專利名稱:在具有l(wèi)c振蕩器的pll中粗調(diào)諧時間的改進(jìn)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明的實(shí)施例涉及電路設(shè)計。具體地,本發(fā)明的實(shí)施例涉及鎖相環(huán)(PLL)電路的改進(jìn)。
背景技術(shù):
鎖相環(huán)(PLL)由于其對數(shù)字時鐘同步、頻率合成等的用途而在各種無線電系統(tǒng)中有廣泛的使用。圖1示出了根據(jù)相關(guān)技術(shù)的PLL的一般示意圖。該P(yáng)LL包括一個相位頻率檢測器102(PFD)、電荷泵(CP)與環(huán)路濾波器(LF)104、壓控振蕩器106(VCO)、和分頻器。PFD 102比較輸入和輸出信號的相位/頻率,并將結(jié)果發(fā)送到CP&LF 104。CP&LF 104將PFD 102中的比較結(jié)果轉(zhuǎn)變成DC電壓。PFD 102根據(jù)輸入信號是超前還是滯后于輸出信號,產(chǎn)生“上行”或“下行”信號。VCO 106產(chǎn)生作為從CP&LF 104施加的DC電壓(V控制)的函數(shù)的脈沖頻率。
在PLL應(yīng)用中,電感器-電容器VCO(LC-VCO)被廣泛使用,這是由于它們通常優(yōu)于例如環(huán)形振蕩器的抖動/相位噪聲性能。因?yàn)楣に嚻町a(chǎn)生各個電感器和電容器部件的公差/偏差,并且為了覆蓋所需的頻率和范圍,要對LC-VCO進(jìn)行調(diào)諧。
圖2顯示了相關(guān)技術(shù)LC-VCO的一個簡化示意圖。通過將第一倒相器202的公共漏極與第二倒相器204的公共柵極相連,而將兩個CMOS倒相器202和204交叉耦連,或者反之亦然。交叉耦連的倒相器202和204構(gòu)成多頻振蕩器。電感器206(L)與電容器電路210并聯(lián),從而形成一個儲能電路。電容器電路210被再分成模擬變?nèi)荻O管212(CV)和分立電容器陣列214(CD)。分立電容器陣列214用于對頻率進(jìn)行粗調(diào)諧,變?nèi)荻O管用于細(xì)調(diào)諧。為了簡化,圖中省略了用于控制分立電容器陣列214的開關(guān)的電壓節(jié)點(diǎn)。這種類型的VCO最近已經(jīng)用于無線電裝置,因?yàn)樗峁┑南辔辉肼曅阅軆?yōu)于通常的僅由變?nèi)荻O管控制的LC振蕩器。
圖3示出了相關(guān)技術(shù)PLL的框圖,該P(yáng)LL結(jié)合了在鎖相工作中具有作為儲能電路的一部分的分立電容器的LC-VCO。在正常的工作模式下,PFD和電荷泵302經(jīng)由低通濾波器304控制模擬變?nèi)荻O管306,以便具有精確的頻率和相位鎖定。然而,當(dāng)PLL被激活或者力圖改變期望的頻率時,PLL進(jìn)入粗調(diào)諧期,而獲得粗頻率鎖定。這一粗頻率獲取過程是利用粗調(diào)諧控制器310執(zhí)行的,其導(dǎo)通和截止合適的電容器312,使VCO 308的輸出頻率盡可能地接近期望頻率。
圖4顯示了在根據(jù)相關(guān)技術(shù)的粗調(diào)諧處理期間PLL的框圖。在粗調(diào)諧處理中,偏壓發(fā)生器為VCO的變?nèi)荻O管產(chǎn)生固定的控制電壓。因此,變?nèi)荻O管的電容(例如圖2中的Cv)在粗調(diào)諧期間被固定。代替控制變?nèi)荻O管的電容,VCO的頻率是由分立的粗調(diào)諧電容器確定的。晶體振蕩器為粗調(diào)諧提供基準(zhǔn)。在針對期望的鎖定頻率的預(yù)定持續(xù)時間內(nèi),預(yù)定標(biāo)器&計數(shù)器(Prescaler & Counter)對VCO時鐘的數(shù)目進(jìn)行計數(shù)。這里,預(yù)定持續(xù)時間是EN COUNTER的高電平持續(xù)時間。在每個粗調(diào)諧級,數(shù)字比較器將基準(zhǔn)數(shù)與來自預(yù)定標(biāo)器&計數(shù)器的計數(shù)值進(jìn)行比較,并產(chǎn)生上行/下行信號,以確定VCO頻率是高于還是低于期望頻率。利用上行/下行信號,每一級的電容器被設(shè)定成導(dǎo)通或截止。復(fù)位發(fā)生器&計數(shù)器控制器為每一粗調(diào)諧級復(fù)位預(yù)定標(biāo)器&計數(shù)器的計數(shù)值。
在對VCO進(jìn)行粗調(diào)諧和細(xì)調(diào)諧控制的相關(guān)技術(shù)中公開了多種方法(見例如,美國專利No.6,137,372和“CMOS自校準(zhǔn)頻率合成器”(ACMOS Self-Calibrating Frequency Synthesizer),IEEE Journal ofsolid-state circuits,Vol.35,No.10,2000。本文引用上面每篇參考文獻(xiàn)的全文作為參考)。粗調(diào)諧處理的精度與變?nèi)荻O管尺寸的減小有關(guān)。因?yàn)樽內(nèi)荻O管的尺寸與相位噪聲成反比,因此降低變?nèi)荻O管的尺寸從而提高相位噪聲性能是有利的。由于粗調(diào)諧處理執(zhí)行得更加精確,所以應(yīng)當(dāng)設(shè)計最小的電容器,以便在粗調(diào)諧期間提供精細(xì)的頻率步長。為了精確地執(zhí)行粗調(diào)諧,最小電容器的頻率誤差檢測和步長都應(yīng)當(dāng)精確地確定。盡管現(xiàn)代處理技術(shù)在電容方面提供了良好匹配的電容器,但是在針對更加精確的粗調(diào)諧的粗調(diào)諧期間,這一誤差能夠被最小化或者被補(bǔ)償。粗調(diào)諧期間頻率誤差檢測器的設(shè)計與粗調(diào)諧時間有關(guān),這將在下文中加以討論。
圖5和6分別示出了根據(jù)相關(guān)技術(shù)的具有關(guān)鍵定時參數(shù)的粗調(diào)諧處理的一個實(shí)例,以及粗調(diào)諧控制器中檢測邏輯電路的框圖。粗調(diào)諧處理開始于每次期望頻率被改變或者在通電之后。因?yàn)榇终{(diào)諧處理是一種頻率跟蹤,所以使用數(shù)字累加器630估計VCO 610的周期。該結(jié)果與來自外部晶體時鐘的基準(zhǔn)定時信號進(jìn)行比較。在圖6所示粗調(diào)諧的具體實(shí)現(xiàn)中,數(shù)字累加器630(或計數(shù)器)被由粗調(diào)諧控制器產(chǎn)生的RST_COUNTER信號周期性地復(fù)位。該計數(shù)操作由EN_COUNTER信號屏蔽。如圖6所示,只有當(dāng)EN_COUNTER為高時,計數(shù)器的工作才被允許(例如使用AND柵620)。當(dāng)累加器/計數(shù)器630的輸出超過由數(shù)字比較器650確定的基準(zhǔn)數(shù)(例如,圖6中的”M”)時,OUT_COUNTER信號變?yōu)楦摺T揙UT_COUNTER信號和來自粗調(diào)諧控制器的COMP_CLK信號用于通過觸發(fā)器660確定頻率的超前和滯后檢測。
如圖5所示,在COMP_CLK信號從低向高轉(zhuǎn)變之前,OUT_COUNTER信號在510變高。根據(jù)頻率誤差,鎖存值在520處將從1變?yōu)?。在圖5所示中,VCO頻率被確定為比期望的大。這一在鎖存輸出(例如觸發(fā)器660)的極性能夠被用于確定與VCO中(第i個)電容器相連的開關(guān)的極性。
當(dāng)PLL接收到頻道信息(channel information)時,粗調(diào)諧控制器為粗調(diào)諧將頻道信息轉(zhuǎn)變成合適的定時參數(shù)。例如,當(dāng)期望的目標(biāo)頻率為1GHz且外部基準(zhǔn)時鐘頻率為20MHz時,粗調(diào)諧控制器以該20MHz外部時鐘信號工作而產(chǎn)生RST_COUNTER、EN_COUNTER、基準(zhǔn)數(shù)和COMP_CLK信號。
例如,假定EN_COUNTER的高電平持續(xù)時間被設(shè)定為1μs,且目標(biāo)VCO頻率為1GHz。這里,“1μs”的EN_COUNTER持續(xù)時間是設(shè)計值,并且可以根據(jù)粗調(diào)諧處理的精度改變?yōu)槠渌臄?shù)值。在本實(shí)例中,外部時鐘除以20(20/20MHz=1μs)而產(chǎn)生EN_COUNTER信號的高電平持續(xù)時間。通過用EN_COUNTER除以目標(biāo)VCO頻率的持續(xù)時間確定基準(zhǔn)數(shù)。由此,在本實(shí)例中,基準(zhǔn)數(shù)是1000(=1μs/(1/1GHz))。在數(shù)字比較器,該基準(zhǔn)數(shù)與預(yù)定標(biāo)器&計數(shù)器的計數(shù)值進(jìn)行比較。COMP_CLK與EN_COUNTER的下降沿同步,并用作數(shù)字比較器內(nèi)的定時時鐘。RST_COUNTER是用于每個粗調(diào)諧級的復(fù)位信號,并且在EN_COUNTER從高變低之后的1個外部時鐘內(nèi)其為高。
粗調(diào)諧處理的精度是一個待確定的設(shè)計參數(shù),并且主要由EN_COUNTER信號確定。在圖5中,Tc,1bit表示在粗調(diào)諧中對1位(1bit)的開關(guān)導(dǎo)通和截止的總循環(huán)時間,它主要由計數(shù)器的工作時間Tc,counter確定。
精確粗調(diào)諧的一個限制因素是圖6中超前-滯后檢測邏輯電路的不確定性。假定粗調(diào)諧的目標(biāo)是區(qū)分1MHz的頻率差異,那么應(yīng)當(dāng)檢測例如0.9995GHz和1.0005GHz的兩個VCO頻率。當(dāng)EN_COUNTER的持續(xù)時間設(shè)定為1μs時,那么基準(zhǔn)數(shù)(圖6中的“M”)應(yīng)當(dāng)設(shè)定為1000(=1μs/1ns)。EN_COUNTER的上升沿和OUT_COUNTER的上升沿之間的時間差對于0.9995GHz的VCO頻率為1.0005μs,對于1.001GHz的VCO頻率為0.9995μs。當(dāng)沒有定時不確定性時,將由超前-滯后檢測邏輯電路在前一種情況下產(chǎn)生頻率“下行”信號,在后一種情況下產(chǎn)生頻率“上行”信號。然而,如果超前-滯后檢測邏輯電路的定時不確定性為1ns,那么兩個結(jié)果可以相同。因此,兩個VCO頻率是否能夠通過超前-滯后檢測邏輯電路加以區(qū)分尚不確定。
當(dāng)定時不確定度固定時,通過提高基準(zhǔn)數(shù)或EN_COUNTER的持續(xù)時間可以提高精度。假定基準(zhǔn)數(shù)提高10倍,那么對這兩種情況時間差將為10.005μs和9.995μs。因?yàn)?ns的定時邊際大于1ns的定時不確定度,所以確定結(jié)果將是正確的。換言之,VCO的0.1%的初始頻率差導(dǎo)致10ns的時間差,而不是前一種情況的1ns。因?yàn)檫@個數(shù)值大到足夠補(bǔ)償超前-滯后檢測邏輯電路的不確定性,所以能夠獲得期望的精度。
然而,粗調(diào)諧改進(jìn)的負(fù)面結(jié)果是,比較時間或粗調(diào)諧所需的時間增加。如果待確定的位數(shù)為10bit,那么完成粗調(diào)諧所需的時間將是針對1bit確定情況的10倍??傊?,隨著位數(shù)或粗調(diào)諧精度的增加,粗調(diào)諧時間也增加。
在完成粗調(diào)諧之后,PLL進(jìn)入鎖相操作(例如,如圖3所示)。因?yàn)镻LL的總鎖定時間包括粗調(diào)諧所需的時間,所以精確粗調(diào)諧趨向于增加總鎖定時間。而且,如前所述,模擬變?nèi)荻O管尺寸的減小能夠提高相位噪聲性能,因?yàn)榕c用于粗調(diào)諧的分立電容器陣列相比,模擬變?nèi)荻O管典型地具有較差的品質(zhì)因數(shù)。此外,模擬變?nèi)荻O管的尺寸只有在精確粗調(diào)諧有保障的情況下才能減小。如果粗調(diào)諧不精確,那么模擬變?nèi)荻O管的工作范圍會擴(kuò)展超出期望的頻率,從而不能獲得相位和頻率鎖定。因此,為了獲得良好的相位噪聲性能和小的鎖定時間,粗調(diào)諧應(yīng)當(dāng)快速地執(zhí)行。
本文引用上述參考文獻(xiàn),用于適當(dāng)?shù)亟虒?dǎo)附加的或可替換的細(xì)節(jié)、特征和/或技術(shù)背景。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個目的是至少解決上述問題和/或缺點(diǎn),并提供至少如下文所述的優(yōu)點(diǎn)。
因此,本發(fā)明的實(shí)施例包括用于LC振蕩器的調(diào)諧方法和裝置。本發(fā)明的實(shí)施例包括適應(yīng)地控制位比較時間從而提供最小的粗調(diào)諧時間。位比較時間與LC振蕩器的電容器陣列中相應(yīng)加權(quán)電容器的冗余量成反比。
下文的說明書中將部分地提出本發(fā)明的附加優(yōu)點(diǎn)、目的和特征,并且對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員,通過閱讀下文或者通過在本發(fā)明的實(shí)踐中進(jìn)行學(xué)習(xí),將能夠部分地變得顯而易見。根據(jù)附加權(quán)利要求所特別指出的內(nèi)容,將能夠?qū)崿F(xiàn)和獲得本發(fā)明的目的和優(yōu)點(diǎn)。
下面將參考附圖對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明,其中相似的附圖標(biāo)記表示相似的元件,其中圖1示出了根據(jù)相關(guān)技術(shù)的PLL的一般示意圖;圖2示出了相關(guān)技術(shù)LC-VCO的簡單示意圖;圖3示出了在鎖相操作中相關(guān)技術(shù)PLL的框圖,其具有的LC-VCO具有一個分立電容器作為儲能電路的一部分;圖4示出了在根據(jù)相關(guān)技術(shù)的粗調(diào)諧處理期間PLL的框圖;圖5示出了根據(jù)相關(guān)技術(shù)的具有關(guān)鍵定時參數(shù)的粗調(diào)諧處理的一個實(shí)例;圖6示出了粗調(diào)諧控制器中檢測邏輯電路的框圖;圖7示出了粗調(diào)諧處理的一個簡化定時圖的布局;和圖8示出了根據(jù)本發(fā)明一個實(shí)施例的粗調(diào)諧處理的簡化定時圖。
具體實(shí)施例方式
在下文的優(yōu)選實(shí)施例詳細(xì)說明中,參考附圖,其顯示了作為實(shí)例的可以實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的具體實(shí)施例。在所有這些附圖中,相似附圖標(biāo)記表示基本上相似的部件。下面將足夠詳細(xì)地對這些實(shí)施例進(jìn)行說明,以便使本領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠?qū)嵺`本發(fā)明。也可以使用其它的實(shí)施例,并且在不背離本發(fā)明范圍的前提下可以進(jìn)行結(jié)構(gòu)、邏輯和知識上的改變。而且,應(yīng)當(dāng)理解,本發(fā)明的各種實(shí)施例雖然不同,但不必相互排斥。例如,在一個實(shí)施例中描述的具體特征、結(jié)構(gòu)或特性可以包含在其它的實(shí)施例內(nèi)。下面的詳細(xì)說明沒有限制意義,并且本發(fā)明的范圍只由附加權(quán)利要求書以及由權(quán)利要求賦予的等同物的全部范圍加以限定。
本發(fā)明的實(shí)施例公開了減小粗調(diào)諧期間總的位比較時間的方法。例如,通過為每個位判斷的粗調(diào)諧采用加權(quán)比較時間,能夠解決粗調(diào)諧時間與粗調(diào)諧精度之間的平衡。這樣,能夠根據(jù)其比較分辨率為每個粗調(diào)諧位設(shè)定不同的位比較時間。
圖7示出了相關(guān)技術(shù)中出于比較目的的粗調(diào)諧處理的簡化定時圖。如上所述,粗調(diào)諧的最終分辨率能夠設(shè)定得足夠小,以便使變?nèi)荻O管減小。然而,每一位的粗調(diào)諧時間還要設(shè)定得足夠大,以便覆蓋判斷處理中的全部偏差。這些偏差可能來自超前-滯后檢測邏輯電路的不確定性、其它的邏輯延遲、噪音(例如,電源噪音)、每個部件的啟動時間等。因此,當(dāng)粗調(diào)諧位的數(shù)目增加時,粗調(diào)諧所需的總時間線性增加,如圖7所示。
對比地,圖8示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的粗調(diào)諧處理的簡化定時圖。與圖7的實(shí)例不同,對每一位的判斷時間可不同地設(shè)定。最后一位(例如LSB)具有較長的判斷時間,第一位(例如MSB)具有較短的判斷時間。然而,每一位的持續(xù)時間能夠根據(jù)粗調(diào)諧算法的具體實(shí)現(xiàn)加以優(yōu)化。因此,給判斷時間加權(quán)能夠提供精確的粗調(diào)諧結(jié)果,同時還減小粗調(diào)諧時間。
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的對粗調(diào)諧的適應(yīng)時間調(diào)節(jié)是通過在用于粗調(diào)諧的分立電容器陣列中引入冗余加權(quán)而實(shí)現(xiàn)的。表1顯示了用于實(shí)現(xiàn)粗調(diào)諧電容器陣列的一個實(shí)例。然而,本領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠意識到,也可以使用其它的加權(quán)方案。表1中,Caps(n)相應(yīng)于用于調(diào)諧VCO的頻率的第n個電容器。例如,Caps(1)是將通過粗調(diào)諧處理選擇的最后一個電容器。參考表1,只顯示了對電容值的相關(guān)加權(quán)因子。Caps(10)-Caps(7)的加權(quán)因子是通過對寬VCO范圍進(jìn)行二進(jìn)制加權(quán)選擇的。進(jìn)一步,Caps(6)-Caps(1)的加權(quán)因子可以通過在粗調(diào)諧時間與冗余邊際之間的平衡實(shí)驗(yàn)地加以選擇。例如,Caps(6)的加權(quán)是10,Caps(5)-Caps(1)的加權(quán)總和是16。因此在Caps(6)水平上,冗余量為6。
因?yàn)?,LC-VCO的頻率是通過公式 確定的,所以電容的相關(guān)加權(quán)足以指示頻率的偏差。表1中的冗余R(i)能夠用加權(quán)W(i)通過下面的等式(1)獲得。
R(i)=max{[Σi=1i-1W(i)-W(i)],0},]]>其中i≥2R(1)=0(1)因?yàn)殡娙葜迪鄳?yīng)于頻率,所以上述等式表明,冗余能夠用于補(bǔ)償判斷處理中的誤差。例如,R(10)為10,因此如果Cap(10)的開關(guān)被以錯誤的方式選擇,則該誤差能夠在隨后的判斷處理中被修正。然而,當(dāng)與表1不同,Cap(10)的開關(guān)的極性被判斷邏輯電路中的意外誤差設(shè)定為0,并且冗余量為負(fù)時,粗調(diào)諧處理不能解決由該負(fù)冗余造成的頻率誤差。在理想的情況下,如果判斷處理是完美的,并且冗余能夠都被設(shè)定為0,那么粗調(diào)諧的結(jié)果也將是理想的,并且最終的精度將由最小加權(quán)因子決定。然而,在電容器陣列的實(shí)際實(shí)現(xiàn)中,兩個二進(jìn)制加權(quán)的電容器之間有一些失配。如果對于較低的位沒有冗余,則在某一級上的這一失配不能被解決。因?yàn)槭淞颗c加權(quán)因子成比例,所以由失配導(dǎo)致的頻率誤差對于具有較小加權(quán)因子的電容器陣列將較不嚴(yán)重。例如,對于兩個二進(jìn)制加權(quán)電容器,64和1,10%的的誤差將分別導(dǎo)致電容誤差,6.4和0.1。如果調(diào)諧電容器的最終分辨率假定為1,那么最顯著位中10%的誤差將給頻率計算造成過大的誤差。因此,冗余通常只授給高指數(shù)(例如MSB)值,而不授給低指數(shù),如表1所示。
表1
盡管電容器陣列中的冗余能夠特意地用來補(bǔ)償電容器陣列的制造失配,但是這一特性還能夠用于有效地減小粗調(diào)諧時間。即使在粗調(diào)諧判斷處理中恰巧存在一些不確定性或誤差,如果誤差量小于該特定指數(shù)下的冗余量,則這些誤差或不確定性能夠被修正。
例如,假定期望目標(biāo)頻率對應(yīng)于“130”,作為加權(quán)電容的總和,Cap(10)和Cap(2)的粗調(diào)諧值在理想的情況下應(yīng)當(dāng)設(shè)定為1(例如開關(guān)導(dǎo)通)。例如,參考圖6,即使Cap(10)被設(shè)定為1,超前-滯后檢測邏輯電路也會產(chǎn)生“上行”的比較結(jié)果。因此,VCO的頻率應(yīng)當(dāng)增加。在這種情況下,假定頻率隨著加權(quán)電容器數(shù)目的增加而增加。因此,Cap(10)為1的VCO的有效頻率比有效加權(quán)值為“130”的目標(biāo)頻率慢。如果判斷邏輯電路有一些偏移,例如,數(shù)值為“3”,那么Cap(10)的粗調(diào)諧值將為1,而不是0。因?yàn)榻o予電容器的加權(quán)因子是一個確定VCO工作頻率的因子,所以當(dāng)從頻域轉(zhuǎn)換成時域時,偏移值直接表達(dá)為定時誤差。
例如,如果單位值“1”相應(yīng)于3ns的周期誤差,那么偏移值“3”表明粗調(diào)諧處理在其判斷中具有9ns偏移。該定時誤差能夠通過對每一位增加比較時間加以修正。假定,簡單起見,只有第一判斷處理具有判斷誤差,那么其余的粗調(diào)諧判斷將是正確的。這樣,來自粗調(diào)諧的Cap(10-1)將是
,從而得到130的總加權(quán)值。即使上述的實(shí)例針對判斷誤差被簡化,但是也很明顯,冗余有利于補(bǔ)償在某一級的判斷誤差。Caps(N)水平(level)內(nèi)的冗余(其中N≥2)是從N-1到1的Caps總和與Caps(N)之差。例如,目標(biāo)VCO頻率為“13”。假定Caps(6)水平內(nèi)存在判斷誤差,因此Caps(6)被錯誤地選擇為“0”,而不是“1”。因?yàn)镃aps(6)的加權(quán)是“10”,并且被選擇為“0”,所以其余的Caps(也就是Caps(5-1))應(yīng)當(dāng)被選擇為覆蓋目標(biāo)VCO頻率。結(jié)果,Caps被選擇為
,而不是
。于是,在存在判斷誤差的情況下,其余的級在冗余的幫助下能夠覆蓋誤差。
兩個二進(jìn)制加權(quán)電容器陣列中的失配量典型地大于來自判斷邏輯電路的誤差源。因此,冗余值被設(shè)計為能夠補(bǔ)償失配,而不是粗調(diào)諧的判斷處理中的誤差。因此,判斷處理期間的定時誤差對粗調(diào)諧精度的影響較弱。因此,如果具有大的冗余,則能夠減小粗調(diào)諧的持續(xù)時間。因?yàn)楸容^時間的持續(xù)范圍(例如如圖5所示)能夠降低判斷處理的影響,所以當(dāng)冗余為0時,能夠獲得最精確的判斷或最長的比較時間。在表1的具體實(shí)例中,當(dāng)粗調(diào)諧控制器對冗余為0的Caps(3-1)的開關(guān)極性進(jìn)行判斷時,它應(yīng)當(dāng)具有最精確的判斷。對其它位的比較精度可以放松,從而允許較短的比較時間。
如前所述,當(dāng)比較時間加倍時,粗調(diào)諧處理的精度通常加倍。假定Tmin是Caps(1-3)所需的最小1bit比較時間的,則對Caps(4)的比較時間可以具有Tmin/2的值,從而給出精確的粗調(diào)諧結(jié)果。相似地,Tmin/10的比較時間可以用于Caps(10),這將與用于Caps(1-3)的Tmin具有相同的誤差概率。下面的表示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用于定時的一個實(shí)例程序。
程序 操作Cycle12 設(shè)置Cas[10:1]=“01111111111”如果VCO太慢,則設(shè)置Caps[10]為”1”,并Cycle11 設(shè)置Caps[9]為”0”如果VCO太快,則設(shè)置Caps[9]為”0”如果VCO太慢,則設(shè)置Caps[9]為”1”,并Cycle10 設(shè)置Caps[8]為”0”如果VCO太快,則設(shè)置Caps[8]為”0”如果VCO太慢,則設(shè)置Caps[8]為”1”,并Cycle9 設(shè)置Caps[7]為”0”如果VCO太快,則設(shè)置Caps[7]為”0”如果VCO太慢,則設(shè)置Caps[7]為”1”,并Cycle8 設(shè)置Caps[6]為”0”如果VCO太快,則設(shè)置Caps[6]為”0”如果VCO太慢,則設(shè)置Caps[6]為”1”,并Cycle7 設(shè)置Caps[5]為”0”如果VCO太快,則設(shè)置Caps[5]為”0”如果VCO太慢,則設(shè)置Caps[5]為”1”,并Cycle6 設(shè)置Caps[4]為”0”如果VCO太快,則設(shè)置Caps[4]為”0”如果VCO太慢,則設(shè)置Caps[4]為”1”,并Cycle5 設(shè)置Caps[3]為”0”如果VCO太快,則設(shè)置Caps[3]為”0”如果VCO太慢,則設(shè)置Caps[3]為”1”,并Cycle4 設(shè)置Caps[2]為”0”如果VCO太快,則設(shè)置Caps[2]為”0”如果VCO太慢,則設(shè)置Caps[2]為”1”,并Cycle3 設(shè)置Caps[1]為”0”如果VCO太快,則設(shè)置Caps[1]為”0”如果VCO太慢,則設(shè)置Caps[1]為”1”,并Cycle2 設(shè)置Caps
為”0”如果VCO太快,則設(shè)置Caps
為”0”如果VCO太慢,則設(shè)置Caps
為”1”Cycle1 如果VCO太快,則設(shè)置Caps
為”0”
如表2所示,多個位以與相關(guān)技術(shù)中公開的不同的方式加以切換。Caps能夠成對地、順次地從MSB到LSB切換。例如,在第一級,選擇Caps[10]和Caps[9]。在第二級,選擇Caps[9]和Caps[8]。粗調(diào)諧時間由相鄰Caps、Caps[N]和Caps[N-1]之間的最長比較時間限定。相對比地,在相關(guān)技術(shù)中,Caps[6]和Caps[3]在同一級切換,因此粗調(diào)諧時間由Caps[3]的冗余量限定。然而,根據(jù)本發(fā)明的廣泛工作(broadwork),Caps[6]和Caps[5]在同一級上切換,因此,粗調(diào)諧時間由Caps[5]而非Caps[3]的冗余限定。因此,與相關(guān)技術(shù)系統(tǒng)相比,能夠顯著減少粗調(diào)諧時間。
如果為粗調(diào)諧施加相同的比較循環(huán)時間,則粗調(diào)諧的總時間將是10*Tmin。然而,當(dāng)對比較時間進(jìn)行適應(yīng)優(yōu)化時,總粗調(diào)諧時間將減小。例如,表1的粗調(diào)諧時間是 (也就是, )。這樣,以基本上相同的精度下,總粗調(diào)諧減少了超過2倍。因此,通過本發(fā)明實(shí)施例說明的對比較時間使用適應(yīng)縮放能夠進(jìn)行精確的粗調(diào)諧。精確的粗調(diào)諧還允許模擬變?nèi)荻O管的尺寸更小,從而提高相位噪聲性能。
因此,通過采用參考本發(fā)明實(shí)施例說明的技術(shù),能夠減少總鎖定時間或者使之在各種條件下保持一致。粗調(diào)諧處理是數(shù)字的,因此其功能性和操作時間由初始設(shè)計決定。然而,粗調(diào)諧之后的鎖相操作受到PFD初始狀態(tài)、頻率誤差量和環(huán)路特性的變化的影響。精確的粗調(diào)諧減小了粗調(diào)諧之后與目標(biāo)頻率的頻率誤差,從而能夠降低頻率誤差的最大值。因此,能夠減少獲得頻率和相位鎖定所需的時間。這樣,通過精確的粗調(diào)諧能夠在所有初始頻率誤差下調(diào)節(jié)并減少總鎖定時間。
由于采用本發(fā)明實(shí)施例的比較時間,由于精確粗調(diào)諧造成的系統(tǒng)開銷(overhead)被大大減輕。通過粗調(diào)諧時間的調(diào)節(jié)和鎖相操作時間的減少,針對精確粗調(diào)諧和待判斷位數(shù)的增加的系統(tǒng)開銷趨于零。因此,本發(fā)明的實(shí)施例能夠減少LC-VCO中的粗調(diào)諧時間,因而減少PLL的鎖定時間。
前述說明涉及用于LC振蕩器的粗調(diào)諧方法和裝置,以便改善相位噪聲性能和增加LC振蕩器的工作范圍。粗調(diào)諧增加了PLL的有效鎖定時間,并且這一系統(tǒng)開銷隨著粗調(diào)諧期望精度的增高而增大。在本發(fā)明的實(shí)施例中,位比較時間被適應(yīng)地控制以便提供最小的粗調(diào)諧時間。用于粗調(diào)諧的加權(quán)電容器陣列中的冗余允許在不犧牲粗調(diào)諧精度的前提下減少比較時間。位比較時間根據(jù)冗余量而縮放。因?yàn)榧訖?quán)電容器的冗余被用于補(bǔ)償電容的失配,所以使用這一特性減少粗調(diào)諧時間不會是額外的負(fù)擔(dān)。而且,如果使用對粗調(diào)諧時間相同的時間限制,那么本發(fā)明的實(shí)施例能夠增加粗調(diào)諧的精度。因?yàn)榫_的粗調(diào)諧能夠減少操作時間和鎖相操作的時間偏差,所以本發(fā)明的實(shí)施例能夠減少PLL的鎖定時間。
前述的實(shí)施例和優(yōu)點(diǎn)僅僅是例證性的,不可認(rèn)為對本發(fā)明具有限制性。此處的教導(dǎo)能夠容易地應(yīng)用于其它類型的裝置。本發(fā)明的說明書意在例證,并不對權(quán)利要求的范圍構(gòu)成限制。本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠顯然地進(jìn)行許多替換、修改和改變。在權(quán)利要求書中,裝置加功能(means+function)式的條款試圖覆蓋本文所述的執(zhí)行所述功能的結(jié)構(gòu),不僅包括結(jié)構(gòu)等同物,而且包括等同結(jié)構(gòu)。
權(quán)利要求
1.一種裝置,包括電感器-電容器壓控振蕩器(LC-VCO),該LC-VCO包括電容器陣列,其具有多個電容器,其中多個電容器設(shè)置成具有非線性加權(quán)功能;和粗調(diào)諧控制器,其被配置成根據(jù)每個電容器的加權(quán)功能而為每個電容器提供適應(yīng)比較時間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的裝置,其中多個電容器的加權(quán)功能具有被線性加權(quán)的第一部分和被二進(jìn)制加權(quán)的第二部分。
3.一種調(diào)諧電路的方法,包括從分立電容器陣列中的多個電容器中選擇電容器,其中多個電容器具有非線性加權(quán)功能;基于所選電容器的加權(quán),適應(yīng)用來比較電路的頻率輸出與基準(zhǔn)值的該電路的比較時間。
4.根據(jù)權(quán)利要求4的方法,其中比較時間與所選電容器的加權(quán)的冗余量成反比。
全文摘要
本發(fā)明公開了用于LC振蕩器的調(diào)諧方法和裝置。本發(fā)明的實(shí)施例包括適應(yīng)地控制位比較時間,以便提供最小的粗調(diào)諧時間。該位比較時間與LC振蕩器的電容器陣列中相應(yīng)加權(quán)電容器的冗余量成反比。
文檔編號H03L7/197GK1922784SQ200580005309
公開日2007年2月28日 申請日期2005年1月13日 優(yōu)先權(quán)日2004年2月20日
發(fā)明者李康潤, 具利度, 李正雨, 樸畯培, 李慶浩 申請人:Gct半導(dǎo)體公司