專利名稱：半導(dǎo)體集成電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及包含微型電子計(jì)算機(jī)的半導(dǎo)體集成電路，特別是涉及利用微型電子計(jì)算機(jī)等的半導(dǎo)體元件中的電涌，檢測(cè)晶體管的擊穿的電路及其應(yīng)用。在現(xiàn)有的技術(shù)中，主要采用專用的測(cè)量電路或裝置來(lái)檢測(cè)微型電子計(jì)算機(jī)等的半導(dǎo)體集成電路的電涌引起的晶體管的擊穿?？墒牵谠摲椒ㄖ?，微機(jī)工作時(shí)由于電涌致使晶體管被擊穿時(shí)，無(wú)法直接了解該晶體管是否在正常工作，只能利用二次因素，事后檢測(cè)微型電子計(jì)算機(jī)的工作異常。在此情況下，由于不能直接確定原因，所以有可能造成不能正常工作的大事。


圖11是表示現(xiàn)有的半導(dǎo)體集成電路的結(jié)構(gòu)的電路圖，示出了輸入輸出端子部分的結(jié)構(gòu)。圖中，100是微型電子計(jì)算機(jī)，1是CPU(中央處理裝置)，從存儲(chǔ)裝置讀入命令，譯碼后進(jìn)行運(yùn)算和控制。2是存儲(chǔ)器，3是端口，51是衰減器，Tr41及Tr42分別是包含輸出緩沖晶體管的輸出緩沖用倒相電路、以及包含輸入緩沖晶體管的輸入緩沖用倒相電路。R41是輸入保護(hù)電阻，D1、D2分別是二極管，D1連接在電源一側(cè)，D2連接在地一側(cè)，以此構(gòu)成保護(hù)二極管6。另外，CPU1和存儲(chǔ)器2通過(guò)內(nèi)部總線互相連接，同時(shí)連接在端口3上，連接在包括輸入輸出緩沖晶體管的I/O端口上。
其次說(shuō)明工作情況。
對(duì)于從衰減器51施加的輸入來(lái)說(shuō)，在比電源電壓高出規(guī)定的電平以上的情況下，二極管D1導(dǎo)通，同樣，二極管D2由于比地低出規(guī)定電平而導(dǎo)通。這樣，如果相對(duì)于輸入超過(guò)恒定的電壓電平，則包括二極管D1、D2的保護(hù)二極管6工作，所以對(duì)于規(guī)定的輸入電平的電涌來(lái)說(shuō)，能保護(hù)倒相電路Tr41、Tr42中包含的晶體管不被電涌擊穿。由于現(xiàn)有的包含微型電子計(jì)算機(jī)的半導(dǎo)體集成電路如上構(gòu)成，所以必須用外部的外圍電路來(lái)檢測(cè)微型電子計(jì)算機(jī)的電涌擊穿，或者事后使用測(cè)量裝置等進(jìn)行檢測(cè)，存在不能用微型電子計(jì)算機(jī)本身檢測(cè)是否引起了電涌擊穿這樣的課題。
即，在現(xiàn)有的技術(shù)中，在由于從微型電子計(jì)算機(jī)100的衰減器51施加的電涌的作用，致使端口3的輸入輸出晶體管或保護(hù)二極管受到損傷的情況下，微型電子計(jì)算機(jī)100的外部的外圍電路利用來(lái)自端口3的信號(hào)，判斷衰減器51實(shí)際上是否像所期待的那樣工作，必須檢測(cè)端口3的異常，特別是內(nèi)置于微型電子計(jì)算機(jī)100中的CPU1不知道檢測(cè)該異常用的有效方法。
另外，在特開(kāi)2000-29859號(hào)中，雖然示出了這樣一種半導(dǎo)體集成電路在因輸出端子的擊穿等造成微處理機(jī)的輸出信號(hào)電平與本來(lái)應(yīng)輸出的電平不同的情況下，通過(guò)使之發(fā)生中斷，在微型電子計(jì)算機(jī)內(nèi)部檢測(cè)出異常，謀求適當(dāng)?shù)膽?yīng)對(duì)措施，但這是使比較電路的比較結(jié)果通過(guò)“與”門(mén)，中斷控制電路控制CPU的中斷進(jìn)行的。
另外，現(xiàn)在還不存在設(shè)計(jì)·制造絕對(duì)不會(huì)引起由電涌產(chǎn)生的晶體管的擊穿的微型電子計(jì)算機(jī)的現(xiàn)實(shí)的方法，所以微型電子計(jì)算機(jī)本身具有直接檢測(cè)是否存在被電涌擊穿了的晶體管的方法在以高可靠性設(shè)計(jì)微型電子計(jì)算機(jī)方面意義非常大。
本發(fā)明就是為了解決上述的課題而完成的，目的在于獲得一種微型電子計(jì)算機(jī)本身能實(shí)時(shí)地檢測(cè)是否引起了電涌擊穿的半導(dǎo)體集成電路。本發(fā)明的半導(dǎo)體集成電路備有連接在微型電子計(jì)算機(jī)的衰減部上的緩沖晶體管；通過(guò)邏輯門(mén)對(duì)該緩沖晶體管的輸入和輸出進(jìn)行運(yùn)算處理的檢測(cè)部；以及保持該檢測(cè)部的處理結(jié)果的存儲(chǔ)部，利用該結(jié)果檢測(cè)該晶體管是正常還是異常。
本發(fā)明的半導(dǎo)體集成電路中的邏輯門(mén)進(jìn)行“異或”運(yùn)算處理。
本發(fā)明的半導(dǎo)體集成電路中的連接在衰減部上的緩沖晶體管由輸入緩沖晶體管或輸出緩沖晶體管構(gòu)成。
本發(fā)明的半導(dǎo)體集成電路中的連接在衰減部上的緩沖晶體管由輸入輸出緩沖晶體管構(gòu)成，同時(shí)在檢測(cè)部的輸出端與存儲(chǔ)部之間備有“或”運(yùn)算部。
本發(fā)明的半導(dǎo)體集成電路中的緩沖晶體管構(gòu)成倒相電路。
本發(fā)明的半導(dǎo)體集成電路中的檢測(cè)部由“異或”倒相電路構(gòu)成。
本發(fā)明的半導(dǎo)體集成電路中的運(yùn)算部由NAND電路構(gòu)成。
本發(fā)明的半導(dǎo)體集成電路在檢測(cè)部的輸出端與存儲(chǔ)部之間備有誤識(shí)別防止裝置。
本發(fā)明的半導(dǎo)體集成電路中的誤識(shí)別防止裝置由LPF電路構(gòu)成。
本發(fā)明的半導(dǎo)體集成電路備有將檢測(cè)部的輸出用于CPU的中斷的中斷裝置。
本發(fā)明的半導(dǎo)體集成電路備有將誤識(shí)別防止裝置的輸出用于CPU的中斷的中斷裝置。
本發(fā)明的半導(dǎo)體集成電路備有將存儲(chǔ)部的輸出用于CPU的中斷的中斷裝置。
本發(fā)明的半導(dǎo)體集成電路備有將檢測(cè)部的輸出用于微型電子計(jì)算機(jī)的復(fù)位的復(fù)位裝置。
本發(fā)明的半導(dǎo)體集成電路備有將檢測(cè)部的輸出信號(hào)輸出給微型電子計(jì)算機(jī)的外部的外圍電路的外部通知裝置。
本發(fā)明的半導(dǎo)體集成電路的外部通知裝置通過(guò)微型電子計(jì)算機(jī)內(nèi)部的另一衰減部進(jìn)行通知。
本發(fā)明的半導(dǎo)體集成電路備有根據(jù)檢測(cè)部的輸出結(jié)果，阻斷該晶體管的電源供給的電源供給阻斷裝置。
本發(fā)明的半導(dǎo)體集成電路備有由連接在微型電子計(jì)算機(jī)的衰減部上的緩沖晶體管、對(duì)其輸入和輸出進(jìn)行“異或”運(yùn)算的檢測(cè)部、以及根據(jù)其輸出結(jié)果阻斷該晶體管的電源供給的電源供給阻斷裝置構(gòu)成的多個(gè)電路，在輸出結(jié)果異常的情況下，阻斷該晶體管的電源供給，切換到另一電路。
本發(fā)明的半導(dǎo)體集成電路能將進(jìn)行“異或”運(yùn)算的檢測(cè)部置換成放大器。
本發(fā)明的半導(dǎo)體集成電路中的放大器備有通過(guò)AD變換器保持其結(jié)果的存儲(chǔ)部，讀出保持在其中的值，檢測(cè)該晶體管的異常程度。圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施例1的半導(dǎo)體集成電路的結(jié)構(gòu)的電路圖。
圖2是表示本發(fā)明的實(shí)施例2的半導(dǎo)體集成電路的結(jié)構(gòu)的電路圖。
圖3是表示本發(fā)明的實(shí)施例3的半導(dǎo)體集成電路的結(jié)構(gòu)的電路圖。
圖4是表示本發(fā)明的實(shí)施例4的半導(dǎo)體集成電路的結(jié)構(gòu)的電路圖。
圖5是表示本發(fā)明的實(shí)施例5的半導(dǎo)體集成電路的結(jié)構(gòu)的電路圖。
圖6是表示本發(fā)明的實(shí)施例6的半導(dǎo)體集成電路的結(jié)構(gòu)的電路圖。
圖7是表示本發(fā)明的實(shí)施例7的半導(dǎo)體集成電路的結(jié)構(gòu)的電路圖。
圖8是表示本發(fā)明的實(shí)施例8的半導(dǎo)體集成電路的結(jié)構(gòu)的電路圖。
圖9是表示本發(fā)明的實(shí)施例9的半導(dǎo)體集成電路的結(jié)構(gòu)的電路圖。
圖10是表示本發(fā)明的實(shí)施例10的半導(dǎo)體集成電路的結(jié)構(gòu)的電路圖。
圖11是表示現(xiàn)有的半導(dǎo)體集成電路的結(jié)構(gòu)的電路圖。以下，說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例。
實(shí)施例1圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施例1的半導(dǎo)體集成電路的結(jié)構(gòu)的電路圖，圖中，101是微型電子計(jì)算機(jī)，1是CPU(中斷裝置、復(fù)位裝置、外部通知裝置)，2是作為存儲(chǔ)裝置的存儲(chǔ)器，以ROM或RAM為代表。3是連接內(nèi)部電路與I/O端口的端口，7是寄存電路(存儲(chǔ)部)，51是衰減器(衰減部)，Tr1是包含輸入緩沖晶體管的輸入緩沖用倒相電路(緩沖晶體管)，Tr2是“異或”倒相電路(檢測(cè)部)，R1、R2是輸入保護(hù)電阻，D1、D2分別是二極管，D1連接在電源一側(cè)，同時(shí)D2連接在地一側(cè)，以此構(gòu)成保護(hù)二極管。輸入保護(hù)電阻R1、R2和保護(hù)二極管吸收進(jìn)入衰減器51的電涌，防止晶體管的電涌擊穿。
本實(shí)施例1是這樣一種實(shí)施例通過(guò)對(duì)微型電子計(jì)算機(jī)101的I/O端口中的輸入緩沖晶體管(在此情況下，包含在倒相電路Tr1中)的輸入電位與輸出電位進(jìn)行比較，檢測(cè)該輸入緩沖晶體管是否被電涌擊穿。這樣，如果因電涌引起擊穿，則預(yù)料的晶體管被包含在倒相電路Tr1中，通過(guò)安裝檢測(cè)它是否正常工作的電路、即“異或”倒相電路Tr2，檢測(cè)出該晶體管的異常時(shí)能適當(dāng)?shù)貞?yīng)對(duì)。
以下說(shuō)明工作情況。
倒相電路Tr1的輸入和輸出的電位電平的關(guān)系是一種不相容關(guān)系，“異或”倒相電路Tr2的輸出電平正常時(shí)必然呈低電平。由于某種原因，倒相電路Tr1工作不正常，在總是輸出低電平或高電平中的某一電平的情況下，由于倒相電路Tr1的輸入電平的作用，“異或”倒相電路Tr2的輸出電平有時(shí)呈高電平。因此，正常時(shí)寄存電路7的寄存值總是保持低電平，但異常時(shí)，寄存電路7的寄存值有時(shí)保持高電平。就是說(shuō)，通過(guò)微型電子計(jì)算機(jī)101的CPU1讀出寄存電路7的值，如果讀出的值呈高電平，則能得知倒相電路Tr1異常。
另外，輸入保護(hù)電阻R2是“異或”倒相電路Tr2的輸入一側(cè)不至被來(lái)自衰減器51的電涌所擊穿用的保護(hù)電阻，安裝成在不喪失本功能的范圍內(nèi)呈很大的電阻值。
另外，在預(yù)料擊穿部位與成為檢測(cè)部的“異或”倒相電路Tr2之間，在布線布局上下工夫(輸入阻抗的調(diào)整、布線電容的附加等)，以便使檢測(cè)部不致被電涌擊穿。
如上所述，如果采用該實(shí)施例1，則由于在微型電子計(jì)算機(jī)101中安裝了具有作為檢測(cè)部的作用的“異或”倒相電路Tr2，所以即使在微型電子計(jì)算機(jī)101的工作過(guò)程中，也能實(shí)時(shí)地檢測(cè)是否正常，獲得能迅速地應(yīng)對(duì)倒相電路Tr1中包含的晶體管被電涌擊穿時(shí)適當(dāng)?shù)靥幹玫男Ч?br> 另外，能容易地特別確定故障部位，獲得在分析不良現(xiàn)象時(shí)能期待對(duì)于原因確定具有很大作用的效果。
實(shí)施例2圖2是表示本發(fā)明的實(shí)施例2的半導(dǎo)體集成電路的結(jié)構(gòu)的電路圖，圖中，102是微型電子計(jì)算機(jī)，7是寄存電路，Tr3是包含輸出緩沖晶體管的輸出緩沖用倒相電路(緩沖晶體管)，Tr4是“異或”倒相電路，其他結(jié)構(gòu)要素與上述相同，所以符號(hào)的說(shuō)明從略，以下也一樣。
本實(shí)施例2是這樣一種實(shí)施例通過(guò)對(duì)微型電子計(jì)算機(jī)102的I/O端口中的輸出緩沖晶體管(在此情況下，包含在倒相電路Tr3中)的輸入電位與輸出電位進(jìn)行比較，檢測(cè)該輸出緩沖晶體管是否被電涌擊穿。這樣，如果因電涌引起擊穿，則預(yù)料的晶體管被包含在倒相電路Tr3中，通過(guò)安裝檢測(cè)它是否正常工作的電路、即“異或”倒相電路Tr4，檢測(cè)出該晶體管的異常時(shí)能適當(dāng)?shù)貞?yīng)對(duì)。
以下說(shuō)明工作情況。
倒相電路Tr3的輸入與輸出的電位電平的關(guān)系是一種不相容關(guān)系，“異或”倒相電路Tr4的輸出電平正常時(shí)必然呈低電平。由于某種原因，倒相電路Tr3工作不正常，在總是輸出低電平或高電平中的某一電平的情況下，由于倒相電路Tr3的輸入電平的作用，“異或”倒相電路Tr4的輸出電平有時(shí)呈高電平。因此，正常時(shí)寄存電路7的寄存值總是保持低電平，但異常時(shí)，寄存電路7的寄存值有時(shí)保持高電平。就是說(shuō)，通過(guò)微型電子計(jì)算機(jī)102的CPU1讀出寄存電路7的值，如果讀出的值呈高電平，則能得知倒相電路Tr3異常。
另外，輸入保護(hù)電阻R3是“異或”倒相電路Tr4的輸入一側(cè)不至被來(lái)自衰減器51的電涌所擊穿用的保護(hù)電阻，安裝成在不喪失本功能的范圍內(nèi)呈很大的電阻值。
另外，在預(yù)料擊穿部位與成為檢測(cè)部的“異或”倒相電路Tr4之間，在布線布局上下工夫(輸入阻抗的調(diào)整、布線電容的附加等)，以便使檢測(cè)部不致被電涌擊穿。
如上所述，如果采用該實(shí)施例2，則由于在微型電子計(jì)算機(jī)102中安裝了具有作為檢測(cè)部的作用的“異或”倒相電路Tr4，所以即使在微型電子計(jì)算機(jī)102的工作過(guò)程中，也能實(shí)時(shí)地檢測(cè)是否正常，獲得能迅速地應(yīng)對(duì)倒相電路Tr3中包含的晶體管被電涌擊穿時(shí)適當(dāng)?shù)靥幹玫男Ч?br> 另外，能容易地特別確定故障部位，獲得在分析不良現(xiàn)象時(shí)能期待對(duì)于原因確定具有很大作用的效果。
實(shí)施例3圖3是表示本發(fā)明的實(shí)施例3的半導(dǎo)體集成電路的結(jié)構(gòu)的電路圖，圖中，103是微型電子計(jì)算機(jī)，3、4、是端口，R4～R6是輸入保護(hù)電阻，Tr5、Tr7分別是包含輸入緩沖晶體管的輸入緩沖用倒相電路和包含輸出緩沖晶體管的輸出緩沖用倒相電路，構(gòu)成輸入輸出用倒相電路(輸入輸出緩沖晶體管)。Tr6、Tr8都是“異或”倒相電路，Tr9是輸入一側(cè)呈負(fù)邏輯、輸出一側(cè)呈正邏輯的NAND電路，Tr10是倒相電路，7是寄存電路，其他結(jié)構(gòu)要素與上述相同，所以符號(hào)的說(shuō)明從略。
本實(shí)施例3是對(duì)微型電子計(jì)算機(jī)103的兼作輸入輸出兩者用的端口安裝了與上述實(shí)施例1及2的檢測(cè)功能相同的功能的實(shí)施例?；窘Y(jié)構(gòu)與上述實(shí)施例1及2相同，但由NAND電路Tr9對(duì)輸入輸出用倒相電路Tr5及Tr7的異常檢測(cè)結(jié)果、即“異或”倒相電路Tr6及Tr8的輸出求邏輯和，將其結(jié)果保持在寄存電路7中，這一點(diǎn)與上述實(shí)施例1及2不同。
以下說(shuō)明工作情況。
例如，在輸入緩沖用倒相電路Tr5中包含的輸入緩沖晶體管受到電涌擊穿而工作不正常的情況下，由于輸入緩沖用倒相電路Tr5的輸入電平的作用，“異或”倒相電路Tr6的輸出電平有時(shí)不是正常時(shí)的低電平、而呈高電平。同樣，在輸出緩沖用倒相電路Tr7中包含的輸出緩沖晶體管工作不正常的情況下，由于輸出緩沖用倒相電路Tr7的輸入電平的作用，“異或”倒相電路Tr8的輸出電平有時(shí)呈異常時(shí)的高電平。
由NAND電路Tr9對(duì)兩個(gè)“異或”倒相電路Tr6及Tr8的異常時(shí)的輸出高電平求邏輯和，將其結(jié)果保持在寄存電路7中。
如上所述，如果采用該實(shí)施例3，則由于微型電子計(jì)算機(jī)103的CPU1能用一個(gè)寄存值參照輸入輸出用倒相電路Tr5及Tr7中分別包含的輸入緩沖晶體管和輸出緩沖晶體管的兩個(gè)異常檢測(cè)結(jié)果，所以獲得了能更迅速地應(yīng)對(duì)晶體管被電涌擊穿時(shí)適當(dāng)?shù)靥幹玫男Ч?br> 另外，能容易地特別確定故障部位，獲得在分析不良現(xiàn)象時(shí)能期待對(duì)于原因確定具有很大作用的效果。
實(shí)施例4圖4是表示本發(fā)明的實(shí)施例4的半導(dǎo)體集成電路的結(jié)構(gòu)的電路圖，圖中，104是微型電子計(jì)算機(jī)，R7、R8是輸入保護(hù)電阻，Tr11是包含輸入緩沖晶體管的輸入緩沖用倒相電路，Tr12是“異或”倒相電路，7是寄存電路，8是LPF電路(誤識(shí)別防止裝置)，包含低通濾波器(LPF)。
本實(shí)施例4是這樣的實(shí)施例將LPF電路8附加在上述實(shí)施例1的結(jié)構(gòu)中，由于微型電子計(jì)算機(jī)104的I/O端口中的輸入輸出晶體管工作，所以寄存電路7的寄存值暫時(shí)呈高電平，以避免被誤檢測(cè)。
以下，具體地說(shuō)明其工作情況。
衰減器51的輸入電平不變化時(shí)，“異或”倒相電路Tr2的輸出電平也不變化，但衰減器51的輸入電平變化，變成倒相電路Tr11的輸入閾值附近的電平，如果“異或”倒相電路Tr2的輸入電平變成該電平，則“異或”倒相電路Tr2的輸出電平暫時(shí)呈高電平。這時(shí)如果CPU1讀出，則不管倒相電路Tr11的輸入緩沖晶體管是否正常工作，有可能錯(cuò)誤地識(shí)別為異常。
在衰減器51從高電平變成低電平的過(guò)程中，該暫時(shí)呈高電平的時(shí)間上的期間是倒相電路Tr11的輸入閾值電平附近的一瞬間，或者反之，在衰減器51從低電平變成高電平的過(guò)程中，是倒相電路Tr11的輸入閾值電平附近的一瞬的期間，通過(guò)將LPF8安裝在“異或”倒相電路Tr 2的輸出端，能除去暫時(shí)呈高電平的期間。而且，在寄存電路7中保持LPF電路8的輸出，通過(guò)CPU1讀出該寄存值，即使在衰減器51的輸入電平變化過(guò)程中也能識(shí)別無(wú)誤地進(jìn)行判斷。
另外，在上述實(shí)施例2及3中，通過(guò)安裝與該實(shí)施例4相同的結(jié)構(gòu)，CPU1也能識(shí)別無(wú)誤地進(jìn)行判斷。即，通過(guò)將LPF電路8安裝在圖2中的“異或”倒相電路Tr4的輸出端與寄存電路7的輸入端之間、以及圖3中的倒相電路Tr10的輸出端與寄存電路7的輸入端之間，能具有與該實(shí)施例4同樣的功能。
如上所述，如果采用該實(shí)施例4，則將LPF電路8安裝在作為檢測(cè)部的“異或”倒相電路Tr12和作為存儲(chǔ)部的寄存電路7之間，強(qiáng)化由噪聲引起的誤工作，另外，即使在倒相電路Tr11的輸入電平變化了的情況下，也能實(shí)時(shí)地進(jìn)行檢測(cè)，除了上述實(shí)施例1的效果以外，還能獲得能防止CPU1誤識(shí)別的效果。
實(shí)施例5圖5是表示本發(fā)明的實(shí)施例5的半導(dǎo)體集成電路的結(jié)構(gòu)的電路圖，圖中，105是微型電子計(jì)算機(jī)，R9、R10是輸入保護(hù)電阻，Tr13是包含輸入緩沖晶體管的輸入緩沖用倒相電路，Tr14是“異或”倒相電路，8是LPF電路，包含低通濾波器(LPF)，除了LPF電路8的輸出信號(hào)變成中斷信號(hào)INT1以外，與上述實(shí)施例4相同。
本實(shí)施例5是這樣的實(shí)施例不像上述實(shí)施例4那樣，通過(guò)CPU1讀出存儲(chǔ)在寄存電路7中的寄存值，來(lái)判斷輸入輸出緩沖晶體管是正常還是異常，而是在異常時(shí)在微型電子計(jì)算機(jī)105內(nèi)部發(fā)生中斷，具有作為中斷裝置的功能，由于CPU1能進(jìn)行中斷處理，所以能進(jìn)行判斷。
中斷是將來(lái)自系統(tǒng)外部的請(qǐng)求、處理裝置內(nèi)部發(fā)生了的某狀態(tài)、或輸入輸出裝置中發(fā)生了的某狀態(tài)作為要素，使執(zhí)行過(guò)程中的程序中斷，由中斷要素啟動(dòng)中斷處理程序。而且，將中斷處理程序中的一系列處理稱為中斷處理。
其次說(shuō)明工作情況。
LPF電路8的輸出信號(hào)被用作微型電子計(jì)算機(jī)的中斷信號(hào)INT1。如果由于某種原因，“異或”倒相電路Tr14的輸出呈高電平，斷定輸入緩沖晶體管為異常，則由中斷信號(hào)INT1引起的中斷進(jìn)入CPU1，通過(guò)中斷處理，進(jìn)行該晶體管的電涌擊穿的檢測(cè)。
如上所述，如果采用該實(shí)施例5，雖然在上述實(shí)施例1～4中，CPU1讀出寄存電路7的寄存值時(shí)，由軟件進(jìn)行了判斷，但在該實(shí)施例5中，只在引起異常時(shí)由CPU1進(jìn)行中斷處理來(lái)處置，能獲得能減輕CPU1的負(fù)載的效果。
另外，在上述實(shí)施例1～4中，通過(guò)安裝與該實(shí)施例5同樣的結(jié)構(gòu)，也能只在發(fā)生異常時(shí)由CPU1進(jìn)行中斷處理來(lái)處置。
實(shí)施例6圖6是表示本發(fā)明的實(shí)施例6的半導(dǎo)體集成電路的結(jié)構(gòu)的電路圖，圖中，106是微型電子計(jì)算機(jī)，R11、R12是輸入保護(hù)電阻，Tr15是包含輸入緩沖晶體管的輸入緩沖用倒相電路，Tr16是“異或”倒相電路，8是LPF電路，包含低通濾波器(LPF)，除了LPF電路8的輸出信號(hào)變成中斷信號(hào)INT1以外，與上述實(shí)施例4相同。
本實(shí)施例6是這樣的實(shí)施例不像上述實(shí)施例4那樣，通過(guò)CPU1讀出存儲(chǔ)在寄存電路7中的寄存值，來(lái)判斷輸入輸出緩沖晶體管是正常還是異常，而是在異常時(shí)使微型電子計(jì)算機(jī)106復(fù)位，具有作為中斷裝置的功能。
其次說(shuō)明工作情況。
LPF電路8的輸出信號(hào)被用作微型電子計(jì)算機(jī)106的復(fù)位信號(hào)RESET1。如果由于某種原因，“異或”倒相電路Tr16的輸出呈高電平，斷定輸入緩沖晶體管為異常，則微型電子計(jì)算機(jī)106利用復(fù)位信號(hào)RESET1進(jìn)行復(fù)位。在上述實(shí)施例1～5中，最后由CPU1進(jìn)行處置，但在實(shí)施例6中，只用硬件進(jìn)行處理，即使在軟件不能正常工作的最惡劣的情況下，也能通過(guò)使微型電子計(jì)算機(jī)106復(fù)位來(lái)處置。
另外，在上述實(shí)施例1～4中，通過(guò)安裝與該實(shí)施例6同樣的結(jié)構(gòu)，在引起異常時(shí)也能使微型電子計(jì)算機(jī)106復(fù)位。
如上所述，如果采用該實(shí)施例6，則如果斷定輸入輸出緩沖晶體管為異常，便用復(fù)位信號(hào)RESET1只使作為硬件的微型電子計(jì)算機(jī)106復(fù)位，所以即使在軟件的正常工作無(wú)望的最惡劣的情況下，也能獲得能使微型電子計(jì)算機(jī)106復(fù)位的效果。
實(shí)施例7圖7是表示本發(fā)明的實(shí)施例7的半導(dǎo)體集成電路的結(jié)構(gòu)的電路圖，圖中，107是微型電子計(jì)算機(jī)，R13、R14是輸入保護(hù)電阻，Tr17是包含輸入緩沖晶體管的輸入緩沖用倒相電路，Tr18是“異或”倒相電路，8是LPF電路，包含低通濾波器(LPF)。61是衰減器(另一衰減部)，是微型電子計(jì)算機(jī)的輸出衰減器。
本實(shí)施例7是這樣的實(shí)施例不像上述實(shí)施例4那樣，通過(guò)CPU1讀出寄存值，判斷輸入輸出緩沖晶體管是正常還是異常，而是具有在異常時(shí)能將信號(hào)輸出到微型電子計(jì)算機(jī)107的外部的外部通知裝置的功能，用微型電子計(jì)算機(jī)107的外部電路或裝置進(jìn)行判斷。
其次說(shuō)明工作情況。
LPF電路8的輸出信號(hào)被輸出給微型電子計(jì)算機(jī)107的衰減器61。如果由于某種原因，“異或”倒相電路Tr18的輸出呈高電平，斷定輸入緩沖晶體管Tr17異常，則高電平被輸出給微型電子計(jì)算機(jī)的輸出衰減器61，監(jiān)視該高電平的外圍電路或裝置能進(jìn)行處置。通過(guò)將微型電子計(jì)算機(jī)107的異常通知給外部，不僅能處置微型電子計(jì)算機(jī)107，而且能處置系統(tǒng)總體。
另外，在上述實(shí)施例1～4中，通過(guò)安裝與該實(shí)施例7同樣的結(jié)構(gòu)，在引起異常時(shí)，高電平也能被輸出給微型電子計(jì)算機(jī)107的輸出衰減器61，監(jiān)視該高電平的外圍電路或裝置能進(jìn)行處置。
另外，通過(guò)安裝上述實(shí)施例1～6和該實(shí)施例7兩者，微型電子計(jì)算機(jī)的內(nèi)外雙方能同時(shí)進(jìn)行處置。
如上所述，如果采用該實(shí)施例7，則由于將“異或”倒相電路Tr18的檢測(cè)結(jié)果輸出給微型電子計(jì)算機(jī)107的外部，所以獲得了微機(jī)外部的外圍電路能檢測(cè)該晶體管的電涌擊穿的效果。
實(shí)施例8圖8是表示本發(fā)明的實(shí)施例8的半導(dǎo)體集成電路的結(jié)構(gòu)的電路圖，圖中，108是微型電子計(jì)算機(jī)，R15、R16是輸入保護(hù)電阻，Tr19、Tr20是P溝道MOS晶體管(PMOS)，Tr21、Tr22是N溝道MOS晶體管(NMOS)，Tr19～Tr22構(gòu)成緩沖晶體管。另外，Tr23是輸出端連接在晶體管Tr19的柵極上的倒相電路，Tr24是“異或”倒相電路，7是寄存電路，8是LPF電路。另外，PMOS的Tr19與倒相電路Tr23配合，具有作為電源供給阻斷裝置的功能。
本實(shí)施例8是這樣的實(shí)施例不像上述實(shí)施例4那樣，不僅通過(guò)CPU1讀出寄存電路7的寄存值，能判斷輸入輸出緩沖晶體管是正常還是異常，而且附加具有作為電源供給阻斷裝置的功能，該電源供給阻斷裝置在電涌擊穿檢測(cè)時(shí)等異常時(shí)能阻斷輸入輸出緩沖晶體管的電源供給，從而能將電涌擊穿引起的未曾料到的電源電流的增加或?qū)ξ⑿碗娮佑?jì)算機(jī)108外部的外圍電路或裝置的影響抑制在最小限度。
其次說(shuō)明工作情況。
晶體管Tr20及Tr21異常時(shí)，“異或”倒相電路Tr24的輸出呈高電平，這時(shí)，經(jīng)由寄存電路7的信號(hào)通過(guò)倒相電路Tr23，使PMOS晶體管Tr19呈阻斷狀態(tài)，同時(shí)使NMOS晶體管Tr22呈阻斷狀態(tài)，從而電源不供給晶體管Tr20及Tr21。寄存電路7一旦為高電平就不能自動(dòng)地變成低電平，通過(guò)復(fù)位或用軟件寫(xiě)入低電平，能再次呈低電平。
由于電源不供給晶體管Tr20及Tr21，所以即使這些晶體管Tr20及Tr21引起柵極擊穿、電源及地短路，也不會(huì)使未曾料到的電源電流增加，也不會(huì)引起衰減器51和微型電子計(jì)算機(jī)108的外部電路的未曾料到的電流的流動(dòng)。
另外，通過(guò)CPU1讀出寄存電路7的寄存值，能得知晶體管Tr20及Tr21有無(wú)異常。
另外，在上述實(shí)施例1～4中，通過(guò)安裝與該實(shí)施例8同樣的結(jié)構(gòu)，也能在引起異常時(shí)阻止異常部位的輸入輸出晶體管的電源供給，不會(huì)發(fā)生未曾料到的電源電流，將對(duì)微型電子計(jì)算機(jī)108外部的外圍電路或裝置的影響抑制在最小限度。
如上所述，如果采用該實(shí)施例8，則由于根據(jù)“異或”倒相電路Tr24的檢測(cè)結(jié)果，在檢測(cè)到異常的情況下，阻斷對(duì)緩沖晶體管的電源供給，所以沒(méi)有未曾料到的電源電流，能獲得將對(duì)外部的外圍電路或外圍裝置的影響抑制在最小限度的效果。
實(shí)施例9圖9是表示本發(fā)明的實(shí)施例9的半導(dǎo)體集成電路的結(jié)構(gòu)的電路圖，圖中，109是微型電子計(jì)算機(jī)，R17、R18-1～R18-n(n是正整數(shù))是輸入保護(hù)電阻，Tr25-1～Tr25-n分別是包含緩沖晶體管的鐘控倒相器，同樣，Tr27-1～Tr27-n是倒相電路，Tr29-1～Tr29-n是“異或”倒相電路，7-1～7-n是寄存電路，8-1～8-n是LPF電路。
本實(shí)施例9是這樣的實(shí)施例通過(guò)安裝多個(gè)(這里為n個(gè))上述實(shí)施例8的結(jié)構(gòu)，作成冗余電路，例如，即使在鐘控倒相器Tr25-1的緩沖晶體管中引起電涌擊穿等異常，通過(guò)切換到其他(n-1)個(gè)正常的電路中的某一個(gè)，作為微型電子計(jì)算機(jī)109總體能使之沒(méi)有問(wèn)題地工作。
其次具體地說(shuō)明工作情況。
例如，鐘控倒相器Tr25-1異常時(shí)，“異或”倒相電路Tr29-1的輸出呈高電平，這時(shí)，鐘控倒相器Tr25-1呈阻斷狀態(tài)，不供給電源。這里，寄存電路7-1一旦呈高電平而不能自動(dòng)地變成低電平，通過(guò)復(fù)位或用軟件寫(xiě)入低電平，能再次呈低電平。由于電源不供給鐘控倒相器Tr25-1，所以即使鐘控倒相器Tr25-1引起柵極擊穿、電源及地短路，也不會(huì)使未曾料到的電源電流增加，也不會(huì)引起衰減器51和微型電子計(jì)算機(jī)109的外部電路的未曾料到的電流的流動(dòng)。
另外CPU1通過(guò)讀出寄存電路7-1的寄存值，能得知鐘控倒相器Tr25-1是否異常。
通過(guò)安裝多個(gè)(n個(gè))上述的結(jié)構(gòu)，例如，在鐘控倒相器Tr25-1異常的情況下，有效地切換到另一個(gè)鐘控倒相器Tr25-n。
另外，用軟件分別改寫(xiě)寄存電路7-1～7-n的寄存值，能設(shè)定為只使某一個(gè)工作。
另外，在上述實(shí)施例1～4中，通過(guò)安裝與該實(shí)施例9同樣的結(jié)構(gòu)，也能在引起異常時(shí)，停止異常部位的輸入輸出緩沖晶體管的電源供給，不會(huì)發(fā)生未曾料到的電源電流，將對(duì)微型電子計(jì)算機(jī)109外部的外圍電路或裝置的影響抑制在最小限度。另外，通過(guò)切換預(yù)備的電路，能使微型電子計(jì)算機(jī)109繼續(xù)工作。
如上所述，如果采用本發(fā)明的實(shí)施例9，則由于安裝多個(gè)備有上述實(shí)施例8的作為電源供給阻斷裝置的功能的結(jié)構(gòu)，所以發(fā)生異常時(shí)，能停止異常部位的輸入輸出晶體管的電源供給，同時(shí)能切換預(yù)備的電路，不僅能排除未曾料到的電源電流的消耗和對(duì)外圍電路或裝置的影響，而且能獲得通過(guò)切換到預(yù)備電路而使微型電子計(jì)算機(jī)109能繼續(xù)工作的效果。
實(shí)施例10圖10是表示本發(fā)明的實(shí)施例10的半導(dǎo)體集成電路的結(jié)構(gòu)的電路圖，圖中，110是微型電子計(jì)算機(jī)，R20、R21是輸入保護(hù)電阻，Tr31是包含緩沖晶體管的輸入緩沖用倒相電路，Tr32是放大電路，9是AD變換器(ADC)，7是寄存電路。
本實(shí)施例10是這樣的實(shí)施例基本上與上述實(shí)施例1的結(jié)構(gòu)沒(méi)有變化，但圖1中的“異或”倒相電路Tr2被替換成放大電路Tr32，在這一點(diǎn)上不同。而且，通過(guò)用放大電路Tr32比較微型電子計(jì)算機(jī)110的I/O端口中的輸入緩沖晶體管的輸入電位與輸出電位，能高精度地檢測(cè)該輸入緩沖晶體管(或輸出緩沖晶體管)是否因電涌而被擊穿。
其次具體地說(shuō)明其工作情況。
通過(guò)將邏輯元件換成放大電路Tr32，檢測(cè)輸入電平的微小的電平差，即使在未被電涌完全擊穿的情況下，也能得知在多大程度上遭到擊穿。這時(shí)，寄存電路7利用AD變換器9將放大電路Tr32的模擬輸出值變換成數(shù)字值，且有必要將該變換成了數(shù)字值的多值電平作為多個(gè)位保存起來(lái)。因此，即使因電涌擊穿而引起微小的漏電，也能檢測(cè)出來(lái)。
另外，在上述實(shí)施例2～9中，通過(guò)安裝與該實(shí)施例10同樣的結(jié)構(gòu)，引起異常時(shí)能進(jìn)行更準(zhǔn)確的判斷。
如上所述，如果采用該實(shí)施例10，則由于將作為上述檢測(cè)部的“異或”倒相電路Tr2替換成放大電路Tr32，所以獲得能檢測(cè)電涌擊穿不完全時(shí)的微小漏電的效果。如上所述，如果采用本發(fā)明，則由于連接在微型電子計(jì)算機(jī)的衰減部上的緩沖晶體管和檢測(cè)部通過(guò)邏輯門(mén)電路，對(duì)緩沖晶體管的輸入和輸出進(jìn)行運(yùn)算處理，取出保持在存儲(chǔ)部中的處理結(jié)果，檢測(cè)該晶體管是正常還是異常，所以即使在微型電子計(jì)算機(jī)工作過(guò)程中，也能實(shí)時(shí)地檢測(cè)晶體管是否正常，具有能迅速地應(yīng)對(duì)電涌引起的晶體管擊穿時(shí)的適當(dāng)?shù)奶幹玫男Ч?br> 另外，容易特別確定故障部位，具有分析不良現(xiàn)象時(shí)對(duì)于原因確定起作用的效果。
如果采用本發(fā)明，則由于邏輯門(mén)進(jìn)行“異或”運(yùn)算處理，所以能用簡(jiǎn)單的電路檢測(cè)電涌造成的擊穿，具有能實(shí)現(xiàn)將對(duì)微機(jī)外部的外圍電路的惡劣影響抑制在最小限度的失效保護(hù)的效果。
如果采用本發(fā)明，則由于連接在衰減部上的緩沖晶體管由輸入緩沖晶體管或輸出緩沖晶體管構(gòu)成，所以在微機(jī)的輸入端子部和輸出端子部中，能分別檢測(cè)輸入及輸出緩沖晶體管的電涌擊穿，同樣，能迅速地進(jìn)行電涌擊穿時(shí)的適當(dāng)?shù)奶幹?，而且由于容易特別確定故障部位，所以具有分析不良現(xiàn)象時(shí)原因確定快的效果。
如果采用本發(fā)明，則由于連接在衰減部上的緩沖晶體管由輸入輸出緩沖晶體管構(gòu)成，同時(shí)在檢測(cè)部的輸出端與存儲(chǔ)部之間備有“或”運(yùn)算部，所以除了上述的效果以外，CPU能參照輸入及輸出緩沖晶體管的兩個(gè)異常檢測(cè)結(jié)果被保持在一個(gè)存儲(chǔ)部中的值，具有使電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單的效果。
如果采用本發(fā)明，則由于緩沖晶體管構(gòu)成倒相電路，所以倒相電路的輸入和輸出的電位電平的關(guān)系呈不相容關(guān)系，據(jù)此，具有檢測(cè)電涌引起的晶體管擊穿的檢測(cè)部的結(jié)構(gòu)能具體化的效果。
如果采用本發(fā)明，則由于檢測(cè)部由“異或”倒相電路構(gòu)成，所以具有檢測(cè)電涌引起的晶體管擊穿的檢測(cè)部的結(jié)構(gòu)能具體化的效果。
如果采用本發(fā)明，則由于運(yùn)算部由NAND電路構(gòu)成，所以CPU能參照輸入及輸出緩沖晶體管的兩個(gè)異常檢測(cè)結(jié)果被保持在一個(gè)存儲(chǔ)部中的值，具有電路結(jié)構(gòu)能具體化的效果。
如果采用本發(fā)明，則由于在檢測(cè)部的輸出端與存儲(chǔ)部之間備有誤識(shí)別防止裝置，所以除了上述的效果以外，即使衰減部的輸入電平正在變化，CPU也能無(wú)誤識(shí)別地進(jìn)行判斷，所以具有異常檢測(cè)結(jié)果的可靠性高的效果。
如果采用本發(fā)明，則由于誤識(shí)別防止裝置由LPF電路構(gòu)成，所以具有電路結(jié)構(gòu)能具體化的效果。
如果采用本發(fā)明，則由于備有將檢測(cè)部的輸出用于CPU的中斷的中斷裝置，所以只在引起異常時(shí)CPU通過(guò)中斷處理進(jìn)行處置即可，具有能降低CPU的負(fù)載的效果。
如果采用本發(fā)明，則由于備有將誤識(shí)別防止裝置的輸出用于CPU的中斷的中斷裝置，所以除了上述的降低CPU的負(fù)載以外，CPU還能對(duì)衰減部的輸入電平的變化進(jìn)行處置，具有能無(wú)誤識(shí)別地進(jìn)行判斷的效果。
如果采用本發(fā)明，則由于備有將存儲(chǔ)部的輸出用于CPU的中斷的中斷裝置，所以除了上述的降低CPU的負(fù)載以外，還具有能根據(jù)存儲(chǔ)部的檢測(cè)結(jié)果，進(jìn)行電涌擊穿等的異常判斷。
如果采用本發(fā)明，則由于備有將檢測(cè)部的輸出用于微型電子計(jì)算機(jī)的復(fù)位的復(fù)位裝置，所以具有在斷定晶體管異常的情況下，能只用硬件進(jìn)行處理的效果。
如果采用本發(fā)明，則由于備有將檢測(cè)部的輸出信號(hào)輸出給微型電子計(jì)算機(jī)的外部的外圍電路的外部通知裝置，所以具有對(duì)于晶體管異常不僅能用微機(jī)、而且能用系統(tǒng)總體進(jìn)行處置的效果。
如果采用本發(fā)明，則由于外部通知裝置通過(guò)微型電子計(jì)算機(jī)內(nèi)部的另一衰減部進(jìn)行通知，所以具有能通過(guò)配置在I/O端口中的另一個(gè)衰減部，以系統(tǒng)總體進(jìn)行晶體管異常的處置的效果。
如果采用本發(fā)明，則由于備有根據(jù)檢測(cè)部的輸出結(jié)果，阻斷該晶體管的電源供給的電源供給阻斷裝置，所以發(fā)生異常時(shí)，通過(guò)停止異常部位的晶體管的電源供給，抑制未曾料到的電源電流，具有將對(duì)微機(jī)外部的外圍電路或裝置的影響抑制在最小限度的效果。
如果采用本發(fā)明，則由于檢測(cè)部對(duì)緩沖晶體管的輸入和輸出進(jìn)行“異或”運(yùn)算，在輸出結(jié)果異常的情況下，多個(gè)中的某一個(gè)電源供給阻斷裝置阻斷該晶體管的電源供給，切換到另一電路，所以除了抑制上述的未曾料到的電源電流，將對(duì)微機(jī)外部的外圍電路或裝置的影響抑制在最小限度的效果以外，由于能切換到預(yù)備的電路，所以具有能使微型電子計(jì)算機(jī)繼續(xù)工作的效果。
如果采用本發(fā)明，則由于能將進(jìn)行“異或”運(yùn)算的檢測(cè)部置換成放大器，所以具有在電涌擊穿不完全的情況下也能檢測(cè)微小漏電的效果。
如果采用本發(fā)明，則由于放大器備有通過(guò)AD變換器保持其結(jié)果的存儲(chǔ)部，讀出保持在其中的值，檢測(cè)該晶體管的異常程度，所以利用AD變換器將放大電器的模擬輸出值變換成數(shù)字值，且存儲(chǔ)部將該變換成了數(shù)字值的多值電平作為多個(gè)位保存起來(lái)，因此具有能檢測(cè)微小漏電的效果。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體集成電路，它包括至少內(nèi)置了CPU及存儲(chǔ)器的微型電子計(jì)算機(jī)，該半導(dǎo)體集成電路的特征在于備有連接在微型電子計(jì)算機(jī)的衰減部上的緩沖晶體管；通過(guò)邏輯門(mén)對(duì)該緩沖晶體管的輸入與輸出進(jìn)行運(yùn)算處理的檢測(cè)部；以及保持該檢測(cè)部的處理結(jié)果的存儲(chǔ)部，利用該結(jié)果檢測(cè)該晶體管是正常還是異常。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體集成電路，其特征在于邏輯門(mén)進(jìn)行“異或”運(yùn)算處理。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體集成電路，其特征在于連接在衰減部上的緩沖晶體管包括輸入緩沖晶體管或輸出緩沖晶體管。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體集成電路，其特征在于連接在衰減部上的緩沖晶體管由輸入輸出緩沖晶體管構(gòu)成，同時(shí)在檢測(cè)部的輸出端與存儲(chǔ)部之間備有“或”運(yùn)算部。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體集成電路，其特征在于緩沖晶體管構(gòu)成倒相電路。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體集成電路，其特征在于檢測(cè)部由“異或”倒相電路構(gòu)成。
7.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體集成電路，其特征在于運(yùn)算部由NAND電路構(gòu)成。
8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體集成電路，其特征在于在檢測(cè)部的輸出端與存儲(chǔ)部之間備有誤識(shí)別防止裝置。
9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體集成電路，其特征在于誤識(shí)別防止裝置由LPF電路構(gòu)成。
10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體集成電路，其特征在于備有將檢測(cè)部的輸出用于CPU的中斷的中斷裝置。
11.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體集成電路，其特征在于備有將誤識(shí)別防止裝置的輸出用于CPU的中斷的中斷裝置。
12.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體集成電路，其特征在于備有將存儲(chǔ)部的輸出用于CPU的中斷的中斷裝置。
13.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體集成電路，其特征在于備有將檢測(cè)部的輸出用于微型電子計(jì)算機(jī)的復(fù)位的復(fù)位裝置。
14.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體集成電路，其特征在于備有將檢測(cè)部的輸出信號(hào)輸出給微型電子計(jì)算機(jī)的外部的外圍電路的外部通知裝置。
15.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體集成電路，其特征在于外部通知裝置通過(guò)微型電子計(jì)算機(jī)的另一衰減部進(jìn)行通知。
16.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體集成電路，其特征在于備有根據(jù)檢測(cè)部的輸出結(jié)果，阻斷該晶體管的電源供給的電源供給阻斷裝置。
17.一種半導(dǎo)體集成電路，它包括至少內(nèi)置了CPU及存儲(chǔ)器的微型電子計(jì)算機(jī)，該半導(dǎo)體集成電路的特征在于備有由連接在上述微型電子計(jì)算機(jī)的衰減部上的緩沖晶體管、對(duì)該晶體管的輸入與輸出進(jìn)行“異或”運(yùn)算的檢測(cè)部、以及根據(jù)其輸出結(jié)果阻斷該晶體管的電源供給的電源供給阻斷裝置構(gòu)成的多個(gè)電路，在輸出結(jié)果異常的情況下，阻斷該晶體管的電源供給，切換到另一電路。
18.如權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體集成電路，其特征在于將進(jìn)行“異或”運(yùn)算的檢測(cè)部置換成放大器。
19.如權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體集成電路，其特征在于放大器備有通過(guò)AD變換器保持其結(jié)果的存儲(chǔ)部，讀出保持在上述存儲(chǔ)部中的值，檢測(cè)該晶體管的異常程度。
全文摘要
本發(fā)明的課題是解決微機(jī)本身不能檢測(cè)是否引起了電涌擊穿的這樣的課題。備有連接在微型電子計(jì)算機(jī)的衰減部上的輸入輸出緩沖用倒相電路；以及通過(guò)邏輯門(mén)對(duì)該電路的輸入和輸出進(jìn)行“異或”運(yùn)算處理的倒相電路，將其處理結(jié)果保持在微機(jī)內(nèi)安裝的寄存電路中，通過(guò)讀出該寄存值，判斷該輸入輸出緩沖用倒相電路中包含的緩沖晶體管是否正常，因此，能檢測(cè)晶體管的電涌擊穿。
文檔編號(hào)H03K19/003GK1452080SQ02155710
公開(kāi)日2003年10月29日 申請(qǐng)日期2002年12月9日 優(yōu)先權(quán)日2002年4月12日
發(fā)明者黑澤飛斗矢 申請(qǐng)人:三菱電機(jī)株式會(huì)社