根據(jù)一第三控制信號以決定電壓提高的運作的時間區(qū)段。
20.如權利要求19所述的減少工作電壓與溫度所造成的影響的推動電壓產生器，其特征是，該第一電壓推動電路、該第二電壓推動電路與該第三電壓推動電路是由一MOS組成。
21.如權利要求19所述的減少工作電壓與溫度所造成的影響的推動電壓產生器，其特征是，該推動電壓產生器更包括一重置用MOS，根據(jù)所接收的該起始推動信號，重置該第一電壓推動電路、該第二電壓推動電路與該第三電壓推動電路所輸出的電壓。
22.如權利要求1所述的減少工作電壓與溫度所造成的影響的推動電壓產生器，其特征是，該延遲線電路更包括一時間延遲電路，將一起始推動信號做時間延遲，產生一第一起始時間信號與一第二起始時間信號；一第一延遲線邏輯電路，補償該工作電壓的變化，將該起始推動信號做時間延遲與邏輯判斷，產生一第一延遲信號與該第一控制信號；一第二延遲線邏輯電路，補償該工作電壓的變化，將該第一延遲信號、該第一起始時間信號與該起始推動信號做時間延遲與邏輯判斷，產生一第二延遲信號與該第二控制信號；以及一第三延遲線邏輯電路，補償該工作電壓與該溫度的變化，將該第二延遲信號、該第二起始時間信號與該起始推動信號做時間延遲與邏輯判斷，產生該第三控制信號。
23.如權利要求22所述的減少工作電壓與溫度所造成的影響的推動電壓產生器，其特征是，該時間延遲電路更包括一第一反相器，將該起始推動信號做反相，輸出一第一反相信號；一第二反相器，將該第一反相信號做反相，輸出一第二反相信號；一第一反相器組，將該第一反相信號做反相，輸出端輸出一第三反相信號；一第一RC時間延遲電路，根據(jù)該第二反相信號與該第三反相信號并做時間延遲之后，產生一第一RC時間延遲信號；一第二RC時間延遲電路，根據(jù)該第二反相信號與該第一時間延遲信號并做時間延遲之后，產生一第二RC時間延遲信號；一第二反相器組，將該第一RC時間延遲信號做反相，輸出端輸出該第一起始時間信號；以及一第三反相器，將該第二RC時間延遲信號做反相，輸出該第二起始時間信號。
24.如權利要求23所述的減少工作電壓與溫度所造成的影響的推動電壓產生器，其特征是，該第一RC時間延遲電路更包括一第一開關MOS，該第一開關MOS的電源端耦接至該工作電壓，該第一開關MOS的控制端耦接至該第二反相器；以及一第一RC電路，由該第一開關MOS的負載端提供充電電源至該第一RC電路，該第一RC電路將該第三反相信號延遲一段時間后，送出該第一RC時間延遲信號至該第二反相器組。
25.如權利要求24所述的減少工作電壓與溫度所造成的影響的推動電壓產生器，其特征是，該第二RC時間延遲電路更包括一第二開關MOS，該第二開關MOS的電源端耦接至該工作電壓，該第二開關MOS的控制端耦接至該第二反相器；以及一第二RC電路，由該第二開關MOS的負載端提供充電電源至該第二RC電路，該第二RC電路將該第一RC時間延遲信號延遲一段時間后，送出該第二RC時間延遲信號至該第二反相器組。
26.如權利要求22所述的減少工作電壓與溫度所造成的影響的推動電壓產生器，其特征是，該第一延遲線邏輯電路更包括一第一電壓補償延遲線電路，將該起始推動信號做時間延遲，產生一第一延遲起始推動信號；一第一反相器，將該第一延遲起始推動信號做反相，輸出該第一延遲信號；以及一第一與非門，根據(jù)該起始推動信號與該第一延遲信號來做與非門運算，輸出該第一控制信號。
27.如權利要求26所述的減少工作電壓與溫度所造成的影響的推動電壓產生器，其特征是，該第一電壓補償延遲線電路更包括一第一反相器組，將該起始推動信號做反相，輸出端輸出一第二反相信號；一第一開關MOS，該第一開關MOS的電源端耦接至一工作電壓，該第一開關MOS的控制端耦接至該第一開關MOS的電源端，該第一開關MOS的負載端提供電源至該第一反相器組；一第二反相器組，將該第二反相信號做反相，輸出一第一延遲起始推動信號；以及一第一電容，該第一電容的第一端耦接至該第一反相器組的輸出端與該第二反相器組的輸入端之間，該第一電容的第二端接地。
28.如權利要求27所述的減少工作電壓與溫度所造成的影響的推動電壓產生器，其特征是，該第二延遲線邏輯電路更包括一第一RS正反器，根據(jù)該第一起始時間信號與該第一延遲信號，產生一第一正反器信號；一第二電壓補償延遲線電路，將該第一正反器信號做時間延遲，產生一第二延遲起始推動信號；一第二反相器，將該第一正反器信號做反相，輸出一第三反相信號；一第一或非門，根據(jù)該第二延遲起始推動信號與該第三反相信號來做或非門運算，輸出該第二延遲信號；以及一第二與非門，根據(jù)該起始推動信號與該第二延遲信號來做與非門運算，輸出該第二控制信號。
29.如權利要求28所述的減少工作電壓與溫度所造成的影響的推動電壓產生器，其特征是，該第二電壓補償延遲線電路更包括一第三反相器組，將該第一正反器信號做反相，輸出一第四反相信號；一第二開關MOS，該第二開關MOS的電源端耦接至該工作電壓，該第二開關MOS的控制端耦接至該第二開關MOS的電源端，該第二開關MOS的負載端提供電源至該第三反相器組；一第四反相器組，將該第四反相信號做反相，輸出一第二延遲起始推動信號；以及一第二電容，該第二電容的第一端耦接至該第三反相器組的輸出端與該第四反相器組的輸入端之間，該第二電容的第二端接地。
30.如權利要求29所述的減少工作電壓與溫度所造成的影響的推動電壓產生器，其特征是，該第三延遲線邏輯電路更包括一第二RS正反器，根據(jù)該第二起始時間信號與該第二延遲信號，產生一第二正反器信號；一電壓溫度補償延遲線電路，將該第二正反器信號做時間延遲，產生一第三延遲起始推動信號；一第三反相器，將第二正反器信號做反相，輸出一第五反相信號；一第二或非門，根據(jù)該第三延遲起始推動信號與該第五反相信號來做或非門運算，輸出一第三延遲信號；以及一第三與非門，根據(jù)該起始推動信號與該第三延遲信號來做與非門運算，輸出該第三控制信號。
31.如權利要求30所述的減少工作電壓與溫度所造成的影響的推動電壓產生器，其特征是，該電壓溫度補償延遲線電路更包括一第五反相器組，將該第二正反器信號做反相，輸出一第六反相信號；一第三開關MOS，該第三開關MOS的電源端耦接至該工作電壓，該第三開關MOS的控制端接地；一第四開關MOS，該第四開關MOS的電源端耦接至該第三開關MOS的負載端，該第四開關MOS的控制端接地，該第四開關MOS的負載端提供電源至該第五反相器組；一第六反相器組，將該第六反相信號做反相，輸出一第三延遲起始推動信號；以及一第三電容，該第三電容的第一端耦接至該第五反相器的輸出端與該第六反相器的輸入端之間，該第三電容的第二端接地。
全文摘要
一種減少工作電壓與溫度所造成的影響的推動電壓產生器，包括一延遲線電路與一電壓推動電路。延遲線電路用于根據(jù)一起始推動信號而做時間延遲，并產生一控制信號；以及，電壓推動電路用于根據(jù)控制信號以做電壓提高的工作。
文檔編號H03K17/14GK1417947SQ0113138
公開日2003年5月14日 申請日期2001年10月29日 優(yōu)先權日2001年10月29日
發(fā)明者許獻文, 林俞伸, 洪俊雄, 劉和昌 申請人:旺宏電子股份有限公司