專利名稱:一種開(kāi)關(guān)電路的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種開(kāi)關(guān)電路，包括三極管Q1、場(chǎng)效應(yīng)管Q2、第一電阻R1、第二電阻R2、第三電阻R3、控制端、第一電壓端和第二電壓端；所述三極管Q1的基極通過(guò)所述第一電阻R1連接至所述第一電壓端；所述三極管Q1的發(fā)射極連接至所述控制端；所述三極管Q1的集電極通過(guò)所述第二電阻R2連接至所述第二電壓端；所述場(chǎng)效應(yīng)管Q2的柵極通過(guò)所述第三電阻R3與所述三極管Q1的集電極連接；所述場(chǎng)效應(yīng)管Q2的源極連接至所述第二電壓端。本實(shí)用新型電路設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單，元件較少，降低了產(chǎn)品成本，PCB的占用面積較小，便于PCB的排版布線。
【專利說(shuō)明】一種開(kāi)關(guān)電路

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及電子【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種開(kāi)關(guān)電路。

【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有的開(kāi)關(guān)電路大多采用場(chǎng)效應(yīng)管作為電路的開(kāi)關(guān)元件，一般通過(guò)采用兩級(jí)三極管控制場(chǎng)效應(yīng)管工作，如圖1所示，其基本原理如下:
[0003]當(dāng)控制端POW_EN狀態(tài)為低電平時(shí)，三極管以1截止，三極管以2的基極為高電平，三極管Q12在導(dǎo)通，三極管Q12的集電極為低電平，即場(chǎng)效應(yīng)管Q13的柵極為低電平，場(chǎng)效應(yīng)管Q13導(dǎo)通。
[0004]當(dāng)POW_EN控制口為高電平時(shí)，三極管Qll導(dǎo)通，三極管Q12的基極為低電平，三極管Q12截止，電壓5V_STB通過(guò)電阻R14、電阻R15回到場(chǎng)效應(yīng)管Q13的柵極，場(chǎng)效應(yīng)管Q13截止。
[0005]然而，通過(guò)采用兩級(jí)三極管控制場(chǎng)效應(yīng)管工作的電路較為復(fù)雜，元件較多，成本較增高，PCB(Printed Circuit Board，印制電路板)的面積增加，不利于PCB的排版布線。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題是，提供一種開(kāi)關(guān)電路，通過(guò)一級(jí)三極管控制場(chǎng)效應(yīng)管工作，簡(jiǎn)化電路，降低成本，減少PCB的面積，便于PCB的排版布線。
[0007]本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種開(kāi)關(guān)電路，所述開(kāi)關(guān)電路包括三極管Q1、場(chǎng)效應(yīng)管Q2、第一電阻R1、第二電阻R2和第三電阻R3 ；
[0008]所述三極管Ql的基極通過(guò)所述第一電阻Rl連接至第一電壓端；
[0009]所述三極管Ql的發(fā)射極連接至控制端；
[0010]所述三極管Ql的集電極通過(guò)所述第二電阻R2連接至第二電壓端；
[0011]所述場(chǎng)效應(yīng)管Q2的柵極通過(guò)所述第三電阻R3與所述三極管Ql的集電極連接；
[0012]所述場(chǎng)效應(yīng)管Q2的源極連接至所述第二電壓端。
[0013]優(yōu)選地，所述三極管Ql為NPN型三極管。
[0014]優(yōu)選地，所述場(chǎng)效應(yīng)管Q2為P溝道場(chǎng)效應(yīng)管。
[0015]優(yōu)選地，所述開(kāi)關(guān)電路還包括第四電阻R4 ;
[0016]所述三極管Ql的發(fā)射極連接至所述控制端具體為:
[0017]所述三極管Ql的發(fā)射極通過(guò)所述第四電阻R4連接至所述控制端。
[0018]優(yōu)選地，所述開(kāi)關(guān)電路還包括第一電容Cl ;
[0019]所述第一電容Cl的第一端與所述場(chǎng)效應(yīng)管Q2的源極連接，所述第一電容Cl的第二端與所述場(chǎng)效應(yīng)管Q2的柵極連接。
[0020]優(yōu)選地，所述開(kāi)關(guān)電路還包括第二電容C2 ;
[0021]所述第二電容C2的第一端與所述場(chǎng)效應(yīng)管Q2的漏極連接，所述第二電容C2的第二端接地。
[0022]優(yōu)選地，所述第一電阻Rl為1K Ω的電阻；
[0023]第二電阻R2為4.7ΚΩ的電阻；
[0024]第三電阻R3為100 ΚΩ的電阻；
[0025]第四電阻R4為100 Ω的電阻；
[0026]所述第一電容Cl為0.1uF的電容；
[0027]所述第二電容C2為0.1uF的電容。
[0028]本實(shí)用新型提供一種開(kāi)關(guān)電路，通過(guò)一級(jí)三極管控制場(chǎng)效應(yīng)管工作，電路設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單，元件較少，降低了產(chǎn)品成本，PCB的占用面積較小，PCB的排版布線容易。

【附圖說(shuō)明】

[0029]圖1是現(xiàn)有技術(shù)提供的一種常用的開(kāi)關(guān)電路的電路圖；
[0030]圖2是本實(shí)用新型提供的開(kāi)關(guān)電路的一個(gè)實(shí)施例的電路圖。

【具體實(shí)施方式】
[0031 ] 下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。
[0032]參見(jiàn)圖2，是本實(shí)用新型提供的開(kāi)關(guān)電路的一個(gè)實(shí)施例的電路圖。
[0033]如圖2所示，所述開(kāi)關(guān)電路包括三極管Q1、場(chǎng)效應(yīng)管Q2、第一電阻R1、第二電阻R2和第三電阻R3。
[0034]所述三極管Ql的基極通過(guò)所述第一電阻Rl連接至第一電壓端VCC。
[0035]所述三極管Ql的發(fā)射極連接至控制端POW_EN。
[0036]所述三極管Ql的集電極通過(guò)所述第二電阻R2連接至第二電壓端VSS。
[0037]所述場(chǎng)效應(yīng)管Q2的柵極通過(guò)所述第三電阻R3與所述三極管Ql的集電極連接。
[0038]所述場(chǎng)效應(yīng)管Q2的源極連接至所述第二電壓端VSS。
[0039]其中，所述三極管Ql優(yōu)選為NPN型三極管。
[0040]所述場(chǎng)效應(yīng)管Q2為金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管。
[0041]所述場(chǎng)效應(yīng)管Q2優(yōu)選為P溝道場(chǎng)效應(yīng)管。
[0042]進(jìn)一步地，所述開(kāi)關(guān)電路還包括第四電阻R4。
[0043]所述三極管Ql的發(fā)射極連接至所述控制端POW_EN具體為:
[0044]所述三極管Ql的發(fā)射極通過(guò)所述第四電阻R4連接至所述控制端POW_EN。
[0045]更進(jìn)一步地，所述開(kāi)關(guān)電路還包括第一電容Cl。
[0046]所述第一電容Cl的第一端與所述場(chǎng)效應(yīng)管Q2的源極連接，所述第一電容Cl的第二端與所述場(chǎng)效應(yīng)管Q2的柵極連接。
[0047]所述開(kāi)關(guān)電路優(yōu)選還包括第二電容C2。
[0048]所述第二電容C2的第一端與所述場(chǎng)效應(yīng)管Q2的漏極連接，所述第二電容C2的第二端接地。
[0049]在一種優(yōu)選的實(shí)施當(dāng)中，所述第一電阻Rl為1K Ω的電阻。
[0050]第二電阻R2為4.7ΚΩ的電阻。
[0051]第三電阻R3為100 ΚΩ的電阻。
[0052]第四電阻R4為100Ω的電阻。
[0053]所述第一電容Cl為0.1uF的電容。
[0054]所述第二電容C2為0.1uF的電容。
[0055]當(dāng)控制端POW_EN為低電平時(shí)，三極管Ql的發(fā)射極為低電平，而三極管Ql的基極通過(guò)所述第一電阻Rl上拉到第一電壓VCC，三極管Ql處于飽和狀態(tài)，三極管Ql的集電極為低電平，而場(chǎng)效應(yīng)管Q2的柵極通過(guò)第三電阻R3連接到所述三極管Ql的集電極，所以場(chǎng)效應(yīng)管Q2的柵極也為低電平，場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)通。
[0056]當(dāng)控制端POW_EN為高電平時(shí)(通常為3.3V)，三極管Ql的發(fā)射極也為高電平，三極管Ql的基極通過(guò)所述第一電阻Rl上拉到第一電壓VCC (所述第一電壓VCC可根據(jù)控制端POW_EN的輸出電壓進(jìn)行設(shè)置)，此時(shí)，三極管Ql的發(fā)射極和基極電壓差為0V，三極管Ql處于截止?fàn)顟B(tài)，場(chǎng)效應(yīng)管Q2的柵極通過(guò)第三電阻R3、第二電阻R2連接到第二電壓端VSS，為高電平，場(chǎng)效應(yīng)管截止。
[0057]綜上所述，本實(shí)用新型提供一種開(kāi)關(guān)電路，通過(guò)一級(jí)三極管控制場(chǎng)效應(yīng)管工作，電路設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單，元件較少，降低了產(chǎn)品成本，PCB的占用面積較小，PCB的排版布線容易。
[0058]以上所述是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本實(shí)用新型原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種開(kāi)關(guān)電路，其特征在于，所述開(kāi)關(guān)電路包括三極管Q1、場(chǎng)效應(yīng)管Q2、第一電阻R1、第二電阻R2和第三電阻R3 ； 所述三極管Ql的基極通過(guò)所述第一電阻Rl連接至第一電壓端； 所述三極管Ql的發(fā)射極連接至控制端； 所述三極管Ql的集電極通過(guò)所述第二電阻R2連接至第二電壓端； 所述場(chǎng)效應(yīng)管Q2的柵極通過(guò)所述第三電阻R3與所述三極管Ql的集電極連接； 所述場(chǎng)效應(yīng)管Q2的源極連接至所述第二電壓端。2.如權(quán)利要求1所述的開(kāi)關(guān)電路，其特征在于，所述三極管Ql為NPN型三極管。3.如權(quán)利要求2所述的開(kāi)關(guān)電路，其特征在于，所述場(chǎng)效應(yīng)管Q2為P溝道場(chǎng)效應(yīng)管。4.如權(quán)利要求3所述的開(kāi)關(guān)電路，其特征在于，所述開(kāi)關(guān)電路還包括第四電阻R4; 所述三極管Ql的發(fā)射極連接至所述控制端具體為: 所述三極管Ql的發(fā)射極通過(guò)所述第四電阻R4連接至所述控制端。5.如權(quán)利要求4所述的開(kāi)關(guān)電路，其特征在于，所述開(kāi)關(guān)電路還包括第一電容Cl; 所述第一電容Cl的第一端與所述場(chǎng)效應(yīng)管Q2的源極連接，所述第一電容Cl的第二端與所述場(chǎng)效應(yīng)管Q2的柵極連接。6.如權(quán)利要求5所述的開(kāi)關(guān)電路，其特征在于，所述開(kāi)關(guān)電路還包括第二電容C2; 所述第二電容C2的第一端與所述場(chǎng)效應(yīng)管Q2的漏極連接，所述第二電容C2的第二端接地。7.如權(quán)利要求6所述的開(kāi)關(guān)電路，其特征在于， 所述第一電阻Rl為1K Ω的電阻； 第二電阻R2為4.7ΚΩ的電阻； 第三電阻R3為100K Ω的電阻； 第四電阻R4為100Ω的電阻； 所述第一電容Cl為0.1uF的電容； 所述第二電容C2為0.1uF的電容。
【文檔編號(hào)】H03K17-687GK204290916SQ201420738272
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