專利名稱：高頻模塊的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及適合應用于以攜帶電話機為代表的無線攜帶終端等的無線通信裝置的高頻模塊。
背景技術：
近年來，攜帶電話機的小型化和薄型化得到了飛速的進展，伴隨于此，特別是天線開關、功率放大器(以下稱為「PA」)、表面彈性波(以下稱為「SAW」)濾波器等的高度高的電子部件的小型化和薄型化得到了飛速的進展。
另一方面，為了將多個電子部件組合起來以實現攜帶終端的高頻部(以下稱為「RF部」)，必須有水平高的高頻設計、安裝技術。因此，為了使開發(fā)變得容易，開發(fā)了將盡可能多的電子部件集成在一個模塊中的綜合型的高頻模塊。例如，在面向歐洲的GSM(全球移動電話系統(tǒng))方式中集成了天線開關和SAW的高頻模塊或在PA中集成了天線開關的高頻模塊已實現了產品化。再者，也研究了在一個封裝體中使天線開關、SAW、PA、無線電收發(fā)機RF-IC(RF-集成電路)實現了集成化的高頻模塊。
這些高頻模塊是在設置了高頻線路的陶瓷或樹脂制的高頻基板上安裝半導體元件(PA元件、RF-IC元件、開關元件)或片狀部件(電容器、電阻、電感器)等而實現的。另一方面，因為SAW元件在工作原理上講必須在表面彈性波傳播的梳狀電極上設置空間，為了防止因梳狀電極的氧化引起的特性惡化，也必須進行氣密封裝，故將SAW元件安裝在氣密封裝體中。因而，在集成了SAW的高頻模塊中，最一般的情況是將具有氣密封裝結構的SAW的封裝體安裝在上述高頻基板上來構成高頻模塊。
作為SAW的氣密封裝體的形態(tài)，首先有迄今為止使用的、采用了金屬帽的陶瓷封裝體。這是在陶瓷封裝體中安裝SAW并用焊錫等固定了金屬帽的封裝體。為了使尺寸小型化，使用金屬凸點的倒裝芯片連接的類型代替用引線鍵合來連接SAW元件的類型正在成為主流。再者，在最近，為了實現進一步的小型、低成本化，開發(fā)了在平坦的陶瓷基板上以倒裝芯片方式安裝SAW元件、在SAW元件與陶瓷基板之間的一部分中注入樹脂并進行硬化以在內部形成了中空氣密結構的樹脂封裝型的小型封裝體(例如參照專利文獻1)。
作為在高頻基板上安裝上述那樣的SAW封裝體而作成的高頻模塊，例如在專利文獻2中記載了在陶瓷多層基板上安裝銷釘狀開關元件、片狀部件、SAW封裝體和金屬帽而作成的天線開關模塊。
此外，在非專利文獻1中記載了在多層樹脂基板上以裸芯片方式安裝RF-IC元件、PA元件、HEMT(高電子遷移率晶體管)開關元件，再安裝片狀部件、SAW封裝體并集成了在GSM/DCS(數字蜂窩系統(tǒng))雙頻帶的發(fā)送接收方面所必要的全部的RF部的部件的綜合RF模塊。
專利文獻1特開2003-8395號公報專利文獻2特開2002-94410號公報非專利文獻1美國IEEE微波理論和技術協(xié)會[IEEEMicrowave Theory and Techniques Society(MTT-S)]發(fā)行的2003年國際微波討論會論文集TH5B-4(International Microwave SymposiumDigest 2003，TH5B-4)第3卷，第1707頁～第1710頁。
但是，在集成了SAW濾波器的高頻模塊中，其進一步的薄型化成為大的課題。這是因為，即使在上述的使用了樹脂封裝的薄型的SAW封裝體中，高度也大于等于0.6mm，比同時安裝的其它的片狀部件(0603尺寸、高度0.3mm)或半導體元件等高。
在上述的天線開關模塊或綜合RF模塊中使用的多層高頻基極至少具有0.4mm的厚度，再者，如果考慮在安裝了SAW封裝體、片狀部件、半導體元件的基板上覆蓋了金屬帽或進行樹脂模塑，則封裝體的厚度最小也約1.2mm，與其它的一般的IC封裝體的厚度為小于等于1.0mm相比，其高度較高。
作為降低安裝了SAW封裝體的模塊的高度的方法，在上述的專利文獻2中公開了在整個模塊上覆蓋的金屬帽的安裝了SAW封裝體的部分上開孔的方法或在安裝了SAW封裝體的部分的高頻基板的一部分上設置凹陷的方法。但是，前者存在下述問題由于在金屬帽上開了大的孔，故其屏蔽效果變弱了，此外，在母板上安裝時的固定變得困難。此外，后者存在下述問題在高頻基板的材料為樹脂的情況下，其成本顯著地增加，在高頻基板的材料為陶瓷的情況下，基板強度變差，在基板上容易發(fā)生裂紋。
此外，在高頻模塊中，為了提高模塊的可靠性，大多用環(huán)氧樹脂等對安裝全部的部件的基板的整個上表面進行樹脂模塑，但在使用采用了樹脂封裝的SAW封裝體的情況下，在進行樹脂模塑時對SAW封裝體施加高的溫度和壓力，由此存在SAW封裝體的樹脂軟化或熔解、中空結構破壞或SAW元件移動引起倒裝芯片連接點電連接不良的問題。在采用了樹脂封裝的SAW封裝體中，在進行樹脂封裝的SAW元件一側沒有起到電磁屏蔽作用的接地導體，也存在SAW的梳狀電極容易受到電磁噪聲的影響的課題。

發(fā)明內容
本發(fā)明的第1目的在于實現安裝了SAW封裝體的高頻模塊的薄型化。
本發(fā)明的第2目的在于，在實現了薄型化的模塊中使用了樹脂封裝型的SAW封裝體的情況下，在樹脂模塑時避免SAW封裝體的樹脂軟化或熔解的問題。
本發(fā)明的第3目的在于，在實現了薄型化的模塊中使用了樹脂封裝型的SAW封裝體的情況下，強化抗電磁場噪聲的性能。
通過在高頻模塊的基板上設置貫通孔，在模塊基板上安裝相同的封裝體，使得封裝了SAW的封裝體的至少一部分位于貫通孔的內部，即以在貫通孔中插入SAW封裝體的至少一部分的方式進行安裝，可有效地解決上述課題。由于減少了SAW封裝體的從模塊基板表面突出的高度，故實現了安裝SAW封裝體的高頻模塊的薄型化。
此外，作為SAW封裝體，使用采用金屬帽在至少1層的陶瓷基板上以倒裝芯片方式安裝了SAW元件的封裝體。此時，由于使與模塊基板的連接變得容易，故可這樣來安裝，使SAW封裝體的上述陶瓷基板和在該基板上設置的電極的一部分配置在貫通孔的外部。例如，較為理想的是，將SAW封裝體的陶瓷基板的寬度設定得比對應的貫通孔的寬度寬，由此，這樣來安裝，使陶瓷基板大致位于貫通孔的外部，在該陶瓷基板上安裝的SAW元件大致位于貫通孔的內部。此外，較為理想的是，用焊錫將在SAW封裝體的陶瓷基板上設置的電極連接到在模塊基板的上表面上設置的線路上?？捎门c在模塊基板上安裝的其它的部件相同的工藝安裝SAW封裝體。
或者，較為理想的是，在以封裝體的至少一部分位于貫通孔的內部的方式安裝的SAW封裝體中，使用粘接劑將SAW封裝體固定在模塊基板上?？蛇@樣來固定SAW封裝體，使貫通孔與模塊基板在空間上隔開，特別是安裝了樹脂封裝型的SAW封裝體之后對高頻模塊進行樹脂模塑時，用高溫熔解的模塑用樹脂不到達SAW封裝體的樹脂，因而，可避免SAW封裝體的樹脂軟化或熔解這樣的問題。
再者，在以封裝體的至少一部分位于貫通孔的內部的方式安裝的SAW封裝體中，較為理想的是，在模塊基板上設置的貫通孔的周圍的內層或背面上設置接地導體。通過接地導體包圍SAW元件，接地導體對SAW元件進行電磁屏蔽。由此，特別是在使用了樹脂封裝型的SAW封裝體的情況下，可強化抗電磁場噪聲的性能。
按照本發(fā)明，由于通過在模塊基板上設置的貫通孔中配置SAW封裝體的一部分來降低SAW封裝體的從模塊基板突出的高度，故可實現安裝了SAW封裝體的高頻模塊的薄型化。


圖1A是說明與本發(fā)明有關的高頻模塊的第1實施例的平面圖。
圖1B是說明第1實施例的圖1A的A·A線的剖面圖。
圖2A是圖1A中的SAW封裝體附近的平面圖。
圖2B是圖2A的B·B線的剖面圖。
圖3A是說明第1實施例的高頻模塊的安裝狀態(tài)的平面圖。
圖3B是說明第1實施例的高頻模塊的安裝狀態(tài)的剖面圖。
圖4A是說明本發(fā)明的第2實施例的平面圖。
圖4B是說明第2實施例的圖4A的B·B線的剖面圖。
圖5A是說明本發(fā)明的第3實施例的平面圖。
圖5B是說明第3實施例的圖5A的B·B線的剖面圖。
圖6A是說明本發(fā)明的第4實施例的平面圖。
圖6B是說明第4實施例的圖6A的B·B線的剖面圖。
具體實施例方式
以下，參照附圖中示出的幾個實施例進一步詳細地說明與本發(fā)明有關的高頻模塊。再有，假定圖1A、1B～圖6A、6B中的同一符號表示同一物體或類似物體。
使用圖1A、1B、圖2A、2B和圖3A、3B說明本發(fā)明的第1實施例。圖1A是示意性地示出了本實施例的高頻模塊的平面圖，圖1B是圖1A的A·A線的剖面圖。如圖1A中所示，在模塊基板200的上表面上安裝作為高頻信號通過的電子部件的RF-IC201、PA202、SW203、SAW封裝體204、匹配電路205和片狀部件(電容器、電阻、電感器)208。再有，本來在高頻模塊的整個上表面上覆蓋了金屬帽或進行了樹脂模塑，但在圖1A中為了說明內部的結構，省略并未記載這些部分。此外，雖然有多條連接各電子部件或端子的布線，但在此只示意性地圖示了電子部件間的高頻線路?？稍谀K基板200的上表面(最上表面)上設置高頻線路，也可在內層設置高頻線路。此外，利用在該模塊背面上設置的端子進行該模塊的信號或電源的輸入輸出。
本實施例的高頻模塊是集成了與800MHz頻帶的GSM和1800MHz頻帶的DCS的兩系統(tǒng)對應的雙頻帶攜帶終端的RF部的RF部綜合模塊。利用RF-IC201將輸入到該模塊中的基帶信號變換為GSM或DCS頻帶的RF信號，用PA202進行放大，接著，通過進行電子部件間的匹配的匹配電路205、衰減高次諧波用的低通濾波器207和SP4T型的HEMT開關的SW203從模塊輸出，最后從天線210發(fā)送。此外，來自天線210的接收信號通過SW203，用SAW封裝體204除去干擾波，接著在通過了匹配電路205后，由RF-IC201變換為基帶信號，從模塊輸出。再有，片狀部件208是為了構成各電子部件的電源電路、控制電路等而使用的。
在該模塊中，如圖1B中所示，模塊基板200是層疊了3個樹脂基板的多層樹脂基板，在其上表面上安裝具有氣密封裝結構的SAW封裝體204、由片狀部件構成的匹配電路205、具有發(fā)送接收功能的RF-IC元件201和片狀部件208。用裸芯片安裝RF-IC元件201，用鍵合引線209等連接到基板200的布線上。此外，在后面將敘述，在貫通孔117的周圍的內層或表面上設置接地導體119、120。
SAW封裝體204內的SAW元件114對所希望的頻率分量進行濾波，同時也具有將信號從單端(單相)變換為差動(雙相)的平衡-不平衡變換的功能。SAW封裝體204的一部分插入在基板200上開出的貫通孔117中進行安裝。此時，與以往安裝的方向上下反轉地將SAW封裝體204插入到貫通孔117中，因而，將SAW封裝體204的SAW元件114一側的面、即SAW封裝體204的上表面置于比基板200的上表面低的位置上。
再有，在圖1B的剖面圖中未示出，但在基板200的上表面上也用裸芯片安裝PA元件202和開關元件203，用鍵合引線等連接到基板200上的布線上。
在此，為了說明本實施例的高頻模塊中的SAW封裝體204的細節(jié)和其安裝的細節(jié)，在圖2A中示出圖1A的X部的平面放大圖，在圖2B中示出其B·B線的剖面圖。再有，在平面圖的圖2A中，為了圖示高頻模塊內部，未示出覆蓋高頻模塊整個上表面的金屬帽，但在圖2B中圖示了該金屬帽。
在圖2A中，在多層樹脂基板200的高頻線路101中傳遞的高頻信號輸入到SAW封裝體204中，在對所希望的頻率進行濾波的同時將上述的高頻信號變換為差分信號，輸出給基板200上的差分線路102、103。基板200上的其它電極104全部是接地端子，利用通路105連接到模塊的接地端上。
在本實施例中使用的SAW封裝體204是使用了樹脂封裝的中空氣密封裝體。在封裝體204的兩面和側面上形成了電極111、接地導體112的陶瓷基板110上使用金屬帽113以倒裝芯片方式安裝了SAW元件114，用樹脂116進行了封裝。在SAW元件114的梳狀電極部上設置了空間，以使SAW濾波器正常地發(fā)揮其功能。預先另外制作以上的SAW封裝體204。
在本實施例的高頻模塊中，如上所述，在樹脂多層基板上設置貫通孔117，在該貫通孔中插入另外制作的SAW封裝體204，采用在利用焊錫118固定SAW封裝體204的同時進行電連接的安裝。
通過用在貫通孔117的一部分中插入SAW封裝體204的一部分來安裝，與在以往的基板上安裝SAW封裝體204的方法相比，可按被插入的長度的部分降低高頻模塊的高度。在本實施例中，由于在貫通孔117中插入大致SAW元件的部分，故可按該部分(大體0.3mm)降低模塊的高度。因而，按照本發(fā)明，可實現安裝了SAW封裝體的高頻模塊的薄型化。
此外，由于通過在基板制作工序的最后用刨挖機或鉆頭進行機械加工可容易地制作樹脂基板200的貫通孔117，故與在基板上形成凹陷(即除去基板的厚度的一半左右)的方法相比，可實現相當低的成本。
此外，在本發(fā)明中，通過與以往安裝的方向上下反轉地將SAW封裝體204插入到貫通孔117中，可在該貫通孔之外的基板上表面上形成電連接部，電連接變得容易。在本實施例中，在連接中使用了焊錫，可與其它的片狀部件同樣地用由焊錫膏印刷、部件安裝、回流構成的工藝進行安裝。再有，在此，之所以在封裝體204的側面上也設置了電極，是為了形成焊錫輪廓以增加連接強度和為了能進行肉眼的焊錫連接檢查，這在發(fā)明的實施中不一定是必要的。
在本實施例中，通過將在SAW封裝體204的陶瓷基板110上設置的接地導體112連接到高頻模塊的接地端上，可對于來自陶瓷基板110一側的電磁噪聲屏蔽SAW元件114的梳狀電極。但是，在使用了樹脂封裝的SAW封裝體204中，由于只用樹脂封裝SAW元件114一側，故有時受到噪聲的影響。在該情況下，在多層基板200的貫通孔117周圍的內層或表面上設置接地導體119、120是有效的。接地導體119、120屏蔽SAW元件114的周邊。
這樣，按照本發(fā)明，即使使用樹脂封裝型的SAW封裝體，也能得到高的抗電磁噪聲的性能。即，利用與以往安裝的方向上下反轉地將SAW封裝體204插入到貫通孔117中的本發(fā)明的安裝，在將高頻模塊安裝在無線通信裝置的母板上時，可更有效地對SAW元件114進行屏蔽。
在圖3A中示出安裝了本實施例的高頻模塊310的母板300的俯視圖。母板300是攜帶電話機的電路基板，在母板300上除了高頻模塊310外，還安裝處理基帶信號的基帶IC320、存儲數據或程序的存儲器340和實現攜帶電話機或郵件發(fā)送接收等的功能的應用處理器330。
在圖3B中示出高頻模塊310的SAW封裝體204部分的剖面。即使在基板300的貫通孔117正下方的部分中也設置接地導體301，利用焊錫118連接接地導體301與多層基板200背面的接地導體120。通過設置接地導體301，在將本高頻模塊安裝在攜帶電話機等的無線通信裝置的電路基板上時，可屏蔽SAW元件204的周圍前面，可提高抗電磁噪聲的性能。
如上所述，本實施例的高頻模塊是集成了攜帶電話機的RF部的RF部綜合模塊，但本發(fā)明不限于這樣的模塊，當然可應用于集成了SAW濾波器和高頻開關的天線開關模塊或集成了SAW濾波器、接收匹配電路、將接收信號變換為基帶信號的接收電路的接收模塊等的安裝SAW封裝體的高頻模塊的全部。此外，應用本發(fā)明的無線通信裝置不限于攜帶電話機，還有在2GHz～60GHz中具有使用頻帶區(qū)域的無線LAN(局域網)的發(fā)送接收機或使用26～27MHz的無線電收發(fā)機等，母板300是在這樣的無線通信裝置中使用的電路基板的例子。而且，與本發(fā)明有關的高頻的范圍為幾十MHz～幾十GHz。
使用圖4A和圖4B說明本發(fā)明的第2實施例。圖4A是圖示了安裝本發(fā)明的高頻模塊的SAW封裝體204的部分的平面圖，圖4B是圖4A的B·B線的剖面圖。再有，在圖4A中，為了顯示內部而未圖示在高頻模塊的上表面上設置的金屬帽100。本實施例的高頻模塊及其適用裝置，除了以下的方面外，與第1實施例的情況是同樣的，模塊例如是如圖1A、1B中示出那樣的RF部綜合模塊。
本實施例與第1實施例的不同的方面是，以倒裝芯片方式安裝SAW114的基板400是陶瓷多層基板，在內部具有內層線路401或通路402。由此，陶瓷基板400內的布線的自由度提高了，例如可在陶瓷基板400內形成電感器或電容器等的匹配電路。由于其它的結構與第1實施例是同樣的，故省略其說明。
使用圖5A和圖5B說明本發(fā)明的第3實施例。圖5A是圖示了安裝本發(fā)明的高頻模塊的SAW封裝體204的部分的平面圖，圖5B是圖5A的A·A線的剖面圖。在圖5A中，為了示出內部結構，省略了在高頻模塊上表面的整個面上設置的封裝樹脂500的圖示。本實施例的高頻模塊及其適用裝置，除了以下的方面外，與第1實施例的情況是同樣的，模塊例如是如圖1A、1B中示出那樣的RF部綜合模塊。
在本實施例中，在SAW封裝體204與模塊基板200的連接中使用了鍵合引線501這一點與第1和第2實施例不同。對于本模塊來說，將另外制作的SAW封裝體204插入模塊的多層樹脂基板200的貫通孔117中用粘接劑502進行固定，其次，在利用鍵合引線501連接了連接到軸承402上的SAW封裝體204的電極503與多層基板200的線路101～103以及接地導體504與多層基板200的電極104后，通過在基板200上表面上對環(huán)氧樹脂500進行注入模塑來制作。
在本模塊結構中，在注入模塑時不對封裝了SAW元件114的樹脂116施加高的溫度或壓力。因而，可防止樹脂116軟化、氣密破壞或中空結構115壓垮、SAW元件114偏離金屬凸點這樣的不良情況的發(fā)生，可防止對模塊基板進行樹脂模塑的工序中的不良情況。
使用圖6A和圖6B說明本發(fā)明的第4實施例。圖6A是圖示了安裝本發(fā)明的高頻模塊的SAW封裝體204的部分的平面圖，圖6B是圖6A的A·A線的剖面圖。在圖6A中，為了示出內部結構，省略了在高頻模塊上表面的整個面上設置的封裝樹脂500的圖示。本實施例的高頻模塊及其適用裝置，除了以下的方面外，與第1實施例的情況是同樣的，模塊例如是如圖1A、1B中示出那樣的RF部綜合模塊。
在本實施例中使用的SAW封裝體204是陶瓷氣密封裝體，在這一點上與其它的實施例不同。使用金屬凸點113在具有腔體結構的多層陶瓷基板600上以倒裝芯片方式安裝SAW元件114，用AuSn焊錫固定了金屬帽601。陶瓷氣密封裝體型的SAW封裝體204與樹脂封裝型相比，成本較高，但在可靠性的方面是良好的。
本高頻模塊如以下那樣來作成。將另外制作的SAW封裝體204插入高頻模塊的樹脂多層基板200的貫通孔117中，用粘接劑502固定。其次，用鍵合引線501連接SAW封裝體204的背面的電極503與模塊基板200的線路101～103以及接地導體504與模塊基板200的電極104。其后，通過對環(huán)氧樹脂500進行注入模塑來封裝模塊的整個上表面。由此，可提高模塊整體的可靠性。
本實施例的SAW封裝體204，如圖6B中所示，在陶瓷基板600中，在上述貫通孔中配置的部分的剖面的外側形狀與在上述貫通孔的外部配置的部分的剖面的外側形狀大體相等。
在該情況下，雖然未圖示，但可在被SAW封裝體204的粘接劑502覆蓋的側面上設置凸起結構。在可認為因使用環(huán)境的緣故SAW封裝體204存在因隨時間的變化而從貫通孔117脫落的可能性的情況下，可防止這樣的不良情況。
此外，在圖6A中，在SAW封裝體204的厚度(作為封裝體204的背面的電極503與作為封裝體204的表面的金屬帽601間的距離)比多層基板200的厚度薄的情況下，可將封裝體204封裝成封裝體204的背面所構成的面與模塊基板200的上表面所構成的面一致。將大致整個SAW封裝體204插入貫通孔117中，通過使SAW元件114從安裝其它的電子部件的模塊基板200的上表面進一步分離，可得到更高的抗電磁噪聲的性能。
在上述的第1～第4實施例中，特別說明了模塊基板為多層樹脂基板的情況，但即使在模塊基板為單層樹脂基板的情況下，也可同樣地實施。
權利要求
1.一種高頻模塊，其特征在于至少具備包含至少1層而構成的模塊基板和對表面彈性波元件進行了封裝的封裝體，上述模塊基板具有貫通孔，將上述封裝體安裝在上述模塊基板上，使上述封裝體的至少一部分配置在上述貫通孔中。
2.如權利要求1中所述的高頻模塊，其特征在于上述模塊基板是樹脂基板。
3.如權利要求1中所述的高頻模塊，其特征在于上述封裝體具有在設置了連接上述表面彈性波元件的電極的至少1層陶瓷基板上以倒裝芯片方式安裝了上述表面彈性波元件的結構，并且安裝成使上述陶瓷基板的一部分和在上述陶瓷基板上設置的上述電極的一部分配置在上述貫通孔的外部。
4.如權利要求3中所述的高頻模塊，其特征在于上述封裝體的上述陶瓷基板的至少一邊的寬度比上述貫通孔的寬度寬，上述封裝體被安裝成使上述陶瓷基板大致位于上述貫通孔的外部，上述表面彈性波元件大致位于上述貫通孔的內部。
5.如權利要求4中所述的高頻模塊，其特征在于用焊錫連接在上述封裝體的上述陶瓷基板上設置的上述電極與在上述模塊基板的上表面上設置的線路。
6.如權利要求3中所述的高頻模塊，其特征在于用鍵合引線連接在上述封裝體的上述陶瓷基板上設置的上述電極與在上述模塊基板的上表面上設置的電極。
7.如權利要求3中所述的高頻模塊，其特征在于利用粘接劑將上述封裝體的上述陶瓷基板固定在上述模塊基板上。
8.如權利要求7中所述的高頻模塊，其特征在于上述封裝體的上述陶瓷基板在上述貫通孔中配置的部分的剖面的外側形狀與在上述貫通孔的外部配置的部分的剖面的外側形狀大體相等。
9.如權利要求8中所述的高頻模塊，其特征在于上述封裝體的上述陶瓷基板在上述貫通孔中配置的部分中還設置有凸起。
10.如權利要求7中所述的高頻模塊，其特征在于除了上述封裝體外，在上述模塊基板的上表面上安裝由開關元件、功率放大元件、高頻發(fā)送接收IC構成的組中選擇的至少1個電子部件。
11.如權利要求10中所述的高頻模塊，其特征在于施行了樹脂模塑來覆蓋在上述模塊基板的上表面上安裝的上述封裝體和上述電子部件。
12.如權利要求1中所述的高頻模塊，其特征在于除了上述封裝體外，在上述模塊基板的上表面上安裝由開關元件、功率放大元件、高頻發(fā)送接收IC構成的組中選擇的至少1個電子部件。
13.如權利要求12中所述的高頻模塊，其特征在于施行了樹脂模塑來覆蓋在上述模塊基板的上表面上安裝的上述封裝體和上述電子部件。
14.如權利要求12中所述的高頻模塊，其特征在于利用金屬帽覆蓋在上述模塊基板的上表面上安裝的上述封裝體和上述電子部件。
15.如權利要求1中所述的高頻模塊，其特征在于在上述貫通孔的周圍的上述模塊基板的內層或背面上設置了接地導體。
16.一種電路基板，該電路基板是至少安裝權利要求1中所述的高頻模塊而構成的無線通信裝置用的電路基板，其特征在于具備設置成在上述模塊基板的上述貫通孔的附近覆蓋上述貫通孔的接地導體。
17.一種高頻模塊，其特征在于至少具備將安裝電部件的面定為上表面的至少1層的第1基板和將表面彈性波元件安裝在至少1層的第2基板上并進行了封裝的封裝體，上述第1基板具有貫通孔，上述封裝體的表面是安裝上述表面彈性波元件的一側，將上述封裝體以下述方式安裝在上述第1基板上，即，在上述貫通孔中將上述封裝體的表面配置在比上述第1基板的上表面低的位置上。
全文摘要
本發(fā)明的課題是實現在基板上安裝了SAW封裝體的高頻模塊的薄型化。此外，在使用進行了樹脂封裝的SAW封裝體的情況下，提供在抗電磁噪聲的性能方面良好的結構。使用至少1層的樹脂基板200作為高頻模塊的基板，在該基板上形成貫通孔117。以下述方式安裝以倒裝芯片方式安裝在陶瓷基板上安裝SAW元件114并進行了樹脂封裝的SAW封裝體204，即，使陶瓷基板大致位于貫通孔的外部，SAW元件大致位于貫通孔的內部。在貫通孔的周圍的樹脂基板的內層或背面上形成接地導體119、120。
文檔編號H03H9/72GK1638117SQ20041010027
公開日2005年7月13日 申請日期2004年12月10日 優(yōu)先權日2004年1月8日
發(fā)明者井戶立身, 岡部寬 申請人:株式會社日立制作所