專利名稱：端面反射型表面波濾波器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及作為頻帶濾波器使用的表面波濾波器，具體地說，涉及利用BGS波和洛夫波這樣的SH型表面波的端面反射型表面波濾波器。
現(xiàn)有技術(shù)以前，作為BGS波和洛夫波等SH型表面波的端面反射型表面波裝置，已知縱向耦合諧振器型彈性表面波濾波器。在端面反射型表面波裝置中，表面波在方向相對的2個(gè)端面間反射。從而，由于不需要反射器，因此可實(shí)現(xiàn)表面波濾波器等表面波裝置的小型化。
圖14示出了現(xiàn)有端面反射型縱向耦合諧振器型表面波濾波器。縱向耦合諧振器型表面波濾波器101具有壓電基片102。在壓電基片102的上表面，隔開預(yù)定距離彼此平行地形成第1、第2溝102a、102b。在溝102a、102b之間，形成用于構(gòu)成縱向耦合諧振器型彈性表面波濾波器的2個(gè)IDT103、104。
此外，構(gòu)成第1、第2溝102a、102b的IDT103、104側(cè)的側(cè)面構(gòu)成使SH型表面波反射的反射端面。
發(fā)明要解決的問題在上述縱向諧振器型彈性表面波濾波器101中，因?yàn)椴恍枰瓷淦鞫梢詫?shí)現(xiàn)小型化，但要求進(jìn)一步擴(kuò)大頻帶外的衰減量。
鑒于現(xiàn)有技術(shù)的現(xiàn)狀，本發(fā)明的目的是提供一種能增大通帶外衰減量、可提高選擇性的端面反射型表面波濾波器，。
問題解決手段根據(jù)第1發(fā)明，提供一種端面反射型表面波濾波器，配備壓電基片，有相隔預(yù)定距離平行配置的第1、第2反射端面、上表面、下表面和從上述第1、第2反射端面的下端向外側(cè)延伸的第1、第2壓電基片部分，由第1、第2反射端面和第1、第2壓電基片部分分別形成向第1、第2溝或外側(cè)開口的第1、第2凹部，和在上述壓電基片上表面的上述第1、第2溝或凹部間的區(qū)域中形成的多個(gè)叉指型轉(zhuǎn)換器，
還配備樹脂覆蓋層，設(shè)置成覆蓋形成上述壓電基片上表面的至少上述叉指型轉(zhuǎn)換器和第1、第2溝或凹部的區(qū)域，并且由有柔軟性的樹脂制成，在第1、第2溝或凹部的至少其中之一中，上述樹脂覆蓋層部分地進(jìn)入溝或凹部。
根據(jù)第2發(fā)明，提供一種端面反射型表面波濾波器，其特征在于，配備壓電基片，有相隔預(yù)定距離平行配置的第1、第2反射端面、上表面、下表面和從上述第1、第2反射端面的下端向外側(cè)延伸的第1、第2壓電基片部分，由第1、第2反射端面和第1、第2壓電基片部分分別形成向第1、第2溝或外側(cè)開口的第1、第2凹部，和在上述壓電基片上表面的上述第1、第2溝或凹部間的區(qū)域中形成的多個(gè)叉指型轉(zhuǎn)換器，還配備，設(shè)置成覆蓋形成上述壓電基片上表面的至少上述叉指型轉(zhuǎn)換器和第1、第2溝或凹部的區(qū)域，上述樹脂覆蓋層形成為覆蓋形成上述叉指型轉(zhuǎn)換器的壓電基片上表面面積的20％以上。
在本發(fā)明某個(gè)特定情況下，用肖氏硬度30以下的樹脂作為上述柔軟性樹脂。通過利用肖氏硬度30以下的樹脂，可抑制插入損失的惡化，有效地抑制不希望的寄生。
在本發(fā)明某個(gè)特定情況下，用膠狀樹脂作為上述柔軟性樹脂，可抑制插入損失的惡化，有效地抑制不希望的寄生。
在本發(fā)明中，作為上述柔軟生樹脂，可使用硬化后的密度為1.2g/cm3以下的樹脂，最好使用1.0g/cm3的樹脂，由此，可抑制插入損失的惡化，有效地抑制不希望的寄生。
在本發(fā)明其他的特定情況下，作為上述柔軟性樹脂，可使用硬化后的線膨脹系數(shù)為1.9×10-4(1/℃)以上的樹脂，最好使用2.3×10-4(1/℃)以上的樹脂，由此，可抑制插入損失的惡化，有效地抑制不希望的寄生。
作為上述柔軟性樹脂，最好使用是膠狀樹脂、硬化后的密度在1.0g/cm3以下、硬化后的楊氏(young)率在1MPa以下、硬化后的線膨脹系數(shù)為2.3×10-4(1/℃)以上的樹脂。
作為上述柔軟性樹脂，例如，使用硅酮橡膠、環(huán)氧樹脂、聚胺酯橡膠，最好使用硅酮橡膠。
根據(jù)第3發(fā)明，提供一種端面反射型表面波濾波器，其特征在于，配備壓電基片，有相隔預(yù)定距離平行配置的第1、第2反射端面、上表面、下表面和從上述第1、第2反射端面的下端向外側(cè)延伸的第1、第2壓電基片部分，由第1、第2反射端面和第1、第2/壓電基片部分分別形成向第1、第2溝或外側(cè)開口的第1、第2凹部，和在上述壓電基片上表面的上述第1、第2溝或凹部間的區(qū)域中形成的多個(gè)叉指型轉(zhuǎn)換器，還配備形成為覆蓋上述多個(gè)叉指型轉(zhuǎn)換器的由SiO2構(gòu)成的層。
在根據(jù)第3發(fā)明的端面反射型表面波濾波器中，叉指型轉(zhuǎn)換器(IDT)的電極厚度H在所利用的表面波波長為λ時(shí)，最好是H/λ≤0.06，H/λ≤0.045更好。在這種情況下，可有效抑制插入損失的惡化。
在根據(jù)第1～第3發(fā)明的端面反射型表面波濾波器中，上述溝或凹部的深度最好構(gòu)成為具有所利用的SH型表面波的1個(gè)波長以上的深度。SH型表面波將1個(gè)波長以下深度的部分從壓電基片表面向中心傳輸。因此，通過將溝或凹部深度作到上述范圍內(nèi)，可構(gòu)成所利用的SH型表面波通過端面被可靠反射、具有良好特性的表面波濾波器。
根據(jù)第1～第3發(fā)明的端面反射型表面波濾波器的具體結(jié)構(gòu)不受具體限定，可以是利用端面反射共振器的方向舵(rudder)型濾波器，可以是縱向耦合諧振器濾波器，可以是橫向耦合諧振器濾波器。
以下，通過說明本發(fā)明的具體實(shí)施例，更詳細(xì)地說明本發(fā)明。
圖1是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的端面反射型縱向耦合諧振器型彈性表面波濾波器1的透視圖。在縱向耦合諧振器型彈性表面波濾波器1中，用矩形板狀的壓電基片2。當(dāng)然，壓電基片2由LiTaO3、LiTbO3等壓電單結(jié)晶或鈦酸鋯酸鉛類陶瓷等的壓電陶瓷構(gòu)成。
圖2是縱向耦合諧振器型濾波器1中除去覆蓋壓電基片2上表面的柔軟性樹脂層3的狀態(tài)的透視圖。如圖2所示，在壓電基片2的上表面2a，隔開預(yù)定距離互相平行地形成第1、第2溝2b、2c。溝2b、2c的深度未達(dá)到下表面2d。溝2b、2c的內(nèi)側(cè)的側(cè)面用作第1、第2反射端面2b1、2c1。第1、第2溝2b、2c的深度是所利用的表面波的1個(gè)波長以上的深度。
如圖11所示，代替第1、第2溝2b、2c，可形成第1、第2凹部2x、2y。即，在圖11所示的壓電基片2A上，相隔預(yù)定距離平行配置第1、第2反射端面2b1、2c1，設(shè)置從該反射端面2b1、2c1的下端向外側(cè)延伸的壓電基片部分2x1、2y1，由此形成向外側(cè)開口的第1、第2凹部2x、2y。在本發(fā)明中，如上所述，代替第1、第2溝，可使用形成向外側(cè)開口的第1、第2凹部的壓電基片2A。
在第1、第2溝2b、2c之間，構(gòu)成縱向耦合諧振器型濾波器部分?？v向耦合諧振器型濾波器部分分別具有沿表面波傳輸方向配置一對IDT5、6的結(jié)構(gòu)。
當(dāng)然，根據(jù)本發(fā)明的縱向耦合諧振器型表面波濾波器不限于這種1級結(jié)構(gòu)，可以是2級以上的縱向耦合諧振器型表面波濾波器，在壓電基片2的上表面上形成與作為目的的表面波濾波器的結(jié)構(gòu)相對應(yīng)的多個(gè)IDT。
本實(shí)施例的縱向耦合諧振器型表面波濾波器1的特征是如圖1所示形成柔軟性樹脂覆蓋層3，以便覆蓋上述壓電基片2的上表面2a。柔軟性樹脂覆蓋層3形成為覆蓋上述IDT5、6和第1、第2溝2b、2c。在本實(shí)施例中，結(jié)構(gòu)是覆蓋第1、第2溝2b、2c的外側(cè)壓電基片部分的上表面，但第1、第2溝2b、2c外側(cè)的壓電基片部分的上表面可不必被柔軟性樹脂覆蓋層3覆蓋。
上述柔軟性樹脂覆蓋層3由具有使縱向耦合諧振器型彈性表面波濾波器1動(dòng)作時(shí)不抑制受激勵(lì)的表面波傳輸?shù)娜彳浶詷渲瑯?gòu)成?？墒褂酶鞣N樹脂作為這種樹脂，但最好用膠狀樹脂?？捎霉柰鹉z、環(huán)氧樹脂、聚胺酯橡膠等作為上述柔軟性樹脂，最好用硅酮橡膠。下面基于實(shí)驗(yàn)例具體說明柔軟性樹脂的更好的特性等。
如圖3所示，在上述第1溝2b中，樹脂覆蓋層3形成為進(jìn)入到溝內(nèi)。
在縱向耦合諧振器型彈性表面波濾波器1中，如上所述，形成柔軟性樹脂覆蓋層3以便覆蓋形成IDT5、6的區(qū)域和溝2b、2c且進(jìn)入溝2b中，因此，可擴(kuò)大頻帶外衰減量?；趯?shí)施例對此進(jìn)行詳細(xì)說明。
制備用LiTaO3制成的外形尺寸為0.9mm×1.7mm×厚度0.38mm的壓電基片作為上述實(shí)施例的縱向耦合諧振器型彈性表面波濾波器，在該壓電基片上表面形成IDT5、6。IDT5、6分別是電極指的總對數(shù)是對30，波長是21.8μm。(？？)形成IDT5、6后，形成寬0.17mm×深0.1mm的第1、第2溝2b、2c。將這樣制備的縱向耦合諧振器型彈性表面波濾波器作為現(xiàn)有例，在該縱向耦合諧振器型彈性表面波濾波器的上表面上，將形成膠狀硅樹脂制成的柔軟性樹脂覆蓋層3的濾波器作為實(shí)施例的縱向耦合諧振器型彈性表面波濾波器。
測量上述現(xiàn)有例和實(shí)施例的縱向耦合諧振器型彈性表面波濾波器的衰減量-頻率特性。結(jié)果如圖4所示。圖4的實(shí)線表示實(shí)施例的特性，虛線表示現(xiàn)有例的特性。在圖4中央所示的實(shí)線P和虛線Q是以縱軸右側(cè)比例尺擴(kuò)大實(shí)施例和現(xiàn)有例的特性而示出的特性。
從圖4可見，在設(shè)置柔軟性樹脂覆蓋層3的實(shí)施例的縱向耦合諧振器型表面波濾波器中，通帶內(nèi)的若干損失增加，顯著改善了通帶外衰減量。這是考慮使柔軟性樹脂覆蓋層3進(jìn)入第1溝2b內(nèi)，由此抑制在反射端面上反射不需要的波。
在這種結(jié)果下，本申請發(fā)明人在壓電基片2上表面對柔軟性樹脂覆蓋層3的涂敷面積進(jìn)行了種種變化，研究如圖4的箭頭A1、A2所示的寄生等的受抑制程度。結(jié)果如圖5所示。
將樹脂覆蓋層3的涂敷面積和形成LDT5、6的壓電基片2上表面面積(所說的夾在反射端面2b1、2c1中的壓電基片2上表面面積)的比例稱為圖5橫軸的涂敷面積比例(％)。
從圖5可見，由于絕緣性樹脂覆蓋層的涂敷面積變大，箭頭A1、A2所示的寄生受到抑制，由此可擴(kuò)大通帶外衰減量。
測量頻帶內(nèi)的插入損失和上述通帶外寄生電平作為向上述柔軟性樹脂覆蓋層3的第1、第2溝內(nèi)的浸入量。結(jié)果示于圖6和圖7。
向圖6和圖7的溝內(nèi)的浸入量為0，示出了僅向設(shè)置IDT5、6的區(qū)域提供柔軟性樹脂覆蓋層的情況，0～100％的范圍示出了進(jìn)入溝2b的柔軟性樹脂覆蓋層的對應(yīng)的橫截面積和溝2b的橫截面積的比例。
從圖6可以看出，由于柔軟性樹脂覆蓋層向溝內(nèi)的浸入量變大，插入損失下降，如果柔軟性樹脂覆蓋層3向一個(gè)溝2b的浸入量為50％以下，則可將插入損失的惡化抑制到2dB以下。從而，如果柔軟性樹脂覆蓋層進(jìn)入一個(gè)溝2b的比例是50％以下，則不會(huì)那樣導(dǎo)致插入損失的惡化，如圖7所示，可抑制通帶附近的寄生，由此實(shí)現(xiàn)頻帶外衰減量的擴(kuò)大。
從而，最好是，在第1、第2溝2b、2c的一個(gè)溝內(nèi)，形成柔軟性樹脂覆蓋層以50％以下的比例進(jìn)入的柔軟性樹脂覆蓋層。
接著，在上述實(shí)驗(yàn)例中，本申請發(fā)明人對構(gòu)成柔軟性樹脂覆蓋層的材料進(jìn)行了種種變更，研究了插入損失的變化和上述用箭頭A1、A2指示的寄生抑制度的變化。結(jié)果如圖8所示。圖8的橫軸是柔軟性樹脂覆蓋層3的密度，此時(shí)柔軟性樹脂覆蓋層的涂敷面積為100％。在圖8中，●示出了使用環(huán)氧樹脂制成的樹脂覆蓋層時(shí)的插入損失的結(jié)果，+示出了寄生抑制度的結(jié)果，○是使用硅樹脂時(shí)的插入損失的結(jié)果，×示出了使用硅樹脂時(shí)的寄生抑制度的結(jié)果。
進(jìn)一步，圖9中示出了構(gòu)成柔軟性樹脂覆蓋層的材料的楊氏率和上述插入損失的變化和寄生抑制度的變化。圖9中，●、+、○和×表示的含義和圖8的情況相同。
圖10中，示出了上述樹脂覆蓋層的線膨脹系數(shù)(×10-4/℃)和插入損失的變化以及寄生抑制度的變化。圖10中，●、+、○和×表示的含義和圖8的情況相同。
從圖8可以看出，柔軟性樹脂覆蓋層硬化后的密度在1.2g/cm3以下、最好在1.0g/cm3以下時(shí)，可抑制插入損失的惡化，同時(shí)有效抑制寄生。
同樣地，從圖9可以看出，柔軟性樹脂覆蓋層硬化后的楊氏率在1Mpa以下時(shí)，同樣地可抑制插入損失的惡化，同時(shí)有效抑制上述寄生。
從圖10的結(jié)果可以看出柔軟性樹脂覆蓋層硬化后的線膨脹系數(shù)在1.9×10-4(1/℃)以上、最好是2.3×10-4(1/℃)以上時(shí)，可抑制插入損失的惡化，同時(shí)有效抑制寄生。因而，最好是，適用膠狀樹脂、硬化后硬化后密度為1.0g/cm3以下、硬化后的楊氏率為1Mpa以下、硬化后的線膨脹系數(shù)為2.3×10-4(1/℃)以上的樹脂作為構(gòu)成柔軟性樹脂覆蓋層的樹脂。
在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，在壓電基片2的上表面2a上設(shè)置由SiO2構(gòu)成的保護(hù)層11以便覆蓋IDT5。在圖12(a)中，盡管未示出設(shè)置IDT6一側(cè)的部分，但設(shè)置保護(hù)層11以便覆蓋IDT6。
在圖12(b)中，設(shè)置這種保護(hù)層11的縱向耦合諧振器型彈性表面波濾波器的衰減量-頻率特性用實(shí)線表示。為了比較，除去未設(shè)置保護(hù)層的同樣結(jié)構(gòu)的縱向耦合諧振器型彈性表面波濾波器的衰減量-頻率特性用虛線表示。用36°LiTaO3作為壓電基片，用Al作為構(gòu)成IDT5、6的金屬。或者，表面波的波長為λ，SiO2膜的厚度h為h/λ＝0.30。
從圖12(b)可以看出，通過設(shè)置上述保護(hù)層11，不會(huì)導(dǎo)致大的插入損失的惡化，可有效降低頻帶外寄生。進(jìn)一步，通過形成上述保護(hù)層，和未設(shè)置保護(hù)層的彈性表面波濾波器相比較，可降低頻率溫度系數(shù)。
圖13示出了上述結(jié)構(gòu)的彈性表面波濾波器中，IDT膜厚變化時(shí)插入損失的惡化。從圖13可以看出，在所所利用的表面波的波長為λ時(shí)，通過將IDT電極的厚度H處于H/λ≤0.06范圍、最好處于H/λ≤0.045范圍內(nèi)，可抑制插入損失的惡化。
在圖13的例子中，雖然用Al作為IDT，但發(fā)明人已確認(rèn)在用Cu、Au作為IDT時(shí)也顯示了同樣的特性。
發(fā)明效果在根據(jù)第1發(fā)明的端面反射型彈性表面波濾波器中，在壓電基片上形成的第1、第2溝或凹部的IDT側(cè)的側(cè)面用作反射SH型表面波的反射端面，形成柔軟性樹脂覆蓋層，以便覆蓋至少形成IDT的區(qū)域和第1、第2溝或凹部至少其中之一，柔軟性樹脂覆蓋層進(jìn)入一個(gè)溝或凹部中，因此，不會(huì)導(dǎo)致插入損失的惡化，可實(shí)現(xiàn)通帶外衰減量的擴(kuò)大。因此，可提供選擇性好、不需要反射器的小型表面波濾波器。
在根據(jù)第2發(fā)明的端面反射型彈性表面波濾波器中，上述柔軟性樹脂覆蓋層形成為覆蓋形成叉指型轉(zhuǎn)換器的壓電基片上表面面積的20％以上，因此，和第1發(fā)明一樣，不會(huì)那樣導(dǎo)致插入損失，可實(shí)現(xiàn)通帶外衰減量的擴(kuò)大。因此，可提供選擇性好、不需要反射器的小型表面波濾波器。
在根據(jù)第3發(fā)明的端面反射型彈性表面波濾波器中，形成SiO2層以便覆蓋壓電基片上表面的IDT，因此，和第1、第2發(fā)明同樣，不會(huì)導(dǎo)致插入損失的惡化，可實(shí)現(xiàn)通帶外衰減量的擴(kuò)大。因此，可提供選擇性好、不需要反射器的小型表面波濾波器。
第1、第2溝或凹部的深度在具有所所利用的SH型表面波的1個(gè)波長以上的深度的情況下，可得到可靠反射在形成第1、第2溝的IDT的側(cè)的側(cè)面中所利用的SH型表面波、具有良好特性的端面反射型表面波濾波器。


圖1是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的端面反射型縱向耦合諧振器型表面波濾波器的透視圖；圖2是在圖1所示的縱向耦合諧振器型表面波濾波器中除去由具有柔軟性的樹脂制成的樹脂覆蓋層后的狀態(tài)的透視圖；圖3是用于說明圖1所示實(shí)施例的縱向耦合諧振器型彈性表面波濾波器的主要部件的部分切口截面圖；
圖4是實(shí)施例和現(xiàn)有例的縱向耦合諧振器型彈性表面波濾波器的衰減量-頻率特性；圖5是樹脂覆蓋層的涂敷面積和由于形成樹脂覆蓋層產(chǎn)生的寄生抑制度的關(guān)系圖；圖6是樹脂覆蓋層向第1溝的浸入量和插入損失的關(guān)系圖；圖7是樹脂覆蓋層向第1溝的浸入量和頻帶外寄生改善度的關(guān)系圖；圖8是樹脂覆蓋層硬化后的密度和插入損失變化以及寄生抑制度變化的關(guān)系圖；圖9是樹脂覆蓋層硬化后的楊氏率和插入損失變化以及寄生抑制度變化的關(guān)系圖；圖10是樹脂覆蓋層硬化后的線膨脹系數(shù)和插入損失以及寄生抑制度變化的關(guān)系圖；圖11示出了本發(fā)明縱向耦合諧振器型彈性表面波濾波器的變形例；圖12(a)和(b)是本發(fā)明縱向耦合諧振器型彈性表面波濾波器的另一個(gè)變形例的部分切口截面圖以及和用于和該變形例比較而準(zhǔn)備的彈性表面波濾波器的各衰減量-頻率特性圖；圖13是在圖12(a)所示的表面波濾波器中使IDT的膜厚變化時(shí)的插入損失變化圖；圖14是現(xiàn)有縱向耦合諧振器型彈性表面波濾波器的透視圖。
權(quán)利要求
1.一種端面反射型表面波濾波器，配備壓電基片，有相隔預(yù)定距離平行配置的第1、第2反射端面、上表面、下表面和從上述第1、第2反射端面的下端向外側(cè)延伸的第1、第2壓電基片部分，由第1、第2反射端面和第1、第2壓電基片部分形成分別向第1、第2溝或外側(cè)開口的第1、第2凹部，和在上述壓電基片上表面的上述第1、第2溝或凹部間的區(qū)域中形成的多個(gè)叉指型轉(zhuǎn)換器，還配備樹脂覆蓋層，設(shè)置成覆蓋形成上述壓電基片上表面的至少上述叉指型轉(zhuǎn)換器和第1、第2溝或凹部的區(qū)域，并且由有柔軟性的樹脂制成，在第1、第2溝或凹部的至少其中之一中，上述樹脂覆蓋層部分地進(jìn)入溝或凹部。
2.一種端面反射型表面波濾波器，其特征在于，配備壓電基片，有相隔預(yù)定距離平行配置的第1、第2反射端面、上表面、下表面和從上述第1、第2反射端面的下端向外側(cè)延伸的第1、第2壓電基片部分，由第1、第2反射端面和第1、第2壓電基片部分分別形成向第1、第2溝或外側(cè)開口的第1、第2凹部，和在上述壓電基片上表面的上述第1、第2溝或凹部間的區(qū)域中形成的多個(gè)叉指型轉(zhuǎn)換器，還配備，設(shè)置成覆蓋形成上述壓電基片上表面的至少上述叉指型轉(zhuǎn)換器和第1、第2溝或凹部的區(qū)域，上述樹脂覆蓋層形成為覆蓋形成上述叉指型轉(zhuǎn)換器的壓電基片上表面面積的20％以上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的端面反射型表面波濾波器，上述柔軟性樹脂是肖氏硬度30以下的樹脂。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的端面反射型表面波濾波器，上述柔軟性樹脂是膠狀樹脂。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的端面反射型表面波濾波器，上述柔軟性樹脂是硬化后密度為1.2g/cm3以下的樹脂。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的端面反射型表面波濾波器，上述柔軟性樹脂是硬化后密度為1.0g/cm3以下的樹脂。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的端面反射型表面波濾波器，上述柔軟性樹脂是硬化后楊氏率為1Mpa以下的樹脂。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的端面反射型表面波濾波器，其特征在于，上述柔軟性樹脂是硬化后線膨脹系數(shù)為1.9×10-4(1/℃)以上的樹脂。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的端面反射型表面波濾波器，其特征在于，上述柔軟性樹脂是硬化后線膨脹系數(shù)為2.3×10-4(1/℃)以上的樹脂。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的端面反射型表面波濾波器，其特征在于，上述柔軟性樹脂是膠狀樹脂、硬化后硬化后密度為1.0g/cm3以下、硬化后的楊氏率為1Mpa以下、硬化后的線膨脹系數(shù)為2.3×10-4(1/℃)以上的樹脂。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的端面反射型表面波濾波器，其特征在于，上述柔軟性樹脂是硅酮橡膠、環(huán)氧樹脂、聚胺酯橡膠中任何一個(gè)。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的端面反射型表面波濾波器，其特征在于，上述柔軟性樹脂是硅酮橡膠。
13.一種端面反射型表面波濾波器，其特征在于，配備壓電基片，有相隔預(yù)定距離平行配置的第1、第2反射端面、上表面、下表面和從上述第1、第2反射端面的下端向外側(cè)延伸的第1、第2壓電基片部分，由第1、第2反射端面和第1、第2壓電基片部分分別形成向第1、第2溝或外側(cè)開口的第1、第2凹部，和在上述壓電基片上表面的上述第1、第2溝或凹部間的區(qū)域中形成的多個(gè)叉指型轉(zhuǎn)換器，還配備形成為覆蓋上述多個(gè)叉指型轉(zhuǎn)換器的由SiO2構(gòu)成的層。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的端面反射型濾波器，在所所利用的表面波波長為λ時(shí)，叉指型轉(zhuǎn)換器的電極厚度H為H/λ≤0.06。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的端面反射型濾波器，在所所利用的表面波波長為λ時(shí)，叉指型轉(zhuǎn)換器的電極厚度H為H/λ≤0.045。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的端面反射型濾波器，溝或凹部的深度具有所所利用的SH型表面波的1個(gè)波長以上的深度。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的端面反射型濾波器，其特征在于是利用端面反射型諧振器的方向舵型濾波器。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的端面反射型濾波器，其特征在于是縱向耦合型諧振器濾波器。
19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的端面反射型濾波器，其特征在于是橫向耦合型諧振器濾波器。
全文摘要
提供一種不會(huì)導(dǎo)致插入損失惡化、可擴(kuò)大頻帶外衰減量的端面反射型表面波濾波器。一種利用SH型表面波的縱向耦合諧振器型表面波濾波器1，在壓電基片2的上表面2a中，隔開預(yù)定距離彼此平行地形成第1、第2溝2b、2c，在溝2b、2c之間形成用于構(gòu)成縱向耦合諧振器型表面波濾波器的IDT5、6，形成第1、第2溝2b、2c的IDT的側(cè)的側(cè)面2b1、2c1構(gòu)成反射面，在壓電基片2的上表面2a中，(a)形成樹脂覆蓋層3，以便覆蓋至少形成IDT5、6的區(qū)域和第1、第2溝2b、2c的至少其中之一，且進(jìn)入一個(gè)溝2b中，或者(b)形成SiO
文檔編號(hào)H03H9/25GK1402427SQ02131508
公開日2003年3月12日 申請日期2002年8月14日 優(yōu)先權(quán)日2001年8月14日
發(fā)明者門田道雄, 堀內(nèi)秀哉, 吾鄉(xiāng)純也, 中尾武志, 倉谷康浩 申請人:株式會(huì)社村田制作所