專利名稱：聲表面波器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于移動(dòng)電話等的聲表面波器件，且尤其涉及一種諸如聲表面波濾波器或聲表面波雙工器的聲表面波器件，其具有在壓電襯底上的不同中心頻率的濾波器。
背景技術(shù)：
目前，具有位于壓電襯底上的不同中心頻率的濾波器的聲表面波器件，尤其是聲表面波雙工器(下文稱為SAW雙工器)，已知為具有圖14中所示結(jié)構(gòu)的裝置。圖14為顯示常規(guī)SAW雙工器的封裝內(nèi)部的俯視圖。在圖14中，SAW雙工器300包括聲表面波元件304(下文稱為SAW元件)、收納所述元件的封裝305、連接于其間的導(dǎo)線307和未顯示的蓋板。在SAW元件304中，在由鉭酸鋰(LiTaO3)單晶襯底等制成的壓電襯底301的表面上形成發(fā)送濾波器302和接收濾波器303。將SAW元件304收納于封裝305中后，通過導(dǎo)線307將發(fā)送濾波器302和接收濾波器303的連接端子圖案3021、3031連接到封裝305的端子部分306以獲得電導(dǎo)通，接著，用未顯示的蓋板密封封裝305以制造所述裝置。
在這種SAW雙工器300中，進(jìn)一步需要更低成本、更小且更薄的裝置，因此，發(fā)送濾波器302和接收濾波器303一體化的SAW元件304需要小型化。然而，如果使SAW元件304的形狀縮小，那么發(fā)送濾波器302與接收濾波器303之間會(huì)發(fā)生電磁干擾，因此，存在隔離特性退化的問題。
關(guān)于所述問題，未審查日本專利公開第2002-335143號(hào)中揭示一種小型化同時(shí)仍具有良好隔離特性的SAW雙工器。所述SAW雙工器包括封裝，其中形成傳輸端子、接收端子、天線端子和接地端子；移相器，其形成于所述封裝內(nèi)部，且其一端連接到所述天線端子；發(fā)送濾波器，其安裝于所述封裝內(nèi)部，且其輸入側(cè)連接到所述傳輸端子，而其輸出側(cè)連接到所述移相器的輸入端子；和接收濾波器，其安裝于所述封裝內(nèi)部，且其輸入側(cè)連接到所述移相器的輸出端子，而其輸出側(cè)連接到所述接收端子，其中所述移相器的一端子位于與形成于所述封裝中的天線端子相同的端部，且所述移相器的另一端子提供于所述移相器的所述一端子的相對(duì)(opposite)端部。根據(jù)這一點(diǎn)，所述移相器的輸入端子與輸出端子之間的距離可較長(zhǎng)，因此可防止其間的傳輸信號(hào)與接收信號(hào)的電磁干擾。
在所揭示的實(shí)例中，SAW元件通過提供于封裝中的移相器連接形成于相同壓電襯底上的發(fā)送濾波器與接收濾波器，借此防止電磁干擾。然而，完全未揭示如何通過SAW元件自身或用于將SAW元件連接到封裝的導(dǎo)線連接結(jié)構(gòu)等來防止電磁干擾。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種具有良好濾波器特性的小型聲表面波器件，且其成本較低，其中通過在具有兩個(gè)不同中心頻率的濾波器結(jié)構(gòu)之間提供屏蔽電極，在防止電磁干擾的同時(shí)改善了隔離特性。
為達(dá)到以上目的，本發(fā)明的聲表面波器件包括，設(shè)于封裝內(nèi)在相同壓電襯底上具有不同中心頻率的兩種聲表面波濾波器結(jié)構(gòu)的聲表面波元件。所述聲表面波元件包含具有第一中心頻率的第一濾波器結(jié)構(gòu)、具有第二中心頻率的第二濾波器結(jié)構(gòu)和位于第一濾波器結(jié)構(gòu)與第二濾波器結(jié)構(gòu)之間的屏蔽電極，其中屏蔽電極連接到封裝的接地端子而接地。
根據(jù)所述結(jié)構(gòu)，可實(shí)現(xiàn)第一濾波器結(jié)構(gòu)與第二濾波器結(jié)構(gòu)之間的電磁屏蔽，因此，可改善其間的隔離特性并可使所述聲表面波元件小型化。
本發(fā)明的聲表面波器件，其中聲表面波元件進(jìn)一步包含將第一濾波器結(jié)構(gòu)或第二濾波器結(jié)構(gòu)的接地端子圖案連接到屏蔽電極的連接圖案的結(jié)構(gòu)。根據(jù)所述結(jié)構(gòu)，不必將屏蔽電極連接到封裝的接地端子，因此，可簡(jiǎn)化導(dǎo)線的連接過程。
本發(fā)明的聲表面波器件，其中聲表面波元件的屏蔽電極具有第一屏蔽電極和第二屏蔽電極的結(jié)構(gòu)，其進(jìn)一步包含將第一濾波器結(jié)構(gòu)的接地端子圖案連接到第一屏蔽電極的第一連接圖案，和將第二濾波器結(jié)構(gòu)的接地端子圖案連接到第二屏蔽電極的第二連接圖案。根據(jù)所述結(jié)構(gòu)，加寬了屏蔽電極的寬度，并將各個(gè)接地端子圖案連接到封裝的接地端子，因此進(jìn)一步改善了隔離特性。此外，由于不必將屏蔽電極連接到封裝的接地端子，因此可簡(jiǎn)化導(dǎo)線連接過程。
本發(fā)明的聲表面波器件，屏蔽電極進(jìn)一步包含圖案，其橫穿將所述第一濾波器結(jié)構(gòu)和所述第二濾波器結(jié)構(gòu)中的至少一個(gè)的信號(hào)線端子圖案連接到所述封裝的信號(hào)端子的信號(hào)導(dǎo)線，且屏蔽電極通過至少兩根接地導(dǎo)線而連接到封裝的接地端子。根據(jù)所述結(jié)構(gòu)，可有效抑制從信號(hào)導(dǎo)線發(fā)出的電磁泄漏。
本發(fā)明的聲表面波器件，其中屏蔽電極形成為比第一濾波器結(jié)構(gòu)和第二濾波器結(jié)構(gòu)更長(zhǎng)以便大致隔斷第一濾波器結(jié)構(gòu)與第二濾波器結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)。根據(jù)所述結(jié)構(gòu)，可有效抑制電磁泄漏。
本發(fā)明的聲表面波器件，將屏蔽電極連接到封裝的接地端子的兩根接地導(dǎo)線被設(shè)置在將信號(hào)線端子圖案連接到封裝的信號(hào)端子的信號(hào)導(dǎo)線的兩側(cè)。根據(jù)所述結(jié)構(gòu)，由于接地導(dǎo)線設(shè)置在信號(hào)導(dǎo)線兩側(cè)，因此可進(jìn)一步抑制來自信號(hào)導(dǎo)線的電磁泄漏。
本發(fā)明的聲表面波器件，其中接地導(dǎo)線分別連接到設(shè)置在封裝的端子部分的對(duì)應(yīng)位置處的接地端子，聲表面波元件收納于封裝中。根據(jù)所述結(jié)構(gòu)，可將屏蔽電極形成為較長(zhǎng)以便隔斷第一濾波器結(jié)構(gòu)與第二濾波器結(jié)構(gòu)，并可將其連接到封裝兩側(cè)的接地端子，因此可改善低頻下的衰減量和低頻下的隔離特性。
本發(fā)明的聲表面波器件，其中聲表面波元件的第一濾波器結(jié)構(gòu)、第二濾波器結(jié)構(gòu)和屏蔽電極垂直于第一濾波器結(jié)構(gòu)和第二濾波器的聲表面波的傳播方向。根據(jù)所述結(jié)構(gòu)，可在改善隔離特性的同時(shí)實(shí)現(xiàn)聲表面波元件的小型化。
本發(fā)明的聲表面波器件，其中第一濾波器結(jié)構(gòu)和第二濾波器結(jié)構(gòu)是分別以串聯(lián)臂和并聯(lián)臂連接單端子聲表面波諧振器的梯形電路，且在具有相對(duì)較低中心頻率的第一濾波器結(jié)構(gòu)中最接近第二濾波器結(jié)構(gòu)的聲表面波諧振器為并聯(lián)臂，且在第二濾波器結(jié)構(gòu)中最接近第一濾波器結(jié)構(gòu)的聲表面波諧振器為串聯(lián)臂。根據(jù)所述結(jié)構(gòu)，在第一濾波器結(jié)構(gòu)和第二濾波器結(jié)構(gòu)中分別最接近的諧振器的諧振頻率之間的差值可為最大。結(jié)果，可進(jìn)一步改善隔離特性，并可獲得具有良好隔離特性的較小SAW雙工器。
本發(fā)明的聲表面波器件，其中屏蔽電極具有在與第一濾波器結(jié)構(gòu)和第二濾波器結(jié)構(gòu)中的梳狀(comb-shape)電極相垂直的方向上設(shè)置的復(fù)數(shù)個(gè)狹縫的柵格形狀。根據(jù)所述結(jié)構(gòu)，不僅可抑制電磁泄漏，而且可抑制聲表面波的聲泄漏。
本發(fā)明的聲表面波器件，其中聲表面波元件的第一濾波器結(jié)構(gòu)和第二濾波器結(jié)構(gòu)設(shè)置成平行于第一濾波器結(jié)構(gòu)和第二濾波器結(jié)構(gòu)的聲表面波傳播方向，且所述屏蔽電極垂直于聲表面波傳播方向。根據(jù)所述結(jié)構(gòu)，可在改善隔離特性的同時(shí)實(shí)現(xiàn)聲表面波元件的小型化。
本發(fā)明的聲表面波器件，其中屏蔽電極具有在與第一濾波器結(jié)構(gòu)和第二濾波器結(jié)構(gòu)中的梳狀電極平行的方向上設(shè)置的復(fù)數(shù)個(gè)狹縫的柵格形狀。根據(jù)所述結(jié)構(gòu)，不僅可抑制電磁泄漏，而且可抑制聲表面波的聲泄漏。
本發(fā)明的聲表面波器件，其中屏蔽電極具有在與第一濾波器結(jié)構(gòu)和第二濾波器結(jié)構(gòu)中的聲表面波傳播方向斜交的方向上設(shè)置的復(fù)數(shù)個(gè)狹縫的柵格形狀。根據(jù)所述結(jié)構(gòu)，不僅可抑制電磁泄漏，而且可抑制聲表面波的聲泄漏。
本發(fā)明的聲表面波器件，其中屏蔽電極的狹縫以第一濾波器結(jié)構(gòu)和第二濾波器結(jié)構(gòu)中的梳狀電極的最小間距與最大間距之間的間距形成。根據(jù)所述結(jié)構(gòu)，可根據(jù)改善隔離特性所需要的頻率來設(shè)置狹縫的間距。
本發(fā)明的聲表面波器件，其中屏蔽電極的狹縫根據(jù)不同位置而以不同間距形成。根據(jù)所述結(jié)構(gòu)，可根據(jù)改善隔離特性所需要的復(fù)數(shù)個(gè)頻率來設(shè)置狹縫的間距。
本發(fā)明的聲表面波器件，其中在第一濾波器結(jié)構(gòu)和第二濾波器結(jié)構(gòu)中，中心頻率相對(duì)更高的濾波器結(jié)構(gòu)的接地端子圖案通過連接圖案連接到屏蔽電極，屏蔽電極和接地端子圖案通過相應(yīng)至少兩根接地導(dǎo)線連接，且接地導(dǎo)線分別連接到設(shè)置于封裝內(nèi)將聲表面波元件夾在中間的兩側(cè)的接地端子。一般地說，在具有高頻率的濾波器結(jié)構(gòu)中，通過接地的方法大大影響低頻率衰減量和低頻率隔離特性。
根據(jù)所述結(jié)構(gòu)，將屏蔽電極形成為較長(zhǎng)，大致隔斷聲表面波元件的第一濾波器結(jié)構(gòu)與第二濾波器結(jié)構(gòu)，并通過接地導(dǎo)線將封裝中相對(duì)位置的接地端子連接到屏蔽電極，因此可改善具有更高頻率的濾波器結(jié)構(gòu)中的低頻率衰減和低頻率隔離特性。此外，由于可縮短接地導(dǎo)線的長(zhǎng)度，因此可減少變化。因?yàn)榻拥貙?dǎo)線較短，所以SAW元件上的接地導(dǎo)線不接觸。
本發(fā)明的聲表面波器件在第一濾波器結(jié)構(gòu)和第二濾波器結(jié)構(gòu)中，中心頻率相對(duì)更低的濾波器結(jié)構(gòu)的接地端子圖案通過連接圖案連接到屏蔽電極，屏蔽電極和接地端子圖案通過相應(yīng)至少兩根接地導(dǎo)線連接，且接地導(dǎo)線分別連接到設(shè)置于封裝內(nèi)將聲表面波元件夾在中間的兩側(cè)的接地端子。一般而言，在具有低頻率的濾波器結(jié)構(gòu)中，通過連接接地端子的連接方法幾乎不影響高頻率衰減和高頻率隔離特性。
根據(jù)所述結(jié)構(gòu)，當(dāng)通過連接圖案將接地端子圖案連接到屏蔽電極時(shí)，高頻率衰減和高頻率隔離特性幾乎不發(fā)生變動(dòng)，因此變得易于設(shè)計(jì)。另外，抑制電磁泄漏并改善隔離特性成為可能。
本發(fā)明的聲表面波器件，第一濾波器結(jié)構(gòu)和第二濾波器結(jié)構(gòu)分別為發(fā)送濾波器和接收濾波器，且發(fā)送濾波器和接收濾波器形成SAW雙工器。信號(hào)線端子圖案可以為發(fā)送濾波器或接收濾波器的輸入/輸出端子圖案。根據(jù)所述結(jié)構(gòu)，可改善隔離特性，因此可實(shí)現(xiàn)更小的SAW雙工器。
如上所描述，本發(fā)明的聲表面波器件在同一壓電襯底上具備第一濾波器結(jié)構(gòu)和第二濾波器結(jié)構(gòu)，且連接到封裝的接地端子的屏蔽電極設(shè)置在其間，借此改善隔離特性并獲得更小的聲表面波器件。


圖1為本發(fā)明第一實(shí)施例SAW雙工器中，移除封裝的蓋板而顯示內(nèi)部結(jié)構(gòu)的俯視圖；圖2為顯示傳輸端子與接收端子之間的隔離特性相對(duì)于相同實(shí)施例的SAW雙工器的頻率的測(cè)量結(jié)果的曲線圖；圖3為顯示作為相同實(shí)施例的修改實(shí)例的SAW雙工器的結(jié)構(gòu)的俯視圖；圖4為顯示作為相同實(shí)施例的另一修改實(shí)例的SAW雙工器的結(jié)構(gòu)的俯視圖；圖5為顯示根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的SAW雙工器的結(jié)構(gòu)的俯視圖；圖6為以與第一實(shí)施例相同的方式顯示相同實(shí)施例的SAW雙工器與作為比較實(shí)例的不具有屏蔽電極的SAW雙工器的隔離特性的比較結(jié)果的曲線圖；圖7為顯示作為相同實(shí)施例的修改實(shí)例的SAW雙工器的結(jié)構(gòu)的俯視圖；圖8為顯示本發(fā)明第三實(shí)施例的SAW雙工器的結(jié)構(gòu)的俯視圖；圖9為以與第一實(shí)施例相同的方式顯示相同實(shí)施例的SAW雙工器與作為比較實(shí)例的不具有屏蔽電極的SAW雙工器的隔離特性的曲線圖；圖10為顯示本發(fā)明第四實(shí)施例的SAW雙工器的結(jié)構(gòu)的俯視圖；圖11為顯示本發(fā)明第五實(shí)施例的SAW雙工器的結(jié)構(gòu)的俯視圖；
圖12為顯示本發(fā)明第六實(shí)施例的SAW雙工器的結(jié)構(gòu)的俯視圖；圖13為以與第一實(shí)施例相同的方式顯示相同實(shí)施例的SAW雙工器與作為比較實(shí)例的不具有屏蔽電極的SAW雙工器的隔離特性的曲線圖；圖14為顯示常規(guī)SAW雙工器的封裝的內(nèi)部的俯視圖。
具體實(shí)施例方式
下文將參考附圖解釋本發(fā)明的實(shí)施例。由于在相同組件上標(biāo)注相同標(biāo)記，因此在一些情況下省略對(duì)其的解釋。在以下實(shí)施例中，將SAW雙工器作為聲表面波器件的示例進(jìn)行說明。
(第一實(shí)施例)圖1為本發(fā)明第一實(shí)施例SAW雙工器中，移除封裝的蓋板而顯示內(nèi)部結(jié)構(gòu)的俯視圖。
SAW雙工器10包括SAW元件11、通過接合(bonding)將SAW元件11固定的封裝16、將SAW元件11的電極端子圖案連接到封裝16的端子部分18的導(dǎo)線20和未顯示的蓋板。
對(duì)于SAW元件11，使用具有壓電性的壓電襯底12，如鉭酸鋰(LiTaO3)單晶襯底、鈮酸鋰(LiNbO3)單晶襯底和水晶襯底。在壓電襯底12的表面上形成主要包括鋁(Al)的電極薄膜，并通過執(zhí)行光刻過程和蝕刻過程形成規(guī)定的圖案形狀。圖1中所示的SAW元件11包括作為第一聲表面波濾波器結(jié)構(gòu)的發(fā)送濾波器13、作為第二聲表面波濾波器結(jié)構(gòu)的接收濾波器14和形成于發(fā)送濾波器13與接收濾波器14之間的屏蔽電極15。
發(fā)送濾波器13、接收濾波器14和屏蔽電極15安置于與聲表面波的傳播方向垂直的方向上。
封裝16由(例如)陶瓷材料制成，其包括用于連接蓋板的連接部分17；具有比連接部分17更低的梯級(jí)(step)的端子部分18，導(dǎo)線20接合到所述端子部分18；和具有最低梯級(jí)的底部部分19，SAW元件11接合固定到所述底部部分19。端子部分18具有從具有多層結(jié)構(gòu)的陶瓷材料到背部的導(dǎo)體圖案，且在所述背部設(shè)有焊接端子部分(未顯示)。連接部分17與蓋板之間的連接可以利用諸如焊接、熱熔接、超聲波接合或由粘性樹脂接合的各種方法。
使用熱壓接合法或超聲波法引線接合方式等來連接導(dǎo)線20。
在所述實(shí)施例中，發(fā)送濾波器13和接收濾波器14分別具有梯形電路，其以串聯(lián)臂(serial arm)和并聯(lián)臂(parallel arm)連接單端子(one-terminal)聲表面波諧振器。屏蔽電極15形成于發(fā)送濾波器13與接收濾波器14之間，其中屏蔽電極15的屏蔽端子圖案151通過接地導(dǎo)線202連接到封裝16的端子部分18中的接地端子182。根據(jù)這一點(diǎn)，可獲得電磁屏蔽效應(yīng)，并可改善傳輸與接收之間的隔離特性。
發(fā)送濾波器13的發(fā)送側(cè)接地端子圖案131通過接地導(dǎo)線203連接到封裝16的端子部分18中的接地端子183。此外，接收濾波器14的接收側(cè)接地端子圖案141通過接地導(dǎo)線201連接到封裝16的端子部分18的接地端子181。發(fā)送濾波器13和接收濾波器14中的其他連接端子圖案通過導(dǎo)線20連接到封裝16的各個(gè)端子部分18。
屏蔽電極15的寬度越大，對(duì)隔離特性的改善越大，然而，當(dāng)寬度變得更大時(shí)，芯片尺寸也變大。為了使隔離特性良好的同時(shí)芯片尺寸更小，將發(fā)送濾波器13和接收濾波器14中具有較低中心頻率的一個(gè)的中心頻率對(duì)應(yīng)波長(zhǎng)的10到50倍作為寬度。
SAW元件11的結(jié)構(gòu)的實(shí)例將解釋如下。將發(fā)送濾波器13的中心頻率設(shè)定為836.5MHz，并將接收濾波器14的中心頻率設(shè)定為881.5MHz。為所述目的，使用36°Y切(Y-cut)X向傳播鉭酸鋰(LiTaO3)單晶襯底作為壓電襯底12。使用具有其中添加了銅(Cu)的鋁(Al)合金和鈦(Ti)積疊于壓電襯底12的表面上的結(jié)構(gòu)的薄膜作為電極薄膜。其薄膜厚度為約400nm。
發(fā)送濾波器13的串聯(lián)臂和并聯(lián)臂中的諧振器分別具有2.32μm和2.43μm的間距，而接收濾波器14的這些諧振器分別具有2.20μm和2.31μm的間距。形成于發(fā)送濾波器13與接收濾波器14之間的屏蔽電極15的寬度為約100μm。
如上所述制造的SAW元件11通過接合而固定到封裝16，且SAW元件11的連接端子圖案與封裝16的端子部分18通過導(dǎo)線20連接，最終用蓋板進(jìn)行密封以制造SAW雙工器10。屏蔽電極15的屏蔽端子圖案151通過接地導(dǎo)線202連接到封裝16的接地端子182。此外，發(fā)送濾波器13的傳輸側(cè)接地端子圖案131通過接地導(dǎo)線203連接到封裝16的接地端子183，并且接收濾波器14的接收側(cè)接地端子圖案141通過接地導(dǎo)線201連接到封裝16的接地端子181。
圖2為顯示傳輸端子與接收端子之間的隔離特性相對(duì)于SAW雙工器10的頻率的測(cè)量結(jié)果的曲線圖。橫軸表示頻率，而縱軸表示根據(jù)傳輸端子與接收端子之間的衰減獲得的隔離特性。不具有屏蔽電極15的SAW雙工器作為比較實(shí)例。如從圖2可見，使用所述實(shí)施例的SAW雙工器10的情況下，工作頻帶內(nèi)的隔離特性比所述比較實(shí)例的SAW雙工器的隔離特性更佳。即，通過提供屏蔽電極15，電磁屏蔽效應(yīng)變好并可改善隔離特性。
圖3為顯示作為所述實(shí)施例的修改實(shí)例的SAW雙工器25的結(jié)構(gòu)的俯視圖。在所述修改實(shí)例的SAW雙工器25中，作為第一聲表面波濾波器結(jié)構(gòu)的發(fā)送濾波器13的傳輸側(cè)接地端子圖案131通過連接圖案23連接到屏蔽電極15。屏蔽電極15不連接到封裝16的接地端子182。這些點(diǎn)不同于SAW雙工器10。根據(jù)這一點(diǎn)，可能在改善隔離特性的同時(shí)與圖1所示的SAW雙工器10相比減少一導(dǎo)線。因此，可減少用于導(dǎo)線連接的工時(shí)和材料成本。
圖4為顯示作為所述實(shí)施例的另一修改實(shí)例的SAW雙工器30的結(jié)構(gòu)的俯視圖。在圖4中所示的SAW雙工器30中，屏蔽電極32包括第一屏蔽電極33和第二屏蔽電極34，發(fā)送濾波器13的傳輸側(cè)接地端子圖案131通過第一連接圖案35連接到第一屏蔽電極33，且接收濾波器14的接收側(cè)接地端子圖案141通過第二連接圖案36連接到第二屏蔽電極34。
發(fā)送濾波器13的傳輸側(cè)接地端子圖案131通過接地導(dǎo)線203連接到封裝16的接地端子183，且接收濾波器14的接收側(cè)接地端子圖案141通過接地導(dǎo)線201連接到封裝16的接地端子181。第一屏蔽電極33和第二屏蔽電極34不連接到封裝16的端子部分18的接地端子。
通過如上所述形成屏蔽電極32、第一連接圖案35和第二連接圖案36，通過傳輸側(cè)接地端子圖案131和接收側(cè)接地端子圖案141實(shí)現(xiàn)從屏蔽電極32到封裝16的接地端子的連接，因此不增加用于連接的導(dǎo)線20的數(shù)目。此外，屏蔽電極32的寬度總體加寬，并且較長(zhǎng)，因此可更大地改善隔離特性。在本修改實(shí)例中，組成屏蔽電極32的第一屏蔽電極33和第二屏蔽電極34是獨(dú)立形成的，然而，也可連接在一起。
如上所述，根據(jù)所述實(shí)施例，作為第一聲表面波濾波器結(jié)構(gòu)的發(fā)送濾波器與作為第二聲表面波濾波器結(jié)構(gòu)的接收濾波器之間，形成屏蔽電極，且屏蔽電極連接到封裝的接地端子而接地，借此通過電磁屏蔽效應(yīng)改善傳輸與接收之間的隔離特性。因此，由于SAW元件的形狀可較小，因此可獲得具有良好隔離特性的較小SAW雙工器。
在所述實(shí)施例中，屏蔽電極、或連接到屏蔽電極的傳輸側(cè)接地端子圖案或接收側(cè)接地端子圖案通過一個(gè)接地導(dǎo)線連接到封裝的接地端子，然而，其可通過復(fù)數(shù)個(gè)接地導(dǎo)線加以連接。
(第二實(shí)施例)圖5為顯示根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的SAW雙工器45的結(jié)構(gòu)的俯視圖。
以下結(jié)構(gòu)是本實(shí)施例的SAW雙工器45與第一實(shí)施例的SAW雙工器10的不同之處。
第一，將屏蔽電極44形成為較長(zhǎng)，以致幾乎隔斷作為第一聲表面波濾波器結(jié)構(gòu)的發(fā)送濾波器13與作為第二聲表面波濾波器結(jié)構(gòu)的接收濾波器14。在所述實(shí)施例中，將屏蔽電極44形成為比發(fā)送濾波器13和接收濾波器14更長(zhǎng)。
第二，設(shè)置連接發(fā)送濾波器13的傳輸側(cè)信號(hào)線端子圖案132和封裝16的信號(hào)端子185的信號(hào)導(dǎo)線206，使其經(jīng)過屏蔽電極44上方。
第三，接地導(dǎo)線204、205將屏蔽電極44連接到封裝16的兩接地端子181、184，并且將信號(hào)導(dǎo)線206夾在之間。
因此，與圖1中所示的SAW雙工器10相比，傳輸側(cè)信號(hào)線端子圖案132在屏蔽電極44的方向上延伸。另外，屏蔽電極44設(shè)置成在傳輸側(cè)信號(hào)線端子圖案132附近、平行于發(fā)送側(cè)信號(hào)線端子圖案132，并與信號(hào)導(dǎo)線206交叉的圖案(pattem)。所述平行圖案的兩側(cè)分別通過接地導(dǎo)線204、205連接到接地端子181、184。因此，不需要提供從屏蔽電極44的中心部分連接到封裝16的接地端子的導(dǎo)線。如上所述，所述實(shí)施例的SAW雙工器45的特征在于改變了屏蔽電極44和發(fā)送濾波器13的傳輸側(cè)信號(hào)線端子圖案132的圖案形狀。
發(fā)送濾波器的傳輸側(cè)信號(hào)線端子圖案132是圖5中所示的濾波器結(jié)構(gòu)中的發(fā)送濾波器13的共同端子圖案，即，天線端子圖案。
根據(jù)所述結(jié)構(gòu)，可有效地抑制從連接到傳輸側(cè)信號(hào)線端子圖案132的信號(hào)導(dǎo)線206發(fā)出的電磁泄漏。結(jié)果，可改善隔離特性。
圖6為以與第一實(shí)施例相同的方式顯示SAW雙工器45與作為比較實(shí)例的不具有屏蔽電極44的SAW雙工器的隔離特性的比較結(jié)果的曲線圖。已發(fā)現(xiàn)，與比較實(shí)例相比，在所述實(shí)施例的SAW雙工器45中，接收端子與傳輸端子之間的衰減增加，且隔離特性得以改善。
在所述實(shí)施例的SAW雙工器45中，接地導(dǎo)線204、205連接屏蔽電極44與封裝16的接地端子181、184，所述接地導(dǎo)線204、205被安置成將信號(hào)導(dǎo)線206夾在中間，然而，本發(fā)明并不限于這一點(diǎn)。圖7為顯示作為所述實(shí)施例的修改實(shí)例的SAW雙工器50的結(jié)構(gòu)的俯視圖。在SAW雙工器50中，改變SAW元件46的屏蔽電極47的圖案形狀，所述屏蔽電極47通過接地導(dǎo)線204、207分別連接到封裝16的接地端子182、184。具體地說，如圖7中所示，將屏蔽電極47形成為朝向傳輸側(cè)信號(hào)線端子圖案132的方向的“C”形狀，通過接地導(dǎo)線204、207將所述屏蔽電極47的端部連接到封裝16的接地端子182、184。在所述結(jié)構(gòu)中，形成信號(hào)導(dǎo)線206使其經(jīng)過屏蔽電極47上方，然而，不將接地導(dǎo)線204、207設(shè)置成將信號(hào)導(dǎo)線206夾在中間。然而，在所述結(jié)構(gòu)中，可抑制電磁泄漏，借此改善隔離特性。
在SAW雙工器的情況下，由于將更大的電功率施加到發(fā)送濾波器13，因此其信號(hào)泄漏到接收濾波器14將是嚴(yán)重的問題。因此，如在所述實(shí)施例的SAW雙工器45、50中，由于可改善傳輸帶中的隔離特性，因此優(yōu)選將屏蔽電極44、47設(shè)置在發(fā)送濾波器13的傳輸用的導(dǎo)線206下方。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，與第一實(shí)施例的SAW雙工器10相比，可進(jìn)一步改善隔離特性，因此，可實(shí)現(xiàn)更小的并具有更好的濾波器特性的SAW雙工器。
在所述實(shí)施例中，屏蔽電極通過兩個(gè)接地導(dǎo)線連接到封裝的接地端子，然而，其可通過三個(gè)或三個(gè)以上的接地導(dǎo)線加以連接。
(第三實(shí)施例)圖8為顯示根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的SAW雙工器60的結(jié)構(gòu)的俯視圖。所述實(shí)施例的SAW雙工器60包括SAW元件55、與SAW元件55接合固定的封裝56、將SAW元件55的電極圖案連接到封裝56的端子部分58的導(dǎo)線20和未顯示的蓋板。
對(duì)于SAW元件55，使用具有壓電性的壓電襯底51，如鉭酸鋰(LiTaO3)單晶襯底、鈮酸鋰(LiNbO3)單晶襯底和水晶襯底。在壓電51的表面上形成主要包括鋁(Al)的電極薄膜，并通過執(zhí)行光刻過程和蝕刻過程形成規(guī)定的圖案形狀。SAW元件55包括作為第一聲表面波濾波器結(jié)構(gòu)的發(fā)送濾波器52、作為第二聲表面波濾波器結(jié)構(gòu)的接收濾波器53，和形成于發(fā)送濾波濾波器52與接收濾波器53之間的具有柵格形狀的屏蔽電極54。
封裝56由，例如，陶瓷材料制成，類似于第一實(shí)施例的SAW雙工器10，其包括用于連接蓋板的連接部分57；具有比連接部分57更低的梯級(jí)的端子部分58，導(dǎo)線20接合到所述端子部分58；具有最低梯級(jí)的底部部分59，SAW元件55通過接合固定到所述底部部分59。端子部分58具有從多層結(jié)構(gòu)的陶瓷材料引拉到背部的導(dǎo)體圖案，且在所述背部提供焊接端子部分(未顯示)。通過如焊接、熱熔接、超聲波接合或由粘性樹脂接合的各種方法執(zhí)行連接部分57與蓋板之間的連接。
使用熱壓縮接合法或超聲波法引線接合等來連接導(dǎo)線20。
在本發(fā)明的所述實(shí)施例中，發(fā)送濾波器52和接收濾波器53具有與第一實(shí)施例的SAW雙工器10相同的梯形電路。然而，如圖8中所示，發(fā)送濾波器52和接收濾波器53安置于與聲表面波的傳播方向平行的方向。與構(gòu)成發(fā)送濾波器52與接收濾波器53的叉指換能器電極的梳狀電極521、531平行的方向上，安置具有復(fù)數(shù)個(gè)狹縫的柵格形狀的屏蔽電極。屏蔽電極54安置于與聲表面波的傳播方向垂直的方向上。
此外，屏蔽電極54的屏蔽端子圖案541通過接地導(dǎo)線208連接到封裝56的端子部分58內(nèi)的接地端子581。SAW元件55中的發(fā)送濾波器52和接收濾波器53的連接端子圖案通過導(dǎo)線20分別連接到封裝56的預(yù)定端子部分58。根據(jù)這一點(diǎn)，可獲得本實(shí)施例的SAW雙工器60。
根據(jù)以上結(jié)構(gòu)，不僅可抑制電磁泄漏，而且可通過具有柵格形狀的屏蔽電極54吸收作為聲表面波傳播的聲泄漏。因此，可進(jìn)一步改善隔離特性。
可根據(jù)改善隔離特性所需要的頻率來選擇柵格的間距。其范圍可設(shè)定在SAW元件55中的發(fā)送濾波器52和接收濾波器53中所包括的復(fù)數(shù)個(gè)諧振器中的最小間距與最大間距之間。
下文中將解釋SAW元件55的結(jié)構(gòu)的實(shí)例。將發(fā)送濾波器52的中心頻率設(shè)定為836.5MHz，并將接收濾波器43的中心頻率設(shè)定為881.5MHz。為所述目的，使用36°Y切X向傳播鉭酸鋰(LiTaO3)襯底作為壓電襯底51。壓電襯底51的表面上積疊的其中添加了銅(Cu)的鋁(Al)合金和鈦(Ti)的結(jié)構(gòu)的薄膜為電極薄膜。其薄膜厚度為約400nm。
發(fā)送濾波器52的串聯(lián)臂和并聯(lián)臂中的聲表面波諧振器(下文稱為諧振器)分別具有2.32μm和2.43μm的間距，而接收濾波器53的這些諧振器分別具有2.20μm和2.31μm的間距。在發(fā)送濾波器52與接收濾波器53之間提供具有間距為2.3μm的柵格形狀的屏蔽電極54。如上所述，由于在組成SAW元件55的發(fā)送濾波器52和接收濾波器53中的復(fù)數(shù)個(gè)諧振器中，最小間距為2.20μm且最大間距為2.43μm，因此設(shè)定間距為包含于從2.20μm到2.43μm的范圍之中的2.3μm。
圖9為以與第一實(shí)施例相同的方式顯示SAW雙工器60與作為比較實(shí)例的不具有屏蔽電極54的SAW雙工器的隔離特性的比較結(jié)果的曲線圖。已看出，與比較實(shí)例相比，在所述實(shí)施例的SAW雙工器60中，接收端子與傳輸端子之間的衰減增加，且可改善隔離特性。
在圖9中所示的SAW雙工器中，將具有柵格形狀的屏蔽電極54的柵格間距設(shè)定為2.3μm，然而，也可以是各個(gè)柵格部分具有不同的間距。例如，可將一部分的柵格間距設(shè)定為2.32μm并將另一部分的柵格間距設(shè)定為2.43μm?；蛘撸稍诟鱾€(gè)柵格部分提供柵格間距為2.32μm和2.43μm的復(fù)數(shù)個(gè)狹縫部分。
根據(jù)上述內(nèi)容，可有效地吸收從發(fā)送濾波器的各個(gè)諧振器泄漏的聲信號(hào)，借此進(jìn)一步改善隔離特性。因此，與第一實(shí)施例的SAW雙工器10相比，不僅可減小電磁泄漏的影響，而且可減小聲泄漏的影響。結(jié)果，可實(shí)現(xiàn)更小的并具有良好隔離特性的SAW雙工器。
在所述實(shí)施例中，屏蔽電極通過一根接地導(dǎo)線連接到封裝的接地端子，然而，其可通過兩個(gè)或兩個(gè)以上的接地導(dǎo)線加以連接。例如，不僅設(shè)置屏蔽電極54的中心部分的屏蔽端子圖案541而且將屏蔽端子圖案提供于兩個(gè)端部，并可將這些圖案連接到封裝的接地端子。
(第四實(shí)施例)圖10為顯示根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例的SAW雙工器65的結(jié)構(gòu)的俯視圖。所述實(shí)施例的SAW雙工器65為圖1中所示的第一實(shí)施例的SAW雙工器10的修改實(shí)例，其在屏蔽電極62的形狀上不同于SAW雙工器10。具體地說，在第一實(shí)施例的SAW雙工器10中，除中心處的屏蔽端子圖案151部分外，屏蔽電極15還具有簡(jiǎn)單的條紋圖案形狀。然而，在所述實(shí)施例的SAW雙工器65中，類似地，除屏蔽端子圖案621外，在所述其他部分處形成狹縫，即，柵格。除這一點(diǎn)外，其與第一實(shí)施例的SAW雙工器10具有相同結(jié)構(gòu)。
在圖10中，發(fā)送濾波器13和接收濾波器14安置于與聲表面波的傳播方向垂直的方向中。其間，與構(gòu)成叉指換能器電極的梳狀電極的相垂直的方向上，設(shè)置有具有復(fù)數(shù)個(gè)狹縫的柵格形狀的屏蔽電極62。屏蔽電極62也安置于與聲表面波的傳播方向垂直的方向中。所述實(shí)施例的SAW元件64僅在屏蔽電極62的形狀上不同于第一實(shí)施例的SAW元件11。當(dāng)所述實(shí)施例的SAW雙工器65具有與第一實(shí)施例中的結(jié)構(gòu)示例相同的發(fā)送濾波器13和接收濾波器14時(shí)，希望將屏蔽電極62中的柵格間距設(shè)定為2.3μm。
根據(jù)以上結(jié)構(gòu)，具有所述柵格形狀的屏蔽電極62不但可吸收電磁信號(hào)泄漏，而且可吸收作為聲表面波傳播的聲泄漏。結(jié)果，可進(jìn)一步改善隔離特性。
可根據(jù)改善隔離特性所需要的頻率來選擇柵格間距，并可將所述間距范圍選擇為在發(fā)送濾波器13及接收濾波器14中所包括的諧振器中的最小間距與最大間距之間。
因此，與第一實(shí)施例的SAW雙工器10相比，不僅可減小電磁泄漏的影響，而且可減小作為聲表面波傳播的聲泄漏的影響，結(jié)果可獲得具有良好隔離特性的較小SAW雙工器。
在所述實(shí)施例中，屏蔽電極通過一根接地導(dǎo)線連接到封裝的接地端子，然而，其可通過兩個(gè)或兩個(gè)以上的接地導(dǎo)線加以連接。例如，不僅設(shè)置位于屏蔽電極54的中心部分的屏蔽端子圖案541，而且將屏蔽端子圖案提供于兩個(gè)端部，并將這些圖案連接到封裝的接地端子。
(第五實(shí)施例)圖11為顯示根據(jù)本發(fā)明的第五實(shí)施例的SAW雙工器70的結(jié)構(gòu)的俯視圖。所述實(shí)施例的SAW雙工器70與第一實(shí)施例的SAW雙工器10之間的差異在于，修改了屏蔽電極的形狀。所述實(shí)施例的SAW雙工器70是圖1中所示的第一實(shí)施例的SAW雙工器10的修改實(shí)例，其在屏蔽電極的形狀上不同于SAW雙工器10。具體地說，在所述第一實(shí)施例的SAW雙工器10中，除位于中心的屏蔽端子圖案151的部分外，屏蔽電極15具有簡(jiǎn)單的條紋圖案形狀。然而，在所述實(shí)施例的SAW雙工器70中，類似地，除屏蔽端子圖案661之外，其他部分形成柵格。本實(shí)施例結(jié)構(gòu)中，除屏蔽電極66中的屏蔽端子圖案661外，在與聲表面波的傳播方向斜交的方向上設(shè)置柵格。除此之外的其他結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施例相同，以形成聲表面波雙工器。
在圖11中，與梳狀電極斜交的方向上設(shè)有間距例如為2.3μm的柵格的屏蔽電極66，設(shè)置在發(fā)送濾波器13與接收濾波器14之間。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，具有所述柵格形狀的屏蔽電極不但可吸收電磁信號(hào)泄漏，而且可吸收聲泄漏(acoustic leakage)，因此，可進(jìn)一步改善隔離特性。
因此，與第一實(shí)施例相比，不僅可減小電磁泄漏，而且可減小聲表面波傳播的聲泄漏，結(jié)果，可獲得具有良好隔離特性的較小聲表面波雙工器。
在所述實(shí)施例中，屏蔽電極通過一根接地導(dǎo)線連接到封裝的接地端子，然而，其可通過兩個(gè)或兩個(gè)以上的接地導(dǎo)線加以連接。例如，不僅提供位于屏蔽電極66的中心部分的屏蔽端子圖案661，而且將屏蔽端子圖案提供于兩個(gè)端部，并將這些圖案連接到封裝的接地端子。
(第六實(shí)施例)圖12為顯示根據(jù)本發(fā)明的第六實(shí)施例的SAW雙工器的結(jié)構(gòu)的俯視圖。本發(fā)明的SAW雙工器75在以下幾點(diǎn)上不同于第一實(shí)施例的SAW雙工器10。在第一實(shí)施例的SAW雙工器10的結(jié)構(gòu)中，在具有低頻率的發(fā)送濾波器13中最接近接收濾波器14的諧振器為串聯(lián)臂諧振器，且在接收濾波器14中最接近發(fā)送濾波器13的諧振器為并聯(lián)臂諧振器。然而，在所述實(shí)施例的SAW雙工器75的結(jié)構(gòu)中，在具有低頻率的發(fā)送濾波器82中最接近接收濾波器83的諧振器為并聯(lián)臂諧振器，且在接收濾波器83中最接近發(fā)送濾波器82的諧振器為串聯(lián)臂諧振器。
具體地說，由梯形電路形成的發(fā)送濾波器82和接收濾波器83分別安置于與聲表面波的傳播方向垂直的方向上，且屏蔽電極84提供于其間。發(fā)送濾波器82中所包括的諧振器中最接近接收濾波器83的諧振器821為并聯(lián)諧振器。此外，接收濾波器83中所包括的諧振器中最接近發(fā)送濾波器82的諧振器831為串聯(lián)臂諧振器。在使用梯形電路的情況下，串聯(lián)臂諧振器的諧振頻率高于并聯(lián)臂諧振器的諧振頻率。根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，在第一濾波器結(jié)構(gòu)和第二濾波器結(jié)構(gòu)中分別最接近的諧振器的諧振頻率之間的差值可為最大。結(jié)果，可進(jìn)一步改善隔離特性，并可獲得具有良好隔離特性的較小SAW雙工器。
下文中將解釋SAW元件80的結(jié)構(gòu)的實(shí)例。將發(fā)送濾波器82的中心頻率設(shè)定為836.5MHz，并將接收濾波器83的中心頻率設(shè)定為881.5MHz。為所述目的，使用36°Y切X向傳播鉭酸鋰(LiTaO3)單晶襯底作為壓電襯底81。壓電襯底81的表面上積疊的其中添加了銅(Cu)的鋁(Al)合金和鈦(Ti)的結(jié)構(gòu)的薄膜為電極薄膜。其薄膜厚度為約400nm。
發(fā)送濾波器82的串聯(lián)臂和并聯(lián)臂諧振器分別具有2.32μm和2.43μm的間距，而在接收濾波器83中分別具有2.20μm和2.31μm的間距。形成于發(fā)送濾波器82與接收濾波器83之間的屏蔽電極84的寬度為約100μm。
如上所述制造的SAW元件80通過接合固定到封裝85，且SAW元件80的各個(gè)連接端子圖案通過導(dǎo)線20連接到封裝85的端子部分87，最后用蓋板進(jìn)行密封，制造SAW雙工器75。屏蔽電極84的屏蔽端子圖案841通過接地導(dǎo)線210連接到封裝85的接地端子871。類似于第一實(shí)施例的SAW雙工器10，封裝85由(例如)陶瓷材料制成，其包括用于連接蓋板的連接部分86；具有比連接部分86更低的梯級(jí)的端子部分87，導(dǎo)線20接合到所述端子部分87；具有最低梯級(jí)的底部部分88，SAW元件80通過接合固定到所述底部部分88。
圖13為以與第一實(shí)施例相同的方式顯示SAW雙工器75與作為比較實(shí)例的不具有屏蔽電極84的SAW雙工器的隔離特性的比較結(jié)果的曲線圖。已發(fā)現(xiàn)，與比較實(shí)例相比，在所述實(shí)施例的SAW雙工器75中，接收端子與傳輸端子之間的衰減增加，且可改善隔離特性。
在所述實(shí)施例中，屏蔽電極通過一根接地導(dǎo)線連接到封裝的接地端子，然而，其可通過復(fù)數(shù)個(gè)接地導(dǎo)線加以連接。
在第一實(shí)施例到第六實(shí)施例中，以SAW雙工器為例解釋了本發(fā)明，然而，本發(fā)明并不限于這一點(diǎn)。具有不同頻率的兩種濾波器形成于一個(gè)壓電襯底上形成聲表面波濾波器，可獲得相同的效果。
工業(yè)適用性本發(fā)明的聲表面波器件由于其小型化可適用于移動(dòng)電話等，因?yàn)樵趬弘娨r底上具有不同中心頻率的濾波器的情況下，可防止濾波器之間的電磁干擾，改善隔離特性。
權(quán)利要求
1.聲表面波器件，包括，設(shè)于封裝內(nèi)在相同壓電襯底上具有不同中心頻率的兩種聲表面波濾波器結(jié)構(gòu)的聲表面波元件，所述聲表面波元件包括第一濾波器結(jié)構(gòu)，其具有第一中心頻率；第二濾波器結(jié)構(gòu)，其具有第二中心頻率；和在所述第一濾波器結(jié)構(gòu)與所述第二濾波器結(jié)構(gòu)之間的屏蔽電極，其連接到所述封裝的接地端子而接地。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聲表面波器件，所述聲表面波元件進(jìn)一步包括連接圖案，其將所述第一濾波器結(jié)構(gòu)或所述第二濾波器結(jié)構(gòu)的接地端子圖案連接到所述屏蔽電極。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聲表面波器件，其中所述屏蔽電極具有第一屏蔽電極和第二屏蔽電極，所述聲表面波元件進(jìn)一步包括第一連接圖案，其將所述第一濾波器結(jié)構(gòu)的接地端子圖案連接到所述第一屏蔽電極；和第二連接圖案，其將所述第二濾波器結(jié)構(gòu)的接地端子圖案連接到所述第二屏蔽電極。
4.根據(jù)權(quán)利要求1到3中任一權(quán)利要求所述的聲表面波器件，所述屏蔽電極進(jìn)一步包括圖案，其交叉于將所述第一濾波器結(jié)構(gòu)和所述第二濾波器結(jié)構(gòu)中的至少一個(gè)的信號(hào)線端子圖案連接到所述封裝的信號(hào)端子的信號(hào)導(dǎo)線，且其中所述屏蔽電極通過至少兩根接地導(dǎo)線連接到所述封裝的所述接地端子。
5.根據(jù)權(quán)利要求1到4中任一權(quán)利要求所述的聲表面波器件，其中所述屏蔽電極被形成為比所述第一濾波器結(jié)構(gòu)和所述第二濾波器結(jié)構(gòu)更長(zhǎng)以便大致隔斷所述第一濾波器結(jié)構(gòu)與所述第二濾波器結(jié)構(gòu)。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的聲表面波器件，其中將所述屏蔽電極連接到所述封裝的所述接地端子的所述兩根接地導(dǎo)線被設(shè)置在將所述信號(hào)線端子圖案連接到所述封裝的所述信號(hào)端子的所述信號(hào)導(dǎo)線的兩側(cè)。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的聲表面波器件，其中所述接地導(dǎo)線分別連接到設(shè)置在收納所述聲表面波元件的所述封裝的端子部分的對(duì)應(yīng)位置處的所述接地端子。
8.根據(jù)權(quán)利要求1到7中任一權(quán)利要求所述的聲表面波器件，其中所述聲表面波元件的所述第一濾波器結(jié)構(gòu)、所述第二濾波器結(jié)構(gòu)和所述屏蔽電極垂直于所述第一濾波器結(jié)構(gòu)和所述第二濾波器的聲表面波的傳播方向。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的聲表面波器件，其中所述第一濾波器結(jié)構(gòu)和所述第二濾波器結(jié)構(gòu)是以串聯(lián)臂和并聯(lián)臂連接單端子聲表面波諧振器的梯形電路，且在具有相對(duì)較低中心頻率的所述第一濾波器結(jié)構(gòu)中最接近所述第二濾波器結(jié)構(gòu)的聲表面波諧振器為并聯(lián)臂，且在所述第二濾波器結(jié)構(gòu)中最接近所述第一濾波器結(jié)構(gòu)的聲表面波諧振器為串聯(lián)臂。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的聲表面波器件，其中所述屏蔽電極具有在與所述第一濾波器結(jié)構(gòu)和所述第二濾波器結(jié)構(gòu)中的梳狀電極相垂直的方向上設(shè)置的復(fù)數(shù)個(gè)狹縫的柵格形狀。
11.根據(jù)權(quán)利要求1到7中任一權(quán)利要求所述的聲表面波器件，其中所述聲表面波元件的所述第一濾波器結(jié)構(gòu)和所述第二濾波器結(jié)構(gòu)設(shè)置成平行于所述第一濾波器結(jié)構(gòu)和所述第二濾波器結(jié)構(gòu)的聲表面波傳播方向，且所述屏蔽電極垂直于所述聲表面波傳播方向。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的聲表面波器件，其中所述屏蔽電極具有在與所述第一濾波器結(jié)構(gòu)和所述第二濾波器結(jié)構(gòu)中的梳狀電極平行的方向上設(shè)置的復(fù)數(shù)個(gè)狹縫的柵格形狀。
13.根據(jù)權(quán)利要求8、9或11所述的聲表面波器件，其中所述屏蔽電極具有在與所述第一濾波器結(jié)構(gòu)和所述第二濾波器結(jié)構(gòu)中的聲表面波傳播方向斜交的方向上設(shè)置的復(fù)數(shù)個(gè)狹縫的柵格形狀。
14.根據(jù)權(quán)利要求10、12或13所述的聲表面波器件，其中所述屏蔽電極的所述狹縫以所述第一濾波器結(jié)構(gòu)和所述第二濾波器結(jié)構(gòu)中的梳狀電極的最小間距與最大間距之間的間距形成。
15.根據(jù)權(quán)利要求10、12或13所述的聲表面波器件，其中所述屏蔽電極的所述狹縫根據(jù)不同位置而以不同間距形成。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聲表面波器件，其中，在所述第一濾波器結(jié)構(gòu)和所述第二濾波器結(jié)構(gòu)中，中心頻率相對(duì)更高的濾波器結(jié)構(gòu)的接地端子圖案通過連接圖案連接到所述屏蔽電極，所述屏蔽電極和所述接地端子圖案通過相應(yīng)至少兩根接地導(dǎo)線連接，且所述接地導(dǎo)線分別連接到設(shè)置于所述封裝內(nèi)將所述聲表面波元件夾在中間的兩側(cè)的所述接地端子。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聲表面波器件，其中，在所述第一濾波器結(jié)構(gòu)和所述第二濾波器結(jié)構(gòu)中，中心頻率相對(duì)更低的濾波器結(jié)構(gòu)的接地端子圖案通過連接圖案連接到所述屏蔽電極，所述屏蔽電極和所述接地端子圖案通過相應(yīng)至少兩根接地導(dǎo)線連接，且所述接地導(dǎo)線分別連接到設(shè)置于所述封裝內(nèi)將所述聲表面波元件夾在中間的兩側(cè)的所述接地端子。
18.根據(jù)權(quán)利要求1到17中任一權(quán)利要求所述的聲表面波器件，其中，所述第一濾波器結(jié)構(gòu)和所述第二濾波器結(jié)構(gòu)分別為發(fā)送濾波器和接收濾波器，且所述發(fā)送濾波器和所述接收濾波器形成聲表面波雙工器。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的聲表面波器件，其中，所述信號(hào)線端子圖案為所述發(fā)送濾波器或所述接收濾波器的輸入/輸出端子圖案。
全文摘要
聲表面波器件具有設(shè)于封裝(16)內(nèi)，在相同壓電襯底(12)上具有不同中心頻率的兩種聲表面波濾波器結(jié)構(gòu)的聲表面波元件(11)的結(jié)構(gòu)。所述聲表面波元件(11)包含具有第一中心頻率的第一濾波器結(jié)構(gòu)(13)、具有第二中心頻率的第二濾波器結(jié)構(gòu)(14)和位于所述第一濾波器結(jié)構(gòu)(13)與所述第二濾波器結(jié)構(gòu)(14)之間的屏蔽電極(15)，其中所述屏蔽電極(15)連接到封裝(16)的接地端子(182)而接地。根據(jù)所述結(jié)構(gòu)，可防止第一濾波器結(jié)構(gòu)(13)與第二濾波器結(jié)構(gòu)(14)之間的電磁干擾，因此，可改善隔離特性，實(shí)現(xiàn)小型聲表面波器件。
文檔編號(hào)H03H9/72GK1830142SQ20048002178
公開日2006年9月6日 申請(qǐng)日期2004年7月28日 優(yōu)先權(quán)日2003年7月29日
發(fā)明者布施伸夫 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社