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      高壓電子波形發(fā)生器的制作方法

      文檔序號(hào):7523574閱讀:545來源:國知局
      專利名稱:高壓電子波形發(fā)生器的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本實(shí)用新型是一種高壓電子波形發(fā)生裝置,以常規(guī)波形發(fā)生器為基準(zhǔn)信號(hào)源,采用高壓波形輸出端電壓負(fù)反饋,控制一對(duì)金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET(以下簡(jiǎn)稱M1、M2)的通斷,驅(qū)動(dòng)兩個(gè)串聯(lián)的等值高壓直流電源,向電容器充放電,從而產(chǎn)生高壓電子波形。
      背景技術(shù)
      通常使用的電子波形發(fā)生器大多采用電子振蕩或者電子開關(guān)的方式,由于電路本身的結(jié)構(gòu)和電源電壓的限制,輸出的波形電壓一般不超過正負(fù)10V,只能用于弱電領(lǐng)域。隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展,低壓波形發(fā)生器已經(jīng)遠(yuǎn)遠(yuǎn)不能滿足當(dāng)前科學(xué)研究、技術(shù)創(chuàng)新、生產(chǎn)加工的需求,迫切需要輸出電壓高、功率大的高壓電子波形發(fā)生裝置。

      發(fā)明內(nèi)容
      本實(shí)用新型的目的是提供一種簡(jiǎn)單、實(shí)用、可靠的電壓高、功率大的電子高壓波形發(fā)生裝置,以滿足各行各業(yè)在試驗(yàn)、檢測(cè)、加工等方面對(duì)高電壓三角波、鋸齒波、方波、正弦波等波形的需要。
      本實(shí)用新型由基準(zhǔn)波形發(fā)生電路、負(fù)反饋控制電路以及高壓波形輸出電路三大部分組成,電原理總圖見圖4。
      1、基準(zhǔn)波形發(fā)生電路由壓控波形發(fā)生芯片IC及外圍電阻R11、R12、R13、R14、R15、R16、R17、R18、電容C11、C12、二極管D組成(見圖1)。芯片IC的管腳8為輸出頻率控制,調(diào)節(jié)與其相聯(lián)的可調(diào)分壓電阻R11可以改變輸出波形的頻率。管腳4與5為波形占空比控制,占空比由與4、5兩端相聯(lián)的等值電阻R14、R15串聯(lián)的可調(diào)分壓電阻R16改變。管腳5以可調(diào)電阻R13與負(fù)10V電源聯(lián)接,用來穩(wěn)定占空比。管腳12外接可調(diào)電阻R17至負(fù)10V,用于減小波形變形。管腳10外接電容C12至負(fù)10V,用于產(chǎn)生三角波形。管腳9為方波輸出端;管腳3為三角波輸出端,當(dāng)占空比不等于1時(shí),可輸出鋸齒波;管腳2為正弦波輸出端。管腳2、3、9外接開關(guān)kr、Kt、Ks,用于選擇輸出的基準(zhǔn)波形。
      2、負(fù)反饋控制電路由運(yùn)算放大器A1、A2、電阻R21、R22、R23、R24、R25、電容C21及光電耦合器TIL1、TIL2組成(見圖2)。A1及分壓耦合電阻R22、R23作為負(fù)反饋電壓跟蹤器,Vbf為負(fù)反饋形電壓輸入處;A2及輸入電阻R21、偏流電阻R24作為基準(zhǔn)波形電壓與反饋波電壓比較的減法器,Vref為基準(zhǔn)電壓波形輸入處。負(fù)反饋信號(hào)經(jīng)A1處理后,再與基準(zhǔn)信號(hào)同時(shí)進(jìn)入A2,產(chǎn)生差值信號(hào)并放大,經(jīng)并聯(lián)的電阻R25與電容C21,形成光電耦合器TIL1、TIL2的控制信號(hào)Vc,Vc=R24*(Vbf/R22-Vref/R21)。當(dāng)Vref-Vbf<0時(shí),Vc為正,TIL1導(dǎo)通,TIL2截止,TIL1輸出端Vc1,為正電壓,Vc2端為零。當(dāng)Vref-Vbf>0時(shí),Vc為負(fù),TIL2導(dǎo)通,TIL1截止,TIL2輸出端Vc2為正電壓,Vc1端為零。當(dāng)Vref-Vbf=0時(shí),Vc1、Vc2端電壓均為零。
      3、高壓波形輸出電路由電阻R30、R31、R32、R33、R34、R35、R36、R37、R38、R39、電容C31、C32、C33、場(chǎng)效應(yīng)管M1、M2及直流電壓電源Dc1、Dc2組成(見圖1)。Vc1、Vc2為負(fù)反饋控制電路信號(hào)輸入端,C33兩端為高壓電子波形輸出端,負(fù)反饋波形電壓信號(hào)由與電容C33并聯(lián)的電阻R39和可調(diào)電阻R30串聯(lián)處Vbf取出,調(diào)節(jié)R30可以改變負(fù)反饋電壓的大小。電阻R31、R32、R33及電容C31組成Vc1端分壓電路,分壓信號(hào)由R32與R33相聯(lián)處接出至M1柵極。當(dāng)Vc1端為正,Vc2為零時(shí),分壓信號(hào)控制M1導(dǎo)通,M2截止,電源DC1對(duì)電容C33放電,C33兩端輸出波形電壓降低。電阻R34、R35、R36及電容C32組成Vc2端分壓電路,分壓信號(hào)由R35與R36相聯(lián)處接出至M2柵極。當(dāng)Vc2端為正,Vc1為零時(shí),分壓信號(hào)控制M2導(dǎo)通,M1截止,電源DC2對(duì)電容C33充電,C33兩端輸出波形電壓升高。當(dāng)Vc1、Vc2端均為零時(shí),M1,M2截止,C3兩端電壓保持不變。R37、R39為電容C33充放電限流電阻。輸出電壓降低時(shí),負(fù)反饋信號(hào)經(jīng)負(fù)反饋控制電路作用促使其升高;反之,輸出電壓升高時(shí),負(fù)反饋信號(hào)又使其再度降低。如此循環(huán)往復(fù),在電容C33兩端即可得到與基準(zhǔn)波形幾近相同的高壓波形。直流電壓源DC1與DC2電壓相等,輸出波形峰值電壓的大小,由二者電壓的高低決定。
      本實(shí)用新型特點(diǎn)在于采用常規(guī)基準(zhǔn)波形發(fā)生器,使波形的產(chǎn)生簡(jiǎn)單、可靠;采用場(chǎng)效應(yīng)管控制高壓直流電源對(duì)電容充放電,使輸出波形的電壓大幅度提升成為可能;采用負(fù)反饋控制電路,使輸出的高壓波形得以產(chǎn)生并與基準(zhǔn)波形基本一致。


      圖1為基準(zhǔn)波形發(fā)生電路的電原理圖。圖2為負(fù)反饋控制電路的電原理圖。圖3為高壓波形輸出電路的電原理圖。圖2中的Vref與圖1中的Vref相聯(lián)接,圖2中的Vc1,Vc2端與圖3中的Vc1,Vc2端相聯(lián)接。圖2及圖3中的0接地處為向光電耦合器TIL2提供15V電壓的電源接地處,與其他公共接地處不相聯(lián)接。圖4為電原理總圖。
      具體實(shí)施方式
      實(shí)例一本實(shí)用新型基準(zhǔn)波形發(fā)生電路的芯片選用大規(guī)模集成塊ICL8038,電源電壓正負(fù)10V;負(fù)反饋控制電路的光電耦合器選用光電隔離管TIL117,電源電壓正15V;高壓波形輸出電路的直流電源DC1、DC2電壓均為1200V。輸出波形峰值電壓1000V,頻率2kHz。
      權(quán)利要求1.一種電子波形發(fā)生器,其特征在于它由基準(zhǔn)波形發(fā)生電路、負(fù)反饋控制電路以及高壓波形輸出電路三大部分組成,(1)、基準(zhǔn)波形發(fā)生電路由壓控波形發(fā)生芯片IC及外圍電阻R11、R12、R13、R14、R15、R16、R17、R18、電容C11、C12、二極管D組成,芯片IC的管腳8為輸出頻率控制,調(diào)節(jié)與其相聯(lián)的可調(diào)分壓電阻R11可以改變輸出波形的頻率,管腳4與5為波形占空比控制,占空比由與4、5兩端相聯(lián)的等值電阻R14、R15串聯(lián)的可調(diào)分壓電阻R16改變,管腳5以可調(diào)電阻R13與負(fù)10V電源聯(lián)接,用來穩(wěn)定占空比,管腳12外接可調(diào)電阻R17至負(fù)10V,用于減小波形變形,管腳10外接電容C12至負(fù)10V,用于產(chǎn)生三角波形。管腳9為方波輸出端;管腳3為三角波輸出端,當(dāng)占空比不等于1時(shí),可輸出鋸齒波;管腳2為正弦波輸出端,管腳2、3、9外接開關(guān)Kr、Kt、Ks,用于選擇輸出的基準(zhǔn)波形;(2)、負(fù)反饋控制電路由運(yùn)算放大器A1、A2、電阻R21、R22、R23、R24、R25、電容C21及光電耦合器TIL1、TIL2組成,A1及分壓耦合電阻R22、R23作為負(fù)反饋電壓跟蹤器,Vbf為負(fù)反饋電壓輸入處;A2及輸入電阻R21、偏流電阻R24作為基準(zhǔn)波形電壓與反饋波形電壓比較的減法器,Vref為基準(zhǔn)電壓波形輸入處,負(fù)反饋信號(hào)經(jīng)A1處理后,再與基準(zhǔn)信號(hào)同時(shí)進(jìn)入A2,產(chǎn)生差值信號(hào)并放大,經(jīng)并聯(lián)的電阻R25與電容C21,形成光電耦合器TIL1、TIL2的控制信號(hào)Vc,Vc=R24*(Vbf/R22-Vref/R21);(3)、高壓波形輸出電路由電阻R30、R31、R32、R33、R34、R35、R36、R37、R38、R39、電容C31、C32、C33、場(chǎng)效應(yīng)管M1、M2及直流電壓電源DC1、DC2組成,Vc1、Vc2為負(fù)反饋控制電路信號(hào)輸入端,C33兩端為高壓電子波形輸出端,負(fù)反饋波形電壓信號(hào)由與電容C33并聯(lián)的電阻R39和可調(diào)電阻R30串聯(lián)處Vbf取出,調(diào)節(jié)R30可以改變負(fù)反饋電壓的大小,電阻R31、R32、R33及電容C31組成Vc1端分壓電路,分壓信號(hào)由R32與R33相聯(lián)處接出至M1柵極。電阻R34、R35、R36及電容C32組成Vc2端分壓電路,分壓信號(hào)由R35與R36相聯(lián)處接出至M2柵極,R37、R39為電容C33充放電限流電阻,直流電壓源DC1與DC2電壓相等,輸出波形峰值電壓的大小,由二者電壓的高低決定。
      專利摘要本實(shí)用新型提供一種可以產(chǎn)生高達(dá)1000V的電子波形發(fā)生裝置。通常使用的電子波形發(fā)生器,輸出的波形電壓一般不超過正負(fù)10V,只能用于弱電領(lǐng)域。本實(shí)用新型以常規(guī)波形發(fā)生器為基準(zhǔn)信號(hào)源,采用高壓波形輸出端電壓負(fù)反饋,控制一對(duì)場(chǎng)效應(yīng)管的通斷,驅(qū)動(dòng)兩個(gè)串聯(lián)的等值高壓直流電源向電容器充放電,從而產(chǎn)生與基準(zhǔn)波形幾近一致的高壓電子波形。本實(shí)用新型由基準(zhǔn)波形發(fā)生電路、負(fù)反饋控制電路以及高壓波形輸出電路組成,可滿足各行各業(yè)在試驗(yàn)、檢測(cè)、加工等方面對(duì)高電壓三角波、鋸齒波、方波、正弦波等波形的需要。
      文檔編號(hào)H03K3/02GK2586288SQ0226354
      公開日2003年11月12日 申請(qǐng)日期2002年8月2日 優(yōu)先權(quán)日2002年8月2日
      發(fā)明者劉小寧, 楊雷, 廖燕川, 成榮昌 申請(qǐng)人:中國科學(xué)院等離子體物理研究所
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