專利名稱：緩沖器中減小短路電流的系統(tǒng)及方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)于一種反相器，且特別是有關(guān)于一種在狀態(tài)轉(zhuǎn)移時(shí)減少反相器的電流的系統(tǒng)及方法。
背景技術(shù)：
緩沖器用于在傳輸或處理數(shù)據(jù)時(shí)將數(shù)據(jù)寄存，如應(yīng)用于計(jì)算機(jī)中。緩沖器通常包括反相器以反相輸入的數(shù)據(jù)位或信號(hào)。
請(qǐng)參照?qǐng)D1A，其表示為傳統(tǒng)反相器電路圖。反相器100包括輸入端102及輸出端104。輸入端102用以接收輸入信號(hào)INa，輸出端104用以輸出一輸出信號(hào)OUTa。反相器100還包括金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管(MOS晶體管)110、MOS晶體管112及輸出電容108。MOS晶體管110及MOS晶體管112為數(shù)值相同但極性相反的晶體管，即MOS晶體管110為P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管(PMOS晶體管)，MOS晶體管112為N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管(NMOS晶體管)。正極性的輸入信號(hào)INa反相后產(chǎn)生負(fù)極性的輸出信號(hào)OUTa。相反地，負(fù)極性的輸入信號(hào)INa反相后產(chǎn)生正極性的輸出信號(hào)OUTa。當(dāng)輸出信號(hào)OUTa為低電平時(shí)，晶體管112為導(dǎo)通。相反地，而當(dāng)輸出信號(hào)OUTa為高電平時(shí)，則晶體管110為導(dǎo)通。
請(qǐng)參照?qǐng)D1B，其表示為傳統(tǒng)反相器100操作過程中的時(shí)序圖。反相器100并非在一瞬間轉(zhuǎn)換狀態(tài)，而是漸漸的轉(zhuǎn)換狀態(tài)(或改變電平)，當(dāng)輸入信號(hào)INa漸漸的自低電平改變至高電平時(shí)，則對(duì)應(yīng)的輸出信號(hào)OUTa漸漸的自高電平改變至低電平。如圖1B中，可看出輸入信號(hào)INa于時(shí)間點(diǎn)T1至?xí)r間點(diǎn)T5的轉(zhuǎn)變，從低電平提升至高電平。輸出信號(hào)OUTa則對(duì)應(yīng)輸入信號(hào)INa的轉(zhuǎn)換狀態(tài)而改變，于時(shí)間點(diǎn)T2至?xí)r間點(diǎn)T4，自高電平降至低電平。
如上所述，當(dāng)輸出信號(hào)OUTa為低電平時(shí)，晶體管112導(dǎo)通。當(dāng)輸出信號(hào)OUTa為高電平時(shí)，晶體管110導(dǎo)通。因此，在轉(zhuǎn)變時(shí)段即時(shí)間點(diǎn)T2至?xí)r間點(diǎn)T4時(shí)，晶體管110及晶體管112約在時(shí)間點(diǎn)T3時(shí)同時(shí)導(dǎo)通。因?yàn)榫w管110及晶體管112同時(shí)導(dǎo)通，會(huì)使“轉(zhuǎn)移短路電流”(transition short circuitcurrent flow)Is自主電壓VDD經(jīng)晶體管110及晶體管112流至接地端。舉例來說，轉(zhuǎn)移短路電流Is的大小在時(shí)間點(diǎn)T3時(shí)達(dá)到最大值220mA。
220mA的轉(zhuǎn)移短路電流Is實(shí)際上比起反相器100將輸入信號(hào)Ina反相所需的電流大很多。因此，此多出來的電流只是浪費(fèi)電能而已。依上所述，需要一種顯著減少轉(zhuǎn)移短路電流的技術(shù)，以降低損耗的電能。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的目的就是在提供一種可減少反相器或緩沖器中的轉(zhuǎn)移短路電流的大小的系統(tǒng)及方法。值得注意的是，本發(fā)明可以多種方式實(shí)現(xiàn)，例如是程序步驟、系統(tǒng)、儀器、計(jì)算機(jī)可讀取媒介或裝置。
根據(jù)本發(fā)明的目的，提出一種包含于反相器電路中的顯著減少轉(zhuǎn)移短路電流的系統(tǒng)。此系統(tǒng)包括第一反相器及可變電阻組。第一反相器包括第一輸出端、第一PMOS晶體管及第一NMOS晶體管?？勺冸娮杞M偏置第一反相器，使第一PMOS晶體管于第一時(shí)間點(diǎn)開關(guān)，第一NMOS晶體管于一第二時(shí)間點(diǎn)開關(guān)，進(jìn)而使轉(zhuǎn)移短路電流減少。
一實(shí)施例，第一PMOS晶體管的源極連接至主電壓，其漏極與第一輸出端連接。一實(shí)施例，第一NMOS晶體管的源極連接至地，第一NMOS晶體管的漏極與第一輸出端連接。
一實(shí)施例，可變電阻組包括第二PMOS晶體管、第二NMOS晶體管、第三PMOS晶體管及第三NMOS晶體管。第二PMOS晶體管的源極連接至主電壓，其漏極與第一PMOS晶體管的柵極連接。第二NMOS晶體管的漏極與第二PMOS晶體管的漏極連接，其柵極與第二PMOS晶體管的柵極連接。第三PMOS晶體管的源極與第二NMOS晶體管的源極連接，其漏極與第一NMOS晶體管的柵極連接。第三NMOS晶體管的源極連接至地，其漏極與第三PMOS晶體管的漏極連接。
一實(shí)施例，系統(tǒng)也包括第二反相器。第二反相器包括第二輸出端及第二輸入端，第二輸出端與第一反相器的第一輸入端連接。第二反相器也包括第四PMOS晶體管及第四NMOS晶體管。第四PMOS晶體管的源極連接至主電壓，其漏極與第二NMOS晶體管的源極連接。第四NMOS晶體管的源極連接至地，其漏極與該第四PMOS晶體管的漏極連接。第二輸入端與第二PMOS晶體管的柵極、第二NMOS晶體管的柵極、第三PMOS晶體管的柵極、第三NMOS晶體管的柵極、第四PMOS晶體管的柵極及第四NMOS晶體管的柵極連接。
根據(jù)本發(fā)明的另一目的，提出一種顯著減少轉(zhuǎn)移短路電流的方法。首先以第一反相器的第一輸入端接收反相輸入信號(hào)，第一反相器包括第一PMOS晶體管及第一NMOS晶體管。接著第一反相器接收偏置電壓，使第一PMOS晶體管于第一時(shí)間點(diǎn)開關(guān)，第一NMOS晶體管于第二時(shí)間點(diǎn)開關(guān)，進(jìn)而使轉(zhuǎn)移短路電流減小。
一實(shí)施例中，由一可變電阻組提供偏置電壓至第一反相器。一實(shí)施例，顯著減少轉(zhuǎn)移短路電流的方法還包括下列步驟。首先，以第二反相器的第二輸入端接收輸入信號(hào)，接著自第二反相器的輸出端輸出反相輸入信號(hào)。第二反相器的輸出端與第一輸入端連接。
根據(jù)本發(fā)明的另一目的，提出一種緩沖器電路。此緩沖器電路包括第一反相器、可變電阻組及第二反相器。
第一反相器包括第一輸出端及第一輸出端。可變電阻組偏置該第一反相器，使轉(zhuǎn)移短路電流于減少。第二反相器包括一第二輸入端及一第二輸出端，第二輸出端與第一反相器的第一輸入端連接。
本發(fā)明有利于顯著減少轉(zhuǎn)移短路電流，以便在反相器中于提高功率使用效率，如緩沖器電路中的反相器。且在反相器電路中顯著減少轉(zhuǎn)移短路電流，可減少反相器電路中功率損耗，及其冷卻裝置的熱能損耗。
為讓本發(fā)明的上述目的、特征、和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉一較佳實(shí)施例，并配合附圖，作詳細(xì)說明如下。


圖1A為傳統(tǒng)反相器的電路圖。
圖1B為傳統(tǒng)反相器的時(shí)序圖。
圖2為依照本發(fā)明一較佳實(shí)施例提出的電阻式反相器的電路圖。
圖3A為依照本發(fā)明一較佳實(shí)施例提出的緩沖器電路的示意圖。
圖3B為依照本發(fā)明一較佳實(shí)施例提出的緩沖器電路的時(shí)序圖。
主要組件符號(hào)說明100傳統(tǒng)反相器102輸入端104輸出端
108輸出電容110、210、310、316、318、330PMOS晶體管112、212、312、314、320、332NMOS晶體管200電阻式反相器214、216、218、220電阻300緩沖器電路301、302反相器303可變電阻組具體實(shí)施方式
下列將提出的多個(gè)較佳的實(shí)施例，可于反相器電路或緩沖器電路中顯著減少轉(zhuǎn)移短路電流。下列的實(shí)施例對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員明顯易懂，且不需其中的部分或所有的特定細(xì)節(jié)即可施行。
轉(zhuǎn)移短路電流產(chǎn)生于反相器轉(zhuǎn)變狀態(tài)時(shí)，其無法有效地利用現(xiàn)有的電能。減少電子裝置的功率消耗是設(shè)計(jì)時(shí)的必要的考慮重點(diǎn)。而減少便攜式電子裝置的功率消耗更是設(shè)計(jì)時(shí)所考慮的重點(diǎn)，因其僅具有有限的電源容量，例如是電池之類的電源。在較大型的電子產(chǎn)品，如個(gè)人計(jì)算機(jī)，服務(wù)器及其它的電子產(chǎn)品，其裝設(shè)的散熱裝置導(dǎo)致多余的功率損耗亦是一待為解決的問題。
請(qǐng)參照?qǐng)D2，其表示依照本發(fā)明一較佳實(shí)施例的電阻式反相器的電路圖。電阻214、216、218及220組成分壓裝置。晶體管210及晶體管212的柵極電壓，因電阻214及電阻216的緣故，而分別地與輸入端102接收的輸入信號(hào)INa的電壓值不同。如此一來，晶體管210及晶體管212的開關(guān)的時(shí)間點(diǎn)會(huì)有所變動(dòng)，以避免晶體管210及晶體管212在同時(shí)導(dǎo)通，因而減小轉(zhuǎn)移短路電流。
然而，若電阻214過大，晶體管210的開關(guān)時(shí)間會(huì)太慢，使反相器200對(duì)應(yīng)輸入信號(hào)INa的瞬間變化時(shí)，反應(yīng)能力減弱。同樣地，若電阻214過小，會(huì)使流經(jīng)電阻216、218及220過大，因而造成在電阻216、218及220的功率消耗，且使反相器200整體功率的使用效率不盡理想。
依本發(fā)明所提出一實(shí)施例，即增加電路以于反相器轉(zhuǎn)變狀態(tài)時(shí)顯著減少轉(zhuǎn)移短路電流的大小。如此，則可節(jié)省使用功率。利用可變電阻以顯著減少轉(zhuǎn)移短路電流的大小，且亦可避免于圖2中提出的電阻式反相器的缺點(diǎn)。
請(qǐng)參照?qǐng)D3A，其表示為依本發(fā)明的一實(shí)施例所提出的一緩沖器電路的示意圖。緩沖器電路300包括反相器301、反相器302及可變電阻組303。第一反相器301即為緩沖器電路300的輸出級(jí)，包括PMOS晶體管310及NMOS晶體管312。第二反相器302將輸入信號(hào)INc反相，并包括PMOS晶體管330及NMOS晶體管332。
可變電阻組303用以改變晶體管310、312的狀態(tài)轉(zhuǎn)移時(shí)間，使得晶體管310、312不會(huì)同時(shí)導(dǎo)通，以此減小轉(zhuǎn)移短路電流。PMOS或NMOS晶體管的開關(guān)時(shí)間由PMOS或NMOS晶體管的一些特性參數(shù)決定，即下列幾個(gè)方面，如晶體管的尺寸大小、晶體管的原料及制造晶體管的技術(shù)。舉一實(shí)施例而言，NMOS晶體管314的特性參數(shù)可使其導(dǎo)通速度較NMOS晶體管320慢。晶體管314的特性參數(shù)亦使其關(guān)斷速度較晶體管320快。此外，PMOS晶體管316的特性參數(shù)使其導(dǎo)通速度較PMOS晶體管318慢。PMOS晶體管316的特性參數(shù)也使得PMOS晶體管316關(guān)斷速度較PMOS晶體管318快。根據(jù)上述，晶體管310、312的開關(guān)時(shí)間是可變動(dòng)的。
請(qǐng)參照?qǐng)D3B，其表示為依本發(fā)明提出的一實(shí)施例的緩沖器電路300的時(shí)序圖。時(shí)序圖350中包括有三條依時(shí)間分布的曲線圖。最上層的曲線圖為輸入信號(hào)INc與輸出信號(hào)OUTc。第二層的曲線圖分別表示晶體管310及312的柵極電壓，其所表示的電壓范圍為0.0至2.0伏特。第三層的曲線圖為轉(zhuǎn)移短路電流的時(shí)間曲線，其表示的范圍為0.000至0.010安培。輸入信號(hào)INc顯示出自時(shí)間點(diǎn)T1至?xí)r間點(diǎn)T6時(shí)，其由低電平轉(zhuǎn)變至高電平。當(dāng)輸入信號(hào)INc轉(zhuǎn)變至高電平時(shí)，晶體管314及320導(dǎo)通。自晶體管310流經(jīng)晶體管314及流過晶體管332的電流，用以提供晶體管310所需的偏置電壓。晶體管310所需的偏置電壓由輸入至晶體管310的柵極的Vgs312所提供。由于電流可流過晶體管310，因此輸出信號(hào)OUTc為一高電平。
因?yàn)榫w管314的導(dǎo)通速度較晶體管320慢，且晶體管316的關(guān)斷速度較晶體管318快，因此使得晶體管312的關(guān)斷速度較晶體管310快。而因晶體管312及310沒有同時(shí)導(dǎo)通的緣故，轉(zhuǎn)移短路電流Ip即可減小。同樣地，當(dāng)輸入信號(hào)INc自高電平轉(zhuǎn)變至低電平時(shí)，即有一電流自晶體管330及316流至晶體管312的柵極，以此使晶體管312被偏置且產(chǎn)生導(dǎo)通電流I312，使輸出信號(hào)OUTc為低電平。
當(dāng)晶體管314關(guān)斷速度較晶體管320快時(shí)，且晶體管316的導(dǎo)通速度較晶體管318慢時(shí)，會(huì)使晶體管31關(guān)斷速度較晶體管312快。既然晶體管312及310不于同時(shí)導(dǎo)通，因此使轉(zhuǎn)移短路電流Ip即可減小。晶體管314的關(guān)斷速度較快，因?yàn)楫?dāng)輸入信號(hào)INc為高電平時(shí)，晶體管314的柵極與源極的電壓差(Vgs)即為高電平。以此，當(dāng)輸入信號(hào)INc轉(zhuǎn)變至低電平時(shí)，晶體管314的源極電壓(Vs)提升，且晶體管314的柵極電壓(Vg)減小。為此，晶體管314的Vgs快速減小，且晶體管314亦快速關(guān)斷。
晶體管316的關(guān)斷速度較晶體管318慢，因?yàn)楫?dāng)輸入信號(hào)INc為高電平時(shí)，晶體管316的Vgs為正極性。以此，當(dāng)輸入信號(hào)INc轉(zhuǎn)變至低電平時(shí)，與晶體管316的Vs相同的信號(hào)NR轉(zhuǎn)變?yōu)楦唠娖?，為此，晶體管316的Vgs緩慢減小，然后晶體管316亦緩慢導(dǎo)通。
晶體管316的導(dǎo)通速度較快，因?yàn)楫?dāng)輸入信號(hào)INc為低電平時(shí)，晶體管316的Vgs為負(fù)極性。以此，當(dāng)輸入信號(hào)INc轉(zhuǎn)變至高電平時(shí)，信號(hào)NR轉(zhuǎn)變?yōu)榈碗娖?，為此，晶體管316的Vgs快速增加，然后晶體管316快速關(guān)斷。
在此例中，流經(jīng)晶體管310及晶體管312的轉(zhuǎn)移短路電流Ip約為4mA。當(dāng)傳統(tǒng)反相器100及緩沖器300皆有相同的特性參數(shù)，此4mA的轉(zhuǎn)移短路電流Ip較圖1A所示的傳統(tǒng)反相器100的200mA的轉(zhuǎn)移短路電f流Is小上許多。于此提出的多個(gè)較佳實(shí)施例中，雖轉(zhuǎn)移短路電流Ip的大小限制于4mA或甚至10mA，于此提出一或多個(gè)較佳實(shí)施例，本發(fā)明并不以上述的轉(zhuǎn)移短路電流Ip的值為限。當(dāng)然，與傳統(tǒng)的電路比較，可明顯看出依本發(fā)明于此提出的多個(gè)較佳實(shí)施例可顯著減少轉(zhuǎn)移短路電流的大小。再者，如根據(jù)特定的MOS大小，轉(zhuǎn)移短路電流可改變?yōu)槿魏螖?shù)值，但仍較傳統(tǒng)反相器的轉(zhuǎn)移短路電流有所減少。
此緩沖器裝置使用多個(gè)可變電阻，使PMOS晶體管及NOMS晶體管的開關(guān)時(shí)間點(diǎn)有所差異，以避免兩個(gè)PMOS晶體管及NOMS晶體管同時(shí)導(dǎo)通(換句話說，同時(shí)導(dǎo)通)，因此可減小轉(zhuǎn)移短路電流。
而于此與本發(fā)明有關(guān)的描述中，所使用的措辭“約為”表示+/-10％。舉例而言，“約為2.0伏特”表示電壓范圍在于2.2至1.8伏特之間。
綜上所述，雖然本發(fā)明已以一較佳實(shí)施例公開如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可進(jìn)行各種更動(dòng)與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視所提出的權(quán)利要求限定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種顯著減少轉(zhuǎn)移短路電流的系統(tǒng)，該系統(tǒng)包含于一反相器電路中，該系統(tǒng)包括一第一反相器，包括一第一輸出端、一第一P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管(PMOS晶體管)及一第一N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管(NMOS晶體管)；以及一可變電阻組，該可變電阻組偏置該第一反相器，使該第一PMOS晶體管于一第一時(shí)間點(diǎn)切換狀態(tài)，并使該第一NMOS晶體管于一第二時(shí)間點(diǎn)切換狀態(tài)，進(jìn)而使該轉(zhuǎn)移短路電流減小。
2.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中該第一PMOS晶體管的源極連接至一主電壓，該第一PMOS晶體管的漏極與該第一輸出端連接，該第一NMOS晶體管的源極連接至地，該第一NMOS晶體管的漏極與該第一輸出端連接。
3.如權(quán)利要求2所述的系統(tǒng)，其中該可變電阻組包括一第二PMOS晶體管，該第二PMOS晶體管的源極連接至該主電壓，該第二PMOS晶體管的漏極與該第一PMOS晶體管的柵極連接；一第二NMOS晶體管，該第二NMOS晶體管的漏極與該第二PMOS晶體管的漏極連接，該第二NMOS晶體管的柵極與該第二PMOS晶體管的柵極連接；一第三PMOS晶體管，該第三PMOS晶體管的源極與該第二NMOS晶體管的源極連接，第三PMOS晶體管的漏極與該第一NMOS晶體管的柵極連接；及一第三NMOS晶體管，該第三NMOS晶體管的源極連接至地，該第三NMOS晶體管的漏極與該第三PMOS晶體管的漏極連接。
4.如權(quán)利要求3所述的系統(tǒng)，其中該系統(tǒng)還包括一第二反相器，該第二反相器包括一第二輸出端及一第二輸入端，該第二輸出端與第一反相器的一第一輸入端連接。
5.如權(quán)利要求4所述的系統(tǒng)，其中該第二反相器還包括一第四PMOS晶體管，該第四PMOS晶體管的源極連接至該主電壓，該第四PMOS晶體管的漏極與該第二NMOS晶體管的源極連接；及一第四NMOS晶體管，該第四NMOS晶體管的源極連接至地，該第四NMOS晶體管的漏極與該第四PMOS晶體管的漏極連接；其中，該第二輸入端與該第二PMOS晶體管的柵極、該第二NMOS晶體管的柵極、該第三PMOS晶體管的柵極、該第三NMOS晶體管的柵極、該第四PMOS晶體管的柵極及該第四NMOS晶體管的柵極連接。
6.一種顯著減少轉(zhuǎn)移短路電流的方法，包括以一第一反相器的一第一輸入端接收一反相輸入信號(hào)，該第一反相器包括一第一PMOS晶體管及一第一NMOS晶體管；以及偏置該第一反相器，使該第一PMOS晶體管于一第一時(shí)間點(diǎn)切換狀態(tài)，并使該第一NMOS晶體管于一第二時(shí)間點(diǎn)切換狀態(tài)，進(jìn)而使該轉(zhuǎn)移短路電流減小。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其中為一可變電阻組偏置該第一反相器。
8.如權(quán)利要求6所述的方法，還包括以一第二反相器的一第二輸入端接收一輸入信號(hào)；及自該第二反相器的一輸出端輸出該反相輸入信號(hào)，該第二反相器的該輸出端與該第一輸入端連接。
9.一種緩沖器電路，包括一第一反相器，包括一第一輸出端；一可變電阻組，該可變電阻組偏置該第一反相器，使一轉(zhuǎn)移短路電流減少；以及一第二反相器，包括一第二輸入端及一第二輸出端，該第二輸出端與該第一反相器的一第一輸入端連接。
10.如權(quán)利要求9所述的緩沖器電路，其中該第一反相器還包括一第一PMOS晶體管，該第一PMOS晶體管的源極連接至一主電壓，該P(yáng)MOS晶體管的漏極與該第一輸出端連接；及一第一NMOS晶體管，該第一NMOS晶體管的源極連接至地，該第一NMOS晶體管的漏極與該第一輸出端連接。
11.如權(quán)利要求10所述的緩沖器電路，其中該可變電阻組包括一第二PMOS晶體管，該第二PMOS晶體管的源極連接至該主電壓，該第二PMOS晶體管的漏極與該第一PMOS晶體管的柵極連接；一第二NMOS晶體管，該第二NMOS晶體管的漏極與該第二PMOS晶體管的漏極連接，該第二NMOS晶體管的柵極與該第二PMOS晶體管的柵極連接；一第三PMOS晶體管，該第三PMOS晶體管的源極與該第二NMOS晶體管的源極連接，該第三PMOS晶體管的漏極與該第一NMOS晶體管的柵極連接；及一第三NMOS晶體管，該第三PMOS晶體管的源極連接至地，該第三NMOS晶體管的漏極與該第三PMOS晶體管的漏極連接。
12.如權(quán)利要求11所述的緩沖器電路，其中該第二反相器還包括一第四PMOS晶體管，該第四PMOS晶體管的源極連接至該主電壓，該第四PMOS晶體管的漏極與該第二NMOS晶體管的源極連接；及一第四NMOS晶體管，該第四NMOS晶體管的源極連接至地，該第四NMOS晶體管的漏極與該第四PMOS晶體管的漏極連接；其中，該第二輸入端與該第二PMOS晶體管的柵極、該第二NMOS晶體管的柵極、該第三PMOS晶體管的柵極、該第三NMOS晶體管的柵極、該第四PMOS晶體管的柵極及該第四NMOS晶體管的柵極連接。
全文摘要
一種于反相器中減小轉(zhuǎn)移短路電流的系統(tǒng)，包括第一反相器及一可變電阻組。第一反相器中包括第一輸出點(diǎn)、第一PMOS晶體管及第一NMOS晶體管?？勺冸娮杞M提供偏置電壓給第一反相器，使第一PMOS晶體管在第一時(shí)間點(diǎn)開關(guān)及第一NMOS晶體管得以在第二時(shí)間點(diǎn)開關(guān)，因此可減小轉(zhuǎn)移短路電流。減小轉(zhuǎn)移短路電流的方法及緩沖器亦有敘述。
文檔編號(hào)H03K19/0185GK1681208SQ20041009256
公開日2005年10月12日 申請(qǐng)日期2004年11月15日 優(yōu)先權(quán)日2004年1月30日
發(fā)明者林曉銘 申請(qǐng)人:旺宏電子股份有限公司