專利名稱：再生放大器電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于對輸入信號特別是數(shù)字信號整形的電路。更具體地，本發(fā)明涉及一種包括場效應(yīng)晶體管的集成電路，例如金屬半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MESFET)，即高電子遷移率、偽形態(tài)或變形晶體管(分別為HEMT、PHEMT、MHEMT)。這種晶體管可以通過利用例如GaAs、GaInAs、InP的III-V族材料的技術(shù)實現(xiàn)。本發(fā)明可以用于例如在將信號轉(zhuǎn)化為光信號之前對信號整形的高速數(shù)字通信的領(lǐng)域中。
場效應(yīng)晶體管級在由James V.DiLorenzo和Deen D.Khandelwal編輯的出版物“GaAs FET PRINCIPLES and TECHNOLOGY”中有所介紹(ARTECH HOUSE，INC.，610 Washington Street，Dedham，Massachusetts 02026，United States of American)。正如在引證文獻的第621-623頁上所描述的、和在引證文獻的第622頁上的

圖1中、或本發(fā)明附帶的圖1A中所示例的，該級是反相器電路，其構(gòu)成邏輯電路的基本單元。利用該基本單元，可以實現(xiàn)AND、OR、NAND和NOR功能。該反相器包括與負載串聯(lián)的開關(guān)晶體管。電源電壓VDD的負端，即施加到晶體管源極的電壓連接至地。當(dāng)晶體管的柵極接收具有對應(yīng)于邏輯狀態(tài)“1”的高值V1＝VIH并超過閾值電壓VT的輸入電壓時，晶體管導(dǎo)電。在晶體管的輸出電壓，如同在它的漏極上可獲得的，具有低值的情況下，即，由于與負載電阻相比，晶體管的電阻小，所以V0-VOH接近零。當(dāng)輸入電壓低，即V1＝VIL，對應(yīng)于邏輯狀態(tài)“0”，且小于閾值電壓VT時，晶體管關(guān)斷。在輸出節(jié)點處根本不需要電流的情況下，則輸出電壓V0＝VOH接近電源電壓VDD。
與該現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的目的是用于實現(xiàn)將數(shù)字輸入信號再生為輸出信號的電路，其具有短的開關(guān)時間，而且表現(xiàn)出穩(wěn)定性和強健性的特性。
在下文中，為了簡化起見，高晶體管和低晶體管將由兩個晶體管代表，它們的電極被偏置到對于所謂的“高晶體管”比對于所謂的“低晶體管”更高的電壓電位。同樣地，在連接兩個輸入的情況下，為了簡化起見，高輸入和低輸入將由其電壓電位高于所謂低輸入電壓電位的所謂高輸入來代表。在附圖中，高晶體管和高輸入被示出于相應(yīng)的低晶體管和低輸入之上。
本發(fā)明提出一種差分放大器級結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)是用來形成輸出信號和互補信號，其中該輸出信號是以輸入信號為基礎(chǔ)再生的信號，該互補信號是該輸入信號的互補并以輸入信號為基礎(chǔ)形成的。用于對信號產(chǎn)生互補信號的裝置就本身而論是公知的，且在此沒有詳細描述。
形成本發(fā)明目的的放大器包括輸入級，其包括一對具有一對低晶體管和一對高晶體管的推挽放大器，其中該對低晶體管稱為第一和第二低晶體管，該對高晶體管稱為第一和第二高晶體管。第一低晶體管和第一高晶體管的聯(lián)合構(gòu)成具有低輸入和高輸入以及第一輸出的第一推挽放大器。對于每對第二晶體管同樣適用。因此，該輸入級通過一對推挽放大器形成，其稱為第一和第二推挽放大器。該對低晶體管中第一低晶體管的低控制輸入接收信號，其是由第二低晶體管的低控制輸入接收的信號的互補。對于高晶體管的輸入同樣適用。因為放大器是推挽放大器，所以由第一推挽放大器的高晶體管的高輸入接收的輸入信號，是由所述的推挽放大器的第一低晶體管的低輸入接收的輸入信號的互補。對于第二推挽放大器的高和低晶體管同樣適用。第一和第二推挽放大器的第一和第二輸出的每一個被耦合至差分對輸入，其輸出傳送是以輸入信號為基礎(chǔ)再生的信號的輸出信號。在各自的負載阻抗端(ZLa和ZLb)上提供輸出信號和互補輸出信號。
因此，本發(fā)明涉及一種用于再生互補數(shù)字信號的差分放大器電路，其電路包括由第一和第二晶體管構(gòu)成的差分對晶體管，該對第一晶體管具有第一控制輸入以及第一和第二電極，該對第二晶體管具有第二控制輸入以及第一和第二電極，其特征在于該電路包括來自差分對的上行流，由第一和第二推挽放大器構(gòu)成的一對推挽放大器，分別具有分別耦合至互補輸入信號源和輸入信號源的第一和第二低輸入、分別耦合至輸入信號源和互補輸入信號源的第一和第二高輸入、第一和第二輸出，該對推挽放大器的第一和第二輸出分別耦合至該差分對的第一和第二晶體管的第一和第二控制輸入。在本發(fā)明的一個實施例中，該差分對晶體管是場效應(yīng)晶體管。形成每個推挽放大器的高和低級的晶體管優(yōu)選是場效應(yīng)晶體管。
參考附上的簡圖，在下文中將詳細地描述本發(fā)明；其中圖1A示出公共源極的數(shù)字信號放大器的公知例子；圖1B示出另一個公共源極的數(shù)字信號放大器；圖2示出本發(fā)明一個實施例的電路圖，以及圖3示出一種可以提供在圖2中示出的電路輸入處的適配級。
參考圖1A和1B，為了以數(shù)字形式實現(xiàn)整形功能，可以使用基本單元，該基本單元是由具有低線性增益，例如在0和10dB之間、并工作于開關(guān)模式的快速放大器級形成，以便于使信號的高電平和低電平飽和，因此再生出稱為邏輯電平1和0的電平。在這兩個邏輯電平之間的電壓擺動通常在10mV和2V之間。例如，典型值是500mV。該放大器級可以是具有以公共源極布置連接(至地)的具有單一輸出的晶體管的放大器，如圖1A所示，或具有虛地的公共源極差分放大器，如圖1B所示。在圖1A中，輸入信號施加到晶體管T5的柵極1a，該晶體管T5的源極耦合至電壓源Vss，而它的漏極通過負載阻抗ZL連接到電壓源Vdd。在所述負載ZL的端上提供輸出信號。在圖1B中，輸入信號施加到晶體管T5的柵極1a，并且互補輸入信號施加到晶體管T6的柵極1b。晶體管T5和T6具有例如通過電流發(fā)生器11耦合至相同電壓源Vss的公共源極。晶體管T5和T6的漏極分別連接到負載阻抗ZLa和ZLb。這些負載的其它兩端相互連接，以便形成耦合至相同電壓源Vdd的公共節(jié)點。在負載阻抗ZLa和ZLb每個的端上分別提供輸出信號和互補輸出信號。這些放大器可以以單一模式或差分模式級聯(lián)連接。在那種情況下，用于適配阻抗和用于移動電壓電平的級可以插入于數(shù)字放大器級之間。當(dāng)每個放大器級的增益電平足夠高，以使信號的高和低電平在飽和范圍中時，對于信號的再生是足夠的，因此使邊界整形、使邏輯電平再生并使邏輯電平上的噪聲衰減。因此，每級的線性增益可以相當(dāng)?shù)?，即典型?和10dB之間?？s減線性增益的一個優(yōu)點是能夠使通帶的寬度增加。在信號處理或再生功能中，利用差分對作為基本結(jié)構(gòu)，邏輯電平1由是高電壓電平的漏極電壓的電平Vdd限定，可能具有恒定電壓漂移。在高邏輯電平和低邏輯電平之間的電壓擺幅sw被定義為sw＝I0*ZL，其中I0是在該差分對的阻抗負載ZL中流動的總的峰-峰電流。從該差分對的阻抗負載ZL的電源Vdd中汲取的該電流由于該對上占優(yōu)勢的邏輯狀態(tài)的功能而不改變。從其中得出，在電源Vdd和兩個阻抗負載ZL的公共節(jié)點之間路徑的阻抗不再改變。因此，該差分對不受在電源Vdd和兩個阻抗負載ZL的公共節(jié)點之間路徑的物理實現(xiàn)的影響。而且，例如通過利用電流鏡，電流I0可以被定義為工藝上非常穩(wěn)定的參數(shù)的函數(shù)，該電流I0可以由插入在T5和T6的公共源極與電壓電源Vss之間的電流發(fā)生器固定。結(jié)果，使用差分對作為它們的基本結(jié)構(gòu)的邏輯電路具有恒定且穩(wěn)定的邏輯電平1和0，意味著它們對例如溫度、電源電壓和由有關(guān)技術(shù)帶來的容差范圍的參數(shù)的波動幾乎不敏感。在使用介紹的用于再生電平的級期間遇到的缺點是由于開關(guān)時間對于所考慮的應(yīng)用太長這一事實。
圖2示出一種根據(jù)本發(fā)明用于再生相互互補數(shù)字信號的差分放大器電路。該電路包括差分對晶體管T5和T6，其例如是場效應(yīng)晶體管。該差分對的第一晶體管T5和第二晶體管T6都分別具有第一源極9a和9b、第一漏極8a和8b以及第一柵極1a和第二柵極1b。根據(jù)本發(fā)明，差分放大器電路包括，來自該差分對的連接的上行流，由第一推挽放大器12a和第二推挽放大器12b構(gòu)成的一對推挽放大器，分別具有第一低輸入Lb和第二低輸入L，其分別耦合至互補輸入信號源和輸入信號源，以及第一高輸入H和第二高輸入Hb，其分別耦合至輸入信號源和互補輸入信號源。推挽放大器12a、12b具有第一輸出13a和第二輸出13b。輸出13a、13b分別耦合至該差分對的第一晶體管T5和第二晶體管T6的第一柵極1a和第二柵極1b。再生的信號提供在晶體管T6的輸出OUT上，即在該晶體管的漏極8b上?；パa的再生信號提供在晶體管T5的輸出OUTB上，即在該晶體管的漏極8a上。
在圖2中示出的例子中，每個推挽放大器12a和12b分別包括兩個場效應(yīng)晶體管T1、T3和T2、T4，即分別是第一低晶體管T1和第二低晶體管T2，以及分別是第一高晶體管T3和第二高晶體管T4。優(yōu)選地，低晶體管T1、T2匹配，意味著它們具有盡可能一致的特性。對于高晶體管T3、T4同樣適用。由此形成的推挽放大器被稱為差分推挽放大器。該差分推挽放大器的第一輸出13a是通過第一高晶體管T3的源極和第一低晶體管T1的漏極之間的連接節(jié)點形成的。該差分推挽放大器的第二輸出13b是通過第二高晶體管T4的源極和第0二低晶體管T2的漏極之間的連接節(jié)點形成的。應(yīng)當(dāng)注意的是，對于該差分對T5、T6的互補命令包括相反方向的脈沖。脈沖的同時性非常高。它是由所提出的推挽放大器的差分結(jié)構(gòu)所激勵。推挽放大器12a、12b的高晶體管T3、T4每一個的漏極17a、17b連接至第一漏極電壓源Vdd1。該差分對的晶體管T5、T6每一個的漏極8a、8b，即分別通過阻抗ZLb和ZL連接至第二漏極電壓源Vdd2。通過這些源極15a、15b經(jīng)由第一電流發(fā)生器14連接至第一源極電壓源Vss1這一事實，來確保推挽放大器12a、12b的低晶體管T1、T2每一個的源極15a、15b的偏置。通過這些源極經(jīng)由第二電流發(fā)生器11連接至第二源極電壓源Vss2這一事實，來確保差分對的晶體管T5、T6每一個的源極9a、9b的偏置。用于源極偏置的第一或第二電流發(fā)生器11、14可以是理想發(fā)生器或者不是。這些發(fā)生器也可以由阻抗取代或補充。
在控制信號瞬變的時刻，推挽放大器12a、12b放大數(shù)字信號同時增大其幅度。在推挽放大器輸出處的典型幅度可以例如從1至2V。由晶體管T5和T6形成的差分對于是接收高幅度的信號。晶體管T5和T6的開關(guān)時間基本上依賴于饋送級的能力，以提供用于晶體管T5和T6快速開關(guān)需要的短暫但強度大的瞬時電流。用于引導(dǎo)由晶體管T5和T6形成的差分對的差分推挽放大器的使用，因而能夠在該差分對晶體管的柵極1a、1b處提供低阻抗，并輸送在開關(guān)期間需要的短暫但強度大的電流脈沖。這些電流脈沖比通過要求為低阻抗的更常規(guī)級，例如電壓跟隨器所獲得的那些電流脈沖更大。添加到施加信號的高幅度的這些電流脈沖，使由晶體T5和T6形成的差分對的開關(guān)更快。
參考本發(fā)明的實施例，已給出上述描述，其包括如圖2中所示的場效應(yīng)晶體管。本發(fā)明同樣可以例如借助雙極晶體管，例如NPN晶體管來實現(xiàn)。在該情況下，源極必須由這些NPN晶體管的發(fā)射極代替，漏極由集電極代替以及柵極由基極代替。通過進行本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的必要修改，本發(fā)明同樣可以借助PNP晶體管實現(xiàn)。
差分對T5、T6可以是如上所描述的單一差分對，或者是集成在更復(fù)雜功能中的差分對，亦即，依賴于在具有源極耦合的場效應(yīng)晶體管(SCFL)的邏輯電路中使用的技術(shù)。因為SCFL柵極包括若干重疊的差分對，所以本發(fā)明可以用于控制所有或其中一些差分對。這可以使已有技術(shù)中可以獲得的最大產(chǎn)量增加。
適配級可以用于控制差分放大器。這種適配電路優(yōu)選具有低的輸出阻抗，并以輸入信號和作為所述輸入信號的互補的互補信號為基礎(chǔ)傳送互補的高信號和低信號，所述互補的高信號和低信號通過適合于使該對推挽放大器的低和高輸入正確地偏置的電勢差相對于彼此移動。舉例來說，在高和低輸入之間的電勢差可以是從1到2V的數(shù)量級，然而在邏輯電平之間的擺幅例如可以在200和600mV之間。
舉例來說，該種適配電路包括一對晶體管T7、T8，其中每個具有控制輸入和電極。在下文中，該對晶體管將被稱作跟隨器對。跟隨器對的晶體管T7、T8的其中一個控制輸入接收輸入信號，而其它的控制輸入接收作為該輸入信號的互補的信號。連接跟隨器對的每個晶體管T7、T8，以便其中一個電極傳送在其控制輸入上接收的信號的跟隨器信號。該電極耦合至用于改變在該電極上提供的信號電平的裝置的輸入。在用于改變電平的這些裝置的輸出上出現(xiàn)的信號是具有與在這些裝置的輸入上出現(xiàn)的信號相同邏輯值、但顯示出電壓電平的漂移的信號，并且饋給該對推挽放大器的低和高輸入的低和高互補信號因此由在所述電平改變裝置的輸入處和輸出處存在的連接節(jié)點形成。
圖3示出這種適配電路30的一個例子。該電路30基本上包括跟隨器對晶體管T7、T8。例如，晶體管屬于場效應(yīng)型，如圖3所示。這些晶體管T7、T8被連接作為源極跟隨器。因此，電路30是用于降低阻抗的電路。跟隨器對的第一晶體管T7在其柵極18a上接收信號Inb，該信號Inb是將被再生的輸入信號In的互補，在跟隨器對的第二晶體管T8的柵極18a上接收該信號In本身。晶體管T7、T8的源極19a、19b分別耦合至適配電路的第三電流源20a、20b，其本身被連接至第三源電壓Vss3。源極19a、19b中每一個通過阻抗Zs分別耦合至它的第三電流發(fā)生器20a、20b。與每個源極有關(guān)的阻抗Zs和電流發(fā)生器20a、20b改變在阻抗Zs的輸入上出現(xiàn)的跟隨器信號的電平。在示出的例子中，在用于改變電平的裝置的輸出上、即在沒有連接到源極19a、19b的阻抗Zs的一側(cè)上出現(xiàn)的信號，是具有相同邏輯值、但電壓電位比在電平改變裝置的輸入上、即在連接至源極19a、19b的阻抗Zs的一側(cè)上出現(xiàn)的信號的電壓電位更低的信號。每個晶體管T7、T8的漏極23a、23b連接至第三漏極電壓電源Vdd3。現(xiàn)在將描述該適配電路30與圖2中示出的電路的連接。晶體管T7的源極和連接到源極19a的負載Zs的阻抗的連接點19a傳送高信號Hb。因此，晶體管T7的源極19a連接到該對推挽放大器的第二放大器12b的高晶體管T4的高輸入Hb。在晶體管T7的負載阻抗Zs的輸出處的連接點21a傳送信號Lb。因此，點21a連接至該對推挽放大器的第一推挽放大器12a的低晶體管T1的輸入Lb。在對稱方式中，傳送高輸入信號H的點19b被連接至該對推挽放大器的第一推挽放大器12a的高晶體管T3的輸入H。最后，在跟隨器對的第二晶體管T8的負載阻抗Zs和第一電流發(fā)生器20b之間的、傳送低信號L的連接點21b被連接至該對推挽放大器的第二放大器12b的低晶體管T2的輸入L?？蛇x地，適配電路30的第四電流發(fā)生器22a、22b分別連接于源極19a、19b和第三源電壓電源Vss3之間。
分別提供用于推挽放大器12a、12b的漏極、差分對T5、T6的漏極和適配電路30的晶體管T7、T8的漏極的電壓源Vdd1、Vdd2和Vdd3的節(jié)點可以偏置到不同或相等的電壓值；對于電源節(jié)點Vss1、Vss2和Vss3同樣適用。為了縮減電源電壓的數(shù)量，可以一方面將Vdd1、Vdd2和Vdd3連接到全部的電源Vdd，且另一方面將Vss1、Vss2和Vss3連接到全部的電源Vss。而且，這些電源Vdd或Vss中任何一個可以連接到地，因此能夠?qū)崿F(xiàn)具有單個電源電壓的器件。
根據(jù)本發(fā)明的電路工作如下。
將被再生的低和高信號以及它們的互補信號被施加到該對推挽放大器的相應(yīng)的輸入。在這些放大器12a、12b的輸出上的信號具有大于在邏輯高和低電平之間的電壓擺幅的幅度。由于信號的該更高幅度，所以該差分對晶體管的開關(guān)更快，即，由于在開關(guān)期間其輸出阻抗低的推挽放大器更有能力提供差分對晶體管需要的短暫但強度大的瞬時電流因而更快。
推挽結(jié)構(gòu)的優(yōu)點尤其是低輸出阻抗和提供大瞬時電流的可能性因此結(jié)合了差分連接的優(yōu)點，其尤其是邏輯電平的穩(wěn)定性和精確性、電源電壓的強抑制、由電源Vdd和Vss上的信號感應(yīng)的寄生的強縮減、和對相關(guān)技術(shù)容限的范圍幾乎不敏感。
描述的電路可以有利地用于高速通信器件的領(lǐng)域中。
電路特別適合用于光纖的信號接收/發(fā)送模塊中，該模塊包括用于整形信號的電路和包含這種差分放大器電路的多路復(fù)用電路。
權(quán)利要求
1.一種用于再生互補數(shù)字信號的差分放大器電路，該電路包括差分對晶體管(T5、T6)，其輸入(1b、1a)接收互補數(shù)字信號且其輸出(OUT、OUTB)傳送再生的互補信號，其特征在于，它包括用于減小開關(guān)時間和用于增大在差分對晶體管的高和低邏輯電平之間電壓擺動的幅度的裝置，該裝置包括一對推挽放大器(12b、12a)，其輸入接收將被再生的互補輸入信號，且其輸出(13b、13a)在低阻抗下和在開關(guān)期間，傳送增大了幅度的所述互補輸入信號的短暫但強度大的電流脈沖，以便將這些脈沖施加到所述差分對晶體管(T5、T6)的輸入。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的電路，其中差分對晶體管(T5、T6)包括第一晶體管(T5)和第二晶體管(T6)，該對的第一晶體管(T5)具有用于控制的第一輸入(1a)和第一電極(8a)和第二電極(9a)，該對的第二晶體管(T6)具有用于控制的第二輸入(1b)和第一電極(8b)和第二電極(9b)，連接來自差分對(T5、T6)的上行流的差分對推挽放大器(12a、12b)包括第一推挽放大器(12a)和第二推挽放大器(12b)，具有分別耦合至互補輸入信號源和輸入信號源的第一和第二低輸入(Lb、L)、分別耦合至輸入信號源和互補輸入信號源的第一和第二高輸入(H、Hb)、第一和第二輸出(13a、13b)，該對推挽放大器(12a、12b)的第一和第二輸出(13a、13b)分別耦合至該差分對的第一和第二晶體管(T5、T6)的第一和第二控制輸入(1a、1b)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2中之一的電路，其中該對推挽放大器(12a、12b)的每一個放大器包括兩個晶體管(分別為T1、T3和T2、T4)，其每一個包括控制輸入(L、Hb、Lb、H)，所述的控制輸入形成該對推挽放大器(12a、12b)的第一和第二低輸入(L、Lb)以及第一和第二高輸入(Hb、H)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3的電路，其特征在于，共同形成該對推挽放大器(12a、12b)的差分對晶體管(T5、T6)和晶體管(T1、T2、T3、T4)是場效應(yīng)晶體管，其第一和第二電極(15a、15b；17a、17b)是源極和漏極，控制輸入是晶體管(T1、T2、T3、T4)的柵極(Lb、L、H、Hb)，該對推挽放大器的每個推挽放大器(12a、12b)的高晶體管(T3、T4)的漏極(17a、17b)被耦合至第一漏極偏置源(Vdd1)，該差分對的晶體管(T5、T6)的漏極(8a、8b)被耦合至第二漏極偏置源(Vdd2)，該對推挽放大器的每個推挽放大器(12a、12b)的低晶體管(T1、T2)的源極(15a、15b)被耦合至第一源電壓源，該差分對的每個晶體管(T5、T6)的源極(9a、9b)被耦合至第二源偏置源。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的電路，其中第一和第二源偏置中的每一個分別由電流發(fā)生器(11、14)或連接到電壓源(Vss1、Vss2)的阻抗形成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中之一的電路，該電路還包括，連接的來自該對推挽放大器(12a、12b)的上行流，用于降低阻抗的適配電路(30)，其以輸入信號和作為所述輸入信號的互補的互補信號為基礎(chǔ)，傳送饋給該對推挽放大器(12a、12b)的低和高輸入(Lb、L、H、Hb)的互補的低信號和高信號。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的電路，其中適配電路(30)包括跟隨器對晶體管(T7、T8)，其每個具有控制輸入(18a、18b)和電極(19a、23a、19b、23b)，分別地，該跟隨器對的晶體管(T7、T8)的控制輸入(18a、18b)中的一個接收輸入信號，而另一個控制輸入接收作為該輸入信號的互補的互補信號，該跟隨器對的每個晶體管(T7、T8)被連接，以使得其電極(19a、19b)中的一個傳送在其輸入(18a、18b)上接收的信號的跟隨器信號，該電極(19a、19b)耦合至用于改變該電極(19a、19b)上出現(xiàn)的信號電平的裝置(Zs)的輸入，在這些裝置(Zs)的輸出(21a、21b)上出現(xiàn)的信號是具有與所述裝置(Zs)的所述輸入上出現(xiàn)的信號相同邏輯值、但是漂移的電壓電位的信號，通過在用于改變電平的所述裝置(Zs)的輸入(19a、19b)處和輸出(21a、21b)處提供的連接節(jié)點來形成該對推挽放大器(12a、12b)的低和高輸入(L、Lb、H、Hb)。
8.一種用于電信的發(fā)射/傳送電路，包括上述權(quán)利要求中之一所述的放大器電路。
9.一種通過光纖傳送/接收信號的發(fā)射模塊，包括用于整形信號的電路和多路復(fù)用電路，包含如權(quán)利要求1至7之一所述的放大器電路。
全文摘要
一種用于再生互補數(shù)字信號的放大器電路，其包括差分對晶體管(T5、T6)。該電路還包括一對推挽放大器(12a、12b)，其由具有分別耦合至輸入信號和其互補源的第一和第二低輸入(L、Lb)、分別耦合至互補輸入信號源和輸入信號源的第一和第二高輸入(H、Hb)、以及第一和第二輸出(13a、13b)的第一和第二推挽放大器構(gòu)成，其中第一和第二輸出(13a、13b)在低阻抗和開關(guān)期間提供增大了幅度的所述互補輸入信號的短暫但強度大的電流脈沖，以便將這些脈沖分別施加到該差分對的第一和第二晶體管(T5、T6)的第一和第二控制輸入(1a、1b)。
文檔編號H03F3/45GK1611004SQ02826185
公開日2005年4月27日 申請日期2002年12月18日 優(yōu)先權(quán)日2001年12月28日
發(fā)明者A·加斯米, J·霍拉尼 申請人:皇家飛利浦電子股份有限公司