專利名稱：低壓低功耗雙柵金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管混頻器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于深亞微米時(shí)代的低壓低功耗CMOS RFIC應(yīng)用技術(shù)領(lǐng)域，尤其是一種射頻CMOS集成電路(RFIC)中的低壓低功耗混頻器(Mixer)。
背景技術(shù)：
隨著CMOS超大規(guī)模集成電路技術(shù)進(jìn)入65納米技術(shù)時(shí)代，電路中的場(chǎng)效應(yīng)晶體管出現(xiàn)嚴(yán)重的短溝道效應(yīng)(short channel effect)，表現(xiàn)為閾值電壓(threshold voltage)隨溝道長(zhǎng)度減小而下降，閾值電壓隨漏端電壓增加而下降，源漏直接穿通(punch-through)溝長(zhǎng)調(diào)制效應(yīng)造成的器件本征輸出電阻降低等。短溝道效應(yīng)所引起的器件的二階效應(yīng)容易造成電路失效。因此短溝道效應(yīng)的抑制是提高CMOS超大規(guī)模集成電路電路性能和減小電路失效的急需解決的問題。
目前，為了抑制短溝道效應(yīng)，一般采用提高體區(qū)摻雜濃度，在溝道區(qū)引入pocket結(jié)構(gòu)，增加源漏輕摻雜擴(kuò)展區(qū)(light doped source/drain extension)等方法。然而這些技術(shù)手段都無法從根本上消除短溝效應(yīng)，尤其是當(dāng)集成電路技術(shù)進(jìn)入納米時(shí)代之后，器件的溝長(zhǎng)已經(jīng)接近體硅CMOS的物理極限，因此上述的技術(shù)手段幾乎都無法避免短溝效應(yīng)造成的器件工作失效。
當(dāng)前研究人員普遍認(rèn)為雙柵器件(Double Gate or Dual Gate)是器件柵長(zhǎng)達(dá)到10納米后解決體硅器件短溝效應(yīng)的最有效辦法。部分研究人員還預(yù)測(cè)，由于器件本身的低功耗特征，雙柵器件會(huì)更早的應(yīng)用于諸如手機(jī)等需要低壓、低功耗、小尺寸、低成本的移動(dòng)設(shè)備中。根據(jù)不同的制備過程和器件結(jié)構(gòu)，雙柵器件可以分為平面雙柵(Planar DG)、FinFET和垂直雙柵(Vertical DG)。
在器件尺寸縮小的同時(shí)器件的工作電壓也隨之不斷降低，因此要求電路中的電源電壓不得超過器件的最大工作電壓。因此在射頻電路設(shè)計(jì)過程中應(yīng)盡可能的降低電源電壓以滿足器件的工作要求。
混頻器是現(xiàn)代射頻通訊中所必不可少的一個(gè)組成模塊，當(dāng)前主要的接收機(jī)大多采用的是類吉爾伯特型混頻器。吉爾伯特混頻器的結(jié)構(gòu)如圖1所示，其中電流源IBias為整個(gè)電路產(chǎn)生偏置電流，實(shí)際應(yīng)用中通常由MOS管來實(shí)現(xiàn)(也可以省略)；共源管M1、M2構(gòu)成了跨導(dǎo)級(jí)，將輸入的電壓形式的差分射頻信號(hào)轉(zhuǎn)換成電流信號(hào)并對(duì)其進(jìn)行放大；差分的本振信號(hào)則分別輸入到由M3、M4、M5、M6共同組成的開關(guān)級(jí)的四個(gè)柵端。通過本振信號(hào)對(duì)跨導(dǎo)級(jí)輸出電流的調(diào)制來實(shí)現(xiàn)混頻操作，并通過負(fù)載將電流信號(hào)轉(zhuǎn)換成電壓信號(hào)輸出。對(duì)于理想的開關(guān)級(jí)來說，整個(gè)混頻器的轉(zhuǎn)換增益為 其中Gm為跨導(dǎo)級(jí)的跨導(dǎo)值，RL為負(fù)載電阻值。但是由于整個(gè)混頻器的實(shí)現(xiàn)至少需要采用兩級(jí)MOS管的堆垛，所以限制了整個(gè)電源電壓的最小值。因此這種結(jié)構(gòu)已經(jīng)很難再應(yīng)用于低壓、低功耗和深亞微米工藝電源電壓不斷降低的設(shè)計(jì)要求。為了降低電源電壓也可以采用折疊結(jié)構(gòu)，但是電路的功耗也會(huì)隨之而增加，這對(duì)移動(dòng)通訊來說是致命的。同時(shí)作為混頻器而言經(jīng)常需要在轉(zhuǎn)換增益、線性度、噪聲系數(shù)和功耗參數(shù)之間進(jìn)行折中，進(jìn)一步增加了對(duì)功耗和電源電壓的要求。
作為最簡(jiǎn)單的平方法則混頻器(Square-Law Mixer)結(jié)構(gòu)來說是利用理想MOS器件的平方非線性來實(shí)現(xiàn)兩個(gè)輸入頻率的混頻操作的。其具體結(jié)構(gòu)如圖2所示，將RF和LO信號(hào)同時(shí)加在MOS器件的柵端并加上一定的偏置電壓以保證器件工作在飽和區(qū)，其負(fù)載采用電阻、電感、電容或者是三者之間的任意組合。這樣在MOS器件的漏端即可產(chǎn)生所需的混頻結(jié)果。雖然這種結(jié)構(gòu)的混頻器非常簡(jiǎn)單，而且具有很低的工作電壓和較低的功耗，但是由于射頻信號(hào)和本振信號(hào)同時(shí)從MOS器件的柵端輸入，這兩者之間的隔離度變得非常差，因此使得這種結(jié)構(gòu)無法應(yīng)用到實(shí)際當(dāng)中。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種低壓低功耗雙柵MOSFET混頻器，實(shí)現(xiàn)了低電壓和低功耗，可用于深亞微米R(shí)F CMOS電路的應(yīng)用。
本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容一種低壓低功耗雙柵金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管混頻器，包括金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管MOSFET器件、電阻、電感、電容，將射頻信號(hào)和本振信號(hào)同時(shí)加在MOSFET器件上，并加上一定的偏置電壓以保證器件工作在飽和區(qū)，其負(fù)載采用電阻、電感、電容或者是三者之間的任意組合，MOSFET器件為一個(gè)或若干個(gè)雙柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管，射頻信號(hào)分別從上述雙柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的前柵/背柵輸入，本振信號(hào)分別從上述雙柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的背柵/前柵輸入。
MOSFET器件可為二個(gè)雙柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管1和2，正的射頻信號(hào)從雙柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管1的前柵輸入，正的本振信號(hào)從雙柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管1背柵輸入，負(fù)的射頻信號(hào)從雙柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管2的前柵輸入，負(fù)的本振信號(hào)從雙柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管2的背柵輸入?；蛘纳漕l信號(hào)從雙柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管1的背柵輸入，正的本振信號(hào)從雙柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管1前柵輸入，負(fù)的射頻信號(hào)從雙柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管2的背柵輸入，負(fù)的本振信號(hào)從雙柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管2的前柵輸入。
MOSFET器件為四個(gè)雙柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管1、2、3和4，正的射頻信號(hào)分別從雙柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管1和雙柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管2的前柵輸入，正的本振信號(hào)分別從雙柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管1和雙柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管4的背柵輸入，負(fù)的射頻信號(hào)分別從雙柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管3和雙柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管4的前柵輸入，負(fù)的本振信號(hào)分別從雙柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管2和雙柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管3的背柵輸入?；蛄硗庖环N方式正的射頻信號(hào)分別從雙柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管1和雙柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管2的背柵輸入，正的本振信號(hào)分別從雙柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管1和雙柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管4的前柵輸入，負(fù)的射頻信號(hào)分別從雙柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管3和雙柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管4的背柵輸入，負(fù)的本振信號(hào)分別從雙柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管2和雙柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管3的背柵輸入。
混頻器輸出端可設(shè)有電容，用來濾除輸出端中的高頻分量。
在雙柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件的源端加入電流源以穩(wěn)定電路電流。所述電流源由MOSFET器件、電阻、電感、電容或者是四者之間的任意組合。
本發(fā)明的技術(shù)效果本發(fā)明采用雙柵MOS管器件，本振信號(hào)的輸入端和射頻信號(hào)的輸入端分別為雙柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的前柵或背柵，在同一個(gè)MOS器件中實(shí)現(xiàn)本振信號(hào)和射頻信號(hào)的同時(shí)輸入，避免了采用堆垛的方式將混頻器分成跨導(dǎo)級(jí)和開關(guān)級(jí)分兩步實(shí)現(xiàn)混頻，因此采用這種結(jié)構(gòu)之后可以至少省去吉爾伯特型晶體管中開關(guān)級(jí)(或跨導(dǎo)級(jí))所消耗掉的漏源電壓，從而與傳統(tǒng)混頻器相比至少可以降低的電壓余度為一個(gè)漏源電壓值，使得混頻器所需要的最低工作電壓可以低于1V。由于該結(jié)構(gòu)同時(shí)實(shí)現(xiàn)了低電壓和低功耗，非常適于深亞微米R(shí)F CMOS電路的應(yīng)用。


下面結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明做出詳細(xì)描述。
圖1類吉爾伯特型雙平衡雙柵混頻器示意圖；圖2平方法則混頻器(Square-Law Mixer)結(jié)構(gòu)示意圖；圖3雙柵器件結(jié)構(gòu)示意圖；圖4本發(fā)明以一個(gè)雙柵MOSFET器件構(gòu)成的混頻器結(jié)構(gòu)示意圖；圖5本發(fā)明以兩個(gè)雙柵MOSFET器件構(gòu)成的混頻器結(jié)構(gòu)示意圖；圖6本發(fā)明類吉爾伯特型雙平衡雙柵混頻器示意圖。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明采用了新型的雙柵MOSFET器件結(jié)構(gòu)以降低混頻器的工作電壓，雙柵MOSFET器件的具體結(jié)構(gòu)如圖3所示。雙柵器件的兩個(gè)分立的柵分別作為兩個(gè)信號(hào)的輸入端來實(shí)現(xiàn)射頻信號(hào)和本振信號(hào)之間的混頻，從而避免了傳統(tǒng)平方法則型混頻器兩個(gè)輸入信號(hào)之間的相互影響。
本發(fā)明以一個(gè)雙柵MOSFET器件構(gòu)成的混頻器，其具體結(jié)構(gòu)如圖4所示。其中RF和LO信號(hào)分別從雙柵器件的前柵和背柵輸入，同時(shí)對(duì)兩個(gè)柵施加一定的偏置電壓以保證器件工作在飽和區(qū)，雙柵器件的負(fù)載可采用電阻、電感、電容或者是三者之間的任意組合，在MOSFET的漏端即可得到所需的混頻結(jié)果。
該混頻器結(jié)構(gòu)的工作原理可以解釋如下一、LO信號(hào)和RF信號(hào)之間的混頻主要是利用MOS器件的非線性實(shí)現(xiàn)。一般常見的非線性系統(tǒng)可采用下式來表示y(t)＝α1x(t)+α2x2(t)+α3x3(t)+......+αnxn(t)其中x(t)表示輸入信號(hào)，y(t)表示輸出信號(hào)當(dāng)RF信號(hào)(VRF(t)＝A1(t)COS(ωRFt))和LO(VLO(t)＝A2(t)COS(ωLOt))信號(hào)同時(shí)經(jīng)過非線性系統(tǒng)之后，其中必然會(huì)出現(xiàn)兩個(gè)信號(hào)相乘項(xiàng)VIF(t)=A1(t)A2(t)2[COS(ωRF-ωLO)t+COS(ωRF+ωLO)t],]]>通常其中的ωRF-ωLO為最終的中頻(IF)混頻結(jié)果。
二、設(shè)雙柵器件的結(jié)構(gòu)如圖3所示，則對(duì)于非對(duì)稱雙柵的漏電流與兩個(gè)柵所加電壓的關(guān)系為Idz＝Idrift+Idiff(1)其中漂移電流Idrift和擴(kuò)散電流Idiff的表達(dá)式分別為Idrift=WLμnQFS2-QFD22(Coxf′+Csi′)+WLμnQBS2-QBD22(Coxb′+Csi′)]]>Idiff=WLμnUT(QFD-QFS)+WLμnUT(QBD-QBS)---(2)]]>前柵與背柵單位面積反型層電荷密度可用下式表示Q′Finv＝-C′oxf(VFG-Vfbf-VTFG+κ1VBG-κ1VS-Vch(x))Q′Binv＝-C′oxb(VBG-Vfbb-VTBG+κ2VFG-κ2VS-Vch(x)) (3)公式(2)(3)中UT=KTq,]]>Coxf′=ϵoxtoxf,]]>Coxb′=ϵoxtoxb]]>分別表示前柵與背柵的柵氧電容，CSi′=ϵSitSi]]>表示溝道體Si電容，κ1=C′C′oxf,]]>κ2=C′C′oxb,]]>Vch＝φn-ΦF表示溝道電勢(shì)。QFS＝Q′Finv(0)，QFD＝Q′Finv(L)，QBS＝Q′Binv(0)，QBD＝Q′Binv(L)；代入公式(3)可得
QFS＝-C’oxf(VFG-Vfbf-VTFG+κ1VBG-κ1VS-VCh(0))QFD＝-C’oxf(VFG-Vfbf-VTFG+κ1VBG-κ1VS-VCh(L))(4)QBS＝-C’oxB(VBG-Vfbb-VTBG+κ2VFG-κ2VS-VCh(0))QBS＝-C’oxB(VBG-Vfbb-VTBG+κ2VFG-κ2VS-VCh(L))將(4)(2)式代入式(1)可得Ids的表達(dá)式，其中的Idrift項(xiàng)可產(chǎn)生所需要的混頻項(xiàng)如公式(5)所示。
WL·μn·Coxf2(Coxf+Csi)·κ1·VFG·VBG+WL·μn·Coxf2(Coxb+Csi)·κ2·VFG·VBG---(5)]]>假設(shè)雙柵器件的兩個(gè)輸入端信號(hào)表達(dá)式為VFG＝VFG0+VRFCOS(ωRFt)和VBG＝VLO0+VLOCOS(ωLOt)；其中VFG0和VLO0分別表示雙柵器件RF和LO輸入端的直流偏置電壓。將VFG和VBG的具體表達(dá)式代入公式(2)中可以得到Idrift的表達(dá)式中含有AVFGVBG項(xiàng)(其中A表示該項(xiàng)的系數(shù))Idrift=···+AVFGVBG+···=···+AVRFCOS(ωRFt)VLOCOS(ωLOt)+···]]>=···+A2VRFVLO[COS(ωLO-ωRF)t+COS(ωLO+ωRF)t]+···---(6)]]>公式(6)清楚的表明通過雙柵器件可以產(chǎn)生新的頻率分量ωRF±ωLO(加號(hào)和減號(hào)分別表示上變頻和下變頻分量)，從而實(shí)現(xiàn)了混頻功能。
本發(fā)明類吉爾伯特型雙平衡雙柵混頻器，即以四個(gè)雙柵MOSFET器件構(gòu)成的混頻器，具體結(jié)構(gòu)如圖5所示。從圖5中可以看出，該結(jié)構(gòu)MOSFET器件可為二個(gè)雙柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管1和2，正的射頻信號(hào)從雙柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管1的前柵輸入，正的本振信號(hào)從雙柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管1背柵輸入，負(fù)的射頻信號(hào)從雙柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管2的前柵輸入，負(fù)的本振信號(hào)從雙柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管2的背柵輸入?；蛄硗庖环N方式正的射頻信號(hào)從雙柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管1的背柵輸入，正的本振信號(hào)從雙柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管1前柵輸入，負(fù)的射頻信號(hào)從雙柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管2的背柵輸入，負(fù)的本振信號(hào)從雙柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管2的前柵輸入。
本發(fā)明類吉爾伯特型雙平衡雙柵混頻器，即以四個(gè)雙柵MOSFET器件構(gòu)成的混頻器，具體結(jié)構(gòu)如圖6所示。從圖6中可以看出，該結(jié)構(gòu)采用差分射頻信號(hào)和本振信號(hào)輸入。其中正的射頻信號(hào)7輸入與雙柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管1、雙柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管2的前柵連接，負(fù)的射頻信號(hào)8輸入與雙柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管3、雙柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管4的前柵連接；正的本振信號(hào)5輸入與雙柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管1、雙柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管4的背柵連接，負(fù)的本振信號(hào)6輸入與雙柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管2、雙柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管3的背柵連接；電容9用來濾除輸出端10、11中的高頻分量；電阻12、13為負(fù)載，也可以采用由電感、電容作為負(fù)載或MOS器件等構(gòu)成的有源負(fù)載。在雙柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件的源端加入電流源以穩(wěn)定電路電流，電流源由MOSFET器件、電阻、電感、電容或者是四者之間的任意組合。由于在同一個(gè)MOS器件中實(shí)現(xiàn)了本振信號(hào)和射頻信號(hào)的同時(shí)輸入，因此避免了采用堆垛的方式將混頻器分成跨導(dǎo)級(jí)和開關(guān)級(jí)分兩步實(shí)現(xiàn)混頻。其優(yōu)點(diǎn)在于1、可以進(jìn)一步降低混頻器的偶數(shù)次奇變；2、增加了本振信號(hào)(LO)與中頻信號(hào)之間的隔離度；3、由于RF和LO信號(hào)的自混而產(chǎn)生的DC量也被相互抵消了。
本發(fā)明采用這種結(jié)構(gòu)之后可以至少省去吉爾伯特型晶體管中開關(guān)級(jí)(或跨導(dǎo)級(jí))所消耗掉的漏源電壓，從而與傳統(tǒng)混頻器相比至少可以降低的電壓余度為一個(gè)漏源值，使得混頻器所需要的最低工作電壓可以低于1V。由于該結(jié)構(gòu)同時(shí)實(shí)現(xiàn)了低電壓和低功耗，使其非常適于深亞微米R(shí)F CMOS電路的應(yīng)用。
權(quán)利要求
1.一種低壓低功耗雙柵金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管混頻器，包括金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管MOSFET器件、電阻、電感、電容，將射頻信號(hào)和本振信號(hào)同時(shí)加在MOSFET器件上，并加上一定的偏置電壓以保證器件工作在飽和區(qū)，其負(fù)載采用電阻、電感、電容或者是三者之間的任意組合，其特征在于MOSFET器件為一個(gè)或若干個(gè)雙柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管，射頻信號(hào)分別從上述雙柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的前柵/背柵輸入，本振信號(hào)分別從上述雙柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的背柵/前柵輸入。
2.如權(quán)利要求1所述的低壓低功耗雙柵金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管混頻器，其特征在于MOSFET器件為二個(gè)雙柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管1和2，正的射頻信號(hào)從雙柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管1的前柵/背柵輸入，正的本振信號(hào)從雙柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管1背柵/前柵輸入，負(fù)的射頻信號(hào)從雙柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管2的前柵/背柵輸入，負(fù)的本振信號(hào)從雙柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管2的背柵/前柵輸入。
3.如權(quán)利要求1所述的低壓低功耗雙柵金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管混頻器，其特征在于MOSFET器件為四個(gè)雙柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管1、2、3和4，正的射頻信號(hào)分別從雙柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管1和雙柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管2的前柵/背柵輸入，正的本振信號(hào)分別從雙柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管1和雙柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管4的背柵/前柵輸入，負(fù)的射頻信號(hào)分別從雙柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管3和雙柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管4的前柵/背柵輸入，負(fù)的本振信號(hào)分別從雙柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管2和雙柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管3的背柵/前柵輸入。
4.如權(quán)利要求1、2或3所述的低壓低功耗雙柵金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管混頻器，其特征在于混頻器的輸出端設(shè)有電容，用來濾除輸出端中的高頻分量。
5.如權(quán)利要求1、2或3所述的低壓低功耗雙柵金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管混頻器，其特征在于在所述的雙柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件的源端加入電流源以穩(wěn)定電路電流。
6.如權(quán)利要求5所述的低壓低功耗雙柵金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管混頻器，其特征在于所述電流源由MOSFET器件、電阻、電感、電容或者是四者之間的任意組合。
全文摘要
本發(fā)明提供一種低壓低功耗雙柵金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管混頻器，該混頻器包括金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管MOSFET器件、電阻、電感、電容，將射頻信號(hào)和本振信號(hào)同時(shí)加在MOSFET器件上，并加上一定的偏置電壓以保證器件工作在飽和區(qū)，其負(fù)載采用電阻、電感、電容或者是三者之間的任意組合，上述MOSFET器件為一個(gè)或若干個(gè)雙柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管，射頻信號(hào)分別從上述雙柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的前柵/背柵輸入，本振信號(hào)分別從上述雙柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的背柵/前柵輸入，由于在同一個(gè)雙柵MOS器件中實(shí)現(xiàn)了本振信號(hào)和射頻信號(hào)的同時(shí)輸入，實(shí)現(xiàn)了低電壓下的混頻，有利于低壓和低功耗工作，可用于深亞微米R(shí)F CMOS電路的應(yīng)用。
文檔編號(hào)H03D7/00GK1697311SQ200510011928
公開日2005年11月16日 申請(qǐng)日期2005年6月14日 優(yōu)先權(quán)日2005年6月14日
發(fā)明者宋睿豐, 張國(guó)艷, 廖懷林, 黃如 申請(qǐng)人:北京大學(xué)