專利名稱：彈性表面波裝置的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及彈性表面波裝置的制造方法和彈性表面波裝置等的電子部件的膜厚的測定方法。
背景技術(shù)：
至今，為了在同一基片上形成與多個(gè)獨(dú)立的頻率對應(yīng)的彈性表面波裝置，可以用以同一膜厚構(gòu)成多個(gè)不同間隔的電極圖案的方法。當(dāng)用該方法形成頻率很大不同的多個(gè)彈性表面波裝置時(shí)，在各個(gè)最佳條件下設(shè)計(jì)、制造電極間隔不同的多個(gè)圖案是極其困難的。
作為解決該問題的方法，在日本平成10年公布的10-93369號專利公報(bào)中，揭示了層積多種刻蝕速度很大不同的金屬，利用刻蝕速度之差形成多個(gè)膜厚的彈性表面波裝置的方法。
但是，在這種利用刻蝕速度之差的方法中，對刻蝕速度很大不同的金屬的組合存在限定，從而制約了電極圖案的設(shè)計(jì)。又，當(dāng)用干刻蝕進(jìn)行金屬膜的刻蝕時(shí)，沒有抗蝕劑部分的金屬膜容易受到損傷。另一方面，當(dāng)進(jìn)行濕刻蝕時(shí)，受到來自金屬膜側(cè)面方向的刻蝕影響。所以無論用哪種抗蝕劑方法，要高精度地形成電極圖案也是困難的，因此使頻率的零散增大。

發(fā)明內(nèi)容
在壓電基片上形成第1金屬膜，通過對它進(jìn)行刻蝕形成第1導(dǎo)體圖案的下部。在壓電基片上的，存在該第1導(dǎo)體圖案的下部的面上形成第2金屬膜，進(jìn)一步在第2金屬膜上形成第3金屬膜。通過對這些第1金屬膜、第2金屬膜和第3金屬膜進(jìn)行刻蝕，形成第1導(dǎo)體圖案和第2導(dǎo)體圖案。用該方法，能夠在同一壓電基片上具有不同的金屬膜厚，并減少與不同頻率對應(yīng)的多個(gè)彈性表面波裝置的目標(biāo)頻率的偏離和頻率零散。


圖1A～1F是本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)1的制造工序中的彈性表面波濾波器的截面圖。
圖2A～2E是本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)2的制造工序中的彈性表面波濾波器的截面圖。
圖3A～3H是本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)3的制造工序中的彈性表面波濾波器的截面圖。
具體實(shí)施例方式
(實(shí)施形態(tài)1)我們一面參照圖1A～1F一面說明實(shí)施形態(tài)1的制造方法。
如圖1A所示，在由LiTaO3等構(gòu)成的壓電基片1上，用濺射由包含Cu的Al等構(gòu)成的金屬的方法，形成例如膜厚為250nm的第1金屬膜2。
其次，在第1金屬膜2上涂敷抗蝕劑3，用光刻法對所要的圖案進(jìn)行曝光、顯影后，如圖1B所示，用濕刻法形成第1導(dǎo)體圖案的下部4。這里，第1導(dǎo)體圖案的下部4指的是在形成第1導(dǎo)體圖案的區(qū)域中在形成最終形狀的第1導(dǎo)體圖案前的狀態(tài)中存在的第1金屬膜區(qū)域。
其次，在剝離抗蝕劑3后，如圖1C所示，在形成第1導(dǎo)體圖案的下部4的壓電基片1上，用濺射由Ti等構(gòu)成的金屬的方法，形成例如膜厚為10nm的第2金屬膜5。在第2金屬膜5上，用濺射由Al等構(gòu)成的金屬的方法，形成例如膜厚為80nm的第3金屬膜6。
其次，在第3金屬膜6上涂敷抗蝕劑7，用光刻法對所要的圖案進(jìn)行曝光、顯影后，如圖1D所示，用干刻法形成第2導(dǎo)體圖案8。其次，剝離抗蝕劑，因此先形成由第2導(dǎo)體圖案8構(gòu)成的高頻彈性表面波濾波器11。
其次，在整個(gè)面上涂敷抗蝕劑9，用光刻法一面保護(hù)第2導(dǎo)體圖案一面對所要的圖案進(jìn)行曝光、顯影后，如圖1E所示，用干刻法形成第1導(dǎo)體圖案10。
其次，剝離抗蝕劑9，如圖1F所示，后形成由第1導(dǎo)體圖案10構(gòu)成的低頻彈性表面波濾波器12。
這樣一來在同一壓電基片1上從膜厚薄的第2導(dǎo)體圖案8先形成金屬膜厚度不同的2種彈性表面波裝置，后形成膜厚厚的第1導(dǎo)體圖案10。這樣通過形成和刻蝕多個(gè)金屬膜的組合在同一壓電基片上形成不同的金屬膜厚，能夠減少與不同頻率對應(yīng)的多個(gè)彈性表面波裝置的目標(biāo)頻率的偏離和頻率零散。此后，通過以所定尺寸進(jìn)行切斷，分割成單片的彈性表面波裝置。
本實(shí)施形態(tài)中的第1導(dǎo)體圖案10和第2導(dǎo)體圖案8的膜厚之比當(dāng)以第2導(dǎo)體圖案8為基準(zhǔn)時(shí)約為3.8。在同一壓電基片1上形成不同膜厚的多個(gè)導(dǎo)體圖案的情形中，當(dāng)同時(shí)形成膜厚差大的導(dǎo)體圖案時(shí)，存在使導(dǎo)體圖案的精度惡化的傾向。特別是導(dǎo)體圖案的膜厚比超過2.0時(shí)導(dǎo)體圖案的精度下降，但是通過分別形成導(dǎo)體圖案能夠提高導(dǎo)體圖案的精度。
又，在本實(shí)施形態(tài)中，低頻彈性表面波濾波器12的中心頻率為900MHz，高頻彈性表面波濾波器11的中心頻率為1.4GHz。這里第1導(dǎo)體圖案10和第2導(dǎo)體圖案8是由用于形成高頻彈性表面波濾波器11和低頻彈性表面波濾波器12的梳形電極、反射器電極、引出電極和墊片電極等構(gòu)成的。
本發(fā)明是為了使彈性表面波裝置與目標(biāo)頻率的偏離小頻率零散小，使導(dǎo)體圖案的膜厚的零散和損傷小，著眼于目標(biāo)頻率越高這些影響越大而提出的。
關(guān)于金屬膜的刻蝕條件，與膜厚有關(guān)，其最佳條件是不同的。因此，因?yàn)楫?dāng)同時(shí)刻蝕厚的金屬膜和薄的金屬膜時(shí)，無論哪個(gè)金屬膜的刻蝕條件都偏離最佳條件，所以使膜厚精度降低。為了避免這一點(diǎn)，通過先形成金屬膜厚薄的高頻用的第2導(dǎo)體圖案8，在適合于薄的膜厚的條件下進(jìn)行刻蝕，能夠減少壓電基片1的損傷。又，通過在用抗蝕劑9保護(hù)第2導(dǎo)體圖案8后，形成第1導(dǎo)體圖案10，能夠減少第2導(dǎo)體圖案8的膜厚損傷和壓電基片1的損傷等。從而能夠減少與彈性表面波裝置的目標(biāo)頻率的偏離和頻率零散。
這里通過用抗蝕劑保護(hù)第2導(dǎo)體圖案8進(jìn)行下一個(gè)工序的刻蝕，能夠防止與膜厚薄的第2導(dǎo)體圖案8的目標(biāo)頻率的偏離和頻率零散顯著地增大。
又，通過在金屬膜的形成工序中用濺射法，形成取向性優(yōu)越，膜厚零散小的均勻的金屬膜，能夠減少與目標(biāo)頻率的偏離和頻率零散。
進(jìn)一步，通過在刻蝕第1金屬膜2的工序中用濕刻蝕法，能夠在短時(shí)間中高效率地刻蝕厚的金屬膜。因此幾乎對壓電基片1沒有損傷，因?yàn)槌说?金屬膜2以外還沒有形成其它金屬膜，所以第2金屬膜5和第3金屬膜6完全沒有損傷。
又，通過在刻蝕第2金屬膜5和第3金屬膜6的工序中，用干刻蝕法，能夠高精度地形成第2導(dǎo)體圖案8，能夠減少與高頻彈性表面波濾波器11的目標(biāo)頻率的偏離和頻率零散。
又，通過用與第1金屬膜2的材質(zhì)和第3金屬膜6的材質(zhì)不同的材質(zhì)作為第2金屬膜5的材質(zhì)，能夠使各金屬膜之間的金屬膜的取向性良好，提高各金屬膜之間的粘合性。因此，能夠提高第1導(dǎo)體圖案10和第2導(dǎo)體圖案8的粘合性和耐電功率性。
此外，用LiTaO3作為壓電基片1，但是如果表示出壓電性則無論用什么樣的材料都可以。
又，我們用濕刻蝕作為用于形成第1導(dǎo)體圖案10的下部4的刻蝕方法，但是因?yàn)闉榱烁纳茝椥员砻娌ㄑb置的損失濕刻蝕是有效的，為了使與目標(biāo)頻率的偏離小，控制頻率零散，干刻蝕是有效的，所以希望與目的相應(yīng)地選擇其中的一種方法。
又，希望用陽極氧化法在第1導(dǎo)體圖案10和第2導(dǎo)體圖案8上形成由Al2O3等構(gòu)成的例如膜厚為30nm的保護(hù)膜。因此，即便在第1導(dǎo)體圖案10和第2導(dǎo)體圖案8上附著導(dǎo)電性的異物，不會發(fā)生使特性惡化的短路。又，即便水分和氣體等侵入內(nèi)部也能夠抑制金屬膜的腐蝕和變質(zhì)。所以能夠減少初期惡化，提高耐氣候性能等的可靠性。
保護(hù)膜除了Al2O3以外也可以用SiO2、Si、氮化硅等形成。也可以將保護(hù)膜設(shè)置在第1導(dǎo)體圖案10、第2導(dǎo)體圖案8的整個(gè)面上或者除了用于與外部連接的墊片電極的面的整個(gè)面或一部分，和壓電基片1上的整個(gè)面或一部分上。但是為了減少彈性表面波裝置的損失，不希望將保護(hù)膜設(shè)置在壓電基片1上。
此外，作為第l金屬膜2的材質(zhì)用包含Cu的Al，但是除此以外也可以用包含Al或Cu以外的其它金屬的Al合金，例如Al-Ti、Al-W、Al-Ta等。又，作為第2金屬膜5的材質(zhì)用Ti，但是為了改善多種層積金屬層的粘合性，也可以用Ti合金和Cr、Cr合金、Ta、Ta合金、W、W合金、Ni、Ni合金、Mo、Mo合金、Mg、Mg合金。又，作為第3金屬膜6的材質(zhì)用Al，但是除此以外也可以用Al合金，例如Al-Ti、Al-W、Al-Ta等。
又，第1金屬膜2的材質(zhì)與第3金屬膜5的材質(zhì)相同也好不同也好都沒有關(guān)系。
此外，我們希望例如用熒光X射線分析裝置等測定第1金屬膜2的厚度，當(dāng)存在與目標(biāo)值的偏離時(shí)在濺射條件下對形成第1金屬膜2的壓電基片1進(jìn)行反饋校正。
進(jìn)一步，例如用熒光X射線分析裝置等測定形成第l導(dǎo)體圖案的下部4和第2金屬膜5、第3金屬膜6的壓電基片1的，形成第2金屬膜5和第3金屬膜6的部分的膜厚，從熒光X射線的波長將第2金屬膜5和第3金屬膜6合計(jì)的測定數(shù)據(jù)分離成第2金屬膜5的膜厚和第3金屬膜6，求得與各個(gè)膜厚對應(yīng)的膜厚，當(dāng)存在與目標(biāo)值的偏離時(shí)在濺射條件下進(jìn)行反饋校正。
通過將壓電基片1的中央部分作為在壓電基片1上測定膜厚的地方，一面能夠在不怎么減少在壓電基片1上形成彈性波表面裝置的數(shù)量的情況下確保大量生產(chǎn)性，一面能夠控制金屬膜的膜厚。又，作為在壓電基片1上測定膜厚的區(qū)域大小，希望是能夠確保周圍段差等的影響小的膜厚均勻的區(qū)域。又，希望設(shè)置多個(gè)測定點(diǎn)。因此，可以測定壓電基片1上的金屬膜的膜厚分布，能夠在壓電基片1的面方向上高精度地控制金屬膜的膜厚。
此外，當(dāng)在第1導(dǎo)體圖案的下部4上只形成第2金屬膜5時(shí)，通過對在壓電基片1上只形成第2金屬膜5的部分進(jìn)行熒光X射線分析，能夠求得第2金屬膜5的膜厚。
又，當(dāng)在壓電基片1上形成第2金屬膜5和第3金屬膜6的區(qū)域小時(shí)，當(dāng)進(jìn)行熒光X射線分析時(shí)，存在著由于受到其它金屬例如第1導(dǎo)體圖案的下部4的影響使測定精度惡化的情形。在這種情形中，在相同條件下通過濺射在別的壓電基片上形成第2金屬膜和第3金屬膜，通過用熒光X射線分析裝置測定在別的壓電基片上形成的第2金屬膜和第3金屬膜的膜厚，能夠看作在壓電基片1上形成的第2金屬膜5和第3金屬膜6的膜厚。
如果根據(jù)這種膜厚測定方法，則因?yàn)樵谥圃旃ば蛲局械母麟A段中測定多種金屬膜的膜厚，所以能夠高精度地控制金屬膜的膜厚。因此，能夠減小從用于高頻的電子部件的目標(biāo)特性，例如目標(biāo)頻率的偏離和頻率零散。
(實(shí)施形態(tài)2)現(xiàn)在我們一面參照圖2A～2E一面說明實(shí)施形態(tài)2的制造方法。此外，在與實(shí)施形態(tài)1中說明的相同構(gòu)成上加上相同的標(biāo)號，并省略對它們的詳細(xì)說明。
圖2A～2C的工序與實(shí)施形態(tài)1中圖1A～1C的工序相同。在直到圖2C的工序中，在壓電基片1上形成第1導(dǎo)體圖案的下部4，在它上面形成第2金屬膜5和第3金屬膜6。
其次，在第3金屬膜6上涂敷抗蝕劑7，用光刻法對所要的圖案進(jìn)行曝光、顯影后，如圖2D所示，用干刻法對第3金屬膜6、第2金屬膜5第1導(dǎo)體圖案的下部4進(jìn)行刻蝕，同時(shí)形成第l導(dǎo)體圖案10和第2導(dǎo)體圖案8。
其次，如圖2E所示，剝離抗蝕劑7，同時(shí)形成由第1導(dǎo)體圖案10構(gòu)成的低頻彈性表面波濾波器12和由第2導(dǎo)體圖案8構(gòu)成的高頻彈性表面波濾波器11。
這樣一來在同一壓電基片1上同時(shí)形成金屬膜厚度不同的2種彈性表面波裝置。這樣通過形成和刻蝕多個(gè)金屬膜的組合在同一壓電基片1上形成不同的金屬膜厚，能夠減少與不同頻率對應(yīng)的多個(gè)彈性表面波裝置的目標(biāo)頻率的偏離和頻率零散。此后，通過以所定尺寸進(jìn)行切斷，分割成單片的彈性表面波裝置。
分別刻蝕并形成厚的金屬膜和薄的金屬膜時(shí)，必須至少進(jìn)行2次刻蝕。但是因?yàn)殛P(guān)于金屬膜的刻蝕條件，與膜厚有關(guān)，其最佳條件是不同的，所以當(dāng)金屬膜和壓電基片的數(shù)量很多時(shí)，受到刻蝕的影響，與目標(biāo)頻率的偏離增大，頻率零散增大。
本發(fā)明為了避免這個(gè)問題，通過同時(shí)刻蝕膜厚厚的金屬膜和膜厚薄的金屬膜，減少刻蝕次數(shù)，降低刻蝕的影響，減小與目標(biāo)頻率的偏離，并且減小頻率零散。
下面具體地表示刻蝕的影響。當(dāng)刻蝕時(shí)，即便按照設(shè)定值實(shí)施刻蝕條件，也存在著特性零散。這是因?yàn)槊看芜M(jìn)行刻蝕時(shí)，受到周邊條件的影響實(shí)際上刻蝕比設(shè)定的量過多或不足，而且每次進(jìn)行刻蝕時(shí)它的影響發(fā)生微妙的變化。因此，當(dāng)進(jìn)行多次刻蝕時(shí)，在例如第1次刻蝕過多，但是第2次刻蝕不足的情形中，金屬膜和壓電基片受到的刻蝕影響變得很復(fù)雜，不能夠單純地進(jìn)行校正。
可是，當(dāng)進(jìn)行1次刻蝕時(shí)，容易校正刻蝕的影響。
這樣，通過減少刻蝕次數(shù)能夠高精度地控制多個(gè)膜厚的金屬膜，能夠減小與目標(biāo)頻率的偏離，并且減小頻率零散。因?yàn)樾纬蛇@種效果的多個(gè)金屬膜的膜厚越接近由刻蝕產(chǎn)生的影響越大，所以效果是明顯的。
又，通過減少刻蝕的次數(shù)，減少了涂敷抗蝕劑后的熱處理次數(shù)，從而減少了伴隨著熱處理產(chǎn)生的靜電和靜電破壞等。因此，能夠提高成品率和可靠性。
又，因?yàn)橥ㄟ^減少刻蝕的次數(shù)，能夠減少工序數(shù)，從而減少了設(shè)備投資，所以可以降低成本。
(實(shí)施形態(tài)3)現(xiàn)在我們一面參照圖3A～3H一面說明實(shí)施形態(tài)3的制造方法。此外，在與實(shí)施形態(tài)1中說明的相同構(gòu)成上加上相同的標(biāo)號，并省略對它們的詳細(xì)說明。
在圖3中，圖3A～3F是與圖1A～1F相同的工序，在壓電基片1上形成第2導(dǎo)體圖案14和第1導(dǎo)體圖案13。但是，使第1導(dǎo)體圖案的一部分與第2導(dǎo)體圖案的一部分連接的進(jìn)行構(gòu)成。
其次，在整個(gè)面上涂敷抗蝕劑22，用光刻法一面保護(hù)第2導(dǎo)體圖案14、第1導(dǎo)體圖案13中的墊片電極19和21以外的部分一面對所要的圖案進(jìn)行曝光、顯影。進(jìn)一步用蒸涂法形成由Ti等金屬構(gòu)成的例如膜厚為100nm的第4金屬膜17，如圖3G所示，在它上面形成由Al等的金屬構(gòu)成的例如膜厚為300nm的第5金屬膜18。此后，如圖3H所示，通過剝離除去抗蝕劑22和在抗蝕劑22上形成的第4金屬膜和第5金屬膜，在第1導(dǎo)體圖案13上形成第4金屬膜17和第5金屬膜18。其次，通過以所定尺寸進(jìn)行切斷，分割成單片的彈性表面波裝置。此后，將這樣得到的單片的彈性表面波裝置配設(shè)在管殼等的底部，通過導(dǎo)線焊接和沖壓等連接墊片電極和管殼的端子電極連接部分，密封管殼，制成電子部件。
在實(shí)施形態(tài)1中，第1導(dǎo)體圖案10具有層積第1、第2和第3金屬膜的構(gòu)成，第2導(dǎo)體圖案8具有層積第2和第3金屬膜的構(gòu)成，并使兩者分別分離地形成。另一方面，在本實(shí)施形態(tài)1中，備有1)在第1導(dǎo)體圖案13的一部分上與第2導(dǎo)體圖案14連接的引出電極15、2)在第2導(dǎo)體圖案14的一部分上與第1導(dǎo)體圖案13連接的圖案16、和3)與引出電極15連接由第1導(dǎo)體圖案13的一部分構(gòu)成的墊片電極19，在墊片電極19上在第3金屬膜6的上面形成第4金屬膜17，進(jìn)一步在它上面形成第5金屬膜18，進(jìn)一步設(shè)置4)由第1導(dǎo)體圖案13的一部分構(gòu)成的引出電極20、和5)由與引出電極20連接的第1導(dǎo)體圖案13的一部分構(gòu)成的墊片電極21，在墊片電極21上在第3金屬膜6的上面形成第4金屬膜17，進(jìn)一步在它上面形成第5金屬膜18。
此外，為了制作電子部件，也可以通過沖壓和導(dǎo)電性膠安裝在與單片的彈性表面波裝置相同形狀、相同尺寸的安裝基片上，作為CSP(芯片大小包裝)。
此外，在實(shí)施形態(tài)3中，表示了在第1導(dǎo)體圖案13上形成第4金屬膜17和第5金屬膜18，設(shè)置引出電極20、墊片電極21的構(gòu)成。除了該構(gòu)成以外，也可以在第2導(dǎo)體圖案14上設(shè)置第4金屬膜、第5金屬膜，在第2導(dǎo)體圖案14上設(shè)置引出電極或墊片電極。
在以上的實(shí)施形態(tài)3中，設(shè)置與第1彈性表面波裝置23連接的引出電極20和墊片電極21，設(shè)置與第2彈性表面波裝置24連接的引出電極15和墊片電極19。因此，不僅在第1彈性表面波裝置23，而且在膜厚薄的第2彈性表面波裝置24中，它們的引出電極15的膜厚變厚。因此，降低了與外部連接端子的連接阻抗，從而減少了彈性表面波裝置的損失。此外，從圖3H可見，因?yàn)樵谝鲭姌O15中不包含第4金屬膜17和第5金屬膜18，所以引出電極15的膜厚也由于不包含設(shè)置第4金屬膜17和第5金屬膜18的工序而變厚。
又，通過第4金屬膜17在墊片電極19和墊片電極21上設(shè)置第5金屬膜18，提高了電極的粘合強(qiáng)度并且提高了耐電功率性。
這里，第4金屬膜17不僅改善了多層層積的金屬膜的粘合性，而且能夠防止在第5金屬膜18上當(dāng)與外部連接端子連接時(shí)電極粘合強(qiáng)度的降低。例如當(dāng)設(shè)置Au沖壓等與外部連接端子連接時(shí)，Au沖壓中的Au具有擴(kuò)散到第5金屬膜18中使電極的粘合強(qiáng)度惡化的性質(zhì)。第4金屬膜17防止Au的擴(kuò)散，提高了電極的粘合強(qiáng)度，防止焊接時(shí)電極剝離。
這樣，設(shè)置第2金屬膜5和第4金屬膜17材質(zhì)類似的目的是明確不同的，分別具有獨(dú)自的作用效果。
又通過蒸涂設(shè)置第5金屬膜18，能夠使最上層為柔順金屬膜。因此，外部連接端子例如能夠提高導(dǎo)線焊接和沖壓等的接合強(qiáng)度，減少接觸電阻。因此，能夠減少彈性表面波裝置的損失，提高接合可靠性，改善壽命。
此外，在上述說明中，我們說明了根據(jù)實(shí)施形態(tài)1制成第1、第2導(dǎo)電圖案后，形成第4、第5金屬膜的方法，但是代替實(shí)施形態(tài)1用實(shí)施形態(tài)2中說明的方法也能夠得到同樣的效果。
如上所述如果根據(jù)本發(fā)明，則在同一壓電基片1上從膜厚薄的彈性表面波裝置一方先形成膜厚不同的彈性表面波裝置，或者同時(shí)形成膜厚不同的彈性表面波裝置。又具有用濺射作為金屬膜的形成方法，首先，通過刻蝕形成第1導(dǎo)體圖案的下部，其次通過刻蝕形成除此以外的導(dǎo)體圖案的方法，因此能夠高精度地形成導(dǎo)體圖案。因此能夠減少與目標(biāo)頻率的偏離和頻率零散，特別是能夠?qū)崿F(xiàn)高頻彈性表面波濾波器的高性能化。又，通過設(shè)置并構(gòu)成膜厚厚的引出電極和墊片電極，能夠提高與外部連接端子的接合強(qiáng)度，降低接觸電阻，從而能夠減少彈性表面波裝置的損失，提高接合可靠性，改善壽命。
權(quán)利要求
1.彈性表面波裝置的制造方法，其特征是它包含在壓電基片上形成第1金屬膜的工序、通過刻蝕上述第1金屬膜形成第1導(dǎo)體圖案的下部的工序、在上述壓電基片的，形成上述第1導(dǎo)體圖案的下部的面上形成第2金屬膜的工序、在上述第2金屬膜上形成第3金屬膜的工序、和通過刻蝕上述第1金屬膜、上述第2金屬膜、上述第3金屬膜，形成上述第1導(dǎo)體圖案和第2導(dǎo)體圖案的工序。
2.權(quán)利要求1所述的彈性表面波裝置的制造方法，其特征是形成上述第1導(dǎo)體圖案和第2導(dǎo)體圖案的工序包含通過刻蝕存在于形成上述第1導(dǎo)體圖案的下部以外的區(qū)域中的上述第2金屬膜和第3金屬膜，形成第2導(dǎo)體圖案的工序、和通過刻蝕形成上述第1導(dǎo)體圖案的下部的區(qū)域中的上述第3金屬膜、上述第2金屬膜和上述第1金屬膜，形成上述第1導(dǎo)體圖案的工序。
3.權(quán)利要求1所述的彈性表面波裝置的制造方法，其特征是比上述第1導(dǎo)體圖案先形成上述第2導(dǎo)體圖案。
4.權(quán)利要求1所述的彈性表面波裝置的制造方法，其特征是在形成上述第1導(dǎo)體圖案和第2導(dǎo)體圖案的工序中，同時(shí)形成上述第1導(dǎo)體圖案和上述第2導(dǎo)體圖案。
5.權(quán)利要求1所述的彈性表面波裝置的制造方法，其特征是使上述第1導(dǎo)體圖案的厚度比上述第2導(dǎo)體圖案的厚度厚。
6.權(quán)利要求1所述的彈性表面波裝置的制造方法，其特征是形成上述第1金屬膜、上述第2金屬膜、和上述第3金屬膜的方法中的至少一個(gè)方法是濺射。
7.權(quán)利要求1所述的彈性表面波裝置的制造方法，其特征是形成上述第1導(dǎo)體圖案的下部的方法是濕刻蝕。
8.權(quán)利要求1所述的彈性表面波裝置的制造方法，其特征是形成上述第1導(dǎo)體圖案和上述第2導(dǎo)體圖案的方法中的至少一個(gè)方法是干刻蝕。
9.權(quán)利要求1所述的彈性表面波裝置的制造方法，其特征是上述第1金屬膜的成分至少包含Al。
10.權(quán)利要求1所述的彈性表面波裝置的制造方法，其特征是上述第2金屬膜是由具有與上述第1金屬膜的高粘合性的金屬材料構(gòu)成的。
11.權(quán)利要求1所述的彈性表面波裝置的制造方法，其特征是上述第2金屬膜的成分包含Ti、Cr、Ta、W、Ni、Mo、Mg中的至少一種。
12.權(quán)利要求1所述的彈性表面波裝置的制造方法，其特征是上述第3金屬膜的成分至少包含Al。
13.權(quán)利要求1所述的彈性表面波裝置的制造方法，其特征是它進(jìn)一步包含在上述第1導(dǎo)體圖案和上述第2導(dǎo)體圖案中的至少一方的至少一部分上設(shè)置保護(hù)膜的工序。
14.權(quán)利要求1所述的彈性表面波裝置的制造方法，其特征是使上述第1導(dǎo)體圖案的膜厚與上述第2導(dǎo)體圖案的膜厚之比，以膜厚薄的一方為基準(zhǔn)在2倍以上。
15.權(quán)利要求1所述的彈性表面波裝置的制造方法，其特征是使在上述第1導(dǎo)體圖案和上述第2導(dǎo)體圖案中的至少一方的導(dǎo)體圖案上形成的彈性表面波裝置的中心頻率在1GHz以上。
16.權(quán)利要求1所述的彈性表面波裝置的制造方法，其特征是它進(jìn)一步包含在上述第1導(dǎo)體圖案和第2導(dǎo)體圖案中的至少任何一方上形成第4金屬膜的工序、在上述第4金屬膜上形成第5金屬膜的工序、和在上述第5金屬膜和上述第4金屬膜上形成圖案的工序。
17.權(quán)利要求16所述的彈性表面波裝置的制造方法，其特征是形成上述第4金屬膜的工序和形成上述第5金屬膜的工序中的至少一個(gè)工序是蒸涂。
18.權(quán)利要求16所述的彈性表面波裝置的制造方法，其特征是在上述第5金屬膜和上述第4金屬膜上形成圖案的工序包含剝離抗蝕劑和在抗蝕劑上形成的上述第4金屬膜和上述第5金屬膜的工序。
19.權(quán)利要求1所述的彈性表面波裝置的制造方法，其特征是使上述第1導(dǎo)體圖案的一部分與上述第2導(dǎo)體圖案的一部分連接地將上述第1導(dǎo)體圖案的一部分設(shè)置在上述第2導(dǎo)體圖案的一部分上。
20.權(quán)利要求19所述的彈性表面波裝置的制造方法，其特征是與上述第2導(dǎo)體圖案的一部分連接并設(shè)置在上述第2導(dǎo)體圖案的一部分上的上述第1導(dǎo)體圖案是引出電極和用于與外部端子連接的墊片電極中的任何一方。
21.權(quán)利要求16所述的彈性表面波裝置的制造方法，其特征是在上述第1導(dǎo)體圖案和上述第2導(dǎo)體圖案中的任何一方上形成上述第4金屬膜和上述第5金屬膜的部分是引出電極和用于與外部端子連接的墊片電極中的任何一方。
22.權(quán)利要求16所述的彈性表面波裝置的制造方法，其特征是上述第4金屬膜是能夠抑制形成與上述第5金屬膜連接的外部端子的金屬擴(kuò)散的材料。
23.權(quán)利要求16所述的彈性表面波裝置的制造方法，其特征是上述第4金屬膜的成分包含Ti、Cr、Ta、W、Ni、Mo、Mg中的至少任何一種。
24.權(quán)利要求16所述的彈性表面波裝置的制造方法，其特征是上述第5金屬膜的成分至少包含Al。
25.權(quán)利要求1所述的彈性表面波裝置的制造方法，其特征是它進(jìn)一步包含在形成上述第1導(dǎo)體圖案的下部的工序中形成沒有第1金屬膜的區(qū)域，在形成上述第1金屬膜的工序后，測定上述第1金屬膜的厚度的工序、和至少在形成上述第2金屬膜的工序后，測定沒有上述第1金屬膜的區(qū)域的金屬膜厚度的工序。
26.權(quán)利要求25所述的彈性表面波裝置的制造方法，其特征是在形成上述第2金屬膜的工序和形成上述第3金屬膜的工序中的至少一方后，立即進(jìn)行測定沒有上述第1金屬膜的區(qū)域的金屬膜厚度的工序。
27.權(quán)利要求25所述的彈性表面波裝置的制造方法，其特征是將沒有上述第1金屬膜的區(qū)域設(shè)置在上述壓電基片的中央部分。
28.權(quán)利要求25所述的彈性表面波裝置的制造方法，其特征是將多個(gè)沒有上述第1金屬膜的區(qū)域設(shè)置在上述壓電基片上。
全文摘要
本發(fā)明提供制造備有在同一壓電基片上具有不同厚度的第1導(dǎo)體圖案和第2導(dǎo)體圖案的彈性表面波裝置的制造方法。通過形成金屬膜的多個(gè)工序和刻蝕工序的組合，能夠高精度地制造在同一壓電基片上具有多個(gè)電極膜厚的彈性表面波裝置。
文檔編號H03H3/08GK1516922SQ02812009
公開日2004年7月28日 申請日期2002年7月1日 優(yōu)先權(quán)日2001年7月2日
發(fā)明者山下清春, 池田和生, 關(guān)俊一, 古川光弘, 弘, 生 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社