專利名稱：光接收放大器電路和配有它的光拾取單元的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光拾取單元的光接收放大器電路和光拾取單元，用于可對所謂的CD-R/RW和DVD±R/RW那樣的不同光波長的兩種盤進(jìn)行重放和/或記錄的裝置，特別涉及具有監(jiān)控激光強(qiáng)度的功能的用于光接收元件的光接收放大器電路，以便以所定功率來控制激光強(qiáng)度。
背景技術(shù)：
例如，隨著記錄媒體和光源的進(jìn)步，正在依次制定不同光波長的光盤規(guī)格，如上述的CD-R/RW盤為780nm，上述DVD±R/RW盤為650nm。作為微型計算機(jī)的外圍裝置，廣泛使用可對這樣的多種類的光盤進(jìn)行重放和/或記錄裝置。而且，在這種裝置中，為了穩(wěn)定進(jìn)行重放和記錄，一般要檢測出照射在光盤上的一部分激光束，監(jiān)控該檢出信號，同時合適地控制激光強(qiáng)度。
另一方面，對于上述不同的波長，為了光拾取單元的小型化和低成本化，即使分別設(shè)置光源，也共用光電二極管等光接收單元。該光接收單元靈敏度的溫度特性隨波長變化而改變。
補(bǔ)償上述溫度特性的一般方法是，在激光功率監(jiān)控器的光接收放大器電路中使用溫度特性相互不同的電阻來控制光接收放大器電路的靈敏度的溫度特性，用該光接收放大器電路的溫度特性消除光接收單元的溫度特性。而且，在光盤的記錄/重放時，通過經(jīng)常用激光功率監(jiān)控器的光接收單元檢測出激光強(qiáng)度，將對應(yīng)其變化的光接收單元的輸出反饋給作為發(fā)光單元的激光二極管，可將激光強(qiáng)度維持在合適的強(qiáng)度內(nèi)。
但是，在上述的那種方法中，如上述那樣，因光接收單元的溫度特性隨波長變化而改變，不能檢測出正確的激光強(qiáng)度，所以成為特別是在記錄時引起差錯的一個主要原因。
這里，例如在特開2001-23218號公報(
公開日平成13年1月26日)中公開了下述內(nèi)容由于光波長根據(jù)發(fā)光單元的溫度而變化，通過監(jiān)控激光強(qiáng)度并對其進(jìn)行合適地控制，可補(bǔ)償發(fā)光單元的溫度特性。另外，在特開2001-52368號公報(
公開日平成13年2月23日)中公開了下述內(nèi)容激光強(qiáng)度因?qū)懭牒妥x取而變化時，通過由前置監(jiān)控器(front monitor)監(jiān)控激光強(qiáng)度，可正確地監(jiān)控所述激光強(qiáng)度。
但是，上述現(xiàn)有技術(shù)不能實現(xiàn)對波長變化的光接收單元的溫度特性的補(bǔ)償。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明目的在于提供光接收放大器電路和配有它的光拾取單元，即使光接收單元靈敏度的溫度特性因波長變化而改變，其也能夠補(bǔ)償它。
為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明光接收放大器電路放大輸出來自光接收單元的信號，多種波長的光信號入射該光接收單元，該電路包括輸入了來自上述光接收單元的信號的前級放大器，放大上述前級放大器的輸出的后級放大器；所述前級放大器中的反饋電阻和所述后級放大器中決定靈敏度的至少一部分電阻由具有相互不同溫度特性的電阻元件(resistive element)形成，所述電阻元件根據(jù)所述光信號波長的種類而不同。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，例如如所述CD-R/RW盤的780nm和所述DVD±R/RW盤的650nm的那樣，在放大輸出來自被入射多種波長光信號的光接收單元的信號的光接收放大器電路中，在輸入了來自光接收單元的信號的前級放大器中盡可能按所述波長種類設(shè)置反饋電阻(增益電阻)，以及在下一級以后，盡可能按所述波長種類設(shè)置包括輸入電阻和反饋電阻等決定靈敏度的電阻的放大器，所述前級放大器的反饋電阻和下一級以后的放大器中決定靈敏度的電阻的至少一部分電阻元件以具有相互不同溫度特性的方式形成，根據(jù)所述光信號波長的種類，切換使用的反饋電阻和放大器等，可切換所述電阻元件。
因此，即使光接收單元靈敏度的溫度特性因波長變化而改變，在反饋電阻和決定靈敏度的電阻中，通過使用具有對應(yīng)于各個波長溫度特性的溫度特性的電阻元件，也能夠用光接收放大器電路的溫度特性來消除所述光接收單元的溫度特性。
本發(fā)明光拾取單元使用上述光接收放大器電路。因此，即使光接收單元靈敏度的溫度特性因波長變化而改變，也能夠用光接收放大器電路靈敏度的溫度特性來消除它，并實現(xiàn)不受靈敏度溫度特性影響的光拾取單元。
本發(fā)明其它目的、特征和優(yōu)點通過下面的記載將變得清楚。本發(fā)明的優(yōu)點通過參照下面附圖的說明將變得更清楚。


圖1是表示裝有本發(fā)明第一實施方式的拾取單元的記錄/重放裝置的光學(xué)系統(tǒng)的示意圖。
圖2是表示在用作為圖1記錄/重放裝置的光拾取單元的本發(fā)明第一實施例的光拾取單元中的光接收放大器電路的電構(gòu)成示意圖。
圖3是表示圖2光拾取單元(光接收放大器電路)中的差動放大器的具體結(jié)構(gòu)的電路圖。
圖4是表示本發(fā)明其它實施例的光拾取單元(光接收放大器電路)的電結(jié)構(gòu)示意圖。
圖5是表示圖4光拾取單元(光接收放大器電路)中的差動放大器的具體結(jié)構(gòu)的電路圖。
圖6是表示本發(fā)明另一實施例的光拾取單元(光接收放大器電路)的電結(jié)構(gòu)方框圖。
具體實施例方式
以下根據(jù)圖1至圖3來說明本發(fā)明第一實施方式。
圖1是用于說明安裝有本發(fā)明第一實施方式的光接收放大器電路的記錄/重放裝置1的光學(xué)系統(tǒng)的示意圖。該記錄/重放裝置1是可以對所謂CD-R/RW和DVD±R/RW的光波長不同的兩種光盤2上進(jìn)行記錄/重放的裝置。發(fā)光單元即激光二極管3在上述CD-R/RW盤時發(fā)出780nm的激光，而在上述DVD±R/RW盤時發(fā)出650nm的激光。該激光在準(zhǔn)直透鏡4中變換為平行光，在束分離器5中其光路被彎曲90°的后，經(jīng)準(zhǔn)直透鏡6和物鏡7照射到上述光盤2上。
來自光盤2的反射光從物鏡7和準(zhǔn)直透鏡6通過束分離器5，由點透鏡(spot lens)聚焦后，入射到光接收單元9。光接收單元9根據(jù)入射的光信號，在重放信息信號的同時，生成跟蹤和聚焦伺服信號，并輸出到圖中未示出的信號處理電路和控制電路等中。在記錄時，激光二極管的出射光根據(jù)要寫入數(shù)據(jù)來調(diào)制。
在這樣構(gòu)成的光學(xué)系統(tǒng)中，包括有在激光二極管3附近位置設(shè)置的光拾取單元10，和/或在通過束分離器5的相反側(cè)位置上設(shè)置的光拾取單元11。通過該光拾取單元10、11，監(jiān)控激光二極管3的一部分出射光，通過將該監(jiān)控輸出反饋到激光二極管3，由此將激光強(qiáng)度調(diào)整到最合適的強(qiáng)度。
圖2是表示在用作為光拾取單元10，11的本發(fā)明第一實施方式的光拾取單元21中的光接收放大器電路的電結(jié)構(gòu)方框圖。該光拾取單元21大致包括光電二極管PD、放大器A1，A2、差動放大器A3，A4。光電二極管PD是共用于780nm和650nm激光的光接收單元。前級放大器即放大器A1是將來自光電二極管PD的電流信號變換成電壓信號的第一級放大器。前級放大器即放大器A2是被設(shè)置用于基準(zhǔn)的另一個第一級放大器。差動放大器A3、A4是第二級放大器，其輸入來自放大器A1、A2的輸出，并求出它們的差分。
放大器A1包括放大器部分OP1；反饋電阻(增益電阻)Rf1，其將來自光電二極管PD的電流信號進(jìn)行電流-電壓變換?；鶞?zhǔn)放大器即放大器A2不連接光電二極管PD，其與放大器A1相同，包括放大器部分OP2和反饋電阻Rf2。
另一方面，650nm的DVD用的后級放大器即差動放大器A3包括放大器部分OP3；輸入電阻Rs31、Rs32；輸入分壓電阻Rf31；以及反饋電阻Rf32。放大器A1的輸出通過輸入電阻Rs31和輸入分壓電阻Rf31，在基準(zhǔn)電壓Vs之間進(jìn)行分壓，并輸入到放大器部分OP3的正輸入端。放大器A2的基準(zhǔn)電壓經(jīng)輸入電阻Rs32輸入到放大器部分OP3的負(fù)輸入端。在該負(fù)輸入端上還經(jīng)反饋電阻Rf32反饋放大器部分OP3的輸出。因此，從該差動放大器A3得到對應(yīng)于放大器A1的光輸入的輸出電壓和放大器A2的沒有光輸入的基準(zhǔn)電壓間的差分輸出，將光電二極管PD上的因光輸入導(dǎo)致的電壓變化部分放大輸出。
同樣，780nm的CD系使用的后級放大器即差動放大器A4包括放大器部分OP4；輸入電阻Rs41、Rs42；輸入分壓電阻Rf41，以及反饋電阻Rf42。放大器A1的輸出通過輸入電阻Rs41和輸入分壓電阻Rf41在基準(zhǔn)電壓Vs間進(jìn)行分壓并輸入到放大器部分OP4的正輸入端。放大器A2的基準(zhǔn)電壓經(jīng)輸入電阻Rs42輸入到放大器部分OP4的負(fù)輸入端。在該負(fù)輸入端上還通過反饋電阻Rf42反饋放大器部分OP4的輸出。
在如上述構(gòu)成的光拾取單元21中，前級放大器即放大器A1的反饋電阻Rf1和基準(zhǔn)放大器即放大器A2的反饋電阻Rf2例如通過擴(kuò)散電阻(體電阻)等形成為相同的溫度特性(片(sheet)電阻值)和相同電阻值。后級放大器即差動放大器A3、A4分別具有電阻Rf31、Rf32、Rf41、Rf42。
這里，設(shè)Rf31＝Rf32＝Rf3，Rf41＝Rf42＝Rf4，Rs31＝Rs32＝Rs3，Rs41＝Rs42＝Rs4，如果光電二極管PD的變換效率為ηA/W，則光接收放大器電路的靈敏度S[V/W]用下式給出S=η×Rf1×Rf3(4)Rs3(4)]]>但是，下標(biāo)3(4)分別是差動放大器A3、A4的輸出情況。
所述靈敏度S[V/W]對溫度T[℃]的偏微分由下式表示。
∂S∂T=∂η∂T×Rf1×Rf3(4)Rs3(4)+η×∂Rf1∂T×Rf3(4)Rs3(4)]]>+η×Rf1×(∂Rf3(4)∂T×1Rs3(4)-Rf3(4)Rs3(4)2×∂Rf3(4)∂T)]]>靈敏度的微分溫度系數(shù)(S/T)/S由下式表示。
∂S∂T/S=∂η/∂Tη+∂Rf1/∂TRf1+∂Rf3(4)/∂TRf3(4)-∂Rs3(4)/∂TRs3(4)]]>因此，靈敏度S的溫度系數(shù)變?yōu)?S的溫度系數(shù))[ppm/℃]＝(η的溫度系數(shù))+(Rf1的溫度系數(shù))+(Rf3(4)的溫度系數(shù))-(Rs3(4)的溫度系數(shù))。
即，電阻Rf1、Rf2、Rf31、Rf32、Rf41、Rf42成為以與光電二極管PD相同極性作用的溫度特性，輸入電阻Rs31、Rs32、Rs41、Rs42成為以與光電二極管PD相反極性作用的溫度特性。光電二極管PD的變換效率η的溫度系數(shù)盡管也依賴于工藝(process)，但是，例如，對650nm波長的入射光為200[ppm/℃]，對780nm波長的入射光為2000[ppm/℃]。
因此，例如，反饋電阻Rf1由溫度系數(shù)為500[ppm/℃]的擴(kuò)散電阻形成，電阻Rf3、Rs3由溫度系數(shù)分別為500[ppm/℃]、1200[ppm/℃]的擴(kuò)散電阻形成。由此，波長為650nm的DVD輸出所用的差動放大器A3的輸出能夠如下式所示使靈敏度的溫度特性為0。
(S的溫度系數(shù))[ppm/℃]＝200+500+500-1200＝0電阻Rf4、Rs4的溫度系數(shù)例如預(yù)先被分別設(shè)定為500[ppm/℃]和3000[ppm/℃]。由此，波長為780nm的CD輸出所用的差動放大器A4的輸出如下式所示，也能夠使靈敏度的溫度特性為0。
(S的溫度系數(shù))[ppm/℃]＝2000+500+500-3000＝0這樣，不依賴于入射光的波長，光接收放大器電路輸出的溫度特性可為0。
另一方面，多晶硅(polysilicon)電阻其自身具有負(fù)的溫度特性，即使多晶硅電阻和擴(kuò)散電阻結(jié)合，也能夠?qū)崿F(xiàn)不依賴于波長、靈敏度的溫度系數(shù)為0的光接收放大器電路。
例如，對于650nm的波長，由溫度系數(shù)為500[ppm/℃]的擴(kuò)散電阻形成反饋電阻Rf1，由溫度系數(shù)為-350[ppm/℃]的多晶硅電阻形成反饋電阻Rf3，由溫度系數(shù)為350[ppm/℃]的擴(kuò)散電阻形成輸入電阻Rs3。由此，如下式所示，可得到靈敏度的溫度特性為0。
(S的溫度系數(shù))[ppm/℃]＝200+500+(-350)-350＝0另外，對于780nm的波長，例如，由溫度系數(shù)為-2000[ppm/℃]的多晶硅電阻形成電阻Rf4，由溫度系數(shù)為500[ppm/℃]的擴(kuò)散電阻形成輸入電阻Rs4。由此，如下式所示，可得到靈敏度的溫度特性為0。
(S的溫度系數(shù))[ppm/℃]＝2000+500+(-2000)-500＝0另外，不使用擴(kuò)散電阻，即使只用溫度系數(shù)不同的多晶硅電阻構(gòu)成電路，也能夠?qū)崿F(xiàn)溫度特性為0的光接收放大器電路。
例如，對于650nm的波長，由溫度系數(shù)為-500[ppm/℃]的多晶硅電阻形成電阻Rf1、Rf3，由溫度系數(shù)為-800[ppm/℃]的多晶硅電阻形成輸入電阻Rs3。由此，如下式所示，可得到靈敏度的溫度特性為0。
(S的溫度系數(shù))[ppm/℃]＝200+(-500)+(-500)-(-800)＝0對于780nm的波長，例如，由溫度系數(shù)為-2000[ppm/℃]的多晶硅電阻形成電阻Rf4，輸入電阻Rs4由溫度系數(shù)為-500[ppm/℃]的多晶硅電阻形成。由此，如下式所示，可得到靈敏度的溫度特性為0。
(S的溫度系數(shù))[ppm/℃]＝2000+(-500)+(-2000)-(-500)＝0如上述，即使入射光波長變化，靈敏度的溫度系數(shù)也能夠為0。因此，始終能夠檢測出正確的激光強(qiáng)度，并可穩(wěn)定地進(jìn)行通過多個激光波長進(jìn)行的光盤2的記錄/重放。
通過將這種激光功率監(jiān)視用光接收單元的輸出的溫度特性能夠不依賴于波長而始終為0的光接收放大器電路應(yīng)用于上述光拾取單元10、11，可用一個芯片正確實現(xiàn)相對于2個波長的激光功率監(jiān)視器。
在第一級中設(shè)置光電二極管PD的用于基準(zhǔn)的另一個放大器A2，在第二級的各個差動放大器A3、A4中輸入來自光電二極管PD的信號被輸入的前級放大器A1的輸出和放大器A2的輸出，并求出其差分。由此，可僅放大取出由光電二極管PD的光輸入引起的電壓變化部分。
圖3是上述光拾取單元21中的光接收放大器電路的電路圖，表示差動放大器A3、A4的具體構(gòu)成。圖3中，對應(yīng)于上述圖2的部分給出了相同的參照符號，省略其說明。應(yīng)注意的是，在該光拾取單元21中，將2個差動放大器A3，A4的輸出集中為一個。具體地說，差動放大器A3包括由NPN型晶體管Q31、Q32構(gòu)成的差動對。其發(fā)射極連接在一起，通過恒流源F3接地。
晶體管Q31的基極成為圖2所示差動放大器A3的正輸入端子，通過輸入電阻Rs31與前級放大器A1的輸出端子連接，同時通過輸入分壓電阻Rf31被施加基準(zhǔn)電壓Vs。晶體管Q32的基極成為圖2所示差動放大器A3的負(fù)輸入端子，通過輸入電阻Rs32與基準(zhǔn)放大器A2的輸出端子連接，同時將輸出Vout通過反饋電阻Rf32進(jìn)行反饋。
同樣，差動放大器A4包括由NPN型晶體管Q41，Q42構(gòu)成的差動對。其發(fā)射極連接在一起，且通過恒流源F4接地。晶體管Q41的基極成為圖2所示差動放大器A4的正輸入端子，通過輸入電阻Rs41與前級放大器A1的輸出端子連接，同時通過輸入分壓電阻Rf41被施加基準(zhǔn)電壓Vs。晶體管Q42的基極成為圖2所示差動放大器A4的負(fù)輸入端子，通過輸入電阻Rs42與基準(zhǔn)放大器A2的輸出端子連接，同時將輸出Vout通過反饋電阻Rf42進(jìn)行反饋。
另一方面，晶體管Q31的集電極通過作為主動負(fù)載的PNP型晶體管Q33而施加電源電壓Vcc。同樣，晶體管Q42的集電極通過作為主動負(fù)載的PNP型晶體管Q43而施加電源電壓Vcc。這些晶體管Q33、Q43構(gòu)成電流鏡像電路，通過晶體管Q33的基極連接到晶體管Q31的集電極而成為二極管結(jié)構(gòu)。晶體管Q33的集電極連接到對應(yīng)于正輸入的上述晶體管Q31和Q41的集電極。晶體管Q43的集電極連接到負(fù)輸入側(cè)的上述晶體管Q32和Q42的集電極。
而且，晶體管Q32、Q42、Q43的各個集電極連接到NPN型晶體管Q5的基極，在晶體管Q5的集電極上施加電源電壓Vcc，發(fā)射極通過恒流源F5接地。這些晶體管Q5和恒流源F5構(gòu)成射極跟隨器電路，成為輸出端的晶體管Q5的發(fā)射極與輸出端子連接，同時分別通過反饋電阻Rf32、Rf42連接到如上述的負(fù)輸入側(cè)的晶體管Q32和Q42的基極。
對應(yīng)于波長的變換，通過由電開關(guān)擇一地對恒流電路F3、F4賦予電力，即使共用輸出端子，也能夠變換所使用的差動放大器A3和A4，以及合適地補(bǔ)償如上述的光電二極管PD的溫度特性。如此，通過將后級差動放大器A3，A4的輸出端子歸為一個，在光拾取單元10，11的芯片大小縮小的同時，也能夠降低成本。不僅這個，而且對多個激光波長從一個輸出端子可得到來自激光功率監(jiān)控用光接收單元的輸出信號。由此，使在驅(qū)動激光二極管3的后級集成電路上的信號處理變得容易，還可降低成本。
在上述說明中，設(shè)Rf31＝Rf32＝Rf3，Rf41＝Rf42＝Rf4，Rs31＝Rs32＝Rs3，Rs41＝Rs42＝Rs4，盡管這些電阻的電阻值和溫度特性一致，但也可以使用個別值。但是，如上所述，通過使電阻值與溫度特性一致，靈敏度的式子變得如上述的數(shù)1那樣簡單。而且，由第2級差動放大器A3、A4的輸入電流(流入差動對Q31、Q32、Q41、Q42的基級電流，參照圖3)在各個電阻Rf3、Rf4、Rs3、Rs4上產(chǎn)生的電壓一致而不依賴于溫度，能夠補(bǔ)償偏置(offset)電壓。
下面根據(jù)圖4和圖5來說明本發(fā)明其它實施方式。
圖4是表示用作為光拾取單元10、11的本發(fā)明其它實施例的光拾取單元31中的光接收放大器電路的電結(jié)構(gòu)方框圖。該光拾取單元31類似于上述光拾取單元21，對應(yīng)部分附以相同的參照標(biāo)號，省略其說明。
在該光拾取單元31中，第一級由包括放大器部分OP1a、輸入電阻Rf10、反饋電阻(增益電阻)Rf11構(gòu)成的差動放大器A1a形成。放大器部分OP1a的正輸入端子通過輸入電阻Rf10而輸入基準(zhǔn)電壓Vref，負(fù)輸入端子輸入來自上述光電二極管PD的電流信號，同時通過進(jìn)行電流-電壓變換的反饋電阻Rf11將放大器部分OP1a的輸出進(jìn)行反饋。用于偏置電壓校正的輸入電阻Rf10與反饋電阻Rf11相等地形成。
另一方面，650nm的DVD用的后級放大器即差動放大器A3a包括放大器部分OP3、用于偏置電壓補(bǔ)正的輸入電阻R311、R321、輸出分壓電阻R312、R322。前級放大器即差動放大器A1a的輸出通過相互并聯(lián)連接的輸入電阻R311、R321輸入到放大器部分OP3的正輸入端子。在該放大器部分OP3的負(fù)輸入端子上，通過輸出分壓電阻R322、R312，將放大器部分OP3的輸出在基準(zhǔn)電壓Vs間進(jìn)行分壓。
同樣，780nm的CD用的后級放大器即差動放大器A4a包括放大器部分OP4、用于偏置電壓補(bǔ)正的輸入電阻R411、R421、輸出分壓電阻R412、R422。前級放大器即差動放大器A1a的輸出通過相互并聯(lián)連接的輸入電阻R411、R421輸入到放大器部分OP4的正輸入端子。在該放大器部分OP4的負(fù)輸入端子上，通過輸出分壓電阻R422，R412，將放大器部分OP4的輸出在高電平的基準(zhǔn)電壓Vs間進(jìn)行分壓。
在如上述構(gòu)成的光接收放大器電路中，設(shè)R311＝R312＝R31，R321＝R322＝R32，R411＝R412＝R41，R421＝R422＝R42，如果光電二極管PD的變換效率為η[A/W]，則該電路的靈敏度S[V/W]用下式給出。下標(biāo)31，32(41，42)分別是差動放大器A3、A4的輸出情況。
S=η×Rf11×(1+R32(42)R31(41))]]>因此，靈敏度的微分溫度系數(shù)(S/T)/S變?yōu)橄率健?br> ∂S∂T/S=∂η/∂Tη+∂Rf11/∂TRf11+R32(42)R31(41)+R32(42)×(∂R32(42)/∂TR32(42)-∂R31(41)/∂TR31(41))]]>因此，靈敏度S的溫度系數(shù)變?yōu)?S的溫度系數(shù))[ppm/℃]＝(η的溫度系數(shù))+(Rf11的溫度系數(shù))+{(R32(42)的溫度系數(shù))-(R31(41)的溫度系數(shù))}×R32(42)/{R31(41)+R32(42)}。
因此，通過將電阻R31、R32、R41、R42的溫度系數(shù)分別設(shè)定成適合于光電二極管PD的變換效率η的溫度系數(shù)，在650nm和780nm的兩個波長中，能夠使靈敏度S的溫度系數(shù)都為0。
例如，與光接收放大器電路同樣，當(dāng)光電二極管PD的變換效率η的溫度系數(shù)對650nm波長為200[ppm/℃]、對780nm波長為2000[ppm/℃]的值時，由溫度系數(shù)為500[ppm/℃]的擴(kuò)散電阻形成反饋電阻Rf11和電阻R32，由溫度系數(shù)為1900[ppm/℃]的擴(kuò)散電阻形成電阻R31，以及設(shè)定電阻R31、R32的電阻值相互相等。由此，波長為650nm的DVD所用輸出的差動放大器A3a的輸出由下式中表示，其靈敏度的溫度特性為0。
(S的溫度系數(shù))[ppm/℃]＝200+500+R32/(R31+R32)×(500-1900)＝0對于780nm波長，例如，反饋電阻Rf11和電阻R42由溫度系數(shù)為500[ppm/℃]的擴(kuò)散電阻形成，電阻R41由溫度系數(shù)為3500[ppm/℃]的擴(kuò)散電阻形成，以及設(shè)定電阻R41、R42的電阻值分別為1(kΩ)，5(kΩ)。由此，波長為780nm的CD所用輸出的差動放大器A4a的輸出由下式表示，其靈敏度的溫度特性為0。
(S的溫度系數(shù))[ppm/℃]＝2000+500+5/(1+5)×(500-3500)＝0即使多晶硅電阻和擴(kuò)散電阻結(jié)合，也能夠?qū)崿F(xiàn)不依賴于波長、靈敏度的溫度系數(shù)為0的光接收放大器電路。例如，對于650nm波長，反饋電阻Rf11由溫度系數(shù)為-1000[ppm/℃]的多晶硅電阻形成，電阻R31由溫度系數(shù)為-800[ppm/℃]的多晶硅電阻形成，電阻R32由溫度系數(shù)為800[ppm/℃]的擴(kuò)散電阻形成，以及將電阻R31、R32的電阻值設(shè)定為相互相等。由此，波長為650nm的DVD所用輸出的差動放大器A3a的輸出由于如下式中表示，其靈敏度的溫度特性為0。
(S的溫度系數(shù))[ppm/℃]＝200+(-1000)+R32/(R31+R32)×{800-(-800)}＝0對于780nm波長，例如，反饋電阻Rf11設(shè)定為-1000[ppm/℃]的多晶硅電阻，電阻R41設(shè)定為溫度系數(shù)為500[ppm/℃]的擴(kuò)散電阻，電阻R42設(shè)定為溫度系數(shù)為-1500[ppm/℃]的多晶硅電阻，以及電阻R41、R42的電阻值設(shè)定為相互相等。由此，波長為780nm的CD所用輸出的差動放大器A4a的輸出由于如下式中表示，其靈敏度的溫度特性為0。
(S的溫度系數(shù))[ppm/℃]＝2000+(-1000)+R42/(R41+R42)×{(-1500)-500}＝0而且，即使通過不使用上述擴(kuò)散電阻，只由溫度系數(shù)不同的多晶硅電阻構(gòu)成的電路，也能夠?qū)崿F(xiàn)溫度特性為0的光接收放大器電路。
例如，對于650nm的波長，反饋電阻Rf11設(shè)定為溫度系數(shù)為-1000[ppm/℃]的多晶硅電阻，電阻R31，R32分別設(shè)定為溫度系數(shù)為-2100[ppm/℃]和-500[ppm/℃]的多晶硅電阻，以及將電阻R31，R32的電阻值設(shè)定為相互相等。由此，波長為650nm的DVD所用輸出的差動放大器A3a的輸出由下式表示，其靈敏度的溫度特性為0。
(S的溫度系數(shù))[ppm/℃]＝200+(-1000)+R32/(R31+R32)×{-500-(-2100)}＝0對于780nm的波長，例如，反饋電阻Rf11設(shè)定為溫度系數(shù)為-1000[ppm/℃]的多晶硅電阻，電阻R41，R42分別設(shè)定為溫度系數(shù)為-500[ppm/℃]和-2000[ppm/℃]的多晶硅電阻，以及電阻R41、R42的電阻值分別設(shè)定為1(kΩ)、2(kΩ)。由此，波長為780nm的CD所用輸出的差動放大器A4a的輸出由下式表示，所以其靈敏度的溫度特性為0。
(S的溫度系數(shù))[ppm/℃]＝2000+(-1000)+2/(1+2)×{-2000-(-500)}＝0圖5是光拾取單元31中光接收放大器電路的電路圖，表示了差動放大器A3a、A4a的具體結(jié)構(gòu)。圖5中，與上述圖3對應(yīng)的部分附以相同的參照標(biāo)號，省略其說明。在該光拾取單元31中，2個差動放大器A3a、A4a中的放大器部分OP3、OP4與上述差動放大器A3，A4相同地構(gòu)成，其輸出被集中為1個。
差動放大器A3a的晶體管Q31的基極成為圖4所示差動放大器A3a的正輸入端子，通過用于偏置電壓校正的輸入電阻R311、R321而與前級差動放大器A1a的輸出端子連接。另一方面，晶體管Q32的基極成為圖4所示差動放大器A3a的負(fù)輸入端子，通過輸出分壓電阻R312提供基準(zhǔn)電壓Vs，同時將輸出Vout通過輸出分壓電阻R322進(jìn)行反饋。
同樣，差動放大器A4a中晶體管Q41的基極成為圖4所示差動放大器A4a的正輸入端子，通過用于偏置電壓補(bǔ)正的輸入電阻R411，R421與前級差動放大器A1a的輸出端子連接。另一方面，晶體管Q42的基極成為圖4所示差動放大器A4a的負(fù)輸入端子，在通過輸出分壓電阻R412提供基準(zhǔn)電壓Vs，同時將輸出Vout通過輸出分壓電阻R422進(jìn)行反饋。
對應(yīng)于波長的變換，通過電開關(guān)擇一地在恒流電路F3、F4上賦予電力。由此，即使共用輸出端子，也能夠變換所使用的差動放大器A3a和A4a，合適地補(bǔ)償上述的光電二極管PD的溫度特性。如此，可將后級差動放大器A3a，A4a的輸出端子集中為一個。
決定差動放大器A3a、A4a的溫度特性的是分壓電阻R312、R322、R412、R422，輸入電阻R311、R321、R411、R421不涉及上述溫度特性，其溫度特性為什么值都可以。但是，如上述那樣，設(shè)R311＝R312＝R31，R321＝R322＝R32，R411＝R412＝R41，R421＝R422＝R42，則電阻值和溫度特性一致。由此，與差動放大器A3、A4相同，由差動放大器A3a、A4a輸入電流在各個電阻R31、R32、R41、R42上產(chǎn)生的電壓一致而不依賴于溫度，并且可補(bǔ)償偏置電壓。
下面根據(jù)圖6說明本發(fā)明另外的實施方式。
圖6是表示用作為光拾取單元10、11的本發(fā)明另一實施方式的光拾取單元41中光接收放大器電路的電結(jié)構(gòu)方框圖。該光拾取單元41與上述光拾取單元21類似，對應(yīng)部分附以相同的參照標(biāo)記，省略其說明。應(yīng)注意的是，在該光拾取單元41中，第1級是由將來自光電二極管PD的電流信號變換成電壓信號的放大器A1b和用于基準(zhǔn)的另一個第1級的放大器A2b構(gòu)成，第2級由一個差動放大器A5構(gòu)成，它輸入這些放大器A1b、A2b的輸出并求出其差分。
放大器A1b由包括放大器部分OP1、2個反饋電阻(增益電阻)Rf11、Rf12、用于將這些反饋電阻Rf11、Rf12擇一使用來進(jìn)行反饋的開關(guān)單元SW1構(gòu)成。同樣，放大器A2b由包括放大器部分OP2、2個反饋電阻Rf21、Rf22、用于將這些反饋電阻Rf21、Rf22擇一使用來進(jìn)行反饋的開關(guān)單元SW2構(gòu)成。
差動放大器A5是由包括放大器部分OP5、2個輸入電阻Rs51、Rs52、輸入分壓電阻Rf51和反饋電阻Rf52構(gòu)成。放大器部分OP5的正輸入端子通過輸入電阻Rs51和輸入分壓電阻Rf51，將放大器A1b的輸出在基準(zhǔn)電壓Vs間進(jìn)行分壓。放大器部分OP5的負(fù)輸入端子通過輸入電阻Rs52輸入放大器A2b的輸出，同時通過反饋電阻Rf52，將該放大器部分OP5的輸出進(jìn)行反饋。
在上述構(gòu)成的光拾取單元41中，反饋電阻Rf11、Rf12和反饋電阻Rf21、Rf22例如由擴(kuò)散電阻等形成具有相同的溫度特性(片電阻值)和相同的電阻值。設(shè)Rf51＝Rf52＝Rf5，Rs51＝Rs52＝Rs5，如果光電二極管PD的變換效率為η[A/W]，則該光接收放大器電路41的靈敏度S[V/W]用下式給出。
S=η×(Rf11orRf12)×Rf5Rs5]]>其中，Rf11或者Rf12表示使用開關(guān)單元SW1、SW2中的一個。
因此，靈敏度的溫度系數(shù)(S/T)/S如下式表示。
∂S∂T/S=∂η/∂Tη+(∂Rf11/∂TRf11or∂Rf12/∂TRf12)+∂Rf5/∂TRf5-∂Rs5/∂TRs5]]>因此，靈敏度S的溫度系數(shù)表示為下式(S的溫度系數(shù))[ppm/℃]＝(η的溫度系數(shù))+(Rf11或者Rf12的溫度系數(shù))+(Rf5的溫度系數(shù))-(Rs5的溫度系數(shù))。
因此，反饋電阻Rf11、Rf12和反饋電阻Rf5變成與光電二極管PD相同極性作用的溫度特性，輸入電阻Rs5變成與光電二極管PD相反極性作用的溫度特性。
因此，例如當(dāng)假設(shè)光電二極管PD變換效率η的溫度系數(shù)在上述入射光波長為650nm下為200[ppm/℃]，780nm下為2000[ppm/℃]時，電阻Rf5，Rs5例如通過溫度系數(shù)為500[ppm/℃]、3000[ppm/℃]的擴(kuò)散電阻分別形成，反饋電阻Rf11通過溫度系數(shù)為2300[ppm/℃]的擴(kuò)散電阻形成，反饋電阻Rf12通過溫度系數(shù)為500[ppm/℃]的擴(kuò)散電阻形成。如果是波長為650nm的DVD所用的輸出而選擇反饋電阻Rf11，則如下式，靈敏度的溫度特性為0。
(S的溫度系數(shù))[ppm/℃]＝200+2300+500-3000＝0如果是波長為780nm的CD所用的輸出而選擇反饋電阻Rf12，則如下式，靈敏度的溫度特性為0。
(S的溫度系數(shù))[ppm/℃]＝2000+500+500-3000＝0如此，通過根據(jù)入射光波長切換反饋電阻Rf11和Rf12，能夠不依賴于上述波長，使光接收放大器電路41輸出的溫度特性為0。
如上述，即使將具有負(fù)溫度系數(shù)的多晶硅電阻和擴(kuò)散電阻結(jié)合，也可以使光拾取單元的整體溫度特性為0。例如，對于650nm波長，用溫度系數(shù)分別為500[ppm/℃]、1000[ppm/℃]的擴(kuò)散電阻形成電阻Rf51和Rs51，用溫度系數(shù)為300[ppm/℃]的擴(kuò)散電阻形成反饋電阻Rf11。由此，如下式，靈敏度的溫度特性為0。
(S的溫度系數(shù))[ppm/℃]＝200+300+500-1000＝0對780nm波長，用溫度系數(shù)為-1500[ppm/℃]的多晶硅電阻形成反饋電阻Rf12。由此，如下式，靈敏度的溫度特性能夠為0。
(S的溫度系數(shù))[ppm/℃]＝2000+(-1500)+500-1000＝0另外，不使用擴(kuò)散電阻，即使只用溫度系數(shù)不同的多晶硅電阻構(gòu)成電路，也能夠?qū)崿F(xiàn)溫度特性為0的光接收放大器電路。例如，對于650nm波長，用溫度系數(shù)分別為-500[ppm/℃]、-1000[ppm/℃]的多晶硅電阻形成電阻Rf51，Rs51，用溫度系數(shù)為-700[ppm/℃]的多晶硅電阻形成反饋電阻Rf11。由此，如下式，靈敏度的溫度特性可為0。
(S的溫度系數(shù))[ppm/℃]＝200+(-700)+(-500)-(-1000)＝0對于780nm的波長，用溫度系數(shù)為-2500[ppm/℃]的多晶硅電阻形成反饋電阻Rf12。由此，如下式，靈敏度的溫度特性可為0。
(S的溫度系數(shù))[ppm/℃]＝2000+(-2500)+(-500)-(-1000)＝0根據(jù)上述說明，是第一級的放大器A1、A2、A1a、A1b、A2b和第2級的差動放大器A3、A4、A3a、A4a、A5的2級結(jié)構(gòu)。但是，為了得到希望的靈敏度，或者為了得到希望的極性輸出(入射到光電二極管PD的光量越多，越選擇輸出電壓高的正輸出和低的負(fù)輸出)，可以使用3級以上的放大器。
如上述，在放大輸出入射了多種波長光信號的光接收單元的信號的光接收放大器電路中，本實施例的光接收放大器電路由具有不同溫度特性的電阻形成輸入了上述光接收單元的信號的前級放大器中的反饋電阻和下一級以后的放大器中決定靈敏度的至少一部分電阻，根據(jù)上述光信號的波長種類來切換上述電阻元件。
具體地說，例如在將入射了780nm和650nm多種波長光信號的光接收單元的信號放大輸出的光接收放大器電路中，盡可能按上述波長種類設(shè)置輸入了光接收單元的信號的前級放大器中的反饋電阻(增益電阻)，在下一級以后，盡可能按上述波長種類設(shè)置放大器，該放大器包括決定輸入電阻和反饋電阻等的靈敏度的電阻。以具有相互不同溫度特性形成上述前級放大器的反饋電阻和決定次一級以后放大器靈敏度的至少一部分電阻的電阻元件，根據(jù)上述光信號波長種類，可通過在所使用反饋電阻和放大器上進(jìn)行切換等來切換上述電阻元件。
因此，即使光接收單元靈敏度的溫度特性因波長變化而改變，但通過使用具有對應(yīng)于各波長溫度特性的溫度特性的電阻元件，從而可通過光接收放大器電路的溫度特性來消除上述光接收單元的溫度特性。
在本實施例的光接收放大器電路中，在第2級中，對應(yīng)于上述多種波長來設(shè)置差動放大器，作為決定上述靈敏度的電阻，在各差動放大器間進(jìn)行設(shè)定，以使輸入電阻和反饋電阻的溫度特性相互不同，上述前級放大器的輸出同時輸入到其多個第2級的差動放大器，通過切換輸出用的第2級的差動放大器切換上述電阻元件。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，通過切換用于輸出的第2級的差動放大器，可具體地實現(xiàn)上述溫度特性不同的電阻元件的切換。
而且，在本實施方式的光接收放大器電路中，也可以在上述前級中，配有不連接上述光接收單元，而且與上述前級放大器相同結(jié)構(gòu)的用于基準(zhǔn)的另一個放大器，在第2級的各個差動放大器中輸入上述前級放大器的輸出和上述另一個放大器的輸出，并求出它們的差分。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，可僅取出對光接收單元的光輸入產(chǎn)生的信號分量。
在本實施方式的光接收放大器電路中，也可以在第2級中，對應(yīng)于上述多種波長來設(shè)置差動放大器，在各差動放大器間進(jìn)行設(shè)定，作為決定上述靈敏度的電阻，以使在預(yù)先確定輸出的基準(zhǔn)電壓間進(jìn)行分壓反饋的分壓電阻的溫度特性相互不同，上述前級放大器的輸出共用地輸入到該多個第2級差動放大器，通過切換用于輸出的第2級的差動放大器，可實現(xiàn)上述電阻元件的切換。
根據(jù)按上述結(jié)構(gòu)，通過切換輸出用的第2級的差動放大器，可具體地實現(xiàn)上述溫度特性不同的電阻元件的切換。
而且，在本實施方式的光接收放大器電路中，上述光信號的波長可為2種，將上述第2級差動放大器設(shè)置為2組，其結(jié)構(gòu)包括各個差動對的一對晶體管和向該差動對提供電流的恒流源，輸出側(cè)的晶體管共用地連接到輸出端，對應(yīng)于上述波長的切換，將對應(yīng)側(cè)差動放大器的恒流源有源化，而另一個差動放大器的恒流源不有源化。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，第2級的差動放大器連接到一個輸出端，對應(yīng)于波長的切換，通過僅進(jìn)行恒流源的開/關(guān)而切換使用的差動放大器，可以適當(dāng)?shù)匮a(bǔ)償上述光接收單元的溫度特性。而且，可以在一個芯片上，正確地實現(xiàn)共有輸出端、且監(jiān)視相對于2個波長的光信號強(qiáng)度的監(jiān)控器。
在本實施方式的光接收放大器電路中，也可以在上述前級中，包括不連接上述光接收單元、并且與上述前級放大器相同結(jié)構(gòu)的用于基準(zhǔn)的另一個放大器，上述前級的2個放大器中分別設(shè)置對應(yīng)于上述多種波長的溫度特性相互不同的反饋電阻，在第二級的各個差動放大器中輸入上述前級放大器的輸出和上述另一個放大器的輸出，并且求出它們的差分，通過切換所述第1級的各個放大器的反饋電阻，可實現(xiàn)上述電阻元件的切換。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，通過切換第1級的各個放大器的反饋電阻，能夠具體地實現(xiàn)上述溫度特性不同的電阻元件的切換。而且，通過設(shè)置用于基準(zhǔn)的放大器，能夠僅取出對光接收單元的光輸入產(chǎn)生的信號分量。
而且，本實施方式的光接收放大器電路可以用溫度特性相互不同的2種擴(kuò)散電阻形成上述反饋電阻和決定靈敏度的電阻。
本實施方式的光接收放大器電路可以用溫度特性相互不同的擴(kuò)散電阻和多晶硅電阻形成上述反饋電阻和決定靈敏度的電阻。
而且，本實施方式的光接收放大器電路可以用溫度特性相互不同的多晶硅電阻形成上述反饋電阻和決定靈敏度的電阻。
本實施例的光拾取單元用于上述光接收放大器電路。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，即使光接收單元靈敏度的溫度特性因波長變化而改變，也可通過光接收放大器電路靈敏度的溫度特性消除這種改變，實現(xiàn)靈敏度的溫度特性不變化的光拾取單元。
本發(fā)明詳細(xì)說明中實現(xiàn)的具體實施方式
或?qū)嵤├皇怯糜谑贡景l(fā)明的技術(shù)內(nèi)容更清楚，而不應(yīng)當(dāng)狹義地將本發(fā)明解釋為僅僅局限于這些具體例子。在本發(fā)明精神和權(quán)利要求書記載的范圍內(nèi)，可以進(jìn)行各種變更實施。
權(quán)利要求
1.一種光接收放大器電路，可放大輸出光接收單元(PD)的信號，多種波長的光信號入射所述光接收單元(PD)，所述光接收放大器電路包含前級放大器(A1，A1a，A1b)，輸入來自所述光接收單元(PD)的信號；和后級放大器(A3，A4，A3a，A4a，A5)，放大所述前級放大器(A1，A1a，A1b)的輸出；所述前級放大器(A1，A1a，A1b)中的反饋電阻(Rf1，Rf11，Rf12)和所述后級放大器(A3，A4，A3a，A4a，A5)中決定靈敏度的電阻(Rf31，Rf32，Rs31，Rs32，Rf41，Rf42，Rs41，Rs42，R311，R321，R312，R322，R411，R421，R412，R422，Rf51，Rf52，Rs51，Rs52)的至少一部分由相互不同溫度特性的電阻元件形成，所述后級放大器(A3，A4，A3a，A4a，A5)中的所述電阻元件或所述前級放大器(A1，A1a，A1b)中的電阻元件根據(jù)所述光信號波長的種類而不同。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光接收放大器電路，其中，所述后級放大器(A3，A4)是多個差動放大器(A3，A4)，對應(yīng)于所述多種波長的各波長被設(shè)置在第2級，共同輸入所述前級放大器(A1)的輸出，同時將其輸出用作光接收放大器電路的輸出，在各差動放大器(A3，A4)間進(jìn)行設(shè)定，以使作為決定所述靈敏度的輸入電阻(Rs31，Rs32，Rf41，Rf42)、輸入分壓電阻(Rf31，Rf41)和反饋電阻(Rf32，Rf42)的溫度特性相互不同，通過切換所述差動放大器(A3，A4)來切換所述電阻元件。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光接收放大器電路，其中，還包括用于基準(zhǔn)的另一個前級放大器(A2)，設(shè)置在與連接所述光接收單元(PD)的所述前級放大器(A1)相同的級中，不連接所述光接收單元(PD)，并且與所述前級放大器(A1)同樣地構(gòu)成，各差動放大器求出所述前級放大器(A1)的輸出和所述另一個前級放大器(A2)的輸出間的差分。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光接收放大器電路，其中，所述后級放大器(A3a，A4a)是多個差動放大器(A3a，A4a)，對應(yīng)于所述多種波長的各波長設(shè)置在第2級，共同輸入所述前級放大器(A1a)的輸出，同時將其輸出用作光接收放大器電路的輸出，在各差動放大器(A3a，A4a)間進(jìn)行設(shè)定，以使作為決定所述靈敏度的電阻的、將其輸出在與預(yù)定了輸出的基準(zhǔn)電壓(Vs)的間分壓反饋的分壓電阻(R312，R322，R412，R422)的溫度特性相互不同，通過切換所述差動放大器(A3a，A4a)來切換所述電阻元件。
5.根據(jù)權(quán)利要求2至4任何一項所述的光接收放大器電路，其中，所述光信號的波長為2種，所述差動放大器(A3，A4，A3a，A4a)包括被設(shè)置為2組、分別構(gòu)成差動對的一對晶體管(Q31，Q32，Q41，Q42)；向該差動對提供電流的恒流源(F3，F(xiàn)4)；以及在差動放大器(A3，A4，A3a，A4a)間共用設(shè)置的輸出側(cè)的晶體管(Q5)，對應(yīng)于所述波長的切換，將對應(yīng)側(cè)的差動放大器(A3，A4，A3a，A4a)的恒流源(F3，F(xiàn)4)有源化，其它的差動放大器(A3，A4，A3a，A4a)的恒流源(F3，F(xiàn)4)無源化。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光接收放大器電路，其中，還包括用于基準(zhǔn)的另一個前級放大器(A2b)，設(shè)置在與連接所述光接收單元(PD)的所述前級放大器(A1b)相同的級中，不連接所述光接收單元(PD)，并且與所述前級放大器(A1b)同樣地構(gòu)成，所述前級放大器(A1b)和所述另一個前級放大器(A2b)有對應(yīng)于上述多種波長的各波長的溫度特性相互不同的反饋電阻(Rf11，Rf12，Rf21，Rf22)，所述后級放大器(A5)是差動放大器(A5)，被設(shè)置在第2級，輸入來自所述前級放大器(A1b)的輸出，同時將其輸出用作光接收放大器電路的輸出，所述后級放大器求出所述前級放大器(A1b)的輸出和所述另一個前級放大器(A2b)的輸出間的差分，通過切換所述前級放大器(A1b)和所述另一個前級放大器(A2b)的反饋電阻(Rf11，Rf12，Rf21，Rf22)的開關(guān)(SW1，SW2)來切換所述電阻元件。
7.根據(jù)權(quán)利要求1、2、3、4或6所述的光接收放大器電路，其中，所述反饋電阻(Rf1，Rf2，Rf11，Rf12，Rf21，Rf22)和決定靈敏度的電阻(Rf31，Rf32，Rs31，Rs32，Rf41，Rf42，Rs41，Rs42，Rf51，Rf52，Rs51，Rs52，R311，R321，R312，R322，R411，R421，R412，R422)由溫度特性相互不同的2種擴(kuò)散電阻形成。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的光接收放大器電路，其中，所述反饋電阻(Rf1，Rf2，Rf11，Rf12，Rf21，Rf22)和決定靈敏度的電阻(Rf31，Rf32，Rs31，Rs32，Rf41，Rf42，Rs41，Rs42，Rf51，Rf52，Rs51，Rs52，R311，R321，R312，R322，R411，R421，R412，R422)由溫度特性相互不同的2種擴(kuò)散電阻形成。
9.根據(jù)權(quán)利要求1、2、3、4或6所述的光接收放大器電路，其中，所述反饋電阻(Rf1，Rf2，Rf11，Rf12，Rf21，Rf22)和決定靈敏度的電阻(Rf31，Rf32，Rs31，Rs32，Rf41，Rf42，Rs41，Rs42，Rf51，Rf52，Rs51，Rs52，R311，R321，R312，R322，R411，R421，R412，R422)由溫度特性相互不同的擴(kuò)散電阻和多晶硅電阻形成。
10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的光接收放大器電路，其中，所述反饋電阻(Rf1，Rf2，Rf11，Rf12，Rf21，Rf22)和決定靈敏度的電阻(Rf31，Rf32，Rs31，Rs32，Rf41，Rf42，Rs41，Rs42，Rf51，Rf52，Rs51，Rs52，R311，R321，R312，R322，R411，R421，R412，R422)由溫度特性相互不同的擴(kuò)散電阻和多晶硅電阻形成。
11.根據(jù)權(quán)利要求1、2、3、4或6所述的光接收放大器電路，其中，所述反饋電阻(Rf1，Rf2，Rf11，Rf12，Rf21，Rf22)和決定靈敏度的電阻(Rf31，Rf32，Rs31，Rs32，Rf41，Rf42，Rs41，Rs42，Rf51，Rf52，Rs51，Rs52，R311，R321，R312，R322，R411，R421，R412，R422)由溫度特性相互不同的多晶硅電阻形成。
12.根據(jù)權(quán)利要求5所述的光接收放大器電路，其中，所述反饋電阻(Rf1，Rf2，Rf11，Rf12，Rf21，Rf22)和決定靈敏度的電阻(Rf31，Rf32，Rs31，Rs32，Rf41，Rf42，Rs41，Rs42，Rf51，Rf52，Rs51，Rs52，R311，R321，R312，R322，R411，R421，R412，R422)由溫度特性相互不同的多晶硅電阻形成。
13.一種光拾取單元，使用上述權(quán)利要求1、2、3、4或者6的光接收放大器電路。
14.一種光拾取單元，使用上述權(quán)利要求5的光接收放大器電路。
15.一種光拾取單元，使用上述權(quán)利要求6的光接收放大器電路。
16.一種光拾取單元，使用上述權(quán)利要求7的光接收放大器電路。
17.一種光拾取單元，使用上述權(quán)利要求8的光接收放大器電路。
18.一種光拾取單元，使用上述權(quán)利要求9的光接收放大器電路。
19.一種光拾取單元，使用上述權(quán)利要求10的光接收放大器電路。
20.一種光拾取單元，使用上述權(quán)利要求11的光接收放大器電路。
21.一種光拾取單元，使用上述權(quán)利要求12的光接收放大器電路。
全文摘要
一種光接收放大器電路，包括第1差動放大器和第2差動放大器，使用其中一個輸出對應(yīng)于2個波長。第1差動放大器具有2個輸入電阻、輸入分壓電阻和反饋電阻，使光電二極管溫度特性的靈敏度在波長650nm時為0；第2差動放大器具有2個輸入電阻、輸入分壓電阻和反饋電阻，使溫度特性在波長780nm時為0。由此，通過光接收放大器電路的溫度特性來消除波長變化引起的光電二極管靈敏度的溫度特性變化，可使光拾取單元整體的溫度特性為0。在光接收放大器電路中，如CD－R/RW盤的780nm和DVD±R/RW盤的650nm那樣，多種波長的光信號入射光電二極管，但沒有因波長變化而改變光電二極管靈敏度的溫度特性。
文檔編號H03F1/30GK1518210SQ20041000289
公開日2004年8月4日 申請日期2004年1月20日 優(yōu)先權(quán)日2003年1月28日
發(fā)明者白坂康之, 岸田朋丈, 丈 申請人:夏普株式會社