專利名稱：溫度補(bǔ)償?shù)膲嚎卣袷幤鞯闹谱鞣椒?br> 技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明大體而言涉及電路，且更具體而言涉及一種帶溫度補(bǔ)償?shù)膲嚎卣袷幤?VCO)。
背景技術(shù)：
VCO為許多電子電路中不可分割的一部分，且在通信電路中尤其重要。例如，VCO通常用于產(chǎn)生本地振蕩器(LO)信號(hào)，供發(fā)射機(jī)和接收機(jī)子系統(tǒng)分別用于進(jìn)行上變頻及下變頻。VCO也可用于產(chǎn)生用于同步電路(例如，正反器)的時(shí)鐘信號(hào)。無(wú)線通信系統(tǒng)中的無(wú)線裝置(例如，蜂窩電話)可使用多個(gè)VCO來(lái)產(chǎn)生用于發(fā)射機(jī)和接收機(jī)電路的LO信號(hào)及用于數(shù)字電路的時(shí)鐘信號(hào)。
VCO通常采用一個(gè)或多個(gè)可變電容器以便能夠調(diào)節(jié)所述VCO的振蕩頻率。VCO的調(diào)諧范圍是指通過(guò)改變所述可變電容器所獲得的振蕩頻率范圍。此調(diào)諧范圍用于(1)確保所述VCO能夠以需要頻率或頻率范圍工作；及(2)補(bǔ)償因組件容差、集成電路(IC)工藝變化等等所導(dǎo)致的振蕩頻率變化。
VCO的電路組件通常會(huì)隨溫度而變化。因此，VCO的振蕩頻率通常會(huì)隨溫度變化而發(fā)生漂移。對(duì)于許多應(yīng)用(例如，無(wú)線通信)而言，與溫度相關(guān)的頻率漂移是人們所關(guān)注的問(wèn)題且通過(guò)將VCO設(shè)計(jì)成具有覆蓋此頻率漂移的額外調(diào)諧范圍來(lái)慮及此問(wèn)題。所述額外調(diào)諧范圍可能會(huì)降低VCO的相位噪聲性能。相位噪聲是指一振蕩器信號(hào)的短期隨機(jī)頻率波動(dòng)且是一用于描述此振蕩器信號(hào)品質(zhì)的參數(shù)。如果可使此種與溫度相關(guān)的頻率漂移降低或最小化，則有可能提高VCO的總體性能。
因此，業(yè)內(nèi)需要一種具有溫度補(bǔ)償?shù)腣CO。

發(fā)明內(nèi)容
使用反偏壓二極管獲得帶溫度補(bǔ)償?shù)腣CO。VCO的振蕩頻率通常會(huì)隨溫度的升高而降低。發(fā)生此種現(xiàn)象的主要原因是決定此振蕩頻率的電容器及電感器的值隨溫度增大。反偏壓二極管(即被施以一反偏壓的二極管)具有一隨反偏壓的大小而變化的電容。反偏壓二極管的此一特征可用來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)VCO的溫度補(bǔ)償。
一實(shí)施例提供一種包括一VCO及至少一個(gè)反偏壓二極管的集成電路。所述VCO提供一具有一頻率的振蕩器信號(hào)。在一實(shí)例性設(shè)計(jì)中，所述VCO包括一可提供所需信號(hào)增益的放大器、一可提供所需相移的諧振器振諧電路及至少一個(gè)用于對(duì)所述振蕩器信號(hào)的頻率實(shí)施調(diào)諧的頻率調(diào)諧電路。每一頻率調(diào)諧電路包括至少一個(gè)調(diào)諧電容器及至少一個(gè)金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)傳送晶體管，所述MOS傳送晶體管用于連接這一(這些)調(diào)諧電容器與所述諧振器振諧電路或斷開(kāi)這一(這些)調(diào)諧電容器與所述諧振器振諧電路的連接。
所述至少一個(gè)反偏壓二極管的電容可由一反偏壓控制，以補(bǔ)償振蕩頻率隨溫度的漂移。每一反偏壓二極管可為一寄生二極管，其形成于一MOS晶體管(例如，頻率調(diào)諧電路中的MOS傳送晶體管)的漏極或源極結(jié)處。一偏壓產(chǎn)生器為所述至少一個(gè)反偏壓二極管產(chǎn)生適宜的反偏壓。


結(jié)合以下附圖閱讀上文所作詳細(xì)說(shuō)明可更易于了解本發(fā)明的特征及性質(zhì)，其中各圖中相同的參考符號(hào)表示相同的含義，且其中圖1A及1B顯示兩種VCO設(shè)計(jì)；圖2顯示一用于圖1A中VCO的CMOS設(shè)計(jì)；圖3及圖5顯示VCO的兩種粗調(diào)諧電路；圖4A及4B顯示一頻率調(diào)諧電路及其等效電路；圖6A及6B顯示另一頻率調(diào)諧電路及其等效電路；圖7顯示一二極管的電容與反偏壓的關(guān)系曲線圖；圖8及圖10顯示兩種偏壓產(chǎn)生器；圖9顯示圖8中偏壓產(chǎn)生器的偏壓與溫度的關(guān)系曲線圖；圖11顯示一種使用反偏壓二極管對(duì)一VCO進(jìn)行溫度補(bǔ)償?shù)姆椒?；圖12顯示一種無(wú)線裝置；及圖13顯示此無(wú)線裝置內(nèi)的一數(shù)字信號(hào)處理器(DSP)。
具體實(shí)施例方式
可通過(guò)業(yè)內(nèi)已知的各種設(shè)計(jì)來(lái)構(gòu)建一VCO。某些VCO設(shè)計(jì)更適合于射頻(RF)、制作于IC上或適合于提供更佳的相位噪聲性能。也可根據(jù)將使用VCO的應(yīng)用的要求來(lái)將此VCO設(shè)計(jì)成以一特定頻率或一頻率范圍工作。
圖1A顯示一第一設(shè)計(jì)中一VCO100的示意圖。VCO100包括一放大器110及一諧振器振諧電路120，此諧振器振諧電路120由一電感器130及一可變電容器140構(gòu)成。放大器110提供為實(shí)現(xiàn)振蕩所需的信號(hào)增益。放大器110及諧振器振諧電路120共同提供為實(shí)現(xiàn)振蕩所需的360°相移。VCO100提供一具有一基頻fosc的振蕩器信號(hào)(Osc)。此振蕩頻率fosc主要取決于電感器130的電感(L)及可變電容器140的電容(C)，且可表達(dá)為下式
fosc=12πLC,]]>方程式(1)圖1B顯示一第二設(shè)計(jì)中一VCO150的示意圖。VCO150包括一放大器160及一諧振器振諧電路170，此諧振器振諧電路170由一電感器180及可變電容器190和192構(gòu)成。放大器160提供為實(shí)現(xiàn)振蕩所需的信號(hào)增益。放大器160及諧振器振諧電路170共同提供為實(shí)現(xiàn)振蕩所需的相移。振蕩頻率fosc主要取決于電感器180的值及可變電容器190和192的值，如方程式(1)中所示。
圖1A及1B顯示兩種實(shí)例性VCO設(shè)計(jì)。其他設(shè)計(jì)也可用于VCO。為簡(jiǎn)明起見(jiàn)，圖1A及1B僅顯示VCO100及150的基本電路組件。一VCO通常包括其他支持電路以提供偏壓、頻率控制等等。圖1A及1B中未顯示此種支持電路。
VCO100及150可按各種形式構(gòu)建且可使用諸如互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)、雙極結(jié)晶體管(BJT)、雙極CMOS(BiCMOS)、硅鍺(SiGe)、硅砷(GaAs)等各種IC工藝技術(shù)來(lái)制造。
圖2顯示一VCO100a的示意圖，VCO100a是圖1A中所示VCO100的一實(shí)例性CMOS設(shè)計(jì)。VCO100a包括一放大器110a及一諧振器振諧電路120a-其分別為圖1A中所示放大器11O及諧振器振諧電路120的一實(shí)施例。VCO100a可制作于一CMOSIC上。
放大器110a由N-溝道MOS(N-MOS)晶體管210a和210b及P-溝道MOS(P-MOS)晶體管212a和212b構(gòu)成。晶體管210a及212a形成一第一反相器，晶體管210b及212b形成一第二反相器。晶體管210a的源極耦接至電路接地，其漏極耦接至晶體管212a的漏極，且其柵極耦接至一節(jié)點(diǎn)V+out。晶體管212a的源極耦接至一電源VDD，其漏極耦接至晶體管210a的漏極，且其柵極耦接至節(jié)點(diǎn)V+out。晶體管210b及212b以與晶體管210a及212a相似的方式耦接。節(jié)點(diǎn)V+out及V-out分別表示所述第一反相器的輸入端及輸出端。節(jié)點(diǎn)V-out及V+out也分別表示所述第二反相器的輸入端及輸出端。所述第一及第二反相器由此以一閉環(huán)配置串聯(lián)耦接。節(jié)點(diǎn)V+out及V-out也可進(jìn)一步表示VCO100a的差動(dòng)輸出。
諧振器振諧電路120a由一電感器230、一可變電容器240及一粗調(diào)諧電路250構(gòu)成，所有這些組件均并聯(lián)耦接于節(jié)點(diǎn)V-out與V+out之間。電感器230及可變電容器240可制作于晶片上或可通過(guò)外部電路組件來(lái)構(gòu)建。可變電容器240可經(jīng)調(diào)節(jié)以獲得VCO100a所需的振蕩頻率。例如，可變電容器240可用于(1)補(bǔ)償因電源、溫度等變化所導(dǎo)致的頻率漂移；及(2)跟蹤所接收RF信號(hào)的輸入頻率?？勺冸娙萜?40可由多個(gè)可變電容器代替(所述可變電容器可串聯(lián)或并聯(lián)耦接)以提供更寬的調(diào)諧范圍。
粗調(diào)諧電路250可用于選擇不同的工作頻率或不同的工作頻帶。例如，一無(wú)線裝置能夠與多個(gè)無(wú)線通信系統(tǒng)進(jìn)行通信。每一系統(tǒng)可與一不同的工作頻率相關(guān)聯(lián)。因此，粗調(diào)諧電路250可用于將VCO的振蕩頻率調(diào)諧至此無(wú)線裝置與之進(jìn)行通信的系統(tǒng)的頻率。作為另一實(shí)例，此無(wú)線裝置可與單個(gè)可在多個(gè)頻帶上傳輸?shù)臒o(wú)線通信系統(tǒng)進(jìn)行通信。因此，可對(duì)粗調(diào)諧電路250加以控制，以使VCO以所期望頻帶工作。
一偏壓產(chǎn)生器260為粗調(diào)諧電路250產(chǎn)生一偏壓Vbias。一控制器270為粗調(diào)諧電路250提供一L位控制信號(hào)S[1..L]及為偏壓產(chǎn)生器260提供一M位控制信號(hào)G[1..M]。一般而言，L≥1且M≥1。下文將闡述偏壓產(chǎn)生器260的某些實(shí)例性設(shè)計(jì)。
圖3顯示一粗調(diào)諧電路250a的示意圖，此粗調(diào)諧電路250a為圖2中所示粗調(diào)諧電路250的一實(shí)施例。粗調(diào)諧電路250a包括L個(gè)頻率調(diào)諧電路310a至310l以用于L條調(diào)諧支路。每一頻率調(diào)諧電路310均由一來(lái)自控制器270的相應(yīng)S[x]控制信號(hào)控制，其中x＝1..L。
每一頻率調(diào)諧電路310包括調(diào)諧電容器312和314及一N-MOS傳送晶體管316，所有這些組件均串聯(lián)耦接于節(jié)點(diǎn)V-out與V+out之間。傳送晶體管316接收S[x]控制信號(hào)，以啟用或禁用此晶體管。傳送晶體管316充當(dāng)一開(kāi)關(guān)，以將調(diào)諧電容器312和314連接至節(jié)點(diǎn)V-out及V+out或斷開(kāi)調(diào)諧電容器312和314與節(jié)點(diǎn)V-out及V+out的連接。當(dāng)S[x]控制信號(hào)啟用傳送晶體管316時(shí)，通過(guò)調(diào)諧電容器312及314的信號(hào)路徑閉合。這些電容器由此連接于節(jié)點(diǎn)V-out與V+out之間并直接影響VCO100a的振蕩頻率。
對(duì)于圖3所示的實(shí)施例而言，所述L個(gè)頻率調(diào)諧電路310a至310l均構(gòu)建有二進(jìn)制解碼(即二進(jìn)制加權(quán))。為實(shí)現(xiàn)二進(jìn)制解碼，用于頻率調(diào)諧電路310a的電容器312a及314a具有電容CT，用于頻率調(diào)諧電路310b的電容器312b及314b具有電容2CT，以此類推，用于頻率調(diào)諧電路310l的電容器312l及314l具有電容2L-1CT。用于最低有效位(LSB)的頻率調(diào)諧電路310a具有最小調(diào)諧電容，而用于最高有效位(MSB)的頻率調(diào)諧電路310l具有最大調(diào)諧電容。
也可對(duì)粗頻率調(diào)諧電路250a使用熱解碼。在此種情況下，所述L個(gè)頻率調(diào)諧電路310a至310l中的每一個(gè)中的調(diào)諧電容器均具有相同的電容CT。
每一調(diào)諧支路的品質(zhì)因數(shù)(Q)可表示如下Q=12πfCbRb,]]>方程式(2)其中Cb為所述支路的總調(diào)諧電容，及Rb為所述支路的串聯(lián)電阻。
為了使所述L條支路中的每一條支路均獲得相同的品質(zhì)因數(shù)，每一支路的傳送晶體管316均具有一由所述支路的調(diào)諧電容器所決定的尺寸。對(duì)于二進(jìn)制解碼而言，第二支路(電路310b)的調(diào)諧電容為第一支路(電路310a)的調(diào)諧電容的兩倍。為了使第二支路獲得相同的Q，將該支路的串聯(lián)電阻相對(duì)于第一支路的串聯(lián)電阻減少二分的一。此種電阻減小可通過(guò)使傳送晶體管316b的寬度相對(duì)于晶體管316a的寬度(W)加倍而達(dá)成。其他支路的晶體管尺寸以同樣方式加以確定，以獲得相同的Q，如圖3所示。
為簡(jiǎn)明起見(jiàn)，圖3僅顯示粗調(diào)諧電路250a的基本電路組件。為簡(jiǎn)明起見(jiàn)，圖3中未顯示用于控制傳送晶體管及用于對(duì)調(diào)諧電容器施加偏壓的其他電路。
圖4A顯示頻率調(diào)諧電路310x的示意圖，頻率調(diào)諧電路310x為圖3所示L個(gè)頻率調(diào)諧電路中的一個(gè)。電路310x包括調(diào)諧電容器312x和314x及傳送晶體管316x，其均如上文所述串聯(lián)耦接于節(jié)點(diǎn)V-out與V+out之間。電路310x進(jìn)一步包括一反相器320x及電阻器322x和324x，以用于為調(diào)諧電容器312x和314x及傳送晶體管316x提供偏壓。電阻器322x和324x的一端耦接至反相器320x的輸出端，且另一端分別耦接至傳送晶體管316x的源極及漏極。反相器320x在其信號(hào)輸入端處接收用于電路310x的S[x]控制信號(hào)且在其電源輸入端處接收偏壓Vbias，并將一偏壓信號(hào)Bx提供至電阻器322x及324x。
頻率調(diào)諧電路310x按下文所述方式工作。當(dāng)S[x]控制信號(hào)為邏輯高時(shí)，Bx偏壓信號(hào)的電壓為零，傳送晶體管316x導(dǎo)通，且調(diào)諧電容器312x及314x連接至節(jié)點(diǎn)V-out及V+out。反之，當(dāng)S[x]控制信號(hào)為邏輯低時(shí)，Bx偏壓信號(hào)處于偏壓Vbias，傳送晶體管316x關(guān)斷，且調(diào)諧電容器312x及314x處于浮動(dòng)狀態(tài)且不連接至節(jié)點(diǎn)V-out及V+out。當(dāng)傳送晶體管316x關(guān)斷時(shí)，傳送晶體管316x的源極結(jié)和漏極結(jié)被施以Vbias伏特的反偏壓。此反偏壓可確保傳送晶體管316x完全關(guān)斷并進(jìn)一步減小晶體管的寄生電容。
在大多數(shù)VCO中，例如在VCO100a中，振蕩頻率會(huì)隨溫度升高而降低。此種現(xiàn)象的主要原因是在決定振蕩頻率中起主要作用的電容器及電感器的值會(huì)隨溫度而增大。電容隨溫度而增加是因在溫度升高時(shí)電子遷移率及潛在電壓變化均增大。由于振蕩頻率與電容及電感成反比，如方程式(1)所示，因而增大電容及/或電感會(huì)使振蕩頻率下降。
對(duì)于一制作于一集成電路上的VCO而言，寄生二極管形成于一被施以反偏壓的MOS晶體管的源極及漏極結(jié)處。例如，在圖4A中，當(dāng)Bx偏壓信號(hào)處于電壓Vbias且S[x]控制信號(hào)為邏輯低時(shí)，N-MOS傳送晶體管316x的源極及漏極結(jié)被施以反偏壓，且寄生二極管332x及334x分別形成于所述被施以反偏壓的源極及漏極結(jié)處。寄生二極管332x及334x的電容也隨溫度而增大。寄生二極管332x及334x的電容可能是總電容隨溫度變化的一主要源(且在某些情況下為一支配源)。
圖4B顯示當(dāng)關(guān)斷傳送晶體管316x時(shí)頻率調(diào)諧電路310x的一等效電路311x的示意圖。對(duì)于等效電路311x而言，傳送晶體管316x被移除，但寄生二極管332x及334x存在且分別通過(guò)電容為Cdiode的寄生電容器412x及414x來(lái)建模。電容器312x及412x串聯(lián)耦接于節(jié)點(diǎn)V-out與電路接地之間。同樣地，電容器314x及414x串聯(lián)耦接于節(jié)點(diǎn)V+out與電路接地之間。由于結(jié)寄生電容通常遠(yuǎn)小于調(diào)諧電容(即，Cdiode＜＜Cx)，因而串聯(lián)耦接的電容器312x及412x的總電容主要取決于所述結(jié)寄生電容決定。
結(jié)寄生電容Cdiode取決于寄生二極管332x及334x的大小，此大小又取決于傳送晶體管316x的大小。如果傳送晶體管316x的漏極及源極面積很大(例如，當(dāng)為了使調(diào)諧支路獲得高品質(zhì)因數(shù)時(shí)即如此)，則寄生二極管332x及334x可相對(duì)較大。因此，結(jié)寄生電容可對(duì)振蕩頻率具有不可忽略的影響，但此影響可如下文所述得到補(bǔ)償。
圖5顯示一粗調(diào)諧電路250b的示意圖，此粗調(diào)諧電路250b為圖2中粗調(diào)諧電路250的另一實(shí)施例。粗調(diào)諧電路250b包括L個(gè)頻率調(diào)諧電路510a至510l，每一頻率調(diào)諧電路均各自由一來(lái)自控制器270的S[x]控制信號(hào)控制。粗調(diào)諧電路250b提供相對(duì)于電路接地的「分路(shunt)」調(diào)諧電容，而粗調(diào)諧電路250a在節(jié)點(diǎn)V-out及V+out之間提供「并聯(lián)(parallel)」調(diào)諧電容。粗調(diào)諧電路250b也可用于圖1B中所示的VCO設(shè)計(jì)。
每一頻率調(diào)諧電路510包括調(diào)諧電容器512和514及N-MOS傳送晶體管516和518。傳送晶體管516和518的源極耦接至電路接地，其柵極彼此耦接在一起，且其漏極分別耦接至調(diào)諧電容器512和514的一端。調(diào)諧電容器512和514的另一端分別耦接至節(jié)點(diǎn)V-out及V+out處。傳送晶體管516和518接收S[x]控制信號(hào)并充當(dāng)開(kāi)關(guān)，以將調(diào)諧電容器512和514連接至節(jié)點(diǎn)V-out及V+out處或斷開(kāi)調(diào)諧電容器512和514與節(jié)點(diǎn)V-out及V+out的連接。
對(duì)于圖5中所示的實(shí)施例而言，所述L個(gè)頻率調(diào)諧電路510a至510l均以二進(jìn)制解碼來(lái)實(shí)施，如上文針對(duì)圖3所述。
圖6A顯示頻率調(diào)諧電路510x的示意圖，此頻率調(diào)諧電路510x為圖5所示L個(gè)頻率調(diào)諧電路510中的一個(gè)。電路510x包括調(diào)諧電容器512x和514x及傳送晶體管516x和518x-其均如上所述進(jìn)行耦接。電路510x進(jìn)一步包括一反相器520x及電阻器522x和524x，其均用于為調(diào)諧電容器512x和514x及傳送晶體管516x和518x提供偏壓，亦如上文所述。當(dāng)這些晶體管關(guān)斷且在所述漏極結(jié)處施加一反偏壓時(shí)，寄生二極管532x和534x形成于傳送晶體管516x和518x的漏極處。
圖6B顯示當(dāng)關(guān)斷傳送晶體管516x和518x時(shí)頻率調(diào)諧電路510x的一等效電路511x的示意圖。對(duì)于等效電路511x而言，傳送晶體管516x和518x被移除，但寄生二極管532x及534x存在且分別通過(guò)電容為Cdiode的寄生電容器612x及614x來(lái)建模。電容器512x及612x串聯(lián)耦接于節(jié)點(diǎn)V-out與電路接地之間。同樣地，電容器514x及614x串聯(lián)耦接于節(jié)點(diǎn)V+out及電路接地之間。等效電路511x與圖4B中的等效電路311x相類似。
反偏壓二極管(例如，圖4A中的寄生二極管332x和334x及圖6A中的寄生二極管532x和534x)的電容會(huì)隨溫度而增大。此會(huì)導(dǎo)致振蕩頻率隨溫度升高而下降。頻率下降量可能會(huì)相對(duì)較大。例如，在一實(shí)例性VCO設(shè)計(jì)中，觀察到寄生二極管332x和334x的電容在一規(guī)定的溫度范圍內(nèi)增加了0.8％(或約11fF)，此導(dǎo)致振蕩頻率自標(biāo)稱頻率2GHz下降了8MHz。對(duì)于某些其中頻率穩(wěn)定性對(duì)于獲得較佳系統(tǒng)性能非常重要的應(yīng)用(例如無(wú)線通信)而言，可能會(huì)認(rèn)為此頻率漂移量較大。
對(duì)VCO(例如VCO100a)的溫度補(bǔ)償可使用反偏壓二極管來(lái)實(shí)現(xiàn)。一般而言，反偏壓二極管可制作于一專用于溫度補(bǔ)償?shù)募呻娐飞匣蚩蔀榧纳O管，例如形成于MOS晶體管的結(jié)處的寄生二極管。當(dāng)反偏壓增加時(shí)，反偏壓二極管的電容會(huì)降低。通過(guò)施加一適宜的反偏壓，可使二極管電容降低一適宜的量以補(bǔ)償因溫度而導(dǎo)致的二極管及可能VCO中其他電路組件的任何電容增大。下文將詳細(xì)闡述使用反偏壓二極管進(jìn)行的溫度補(bǔ)償。
圖7顯示一反偏壓二極管的電容與反偏壓之間的關(guān)系曲線圖。豎軸表示此反偏壓二極管的電容(Cdiode)，橫軸表示此二極管的反偏壓(Vrb)。對(duì)于一既定溫度而言，可根據(jù)電腦仿真、實(shí)驗(yàn)測(cè)量等來(lái)獲得此反偏壓二極管的電容與反偏壓之間的關(guān)系曲線圖。在圖7中，曲線712顯示在一低溫(例如，25℃)下電容與反偏壓之間的關(guān)系，曲線714顯示在一高溫(例如，90℃)下電容與反偏壓之間的關(guān)系。這些曲線表明，當(dāng)對(duì)二極管施加一變大的反偏壓時(shí)，反偏壓二極管的電容會(huì)降低。這些曲線還表明，曲線的形狀在不同溫度下近似相同。然而，高溫曲線714相對(duì)于低溫曲線712上移。
當(dāng)被施以反偏壓Vrb1時(shí)，反偏壓二極管在低溫下具有一電容Cd1。如果對(duì)該反偏壓二極管施加相同的反偏壓Vrb1，則此二極管的電容在高溫下會(huì)增加至Cd2。所述自Cd1至Ca2的電容增加會(huì)導(dǎo)致振蕩頻率下降，如上文所述。可通過(guò)對(duì)該二極管施加一反偏壓Vrb2而在高溫下獲得電容Cd1因此，通過(guò)將反偏壓自Vrb1增加至Vrb2，可在低溫至高溫的范圍內(nèi)使此反偏壓二極管的電容維持近似恒定。在一實(shí)例性設(shè)計(jì)中，可通過(guò)將反偏壓自2.0伏特增加至2.4伏特而使二極管電容降低9fF。
反偏壓二極管也可用于補(bǔ)償VCO中其他電路組件的變化。例如，重新參照?qǐng)D4A及4B，寄生二極管332x可用于補(bǔ)償二極管332x的電容以及調(diào)諧電容器312x的電容的變化，從而使此支路的總電容隨溫度變化而保持近似恒定。粗調(diào)諧電路250a中所有被禁用的支路的寄生二極管也可用于補(bǔ)償電感器230、可變電容器240以及VCO100a中其他電路組件(例如，晶體管210a、210b、212a及212b)的變化。制作于一集成電路上的電感器及電容器通常對(duì)溫度并不敏感且可能幾乎不隨溫度發(fā)生變化(百分比范圍)。制作于一集成電路上的二極管則通常對(duì)溫度更為敏感(與電感器和電容器相比)且其電容通常會(huì)隨溫度發(fā)生更大變化(百分比范圍)。因此，可通過(guò)反偏壓二極管來(lái)補(bǔ)償電感器及電容器的與溫度相關(guān)的變化。
對(duì)于VCO100a而言，粗調(diào)諧電路250可能是頻率隨溫度變化的主要原因。然而，可供用于溫度補(bǔ)償?shù)姆雌珘憾O管的數(shù)量及大小與導(dǎo)致與溫度相關(guān)的頻率變化的二極管的數(shù)量和大小相關(guān)。例如，用于調(diào)諧控制S[L]中最高有效位的頻率調(diào)諧電路310l具有最大的寄生二極管(產(chǎn)生于尺寸最大的傳送晶體管)，并由此導(dǎo)致最大的與溫度相關(guān)的頻率變化。然而，頻率調(diào)諧電路310l也可采用最大的反向結(jié)電容來(lái)進(jìn)行溫度補(bǔ)償。作為另一實(shí)例，當(dāng)禁用更多支路時(shí)，會(huì)有更多的寄生二極管可造成與溫度相關(guān)的頻率變化及進(jìn)行溫度補(bǔ)償。
可將一適宜的偏壓Vbias施加于傳送晶體管的寄生二極管來(lái)對(duì)VCO100a進(jìn)行溫度補(bǔ)償。所述適宜的偏壓取決于(1)寄生二極管的期望電容變化量；及(2)反向結(jié)電容與反偏壓之間的函數(shù)。所期望的電容變化可取決于各種因素，例如VCO設(shè)計(jì)、VCO的電路組件等等。電容與反偏壓之間的函數(shù)也可取決于各種因素，例如MOS晶體管設(shè)計(jì)、IC工藝等等。在任一情況下，均可通過(guò)電腦仿真、實(shí)驗(yàn)測(cè)量等等來(lái)確定反偏壓與溫度之間的總體函數(shù)以實(shí)現(xiàn)對(duì)VCO的溫度補(bǔ)償。
再次參照?qǐng)D4A，當(dāng)關(guān)斷傳送晶體管316x時(shí)，來(lái)自反相器320x的Bx偏壓信號(hào)為寄生二極管332x及334x提供反偏壓。Bx偏壓信號(hào)的電壓取決于提供至反相器320x的電源輸入端的偏壓Vbias。可按各種方式產(chǎn)生偏壓Vbias，下文將對(duì)其中的某些方式加以闡述。
圖8顯示一偏壓產(chǎn)生器260a的示意圖，此偏壓產(chǎn)生器260a是圖2所示偏壓產(chǎn)生器260的一實(shí)施例。產(chǎn)生器260a可為傳送晶體管的寄生二極管產(chǎn)生偏壓Vbias。
偏壓產(chǎn)生器260a包括一電流源810、一P-MOS晶體管812、M+1個(gè)P-MOS晶體管814a至814n、分別用于晶體管814a至814m的M個(gè)開(kāi)關(guān)816a至816m、以及一負(fù)載電阻器818。一般而言，M可為1或任何更大的整數(shù)。晶體管812的源極耦接至電源VDD，且其柵極耦接至其漏極。電流源810的一端耦接至晶體管812的漏極且其另一端耦接至電路接地。晶體管814n的源極耦接至電源，其柵極耦接至晶體管812的柵極且其漏極耦接至偏壓Vbias的一節(jié)點(diǎn)。晶體管814a至814m中每一個(gè)晶體管的源極均耦接至電源，其柵極耦接至晶體管812的柵極且其漏極耦接至相應(yīng)開(kāi)關(guān)816的一端。開(kāi)關(guān)816a至816m的另一端耦接至Vbias節(jié)點(diǎn)。負(fù)載電阻器818耦接于Vbias節(jié)點(diǎn)與電路接地之間。
偏壓產(chǎn)生器260a按下述方式工作。電流源810提供一偏流Ibias。晶體管812及晶體管814a至814n形成一電流鏡。晶體管814a至814n中的每一個(gè)均提供一種類型的偏流Ibias。具體而言，流過(guò)每一晶體管814a至814n的電流均取決于偏流Ibias及晶體管814的大小對(duì)晶體管812的大小之比。晶體管814a至814m可構(gòu)建有二進(jìn)制解碼(即具有增大的晶體管大小)或熱解碼(即具有相同的晶體管大小)。晶體管814n始終導(dǎo)通并將其電流提供給負(fù)載電阻器818。開(kāi)關(guān)816a至816m分別接收用于斷開(kāi)或閉合這些開(kāi)關(guān)的控制信號(hào)G[l]至G[M]。當(dāng)一既定開(kāi)關(guān)816閉合時(shí)，流過(guò)相關(guān)晶體管814的電流被提供至負(fù)載電阻器818。Vbias節(jié)點(diǎn)上的電壓取決于(1)由所有被啟用晶體管814提供至負(fù)載電阻器818的總電流；及(2)電阻器818的電阻。當(dāng)啟用更多開(kāi)關(guān)816時(shí)，會(huì)有更大的電流提供至負(fù)載電阻器818且為偏壓Vbias獲得一更高的電壓。
可通過(guò)一相依于溫度的電流或一相依于溫度的電阻器來(lái)獲得一相依于溫度的偏壓Vbias。例如，負(fù)載電阻器818可為一固定值且偏流Ibias可與絕對(duì)溫度成正比(PTAT)，此意味著電流將隨絕對(duì)溫度(單位°K)線性增加。另一選擇為，偏流Ibias可為一固定值且負(fù)載電阻器818的電阻可與絕對(duì)溫度成正比。
圖9顯示圖8中的偏壓產(chǎn)生器260a的偏壓Vbias與溫度之間的關(guān)系曲線。當(dāng)所有開(kāi)關(guān)816a至816m均關(guān)斷時(shí)，僅晶體管814n向負(fù)載電阻器818提供電流，曲線914n顯示在此種情況下偏壓Vbias與溫度之間的關(guān)系。此時(shí)偏壓Vbias會(huì)隨溫度的增高而線性增加，這是因?yàn)槠鱅bias隨溫度的升高而線性增加。當(dāng)開(kāi)關(guān)816a導(dǎo)通時(shí)，晶體管814a及814n將電流提供至負(fù)載電阻器818，曲線914a即顯示在此種情況下偏壓Vbias與溫度之間的關(guān)系。曲線914a的斜率高于曲線914n，這是因?yàn)楦郊泳w管814a向負(fù)載電阻器818提供了更多的電流。隨著更多開(kāi)關(guān)816的導(dǎo)通以及更多晶體管814將其電流提供至負(fù)載電阻器818，曲線914b至914m具有逐漸增高的斜率。通過(guò)導(dǎo)通各開(kāi)關(guān)816的一適宜組合，可獲得為實(shí)現(xiàn)對(duì)VCO100a的溫度補(bǔ)償?shù)亩枰目傮w函數(shù)。
圖10顯示一偏壓產(chǎn)生器260b的圖式，此偏壓產(chǎn)生器260b為圖2中偏壓產(chǎn)生器260的另一實(shí)施例。偏壓產(chǎn)生器260b包括一查用表(LUT)1012及一數(shù)字-模擬轉(zhuǎn)換器(DAC)1014。查用表1012用于存儲(chǔ)反偏壓與溫度之間的總體函數(shù)。查用表1012接收一溫度指示(例如，其可由PTAT電路提供)并提供一相應(yīng)的控制字。DAC1014接收所述控制字并將其轉(zhuǎn)換成一電壓，所述電壓將作為偏壓Vbias提供。偏壓產(chǎn)生器260b在產(chǎn)生偏壓Vbias方面可提供更大的靈活性。查用表1012可執(zhí)行任何線性或非線性函數(shù)且可易于通過(guò)一新函數(shù)加以修改。
上文闡述了兩種用于為反偏壓/寄生二極管產(chǎn)生偏壓Vbias以實(shí)現(xiàn)對(duì)VCO的溫度補(bǔ)償?shù)膶?shí)例性設(shè)計(jì)。也可按其他方式產(chǎn)生偏壓Vbias，且此仍屬于本發(fā)明的范疇。
圖11顯示一種使用反偏壓二極管對(duì)一VCO進(jìn)行溫度補(bǔ)償?shù)倪^(guò)程1100。根據(jù)(例如)一具有與絕對(duì)溫度成正比的特性的電路組件來(lái)估測(cè)VCO的溫度(方塊1112)。然后根據(jù)反偏壓與溫度之間的函數(shù)來(lái)產(chǎn)生一對(duì)應(yīng)于此所估測(cè)溫度的反偏壓(方塊1114)。將此反偏壓施加于至少一個(gè)反偏壓二極管以補(bǔ)償振蕩頻率隨溫度的漂移(方塊1116)。所述反偏壓能調(diào)節(jié)反偏壓二極管的電容以補(bǔ)償由溫度引起的VCO的電容變化。
使用反偏壓二極管獲得的帶溫度補(bǔ)償?shù)腣CO可用于各種系統(tǒng)及應(yīng)用場(chǎng)合，例如用于通信、聯(lián)網(wǎng)、計(jì)算、用戶電子設(shè)備等等。例如，這些溫度補(bǔ)償型VCO可用于無(wú)線通信系統(tǒng)中，例如用于碼分多址(CDMA)系統(tǒng)、時(shí)分多址(TDMA)系統(tǒng)、全球移動(dòng)通信系統(tǒng)(GSM)系統(tǒng)、高級(jí)移動(dòng)電話系統(tǒng)(AMPS)、全球定位系統(tǒng)(GPS)、多輸入多輸出(MIMO)系統(tǒng)、正交分頻多路復(fù)用(OFDM)系統(tǒng)、正交頻分多址(OFDMA)系統(tǒng)、無(wú)線局域網(wǎng)(WLAN)等等。下文將闡述溫度補(bǔ)償型VCO在無(wú)線通信中的應(yīng)用。
圖12顯示一可用于無(wú)線通信的無(wú)線裝置1200的方塊圖。無(wú)線裝置1200可為一蜂窩電話、一終端機(jī)、一手持電話或某些其他裝置或設(shè)計(jì)。無(wú)線裝置1200能夠通過(guò)一發(fā)射路徑及一接收路徑提供雙向通信。
在發(fā)射路徑上，一數(shù)字信號(hào)處理器(DSP)1210可處理擬發(fā)射資料并將一碼片流提供至一收發(fā)機(jī)單元1220。在收發(fā)機(jī)單元1220內(nèi)，一個(gè)或多個(gè)數(shù)字-模擬轉(zhuǎn)換器(DAC)1222將此碼片流轉(zhuǎn)換成一個(gè)或多個(gè)模擬信號(hào)。這一(這些)模擬信號(hào)經(jīng)由一濾波器1224濾波、經(jīng)由一可變?cè)鲆娣糯笃?VGA)1226放大并由一混合器1228自基頻帶上變頻至RF頻帶以產(chǎn)生一RF信號(hào)。此種上變頻是通過(guò)一來(lái)自VCO1230的上變頻LO信號(hào)進(jìn)行。此RF信號(hào)經(jīng)由一濾波器1232濾波、經(jīng)由一功率放大器(PA)1234放大、經(jīng)由一雙工器(D)1236選路并經(jīng)一天線1240發(fā)射。
在接收路徑上，一經(jīng)調(diào)制的信號(hào)由天線1240接收到、經(jīng)由一雙工器(D)1236選路、經(jīng)一低噪聲放大器(LNA)1244放大、經(jīng)由一濾波器1246濾波并由一混合器1248使用一來(lái)自VCO1250的下變頻LO信號(hào)自RF頻帶下變頻至基頻帶。經(jīng)下變頻的信號(hào)經(jīng)由緩沖器1252緩沖、經(jīng)由濾波器1254濾波并由一個(gè)或多個(gè)數(shù)字-模擬轉(zhuǎn)換器(ADC)1256數(shù)字化以獲得一個(gè)或多個(gè)樣本流。這一(這些)樣本流提供至數(shù)字信號(hào)處理器1210進(jìn)行處理。
圖12顯示一具體的收發(fā)機(jī)設(shè)計(jì)。在一典型的收發(fā)機(jī)中，對(duì)每一路徑的信號(hào)調(diào)節(jié)均可由業(yè)內(nèi)已知的一級(jí)或多級(jí)放大器、濾波器、混合器等來(lái)實(shí)施。圖12僅顯示某些可用于信號(hào)調(diào)節(jié)的電路塊。
對(duì)于圖12所示的實(shí)施例而言，收發(fā)機(jī)單元1220包括兩個(gè)分別用于發(fā)射路徑及接收路徑的VCO1230及1250?？刹捎酶鞣NVCO設(shè)計(jì)來(lái)構(gòu)建VCO1230及1250，例如圖2中所示的設(shè)計(jì)。每一VCO也可設(shè)計(jì)成以一特定頻率或一頻率范圍工作。例如，可將VCO1230及1250設(shè)計(jì)成以一個(gè)或多個(gè)下述頻帶的整倍數(shù)(例如2倍)來(lái)工作·個(gè)人通信系統(tǒng)(PCS)頻帶，自1850至1990MHz；·蜂窩頻帶，自824至894MHz·數(shù)字蜂窩系統(tǒng)(DCS)頻帶，自1710至1880MHz；·GSM900頻帶，自890至960MHz；·國(guó)際移動(dòng)電信-2000(IMT-2000)頻帶，自1920至2170MHz；及·全球定位系統(tǒng)(GPS)頻帶，自1574.4至1576.4MHz。
VCO1230及1250可設(shè)計(jì)成通過(guò)在粗調(diào)諧電路中提供足夠的調(diào)諧電容器而以多個(gè)頻帶工作。一鎖相環(huán)(PLL)1260自數(shù)字信號(hào)處理器1210接收控制信息并為VCO1230及1250提供控制，以分別產(chǎn)生適當(dāng)?shù)纳献冾l及下變頻LO信號(hào)。
圖13顯示DSP1210的一實(shí)施例的方塊圖。DSP1210包括各種處理單元，例如(舉例而言)一乘法-加法(MACC)單元1322、一算術(shù)邏輯單元(ALU)1324、一內(nèi)部控制器1326、一處理器1328、一存儲(chǔ)器單元1330以及一總線控制單元1332，所有這些均經(jīng)由一總線1336耦接在一起。DSP1210可進(jìn)一步包括一VCO/PLL1334，其具有一可通過(guò)圖2中所示VCO100a來(lái)構(gòu)建的VCO。此VCO產(chǎn)生一振蕩信號(hào)，以用于為DSP1210中的處理單元及可能DSP1210外部的處理單元(例如一主控制器1340及一主存儲(chǔ)器單元1342)產(chǎn)生時(shí)鐘信號(hào)。DSP1210可(1)對(duì)發(fā)射路徑實(shí)施編碼、交錯(cuò)、調(diào)制、碼通道化、頻譜擴(kuò)展等等；及(2)對(duì)接收路徑實(shí)施解擴(kuò)頻、碼通道化、解調(diào)、解交錯(cuò)、解碼等等。DSP1210所執(zhí)行的處理取決于通信系統(tǒng)。
無(wú)線裝置1200可視為包括一數(shù)字部分及一模擬部分。所述數(shù)字部分(例如，DSP1210且可能為DAC1222及ADC1256)可構(gòu)建于一個(gè)或多個(gè)數(shù)字集成電路上。所述模擬部分(例如，收發(fā)機(jī)單元1220的剩余部分)可構(gòu)建于一個(gè)或多個(gè)RF集成電路(RFIC)上及/或具有其他離散組件。
本文所述溫度補(bǔ)償型VCO可用于各種類型的IC，例如RFIC及數(shù)字IC。這些VCO也可用于DSP、應(yīng)用專用集成電路(ASIC)、處理器、控制器等等。本文所述溫度補(bǔ)償技術(shù)可用于各種類型的振蕩器，例如VCO、流控振蕩器(ICO)、壓控晶體振蕩器(VCXO)等等。本文所述溫度補(bǔ)償技術(shù)也可用于其他類型的電路，例如可調(diào)諧濾波器等等。
提供上文對(duì)所揭示實(shí)施例的說(shuō)明旨在使所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠制作或利用本發(fā)明。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將易知對(duì)這些實(shí)施例的各種修改形式，且本文所述的一般原則也可適用于其他實(shí)施例，此并不背離本發(fā)明的精神或范疇。因此，本發(fā)明并非意欲僅限于本文所示實(shí)施例，而是將被賦予與本文所揭示原則及新穎特征相一致的最寬廣范疇。
權(quán)利要求
1.一種集成電路，其包括一壓控振蕩器(VCO)，其用于提供一具有一頻率的振蕩器信號(hào)；及至少一個(gè)反偏壓二極管，其具有一電容，所述電容由一反偏壓控制以補(bǔ)償所述振蕩器信號(hào)的所述頻率因溫度所致的漂移。
2.如權(quán)利要求1所述的集成電路，其中所述至少一個(gè)反偏壓二極管中的每一個(gè)均由所述集成電路內(nèi)的一寄生二極管形成。
3.如權(quán)利要求2所述的集成電路，其中所述寄生二極管形成于一金屬-氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管的一漏極結(jié)或一源極結(jié)處。
4.如權(quán)利要求1所述的集成電路，其中所述VCO包括一放大器，其用于為所述VCO提供信號(hào)增益，一諧振器振諧電路，其用于為所述VCO提供相移，及至少一個(gè)頻率調(diào)諧電路，其用于對(duì)所述振蕩器信號(hào)的所述頻率進(jìn)行調(diào)諧，每一頻率調(diào)諧電路均包括至少一個(gè)調(diào)諧電容器及至少一個(gè)金屬-氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管，所述金屬-氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管用于連接所述至少一個(gè)調(diào)諧電容器與所述諧振器振諧電路或斷開(kāi)所述至少一個(gè)調(diào)諧電容器與所述諧振器振諧電路的連接。
5.如權(quán)利要求4所述的集成電路，其中所述VCO包括復(fù)數(shù)個(gè)頻率調(diào)諧電路，所述復(fù)數(shù)個(gè)頻率調(diào)諧電路具有逐漸增大的調(diào)諧電容器。
6.如權(quán)利要求5所述的集成電路，其中對(duì)于所述復(fù)數(shù)個(gè)頻率調(diào)諧電路中的每一個(gè)而言，用于所述頻率調(diào)諧電路的所述至少一個(gè)MOS晶體管的大小與用于所述頻率調(diào)諧電路的所述至少一個(gè)調(diào)諧電容器的電容成正比。
7.如權(quán)利要求4所述的集成電路，其中所述至少一個(gè)反偏壓二極管由所述至少一個(gè)MOS晶體管處的寄生二極管形成。
8.如權(quán)利要求1所述的集成電路，其進(jìn)一步包括一偏壓產(chǎn)生器，其用于為所述至少一個(gè)反偏壓二極管提供所述反偏壓。
9.如權(quán)利要求8所述的集成電路，其中所述偏壓產(chǎn)生器包括一電路組件，其具有一與絕對(duì)溫度成正比(PTAT)的特性，且其中根據(jù)所述電路組件的所述PTAT特性產(chǎn)生所述反偏壓。
10.如權(quán)利要求9所述的集成電路，其中所述電路組件為一電流源，所述電流源提供一與絕對(duì)溫度成正比的偏流。
11.如權(quán)利要求9所述的集成電路，其中所述電路組件為一電阻器，所述電阻器具有一與絕對(duì)溫度成正比的電阻。
12.如權(quán)利要求8所述的集成電路，其中所述偏壓產(chǎn)生器包括一電流源，其用于提供一偏流；一電流鏡，其用于提供所述偏流的至少一種形式；及一負(fù)載電阻器，其用于接收所述偏流的所述至少一種形式并提供所述反偏壓。
13.如權(quán)利要求12所述的集成電路，其中所述偏流的所述至少一種形式可選自所述偏流的復(fù)數(shù)種可能的形式，且其中通過(guò)選擇偏流形式的不同組合來(lái)獲得反偏壓對(duì)溫度的不同函數(shù)。
14.如權(quán)利要求8所述的集成電路，其中所述偏壓產(chǎn)生器包括一查用表，其用于存儲(chǔ)一反偏壓對(duì)溫度的函數(shù)，及一數(shù)字-模擬轉(zhuǎn)換器，其用于自所述查用表接收一依賴于溫度的值并提供所述反偏壓。
15.如權(quán)利要求1所述的集成電路，其中所述振蕩器信號(hào)為一適用于在一無(wú)線通信系統(tǒng)中進(jìn)行上變頻或下變頻的本地振蕩器(LO)信號(hào)。
16.如權(quán)利要求15所述的集成電路，其中所述無(wú)線通信系統(tǒng)為一碼分多址(CDMA)系統(tǒng)。
17.如權(quán)利要求15所述的集成電路，其中所述無(wú)線通信系統(tǒng)為一全球移動(dòng)通信系統(tǒng)(GSM)系統(tǒng)。
18.一種無(wú)線裝置，其包括一壓控振蕩器(VCO)，其用于提供一具有一頻率的振蕩器信號(hào)；及至少一個(gè)反偏壓二極管，其具有一電容，所述電容由一反偏壓控制以補(bǔ)償所述振蕩器信號(hào)的所述頻率因溫度所致的漂移。
19.如權(quán)利要求18所述的無(wú)線裝置，其中所述至少一個(gè)反偏壓二極管中的每一個(gè)均由一金屬-氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管的一漏極結(jié)或一源極結(jié)處的一寄生二極管形成。
20.如權(quán)利要求18所述的無(wú)線裝置，其進(jìn)一步包括一偏壓產(chǎn)生器，其用于為所述至少一個(gè)反偏壓二極管提供所述反偏壓，所述偏壓產(chǎn)生器包括一具有一與絕對(duì)溫度成正比(PTAT)的特性的電路組件，且根據(jù)所述電路組件的所述PTAT特性產(chǎn)生所述反偏壓。
21.一種設(shè)備，其包括一壓控振蕩器(VCO)，其用于提供一具有一頻率的振蕩器信號(hào)；及至少一個(gè)反偏壓二極管，其具有一電容，所述電容由一反偏壓控制以補(bǔ)償所述振蕩器信號(hào)的所述頻率因溫度所致的漂移。
22.如權(quán)利要求21所述的設(shè)備，其中所述至少一個(gè)反偏壓二極管中的每一個(gè)均由一金屬-氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管的一漏極結(jié)或一源極結(jié)處的一寄生二極管形成。
23.一種對(duì)一壓控振蕩器(VCO)進(jìn)行溫度補(bǔ)償?shù)姆椒?，其包括估測(cè)所述VCO的溫度；針對(duì)所述估測(cè)溫度產(chǎn)生一反偏壓；及將所述反偏壓施加至至少一個(gè)反偏壓二極管以補(bǔ)償所述VCO因溫度所致的振蕩頻率的漂移。
24.如權(quán)利要求23所述的方法，其中所述至少一個(gè)反偏壓二極管的電容由所述反偏壓來(lái)調(diào)節(jié)以補(bǔ)償所述VCO的電容因溫度所致的變化。
25.如權(quán)利要求23所述的方法，其中通過(guò)一電路組件來(lái)估測(cè)所述VCO的所述溫度，所述電路組件具有一與絕對(duì)溫度成正比的特性。
26.如權(quán)利要求23所述的方法，其中根據(jù)反偏壓對(duì)溫度的一可選函數(shù)來(lái)產(chǎn)生所述反偏壓。
全文摘要
使用反偏壓二極管來(lái)獲得一種具有溫度補(bǔ)償?shù)腣CO。所述VCO包括一可提供所需信號(hào)增益的放大器、一可提供所需相移的諧振器振諧電路、及至少一個(gè)用于對(duì)振蕩器信號(hào)頻率進(jìn)行調(diào)諧的頻率調(diào)諧電路。每一頻率調(diào)諧電路包括至少一個(gè)調(diào)諧電容器及至少一個(gè)MOS傳送晶體管，所述MOS傳送晶體管用于將所述調(diào)諧電容器連接至所述諧振器振諧電路或斷開(kāi)所述調(diào)諧電容器與所述諧振器振諧電路的連接。每一反偏壓二極管可為一寄生二極管，其形成于一MOS晶體管的一漏極或源極結(jié)處。所述反偏壓二極管的電容可由一反偏壓來(lái)控制以補(bǔ)償所述VCO振蕩頻率隨溫度的漂移。
文檔編號(hào)H03B5/12GK1938938SQ200580009950
公開(kāi)日2007年3月28日 申請(qǐng)日期2005年2月4日 優(yōu)先權(quán)日2004年2月5日
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