專利名稱：單電源飽和式的微波放大器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一微波放大器，特別是涉及一種單電源飽和式的微波放大器，而其可適用于無線通訊系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)的軍事微波頻段放大器使用芯片式的主動(dòng)元件在陶瓷基板上制作電路，其成本極高，但是可以減少寄生效應(yīng)，避免震蕩的發(fā)生。但由于制程技術(shù)的進(jìn)步與商業(yè)量產(chǎn)的要求，一般商用無線通訊產(chǎn)品在設(shè)計(jì)上以改為使用包裝式的主動(dòng)元件在印刷電路板上制作，其成本低廉，但是設(shè)計(jì)上較為困難，極易有震蕩發(fā)生，而其震蕩來源大都來自偏壓電路的寄生效應(yīng)。而一般放大器電路設(shè)計(jì)的偏壓電路多為雙電源偏壓或自偏壓兩種方式，雙電源偏壓會(huì)增加電路的復(fù)雜度，而自偏壓往往會(huì)造成震蕩現(xiàn)象。
另外低噪聲(雜訊)放大器(Low Noise Amplifier簡稱LNA)是無線通訊的接收模組中不可或缺的一部份，其主要的目的是提供接收來自天線信號(hào)所需的增益與靈敏度。且由于LNA是接收機(jī)的前端部分，所以一個(gè)接收機(jī)的噪聲指數(shù)(Noise Figure)的好壞將決定于LNA的噪聲指數(shù)。一般而言，當(dāng)我們?cè)谠O(shè)計(jì)LNA時(shí)須注意下列幾項(xiàng)考量穩(wěn)定度(Stability)、噪聲指數(shù)與增益(Gain)。
而在一般在無線通訊所使用的LNA，為了達(dá)到上述的噪聲指數(shù)與增益等標(biāo)準(zhǔn)，通常采用了兩級(jí)電路來組成LNA，亦即通常使用兩個(gè)單級(jí)放大器，而使電路復(fù)雜性的增加產(chǎn)生更多寄生效應(yīng)，再加上增益的變大，更使放大器振蕩的機(jī)會(huì)增加。
習(xí)知中放大器的偏壓方式通常為雙電源偏壓，所以必須搭配相當(dāng)復(fù)雜的穩(wěn)壓電路，也因此增加放大器電路的復(fù)雜度，而增加成本。
綜上所述，一般無線通訊用的放大器，在設(shè)計(jì)時(shí)常常會(huì)產(chǎn)生下列幾種問題而需解決，1.放大器電路因偏壓電路(由電阻與電容所組成)的寄生效應(yīng)，使電路出現(xiàn)非使用頻率的訊號(hào)，形成震蕩現(xiàn)象而造成產(chǎn)品失敗。
2.放大器偏壓方式為雙電源偏壓，需要系統(tǒng)提供兩種電壓，且必須配合相當(dāng)復(fù)雜的穩(wěn)壓電路。
3.放大器電路偏壓電路過于復(fù)雜，增加成本。
4.在發(fā)射器部分需要用到功率放大器，同樣增加成本，且浪費(fèi)功率。
5.發(fā)射與接收使用不同架構(gòu)的放大器，增加電路設(shè)計(jì)的難度。
由此可見，上述現(xiàn)有的微波放大器仍存在有諸多的缺陷，而亟待加以進(jìn)一步改進(jìn)。為了解決微波放大器存在的問題，相關(guān)廠商莫不費(fèi)盡心思來謀求解決之道，但長久以來一直未見適用的設(shè)計(jì)被發(fā)展完成，而一般產(chǎn)品又沒有適切的結(jié)構(gòu)能夠解決上述問題，此顯然是相關(guān)業(yè)者急欲解決的問題。
有鑒于上述現(xiàn)有的微波放大器存在的缺陷，本發(fā)明人基于從事此類產(chǎn)品設(shè)計(jì)制造多年豐富的實(shí)務(wù)經(jīng)驗(yàn)及專業(yè)知識(shí)，積極加以研究創(chuàng)新，以期創(chuàng)設(shè)一種新型的單電源飽和式的微波放大器，能夠改進(jìn)一般現(xiàn)有的微波放大器，使其更具有實(shí)用性。經(jīng)過不斷的研究、設(shè)計(jì)，并經(jīng)反復(fù)試作樣品及改進(jìn)后，終于創(chuàng)設(shè)出確具實(shí)用價(jià)值的本發(fā)明。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，克服現(xiàn)有的微波放大器存在的缺陷，而提供一種新的單電源飽和式的微波放大器，所要解決的技術(shù)問題是使其可有效地避免習(xí)知的微波放大器的震蕩現(xiàn)象，以及達(dá)到單電源供應(yīng)與電路體積縮小的目的，從而更加適于實(shí)用。
本發(fā)明的另一目的在于，提供一種單電源飽和式的微波放大器，所要解決的技術(shù)問題是使其可用于無線通訊系統(tǒng)中的發(fā)射端，藉以降低無線通訊系統(tǒng)的復(fù)雜性以及成本，從而更加適于實(shí)用。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出的一種單電源飽和式的微波放大器，適用于無線通訊系統(tǒng)的接收端，其包括一第一單級(jí)放大器，具有一第一晶體管，其中該第一晶體管具有一第一源極與一第一汲極，其中該第一源極接地，該第一汲極串接一第一電阻后接至一電源；以及，一第二單級(jí)放大器，具有一第二晶體管，其中該第二晶體管具有一第二源極與一第二汲極，其中該第二源極接地，該第二汲極串接一第二電阻后接至該電源；其中，該第一單級(jí)放大器的一輸出端串接一第三電阻后接至該第二單級(jí)放大器的一輸入端。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。
前述的單電源飽和式的微波放大器，其中所述的第一單級(jí)放大器的該第一汲極串接至一第四電阻與一第一電容后接地。
前述的單電源飽和式的微波放大器，其中所述的第一晶體管的一輸入端串接至一第一射頻阻流器(RF choke)后接地。
前述的單電源飽和式的微波放大器，其中所述的第一電阻是先接至一第二射頻阻流器后方接至該電源，且該第一電阻與該第二射頻阻流器的連接點(diǎn)亦串接至一第二電容后接地。
前述的單電源飽和式的微波放大器，其中所述的第一單級(jí)放大器的第一汲極是先串接至一第三電容后方接至該第三電阻。
前述的單電源飽和式的微波放大器，其中所述的第一電阻為一可調(diào)式電阻，用以調(diào)整該電源所提供的一電壓。
前述的單電源飽和式的微波放大器，其中所述的第一晶體管與該第二晶體管是為一高頻使用的場效晶體管，該高頻使用的場效晶體管可以是HEMT以及MESFET二者之一。
前述的單電源飽和式的微波放大器，其中所述的第二單級(jí)放大器的該第二汲極串接至一第五電阻與一第四電容后接地。
前述的單電源飽和式的微波放大器，其中所述的第二單級(jí)放大器的該輸入端串接至一第三射頻阻流器后接地。
前述的單電源飽和式的微波放大器，其中所述的第二電阻是先接至一第四射頻阻流器后方接至該電源，且該第二電阻與該第四射頻阻流器的連接點(diǎn)亦串接至一第五電容后接地。
前述的單電源飽和式的微波放大器，其中所述的第二單級(jí)放大器的該第二汲極串接至一第六電容。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還采用以下的技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的一種單電源飽和式的微波放大器，其至少包括一晶體管，具有一源極與一汲極，其中該源極接地；以及一第一電阻；其中，該晶體管的該汲極串接至該第一電阻后方接至一電源。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。
前述的單電源飽和式的微波放大器，其中所述的晶體管的該汲極串接至一第二電阻與一第一電容后接地。
前述的單電源飽和式的微波放大器，其中所述的晶體管的一輸入端串接至一第一射頻阻流器后接地。
前述的單電源飽和式的微波放大器，其中所述的第一電阻是先接至一第二射頻阻流器后方接至該電源，且該第一電阻與該第二射頻阻流器的連接點(diǎn)亦串接至一第二電容后接地。
前述的單電源飽和式的微波放大器，其中所述的第一電阻與該第二電阻的連接點(diǎn)串接至一第三電容。
前述的單電源飽和式的微波放大器，其中所述的第一電阻為一可調(diào)式電阻，用以調(diào)整該電源所提供的電壓。
本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點(diǎn)和有益效果。由以上技術(shù)方案可知，為了達(dá)到前述發(fā)明目的，本發(fā)明的主要技術(shù)內(nèi)容如下本發(fā)明提出一種單電源飽和式的微波放大器，適用于無線通訊系統(tǒng)的接收端，此微波放大器包括第一單級(jí)放大器以及第二單級(jí)放大器。其中第一單級(jí)放大器具有第一晶體管，且第一晶體管的源極接地，而第一晶體管的汲極串接至第一電阻后接至電源。至于微波放大器中的第二單級(jí)放大器具有第二晶體管，且第二晶體管的源極接地，第二晶體管的汲極串接第二電阻后接至電源。上述的第一單級(jí)放大器的輸出端串接至第三電阻后方接至第二單級(jí)放大器的輸入端。
依照本發(fā)明的較佳實(shí)施例所述的單電源飽和式的微波放大器，上述的第一單級(jí)放大器中的第一晶體管的輸入端串接至第一射頻阻流器(RF choke)后接地。而第一晶體管的汲極串接至第四電阻與第一電容后接地。至于第一電阻是先接至第二射頻阻流器后方接至電源。且第一電阻與第二射頻阻流器的連接點(diǎn)亦串接至一第二電容后接地。另外第一單級(jí)放大器中的第一晶體管的汲極是先串接至第三電容后方接至第三電阻。
依照本發(fā)明的較佳實(shí)施例所述的單電源飽和式的微波放大器，上述的第一電阻是為可調(diào)式電阻，用來調(diào)整電源所提供的電壓，且上述的第一晶體管與第二晶體管為可在高頻使用的場效晶體管(如HEMT及MESFET)。
依照本發(fā)明的較佳實(shí)施例所述的單電源飽和式的微波放大器，上述的第二單級(jí)放大器的第二晶體管的汲極串接至第五電阻與第四電容后接地。其中第二單級(jí)放大器的輸入端串接至第三射頻阻流器后接地。而第二電阻是先接至第四射頻阻流器后方接至電源。至于第二電阻與第四射頻阻流器的連接點(diǎn)亦串接至第五電容后接地。另外第二單級(jí)放大器的汲極串接至第六電容后接至匹配電路。
從另一觀點(diǎn)來看，本發(fā)明提出一種單電源飽和式的微波放大器，適用于無線通訊系統(tǒng)的發(fā)射端，此微波放大器至少包括晶體管與第一電阻。其中晶體管的源極接地。而晶體管的汲極串接至第一電阻后方接至電源。
依照本發(fā)明的較佳實(shí)施例所述的單電源飽和式的微波放大器，上述的晶體管的汲極串接至第二電阻與第一電容后接地，以增加電路穩(wěn)定度。而晶體管的輸入端串接至第一射頻阻流器后接地。至于第一電阻是先接至第二射頻阻流器后方接至電源。且第一電阻與第二射頻阻流器的連接點(diǎn)亦串接至第二電容后接地。另外第一單級(jí)放大器的第一電阻與第二電阻的連接點(diǎn)串接至第三電容。
經(jīng)由上述可知，本發(fā)明是關(guān)于一種單電源飽和式的微波放大器，其至少包括第一單級(jí)放大器與第二單級(jí)放大器。其中第一單級(jí)放大器至少具有第一晶體管，而第一晶體管的源極接地，且第一晶體管的汲極串接第一電阻后接至電源；另外第二單級(jí)放大器具有與第一單級(jí)放大器相同的電路架構(gòu)。本發(fā)明的第一單級(jí)放大器因偏壓方式采用IDSS偏壓，所以省去習(xí)知中晶體管的源極所必須串接的電阻，藉此有效地避免震蕩現(xiàn)象的發(fā)生，并達(dá)到單電源供應(yīng)以及減少電路復(fù)雜度的目的。
借由上述技術(shù)方案，本發(fā)明單電源飽和式的微波放大器至少具有下列優(yōu)點(diǎn)本發(fā)明單電源飽和式的微波放大器，其中因偏壓采用IDSS電流偏壓，并將晶體管的源極直接接地，所以省去了一個(gè)與源極串連至地的電阻，也因此避免了因此電阻的寄生效應(yīng)所產(chǎn)生的震蕩。另外第一單級(jí)放大器先串接至電阻才接至第二單級(jí)放大器，利用此電阻來降低匹配的困難度，藉此避免增益過高而產(chǎn)生震蕩，其功能近似衰減器。從而更加適于實(shí)用，而具有產(chǎn)業(yè)的廣泛利用價(jià)值，綜上所述，本發(fā)明特殊結(jié)構(gòu)的單電源飽和式的微波放大器，其具有上述諸多的優(yōu)點(diǎn)及實(shí)用價(jià)值，并在同類產(chǎn)品中未見有類似的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)公開發(fā)表或使用而確屬創(chuàng)新，其不論在結(jié)構(gòu)上或功能上皆有較大的改進(jìn)，在技術(shù)上有較大的進(jìn)步，并產(chǎn)生了好用及實(shí)用的效果，且較現(xiàn)有的微波放大器具有增進(jìn)的多項(xiàng)功效，從而更加適于實(shí)用，而具有產(chǎn)業(yè)的廣泛利用價(jià)值，誠為一新穎、進(jìn)步、實(shí)用的新設(shè)計(jì)。
上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，并可依照說明書的內(nèi)容予以實(shí)施，以下以本發(fā)明的較佳實(shí)施例并配合附圖詳細(xì)說明如后。


圖1是依照本發(fā)明一較佳實(shí)施例的一種單電源飽和式的微波放大器的電路圖。
圖2是依照本發(fā)明一較佳實(shí)施例的一種單電源飽和式的微波放大器的S參數(shù)量測圖。
圖3是依照本發(fā)明一較佳實(shí)施例的一種單電源飽和式的微波放大器的噪聲指數(shù)量測圖。
圖4是依照本發(fā)明另一較佳實(shí)施例的一種單電源飽和式的微波放大器的電路圖。
圖5是依照本發(fā)明一較佳實(shí)施例的一種單電源飽和式的微波放大器在飽和狀態(tài)時(shí)頻率對(duì)輸出功率的量測圖。
300單級(jí)放大器 302晶體管304電阻 308電阻350電阻 310電容314電容 316電容306射頻阻流器 312射頻阻流器400單級(jí)放大器 402晶體管404電阻 408電阻410電容 414電容
416電容 406射頻阻流器412射頻阻流器600單電源飽和式的微波放大器具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖及較佳實(shí)施例，對(duì)依據(jù)本發(fā)明提出的單電源飽和式的微波放大器其具體實(shí)施方式
、結(jié)構(gòu)、特征及其功效，詳細(xì)說明如后。
請(qǐng)參閱圖1所示，是依照本發(fā)明一較佳實(shí)施例的一種單電源飽和式的微波放大器的電路圖，本發(fā)明所提出一種單電源飽和式的微波放大器，其至少包括第一單級(jí)放大器300以及第二單級(jí)放大器400。其中第一單級(jí)放大器300具有第一晶體管302，且第一晶體管302的源極接地，而第一晶體管302的汲極串接至第一電阻304后接至第二射頻阻流器(RF choke)312方接至電源Vc。至于微波放大器中的第二單級(jí)放大器400具有第二晶體管402，且第二晶體管402的源極接地，第二晶體管402的汲極串接第二電阻404后接至第四射頻阻流器412方接至電源Vc。上述的第一單級(jí)放大器300的輸出端串接至第三電阻350后方接至第二單級(jí)放大器400的輸入端。
依照本發(fā)明的較佳實(shí)施例所述的單電源飽和式的微波放大器，上述的第一單級(jí)放大器300中的第一晶體管302的輸入端串接至第一射頻阻流器306后接地。而第一晶體管302的汲極串接至第四電阻308與第一電容310后接地。至于第一電阻304是先接至第二射頻阻流器312后方接至電源Vc。且第一電阻304與第二射頻阻流器312的連接點(diǎn)亦串接至第二電容314后接地。另外第一單級(jí)放大器300的汲極是先串接至第三電容316后方接至第三電阻350。
依照本發(fā)明的較佳實(shí)施例所述的單電源飽和式的微波放大器，上述第一電阻304是為可調(diào)式電阻，用來調(diào)整電源Vc所提供的電壓，且其中第一晶體管302與第二晶體管402為可在高頻使用的場效晶體管(如HEMT及MESFET)。
依照本發(fā)明的較佳實(shí)施例所述的單電源飽和式的微波放大器，上述的第二單級(jí)放大器400的輸入端串接至第三射頻阻流器406后接地。上述第二單級(jí)放大器400的第二晶體管402的汲極串接至第五電阻408與第四電容410后接地。而第二電阻404是先接第四射頻阻流器412后方接至電源Vc。至于第二電阻404與第四射頻阻流器412的連接點(diǎn)亦串接至第五電容414后接地。另外第二晶體管402的汲極串接至第六電容416。
依照本發(fā)明的較佳實(shí)施例所述的單電源飽和式的微波放大器，上述的第一單級(jí)放大器300中的第四電阻308與第一電容310以及第二單級(jí)放大器400中的第五電阻408與第四電容410，分別各構(gòu)成一組消耗性匹配(lossy matching)電路，亦即第四電阻308與第一電容310搭配，以及第五電阻408與第四電容410搭配。所以可以個(gè)別增加第一單級(jí)放大器300以及第二單級(jí)放大器400的穩(wěn)定性。
依照本發(fā)明的較佳實(shí)施例所述的單電源飽和式的微波放大器，上述的電源Vc僅需正5V電壓，但卻可藉由第一電阻304來調(diào)整第一單級(jí)放大器300的VDS電壓。同理可證，于第二單級(jí)放大器400中，亦可利用第二電阻404來調(diào)整第二單級(jí)放大器400的VDS電壓，進(jìn)而達(dá)到改善噪聲指數(shù)的功效。
依照本發(fā)明的較佳實(shí)施例所述的單電源飽和式的微波放大器，上述的第一單級(jí)放大器300先串接第三電阻350，再接至第二單級(jí)放大器400，而此第三電阻350便是作為衰減器，可以降低匹配難度并避免增益過高而產(chǎn)生震蕩。
微波放大器的設(shè)計(jì)主要是在操作頻段內(nèi)，配合適當(dāng)?shù)妮斎肫ヅ渚W(wǎng)絡(luò)，以便獲得最低的噪聲指數(shù)。然而在微波放大器中，輸入端駐波比和噪聲指數(shù)在一般設(shè)計(jì)中往往無法同時(shí)兼顧，所以如何選擇一個(gè)最適當(dāng)?shù)墓ぷ鼽c(diǎn)則是設(shè)計(jì)微波放大器的重點(diǎn)。所以在設(shè)計(jì)微波放大器時(shí)需著重于輸入匹配網(wǎng)絡(luò)的設(shè)計(jì)，以便求得有較低的噪聲指數(shù)及較佳的輸入返回?fù)p耗(Input ReturnLoss)，而圖2與圖3便是依照本發(fā)明的較佳實(shí)施例所述的單電源飽和式的微波放大器的S參數(shù)以及噪聲指數(shù)的量測圖。
請(qǐng)參閱圖2、圖3所示，圖2是依照本發(fā)明一較佳實(shí)施例的一種的S參數(shù)量測圖。圖3是依照本發(fā)明一較佳實(shí)施例的一種單電源飽和式的微波放大器的噪聲指數(shù)量測圖。本實(shí)施例的單電源飽和式的微波放大器，當(dāng)此微波放大器中使用頻段為5.7～5.8GHz，利用介電常數(shù)3.38、基板厚度20mil的印刷電路板以微帶線(microstrip)的方式傳輸，在使用頻段內(nèi)，本實(shí)施例的單級(jí)放大器所測出的增益為13db以上。且本實(shí)施例中由單級(jí)放大器300與單級(jí)放大器400所形成的的單電源飽和式的微波放大器，所測量出的增益為25db以上，噪聲指數(shù)小于2.5db。
請(qǐng)參閱圖4所示，是依照本發(fā)明一較佳實(shí)施例的一種單電源飽和式的微波放大器的電路圖，本發(fā)明另外提出一種單電源飽和式的微波放大器600，適用于無線通訊系統(tǒng)的發(fā)射端，此單電源飽和式的微波放大器600至少包括晶體管302與第一電阻304。其中晶體管302的源極接地。而晶體管302的汲極串接至第一電阻304后方接至電源Vc。
依照本發(fā)明的較佳實(shí)施例所述的單電源飽和式的微波放大器，上述的晶體管302的汲極串接至第二電阻308與第一電容310后接地。而晶體管302的輸入端串接至第一射頻阻流器306后接地。至于第一電阻304是先接至第二射頻阻流器312后方接至電源Vc。且第一電阻304與第二射頻阻流器312的連接點(diǎn)亦串接至第二電容314后接地。另外第一電阻304與第二電阻308的連接點(diǎn)串接至第三電容316。
請(qǐng)參閱圖5所示，是依照本發(fā)明一較佳實(shí)施例的一種單電源飽和式的微波放大器在飽和狀態(tài)時(shí)頻率對(duì)輸出功率的量測圖，利用上述的單電源飽和式的微波放大器600作為無線電通訊裝置上的發(fā)射模組，因習(xí)知的發(fā)射模組上訊號(hào)的發(fā)射強(qiáng)度必須大于10dBm，所以必須使用功率放大器來加強(qiáng)，但在本發(fā)明較佳實(shí)施例中，將上述的單電源飽和式的微波放大器600驅(qū)動(dòng)至飽和輸出狀態(tài)，藉此提高發(fā)射功率，而此單電源飽和式的微波放大器600便可作為功率放大器使用，且因在飽和狀態(tài)下使用，所以輸出功率的平整度極為一致。例如在FM調(diào)變系統(tǒng)中便完全不影響到系統(tǒng)特性。
以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動(dòng)或修飾為等同變化的等效實(shí)施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種單電源飽和式的微波放大器，適用于無線通訊系統(tǒng)的接收端，其特征在于其包括一第一單級(jí)放大器，具有一第一晶體管，其中該第一晶體管具有一第一源極與一第一汲極，其中該第一源極接地，該第一汲極串接一第一電阻后接至一電源；以及一第二單級(jí)放大器，具有一第二晶體管，其中該第二晶體管具有一第二源極與一第二汲極，其中該第二源極接地，該第二汲極串接一第二電阻后接至該電源；其中，該第一單級(jí)放大器的一輸出端串接一第三電阻后接至該第二單級(jí)放大器的一輸入端。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單電源飽和式的微波放大器，其特征在于其中所述的第一單級(jí)放大器的該第一汲極串接至一第四電阻與一第一電容后接地。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的單電源飽和式的微波放大器，其特征在于其中所述的第一晶體管的一輸入端串接至一第一射頻阻流器(RF choke)后接地。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的單電源飽和式的微波放大器，其特征在于其中所述的第一電阻是先接至一第二射頻阻流器后方接至該電源，且該第一電阻與該第二射頻阻流器的連接點(diǎn)亦串接至一第二電容后接地。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的單電源飽和式的微波放大器，其特征在于在其中所述的第一單級(jí)放大器的第一汲極是先串接至一第三電容后方接至該第三電阻。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的單電源飽和式的微波放大器，其特征在于其中所述的第一電阻為一可調(diào)式電阻，用以調(diào)整該電源所提供的一電壓。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單電源飽和式的微波放大器，其特征在于其中所述的第一晶體管與該第二晶體管是為一高頻使用的場效晶體管，該高頻使用的場效晶體管可以是HEMT以及MESFET二者之一。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單電源飽和式的微波放大器，其特征在于其中所述的第二單級(jí)放大器的該第二汲極串接至一第五電阻與一第四電容后接地。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的單電源飽和式的微波放大器，其特征在于其中所述的第二單級(jí)放大器的該輸入端串接至一第三射頻阻流器后接地。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的單電源飽和式的微波放大器，其特征在于其中所述的第二電阻是先接至一第四射頻阻流器后方接至該電源，且該第二電阻與該第四射頻阻流器的連接點(diǎn)亦串接至一第五電容后接地。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的單電源飽和式的微波放大器，其特征在于其中所述的第二單級(jí)放大器的該第二汲極串接至一第六電容。
12.一種單電源飽和式的微波放大器，其特征在于其至少包括一晶體管，具有一源極與一汲極，其中該源極接地；以及一第一電阻；其中，該晶體管的該汲極串接至該第一電阻后方接至一電源。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的單電源飽和式的微波放大器，其特征在于其中所述的晶體管的該汲極串接至一第二電阻與一第一電容后接地。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的單電源飽和式的微波放大器，其特征在于其中所述的晶體管的一輸入端串接至一第一射頻阻流器后接地。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的單電源飽和式的微波放大器，其特征在于其中所述的第一電阻是先接至一第二射頻阻流器后方接至該電源，且該第一電阻與該第二射頻阻流器的連接點(diǎn)亦串接至一第二電容后接地。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的單電源飽和式的微波放大器，其特征在于其中所述的第一電阻與該第二電阻的連接點(diǎn)串接至一第三電容。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的單電源飽和式的微波放大器，其特征在于其中所述的第一電阻為一可調(diào)式電阻，用以調(diào)整該電源所提供的電壓。
全文摘要
本發(fā)明是關(guān)于一種單電源飽和式的微波放大器，其至少包括第一單級(jí)放大器與第二單級(jí)放大器。其中第一單級(jí)放大器至少具有第一晶體管，而第一晶體管的源極接地，且第一晶體管的汲極串接第一電阻后接至電源；另外第二單級(jí)放大器具有與第一單級(jí)放大器相同的電路架構(gòu)。本發(fā)明的第一單級(jí)放大器因偏壓方式采用I
文檔編號(hào)H03F3/189GK1661906SQ200410006380
公開日2005年8月31日 申請(qǐng)日期2004年2月27日 優(yōu)先權(quán)日2004年2月27日
發(fā)明者牛道智, 陳佳揚(yáng) 申請(qǐng)人:國防部中山科學(xué)研究院