專利名稱：具有最小化相位噪聲用的可調(diào)諧濾波器的振蕩電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及具有在第一諧振頻率處諧振的諧振裝置的振蕩電路裝 置，并包括壓控振蕩器裝置。本發(fā)明也涉及一種將振蕩電路裝置的相 位噪聲最小化的方法，該振蕩電路裝置包含在第一諧振頻率處諧振的 諧振裝置，并包括壓控振蕩器裝置。
背景技術(shù)：
包括一個(gè)或多個(gè)壓控振蕩器(在下面表示為vco)的許多不同振蕩 電路裝置已為人所熟知。保持相位噪聲盡可能低是至關(guān)重要的。常用
的VCO拓樸包括共源極/共發(fā)射極交叉耦合差分對(duì)(cross-coupled differential pair),它吸引人的原因是其較低的相位噪聲、穩(wěn)固的操作 及它可制作得非常小。在示出技術(shù)發(fā)展水平的圖1A中，以示意圖方 式示出在標(biāo)準(zhǔn)配置中的交叉耦合差分對(duì)VCO。電流源Ih設(shè)置電流偏 置。電流源可以基于晶體管，但它也可只包括電阻器。電流源周圍可 提供有各種濾波器以便抑制噪聲。此類配置主要有三個(gè)缺陷。第一， 電流源生成轉(zhuǎn)換為振蕩器相位噪聲的噪聲。第二，電流源需要有一定 的DC壓降以便正常工作。這又意味著保留用于VCO核心部分的電 壓將更少，從而使得所述相位噪聲將不會(huì)降到最低。第三，RF頻率 處的電流源的有限阻抗使諧振器負(fù)載增加，這也使得相位噪聲將不必 要地變高。除此之外，有限的阻抗有可能增大電流消耗。
圖1B是大致等于圖1A配置的備選已知配置，但不同之處在于電 流源已去除，即它只是圖1AVCO的接地源極節(jié)點(diǎn)(sourcenode)形式。 通過(guò)去除電流源，當(dāng)然可以消除電流源產(chǎn)生的噪聲，并且它不需要額 外的電壓。但是，與圖1A實(shí)施例相比，諧振器的負(fù)栽將增加相當(dāng)大。此外，此類配置將不能抑制共才莫信號(hào)和擾動(dòng)，并且因此它將對(duì)噪聲很 敏感。另外，電流消耗會(huì)增大。
圖1C顯示還有的另一個(gè)已知配置，它類似于圖1A的配置，但圖 中電流源已替代為電感器，電感器與源極節(jié)點(diǎn)中的寄生電容一起在工 作頻率兩倍的頻率處諧振，并因此將充當(dāng)電流源。電感器Lo選擇為使
得它將在VCO工作頻率兩倍的頻率2xcooo處與晶體管源極節(jié)點(diǎn)中的總 寄生電容一起諧振。在理論上，在2xcoo將具有無(wú)限阻抗，這意味著諧
振器的負(fù)載降到最低，并且它不消耗額外的電壓，并只生成小量的噪
聲。它也可具有噪聲濾波效果，并減少諧振器腔的負(fù)載。例如，在"RF CMOS VCO中的尾電流噪聲抑制"("Tail current noise suppression in KF CMOS VCOs" by P. Andreani and H., IEEE Journal of Solid國(guó)State Circuits, Vol.37, No. 3， March 2002)和"降低LC振蕩器相位噪聲的 濾波技術(shù)，，("A filtering technique to lower LC oscillator phase noise" ， by Hegazi, E; Sjoland, H; Abidi, A.A.; IEEE Journal of Solid-State Circuits, Vol. 36， No. 12， Dec. 2001 )中示出了類似的結(jié)構(gòu)。但是，此類配置 將仍有缺陷，首先，電流偏置對(duì)柵/基極偏壓(bias)變化十分敏感，并 因此對(duì)溫度和工藝變化十分敏感，這類似于圖IB的配置。此外，它 只在極窄的頻帶提供優(yōu)化性能，并且在頻率調(diào)諧方面表現(xiàn)很差，并且 也對(duì)工藝變化十分敏感。此問(wèn)題可能很嚴(yán)重，特別是在低偏移頻率時(shí)。 這種情況對(duì)于單端配置也類似，如也在上面所述的Hegazi等人的 文獻(xiàn)中所示的考畢之晶體管(Colpitts transistor)。

發(fā)明內(nèi)容
因此，需要如最初所述具有低相位噪聲的振蕩電路裝置。尤其需 要一種振蕩電路裝置，其中，施加的電流偏置使諧振器負(fù)載盡可能地 少。具體而言，需要一種也具有良好切換性能，即高切換速率的振蕩 電路裝置。此外，需要一種穩(wěn)固且具有低電流消耗的裝置。具體而言， 需要一種在寬頻帶中具有良好性能，并且對(duì)工藝變化不敏感，具有穩(wěn)定電流偏置，即對(duì)柵/基極偏壓等不敏感的裝置。具體而言，需要一種 能夠在寬頻帶中在低偏移頻率處也具有高性能，又可制作成小尺寸器 件的裝置。還需要一種便宜且易于制造，且具有極低相位噪聲的裝置。
也需要如最初所述將振蕩電路裝置相位噪聲降到最低的方法，通 過(guò)該方法可實(shí)現(xiàn)一個(gè)或多個(gè)上述目的。
因此，提供了如最初所述的振蕩電路裝置，該裝置包括連接到壓 控振蕩器(VCO)裝置的可調(diào)諧濾波器裝置。所述濾波器裝置在第二諧
振頻率fflf諧振，其中第二諧振頻率是所述第一諧振頻率的n倍，n=l 或2， n等于形成振蕩電路裝置的VCO使VCO在所述第一(工作)頻率 處振蕩所需的功能開(kāi)關(guān)晶體管的最小數(shù)量。濾波器裝置可調(diào)諧，使得 諧振裝置的相位噪聲降到最低。所述濾波器裝置具體而言包括等效電 流源，該電流源包括與電容器并聯(lián)的電感器，所述電容器適于進(jìn)行調(diào) 諧，使得諧振裝置的相位噪聲降到最低。
具體而言，可調(diào)諧濾波器裝置分別相應(yīng)地連接到FET或雙極晶體 管的源極節(jié)點(diǎn)或發(fā)射極節(jié)點(diǎn)。具體而言，可調(diào)諧電容器適用于進(jìn)行調(diào) 諧，以最大化在壓控振蕩器的源極/發(fā)射極節(jié)點(diǎn)或交叉耦合差分對(duì)壓控 振蕩器的共源極/發(fā)射極節(jié)點(diǎn)的電壓幅度。具體而言，濾波器裝置適用
于最大化所述第二諧振頻率COf處的阻抗。
在特定實(shí)現(xiàn)中，電路裝置包括或連接到控制部件，該控制部件適 用于確定(establish)要施加到可調(diào)諧濾波器，具體而言施加到濾波器裝 置的可調(diào)諧電容器的最佳調(diào)諧電壓(或電流)。
具體而言，控制部件包括適用于最大化第二諧振頻率幅度的控制
電路。在一個(gè)實(shí)施例中，控制部件包括用于感測(cè)第二諧振頻率處諧振 的信號(hào)第二諧振頻率信號(hào)幅度的幅度檢測(cè)器，和用于檢測(cè)幅度是否變
化(減小或增大)的第二幅度變化檢測(cè)控制部件。在一個(gè)實(shí)施例中，所 述幅度變化檢測(cè)和控制部件包括用于獲取(take)所述第二諧振頻率信 號(hào)幅度導(dǎo)數(shù)的微分器。所述第二幅度變化檢測(cè)控制部件可包括用于控 制開(kāi)關(guān)的開(kāi)關(guān)控制部件，由此所述開(kāi)關(guān)控制部件可適用于控制開(kāi)關(guān)，在第一位置處充當(dāng)包括電壓(或電流)增大電路的電壓(或電流)調(diào)節(jié)電 路，并且在另一位置充當(dāng)電壓(或電流)減小電路。具體而言，所述電
壓增大電路包括用于將電壓斜坡式遞增(ramp)到預(yù)設(shè)最大電壓的電壓 增壓(pumpup)電路，而所述電壓減小電路包括用于將電壓斜坡式遞減 到預(yù)i殳最小電壓的電壓減壓(pump down)電^各。
在一個(gè)有利實(shí)現(xiàn)中，開(kāi)關(guān)控制部件適用于選擇電壓(或電流)增大 電路和電壓(或電流)減小電路中哪個(gè)要連接到源極/發(fā)射極節(jié)點(diǎn)。在特 定實(shí)現(xiàn)中，控制部件包括用于控制適用于調(diào)諧源極/發(fā)射極節(jié)點(diǎn)變?nèi)荻?極管的調(diào)諧電壓的調(diào)諧電壓控制部件。具體而言，第二幅度變化檢測(cè) 控制部件包括用于獲取輸出AC信號(hào)幅度的導(dǎo)數(shù)的微分器。具體而言， 開(kāi)關(guān)激勵(lì)器適用于在輸入信號(hào)，即導(dǎo)數(shù)為負(fù)數(shù)時(shí)激活開(kāi)關(guān)，而在激活 狀態(tài)中，開(kāi)關(guān)適用于激活電壓增大/減小部件，或反之亦然。
在本發(fā)明的特定實(shí)施例，振蕩電路裝置包括交叉耦合差分對(duì) VCO,并且此處對(duì)于其兩個(gè)開(kāi)關(guān)晶體管，源極節(jié)點(diǎn)是共同的。因此， 第二諧振頻率，即濾波器裝置的諧振頻率，或更具體而言等效電流源 的諧振頻率為2x(00,，因此n等于2。在此類實(shí)施例中，濾波器裝置設(shè) 置在共源極節(jié)點(diǎn)。在特定實(shí)現(xiàn)中，對(duì)于包括n-MOS - p-MOS晶體管對(duì) 的差分結(jié)構(gòu)而言，濾波器裝置設(shè)置在n-MOS晶體管的源極節(jié)點(diǎn)。
尤其是VCO包括n-MOS互補(bǔ)VCO，并且可調(diào)諧濾波器裝置可設(shè) 置在n-MOS晶體管的源極節(jié)點(diǎn)、在p-MOS晶體管的源極節(jié)點(diǎn)，或者 可調(diào)諧濾波器裝置可同時(shí)設(shè)置在p-MOS晶體管和n-MOS晶體管的源 極節(jié)點(diǎn)，但這不會(huì)進(jìn)一步提高性能。
在本發(fā)明的備選實(shí)現(xiàn)中，振蕩電路裝置包括單端VCO，例如包括 考畢之振蕩器。在該情況下，濾波器裝置的笫二諧振頻率，例如等效 電流源的諧振頻率為n因此等于1。振蕩電路或晶體管裝置可使 用CMOS技術(shù)、FET、 HEMT實(shí)現(xiàn)，但它也可包括雙才及晶體管。本發(fā) 明構(gòu)思對(duì)于CMOS實(shí)現(xiàn)特別有利。
應(yīng)明白的是，許多不同的VCO實(shí)現(xiàn)是可能的，例如，也是單端考畢之VCO的差分實(shí)現(xiàn)，例如具有兩個(gè)可調(diào)諧濾波器裝置，4旦應(yīng)在
振蕩器頻率處并聯(lián)諧振，即在第一諧振頻率(Do，而不是在兩倍振蕩頻 率，即在(D尸CD()，而不是2(Do處，這是因?yàn)閷?shí)際上功能開(kāi)關(guān)晶體管的
數(shù)量在工作頻率(Oo處是VCO之一 (只有一個(gè)需要用于振蕩)。
但是，對(duì)于一個(gè)或多個(gè)晶體管差分對(duì)(交叉耦合、發(fā)射極-源極互
連)，(可調(diào)諧濾波器裝置的)第二振蕩頻率應(yīng)始終為cof=2coQ，即11=2。
邏輯概念功能開(kāi)關(guān)晶體管已引入以表示第二諧振頻率取決于
VCO裝置在第一諧振頻率處振蕩所需的開(kāi)關(guān)晶體管的最小數(shù)量，并且 它與VCO裝置開(kāi)關(guān)晶體管的實(shí)際數(shù)量無(wú)關(guān)。本發(fā)明概念也可以表示
為，對(duì)于差分交叉耦合對(duì)，第二諧振頻率應(yīng)為第二諧波(20Do)，并且對(duì) 于單端結(jié)構(gòu)(差分或不差分)，它為工作頻率(COo)。
為解決上述問(wèn)題，也提供了如最初所述的方法，它包括以下步驟 連接可調(diào)諧濾波器裝置到壓控振蕩器裝置；調(diào)諧濾波器裝置，例如通 過(guò)施加電壓，使得濾波器裝置將在某個(gè)頻率處諧振，該頻率大致為所 述第一諧振頻率的整數(shù)倍n， n-l;2，并且相應(yīng)于振蕩電路裝置在第一 諧振頻率處振蕩所需的功能開(kāi)關(guān)晶體管的最小數(shù)量。具體而言，可調(diào) 諧濾波器裝置相應(yīng)地連接到FET或雙極性實(shí)現(xiàn)的VCO裝置的源極節(jié) 點(diǎn)/發(fā)射極節(jié)點(diǎn)。具體而言，方法包括以下步驟通過(guò)將可調(diào)諧電容器 和電感器并聯(lián)，而提供適于在所述第二諧振頻率處諧振的濾波器裝 置。具體而言，調(diào)諧步驟包括調(diào)諧濾波器裝置，具體而言是其可調(diào) 諧電容器，使得在壓控振蕩器(單端結(jié)構(gòu))的源才X/發(fā)射極節(jié)點(diǎn)處的電壓 幅度最大化，或在包括交叉耦合差分對(duì)VCO的差分對(duì)結(jié)構(gòu)的壓控振 蕩器的共源極/發(fā)射極節(jié)點(diǎn)處的電壓幅度最大化。另外或備選，方法包 括以下步驟在控制過(guò)程中使用包括自動(dòng)查找最佳(變?nèi)荻O管)的調(diào) 諧電壓的控制電路的控制部件。具體而言，控制過(guò)程包括以下步驟 確定第二諧振頻率的幅度，例如在源極節(jié)點(diǎn)中信號(hào)的第n次諧波；確 定幅度是否在減小和/或是否在增大；控制調(diào)諧電壓(施加到可調(diào)諧電 容器)，使得幅度增大。這意味著可能知道幅度是否在增大和是否在減小，或者足以確定它是否在減小，在此種情況下幅度必須增大，或者 -f叉確定它是否在增大，在此種情況下負(fù)響應(yīng)指示它在減小，并且調(diào)諧 電壓應(yīng)受到控制，以使得幅度將增大。具體而言，確定幅度是否在變 化或增大/減小的步驟包括使用微分器獲取在源極/發(fā)射極節(jié)點(diǎn)中的
或在包括差分交叉耦合對(duì)結(jié)構(gòu)時(shí)共源極/發(fā)射極節(jié)點(diǎn)中的相關(guān)第n次 諧波信號(hào)幅度的導(dǎo)數(shù)。
應(yīng)明白的是，本發(fā)明概念涵蓋可調(diào)諧并且在所述二諧振頻率處具 有高阻抗的不同類型濾波器裝置。濾波器的一個(gè)示例包括電感器和串
耳關(guān)的變?nèi)荻O管，它們與另一電感器并^:。另一個(gè)示例涉及X/4傳輸
線濾波器。也可能有不止一個(gè)可調(diào)諧濾波器裝置，例如用于不同形式
的單端考畢之VCO，而且也用于其它結(jié)構(gòu)。


下面將以非限制性方式并參考附圖進(jìn)一 步描述本發(fā)明，其中 圖1A示出電流源設(shè)置電流偏置的標(biāo)準(zhǔn)配置中的交叉耦合差分對(duì) VCO;
圖1B示出如圖1A中的交叉耦合差分對(duì)VCO，但其中已去除了 電;危源；
圖1C示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的如圖1A中的裝置，其中電流源已替代 為電感器；
圖2示出根據(jù)本發(fā)明概念的、包括交叉耦合差分對(duì)VCO的裝置 第一實(shí)現(xiàn)；
圖3示出本發(fā)明概念的第二實(shí)現(xiàn)，其中振蕩電路裝置包括考畢之 晶體管；
圖4A示出振蕩電路裝置包括差分形式單端考畢之VCO的實(shí)施
例；
圖4B示出包括差分形式單端VCO的振蕩電路裝置備選實(shí)現(xiàn)； 圖5示出振蕩電路裝置包括n-MOS - p-MOS互補(bǔ)VCO的本發(fā)明實(shí)施例；
圖6示出包括n-MOS - p-MOS互補(bǔ)VCO的振蕩電路裝置的備選 實(shí)施例；
圖7示出如圖2中所示的、但還包括控制電路的裝置；
圖8是示范控制電路的示意方框圖9是可在圖8控制電路中使用的幅度檢測(cè)器示例；
圖IO是優(yōu)化幅度的示范電路方框圖11示出濾波器裝置的另一示例；以及
圖12示出濾波器裝置還有的另一示例。
具體實(shí)施例方式
示出現(xiàn)有技術(shù)的圖1A-1C和與其相關(guān)聯(lián)缺點(diǎn)已在前面背景技術(shù)部 分中論述，它們構(gòu)成了提供有電壓VDD,并包括第一和第二開(kāi)關(guān)晶體 管101、 102及變?nèi)荻O管(varactor)C(n的交叉耦合差分對(duì)VCO 1001、 1002、 IO(B的標(biāo)準(zhǔn)配置。變?nèi)荻O管Qn例如可實(shí)現(xiàn)為MOS電容器， 或者實(shí)現(xiàn)為p-n結(jié)等。因此，如背景技術(shù)部分中所述，電流源Im用于 設(shè)置圖1A實(shí)現(xiàn)中的電流偏置，而圖1B只示出接地變化，并且圖1C
示出電源流已替代為電感器L(H的裝置。
圖2示出本發(fā)明的第一實(shí)施例。振蕩電路裝置10此處以常^見(jiàn)方式 包括交叉耦合差分對(duì)VCO結(jié)構(gòu)。第一(功能)開(kāi)關(guān)晶體管h和笫二(功
能)開(kāi)關(guān)晶體管12由饋入電壓VDD饋電，并且包括具有電感器Li、 L！
和變?nèi)荻O管d的諧振器腔。但是根據(jù)本發(fā)明，具有電感器Lf 2和 并聯(lián)的可調(diào)諧電容器Ce 3的濾波器裝置25設(shè)置在功能開(kāi)關(guān)晶體管1 i 、 12的共源極節(jié)點(diǎn)。通過(guò)設(shè)置可調(diào)諧電容器3和并聯(lián)的電感器2，可能 通過(guò)將變?nèi)荻O管3調(diào)諧為適當(dāng)?shù)碾妷?電容而將在頻率和工藝變化 上的交叉耦合差分對(duì)VCO的相位噪聲降到最低。交叉耦合差分VCO 結(jié)構(gòu)此處假設(shè)為在諧振頻率(Do諧振。對(duì)于此類交叉耦合差分對(duì)VCO 結(jié)構(gòu)，人們發(fā)現(xiàn)，此處包括電感器2和可調(diào)諧電容器(變?nèi)荻O管)3的濾波器裝置應(yīng)在頻率2XCD0諧振，并且濾波器裝置25的阻抗可在整 個(gè)調(diào)諧階段^皮優(yōu)化或最大化。根據(jù)本發(fā)明，可以看到，很細(xì)致地調(diào)諧
變?nèi)荻O管3電壓可大大降低相位噪聲，特別是在低偏置電壓時(shí)。例 如，在lkHz偏移，降低實(shí)際上可超過(guò)10dB。這對(duì)于由于CMOS晶 體管中高1/f噪聲而使相位噪聲在低偏移處較高的CMOS VCO特別重 要。應(yīng)明白的是，源極節(jié)點(diǎn)中的濾波器裝置可具有不同配置，并且不 限于圖2所示的特定實(shí)現(xiàn)。有關(guān)濾波器裝置的要求是對(duì)于交叉耦合差 分對(duì)結(jié)構(gòu)，它應(yīng)在二次諧波，即在2x①o具有盡可能高的阻抗，并且當(dāng) 然它要可調(diào)諧，例如，包括一個(gè)或多個(gè)可調(diào)諧電容器或變?nèi)荻O管。 在備選實(shí)施實(shí)施例中，濾波器裝置可包括可調(diào)諧延遲線路、介電常數(shù) 可調(diào)諧的可調(diào)諧介電濾波器等。根據(jù)本發(fā)明，人們發(fā)現(xiàn)，要將相位噪 聲降到最低，濾波器的阻抗應(yīng)最大化。如果選擇的變?nèi)荻O管調(diào)諧電 壓使得在源極(發(fā)射極)節(jié)點(diǎn)的電壓幅度A最大化，則這可有利地實(shí)現(xiàn)。 這可以許多不同方式實(shí)現(xiàn)。在一些實(shí)現(xiàn)中，濾波器裝置具有的配置使 得它另外具有在DC盡可能低的阻抗 但由于來(lái)自接地的噪聲可能到 達(dá)或影響振蕩器，因此，這并不是總是有利。但是，低阻抗意味著不 需要壓降或只需要低壓降，這是有利的。
備選濾波器配置例如可包括提供有可調(diào)諧部件的SAW(表面聲波) 濾波器，例如，如下面參照?qǐng)D11、圖12所述的變?nèi)荻O管或?yàn)V波器 裝置。
對(duì)于二極管實(shí)現(xiàn)，濾波器裝置應(yīng)在發(fā)射極節(jié)點(diǎn)提供。 圖3示出包括單端VCO結(jié)構(gòu)20的備選實(shí)施例，該結(jié)構(gòu)包括晶體 管13、諧振器腔(包括電感器Lu、電容器Cn、 C22)，在源極節(jié)點(diǎn)提供 有如圖2中所示包括并聯(lián)的電感器Lf 23和可調(diào)諧電容器或變?nèi)荻O管 Cc33的濾波器裝置。此處，單端結(jié)構(gòu)包括考畢之振蕩器。在此實(shí)例中， 包括濾波器電感器23和可調(diào)諧電容器33的濾波器裝置也在co。具有諧 振頻率，即它在考畢之振蕩器的工作頻率處諧振，而不是例如圖2所 示用于交叉耦合差分對(duì)結(jié)構(gòu)的二次諧波處。根據(jù)不同的實(shí)施例，偏置電流源可連接到濾波器裝置，而在其它實(shí)施例中，沒(méi)有連接到圖3所 示濾波器裝置的偏置電流源。在其它方面，功能運(yùn)行類似于參照?qǐng)D2
所述，并且也將如參照?qǐng)D4-10所迷，不同之處在于用于濾波器裝置的 諧振頻率也為(Do。即，對(duì)于單端結(jié)構(gòu)11=1(11為要乘以VCO結(jié)構(gòu)諧振
頻率的因子)，也對(duì)于差分結(jié)構(gòu)，不同于用于具有兩個(gè)功能開(kāi)關(guān)晶體管
的差分對(duì)結(jié)構(gòu)，在頻率①o處諧振，其中濾波器裝置應(yīng)在2xcoo諧振， 即n=2,相應(yīng)于功能開(kāi)關(guān)晶體管的數(shù)量。對(duì)于具有一個(gè)功能開(kāi)關(guān)晶體 管的差分結(jié)構(gòu)，參見(jiàn)圖4A、圖4B, n=l。即使有不止一個(gè)開(kāi)關(guān)晶體管， 也只有一個(gè)差分輸出信號(hào)，并且開(kāi)關(guān)晶體管不是交叉耦合并且具有兩 個(gè)反饋環(huán)。
圖4A示出包括單端考畢之VCO差分實(shí)現(xiàn)的振蕩電路裝置30A， 該VCO包括兩個(gè)鏡像和互連的單端考畢之VCO,參見(jiàn)圖3。因此， 類似于圖3裝置的可調(diào)諧濾波器裝置25"連接到晶體管141的源極，
并且另一可調(diào)諧濾波器裝置252B連接到另一晶體管142的源極。兩個(gè) 源極濾波器裝置252A、 252B在振蕩頻率COo處并聯(lián)諧振，即，CO尸(Oo，
而不是如圖2的交叉連接差分對(duì)結(jié)構(gòu)中一樣在2(Do諧振。
圖4B示出實(shí)現(xiàn)差分單端考畢之VCO的另一方式，可調(diào)諧濾波器
裝置253A、 25犯連接到兩個(gè)晶體管 151、 152 的相應(yīng)源一及。功能運(yùn)4于的原
理與圖4A中所示裝置的原理相同。
圖5示出 一個(gè)包括n-MOS-n-MOS互補(bǔ)VCO的振蕩電路裝置40,
該VCO包括兩個(gè)p-MOS晶體管163、 164和兩個(gè)n-MOS晶體管161、
162。包括可調(diào)諧電容器36和并聯(lián)的電感器26的可調(diào)諧濾波器裝置254
連接到n-MOS晶體管161、 162的共源極。功能運(yùn)行與參照?qǐng)D2所述的
功能運(yùn)行相同。
圖6示出n-MOS - p-MOS互補(bǔ)VCO還有的另一實(shí)現(xiàn)，該VCO 包括具有n-MOS晶體管171、 172和p-MOS晶體管173、 174的電路裝置 50和可調(diào)諧濾波器裝置255,而可調(diào)諧濾波器裝置包括可調(diào)諧電容器 37和并聯(lián)的電感器27，并連接到p-MOS晶體管173、 174的源極。在其它方面，功能運(yùn)行等于圖5和圖2的功能運(yùn)行。
為便于確定正確的變?nèi)荻O管調(diào)諧電壓，即施加到濾波器裝置可 調(diào)諧電容器的調(diào)諧電壓，可提供控制部件，這是因?yàn)樵趯?shí)際應(yīng)用中， 由于成本原因，手動(dòng)調(diào)諧經(jīng)常無(wú)法實(shí)現(xiàn)，即，它不適用于低成本應(yīng)用。
圖7示出提供了控制電路4的實(shí)施例一個(gè)示例，該控制電路優(yōu)選適用 于自動(dòng)查找與濾波器電感器Lf 2'并聯(lián)提供的可調(diào)諧電容器Cc 3'的最佳 調(diào)諧電壓，優(yōu)選獨(dú)立于工作頻率和任何工藝變化。因此，控制電路4 應(yīng)能夠優(yōu)化變?nèi)荻O管調(diào)諧電壓，使得相位噪聲可降到最低。
但是，相位噪聲難以測(cè)量，并且它的一個(gè)后果是控制電路也難以 自動(dòng)將相位噪聲降到最低。因此，如上所述，根據(jù)本發(fā)明，建議將晶 體管h'、 12'源極(發(fā)射極)節(jié)點(diǎn)的第二諧波幅度(適用于具有兩個(gè)開(kāi)關(guān)晶 體管的交叉耦合差分實(shí)現(xiàn))最大化。為此，可使用控制電路4，參見(jiàn)圖 7。人們認(rèn)識(shí)到，如果固定其它一切，只調(diào)諧濾波器裝置，則相位噪 聲具有與在第二諧振幅度中最大值相一致的最小值(適用于差分結(jié)構(gòu)；
適用于在第一諧振頻率的振蕩頻率處的單端(差分或不差分)實(shí)現(xiàn))。對(duì) 于圖7中所示振蕩電路裝置60, 二次諧波振幅度在濾波器裝置的源極 濾波器諧振時(shí)將具有最大值，并且那是諧振器負(fù)載最少(通過(guò)偏置)并 且因此可預(yù)期最低相位噪聲之處。
應(yīng)明白，控制電^^可以許多不同方式實(shí)現(xiàn)。
圖8是示出控制電路4一個(gè)示例的方框圖。在此特定實(shí)施例中， 控制電路4分別包括幅度檢測(cè)器5、微分器6、開(kāi)關(guān)激勵(lì)器7及電壓 增壓電路8和電壓減壓電路9，在電壓幅度要變化，即增大/減小時(shí)， 電路8, 9任意之一可提供到源極節(jié)點(diǎn)(濾波器)變?nèi)荻O管的輸入。根 據(jù)此實(shí)施例，參見(jiàn)圖2和圖4，電路實(shí)際上的功能運(yùn)行使得幅度檢測(cè) 器5檢測(cè)到在此實(shí)例中為差分對(duì)結(jié)構(gòu)VCO源極節(jié)點(diǎn)中第二諧波信號(hào) 的幅度A。在此實(shí)例中，微分器6隨后獲取檢測(cè)到幅度A的導(dǎo)數(shù)。在 特定實(shí)施例中，如果導(dǎo)數(shù)為正數(shù)，則幅度在增大，并且因此無(wú)需采取 措施，在圖中通過(guò)帶"+"的箭頭指示。另一方面，如果導(dǎo)數(shù)為負(fù)數(shù)，則幅度在減小，并且因此，施加到源極節(jié)點(diǎn)變?nèi)荻O管，即可調(diào)諧變?nèi)?二極管3'(圖4)的調(diào)諧電壓需要反方向斜坡式變化。這通過(guò)到開(kāi)關(guān)激勵(lì)器7的輸入信號(hào)(以圖中事業(yè)"-，，的箭頭指示)而實(shí)現(xiàn)，激勵(lì)器隨后適當(dāng) 地激活開(kāi)關(guān)，即確定與增壓電路8或減壓電路9的連"l矣。如果輸入信 號(hào)不是負(fù)信號(hào)(-)，則開(kāi)關(guān)激勵(lì)器將如上所述不采取任何措施，即，微 分器輸出是正信號(hào)。遞增電路8能夠?qū)㈦妷盒逼率竭f增到預(yù)設(shè)的最大值，優(yōu)選但不是 必需帶有大時(shí)間常數(shù)。遞減電路9以類似方式將電壓斜坡式遞減到預(yù) 設(shè)的最小值。開(kāi)關(guān)7'選擇要連接到的輸出并因此連接到至可調(diào)諧源極 節(jié)點(diǎn)變?nèi)荻O管3'的遞增電路8或遞減電路9。應(yīng)明白的是，節(jié)點(diǎn)的幅度A可以許多不同的方式檢測(cè)。 圖9以示意圖方式示出可在幅度檢測(cè)器5中使用或作為幅度檢測(cè) 器5使用的電路一個(gè)示例。但是，檢測(cè)AC信號(hào)幅度有許多備選方式， 并且本發(fā)明當(dāng)然不限于檢測(cè)幅度的此特定電路或此特定方式。輸出是 DC或近DC信號(hào)，在適當(dāng)選擇包括電阻器13和電容器132的輸出RC 低通濾波器部件值的條件下，該信號(hào)隨輸入AC信號(hào)的幅度單調(diào)地增 大。在兩個(gè)晶體管ii!、 112源極節(jié)點(diǎn)的幅度A的DC分量與輸入信號(hào) 幅度成比例。在輸入端，示出了偏壓電容器122和偏壓電阻器12lQ例如在"適 用于無(wú)線應(yīng)用的具有自動(dòng)幅度控制的低噪聲、低功率VCO"("A low-noise, low-power VCO with automatic amplitude control for wireless applications" by M. Margarit et al. in IEEE Journal of solid-state circuits, Vol. 34, No. 6, June 1999)中示出此類或類似的幅度檢測(cè)電路。圖10以示意圖方式示出優(yōu)化幅度A的示范電路方框圖，示范電 路包括微分器6和相應(yīng)執(zhí)行開(kāi)關(guān)激勵(lì)器7、開(kāi)關(guān)7'和增壓/減壓電路8, 9功能的部件。例如圖6幅度檢測(cè)電路5等幅度檢測(cè)電路的輸出信號(hào) 施加到微分器6。微分器6的輸出施加到比較器7！,而比較器的輸出在幅度A的導(dǎo)數(shù)(此處表示為dVin/dt， Vin是幅度檢測(cè)器的輸入)為正 數(shù)時(shí)轉(zhuǎn)高，并且在幅度的導(dǎo)數(shù)為負(fù)數(shù)時(shí)其輸出轉(zhuǎn)低。比較器7!的輸出 施加到D觸發(fā)器72的時(shí)鐘輸入。觸發(fā)器的D輸入連接到Q -輸出。 無(wú)論何時(shí)激活時(shí)鐘，均會(huì)更改觸發(fā)器的D輸出。如果觸發(fā)器的Q輸出 僅在幅度導(dǎo)數(shù)dVin/dt(或dA/dt)為負(fù)數(shù)時(shí)才更改，則圖7的電路工作 正常。因此，觸發(fā)器應(yīng)由時(shí)鐘的負(fù)緣(negativeflank)激活。必要時(shí)，可 為此目的在觸發(fā)器前提供逆變器(未示出)。也可在D觸發(fā)器后提供另 一逆變器以確保足夠的驅(qū)動(dòng)能力。應(yīng)明白的是，這只是構(gòu)成此類電路可如何工作的一個(gè)特定示例， 并且有幾個(gè)可能的備選配置和修改，修改和改進(jìn)可根據(jù)相關(guān)應(yīng)用的特 定需要和要求而進(jìn)行。功能運(yùn)行對(duì)于單端實(shí)現(xiàn)是類似的，例如，如圖3、圖4A、圖4B 所示，應(yīng)用到考畢之晶體管的控制電路。圖11示出用于源極節(jié)點(diǎn)的備選濾波器裝置256。它包括電感器Li 28]和并聯(lián)的電感器L2 282及與后者串聯(lián)的可調(diào)諧的電容器C 38。其中，o)q是工作的VCO頻率。在此頻率，濾波器并聯(lián)諧振，并 因此提供高阻抗。L!必須也選擇為足夠大，以便在時(shí)濾波器串聯(lián)諧振不會(huì)太接近于并聯(lián)諧振。 電容器C 38或部分電容器應(yīng)可調(diào)諧?？墒褂玫臑V波器裝置257另 一示例包括X/4傳輸線濾波器，例如， 如圖12所示。對(duì)地短路終接的V4傳輸線29將在波長(zhǎng)X處表現(xiàn)出無(wú)限阻抗。為使濾波器可調(diào)諧，可將并聯(lián)變?nèi)荻O管d添加到濾波器。 可沿傳輸線將變?nèi)荻O管39放置在其它位置，或者可沿線路分布幾個(gè) 變?nèi)荻O。傳輸線的長(zhǎng)度應(yīng)選擇為使得它與變?nèi)荻O管的組合可在差 分結(jié)構(gòu)的VCO工的作頻率的兩倍頻率處表現(xiàn)出高阻抗。因此，它的長(zhǎng)度可以不是正好X/4。DC調(diào)諧電壓施加到變?nèi)荻O管d 39(對(duì)于AC 這實(shí)際上是接地的。)本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是可以筒單、低成本和有效的方式將相位噪聲降到 最低。 一個(gè)特定的優(yōu)點(diǎn)是可在寬的調(diào)諧范圍內(nèi)自動(dòng)將相位噪聲降到最 低。本發(fā)明還有的優(yōu)點(diǎn)是濾波器裝置的供應(yīng)無(wú)需另外的凈空 (headroom),并且大體上未增加噪聲。此外， 一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是可相對(duì)于源 極/發(fā)射極節(jié)點(diǎn)阻抗而找到用于最低相位噪聲的最佳操作。應(yīng)明白的是，在不脫離本發(fā)明概念的情況下，在隨附權(quán)利要求書(shū) 范圍內(nèi)，本發(fā)明可以多種方式改變。它適用于多種不同的VCO拓樸。 該裝置特別有利于基于差分對(duì)的VCO，并且也應(yīng)明白，用于幅度檢測(cè) 的電路和用于優(yōu)化幅度的電路可在實(shí)現(xiàn)控制電路的情況下采取許多 不同的形式。通常，控制電路可以用許多不同的方式提供。此外，包 括可調(diào)諧變?nèi)荻O管和并聯(lián)的電感器的濾波器裝置也可替代為其它 通常更復(fù)雜的可調(diào)諧濾波器裝置，這些裝置如本文所定義一樣，在其 第二諧振頻率處具有高阻抗。此外，開(kāi)關(guān)晶體管的數(shù)量可與明確示出的不同。
權(quán)利要求
1.一種包括具有第一諧振頻率ω0的諧振裝置的振蕩電路裝置(10；20；30A；30B；40；50；60)，包括具有至少一個(gè)開(kāi)關(guān)晶體管(11，12；13；141，142；151，152；161，162，163，164；171，172，173；174；11′，12′)的壓控振蕩器裝置，其特征在于，它包括連接到所述壓控振蕩器裝置的可調(diào)諧濾波器裝置(25；251；252A，252B；253A，253B；254；255；256；257)，所述濾波器裝置(25；251；252A，252B；253A，253B；254；255；256；257)適用于在第二諧振頻率ωf處諧振，所述第二諧振頻率是所述第一諧振頻率ω0的n倍，n＝1或2，且等于所述VCO裝置在所述第一諧振頻率處振蕩所需的所述VCO裝置的功能開(kāi)關(guān)晶體管數(shù)量，所述濾波器裝置(25；251；252A，252B；253A，253B；254；255；256；257)適用于進(jìn)行調(diào)諧，以便所述振蕩電路裝置的相位噪聲可通過(guò)所述濾波器裝置(25；251；252A，252B；253A，253B；254；255；256；257)的調(diào)諧而降到最低。
2. 如權(quán)利要求1所述的振蕩電路裝置，其特征在于， 所述可調(diào)諧濾波器裝置(25; 251; 252A, 252B; 253A, 25犯；254; 255;256; 257)連接到FET晶體管實(shí)現(xiàn)的所述功能晶體管的源極節(jié)點(diǎn)，或者 連接到雙極晶體管實(shí)現(xiàn)的所述功能開(kāi)關(guān)晶體管的發(fā)射極節(jié)點(diǎn)。
3. 如權(quán)利要求1或2所述的振蕩電路裝置，其特征在于， 所述濾波器裝置(25; 251; 252A, 252B; 253A, 25犯；254; 255; 256; 257)包括等效電流源，所述等效電流源包括與可調(diào)諧電容器(3; 33; 34A; 34B; 35A, 35B; 36; 37; 3'; 38; 39)并聯(lián)的電感器(2; 23; 26; 24A; 24B; 25A; 25B; 26; 27; 2')，所述電容器適用于進(jìn)行調(diào)諧以便所述振蕩電路裝置的所述相位噪 聲最小化，或者包括與另一電感器(282)并聯(lián)的電感器(281)，所述另一 電感器(282)與可調(diào)諧電容器(38)串聯(lián)，或者包括具有可調(diào)諧電容器(39) 的X/4傳輸線(29).
4. 如前述權(quán)利要求任一項(xiàng)所述的振蕩電路裝置，其特征在于，所述濾波器裝置(25; 25!; 252A, 252B; 253A, 25犯；254; 255; 256; 257) 適用于進(jìn)行調(diào)諧，以最大化所述第二諧振頻率斷處的阻抗。
5. 如權(quán)利要求4所述的振蕩電路裝置，其特征在于， 所述可調(diào)諧電容器(3; 33; 34A; 34B; 35A, 35B; 36; 37; 3'; 38; 39)適用于進(jìn)行調(diào)諧，以便最大化所述壓控振蕩器(VCO)裝置的源極或發(fā)射極節(jié) 點(diǎn)處的電壓幅度(A)。
6. 如前述權(quán)利要求任一項(xiàng)所述的振蕩電路裝置，其特征在于， 所述VCO裝置包括CMOS VCO。
7. 如前述權(quán)利要求任一項(xiàng)所述的振蕩電路裝置，其特征在于， 它包括適用于確定要施加到所述濾波器裝置(25; 251; 252A, 252B;253A， 253B; 254; 255; 256; 257)的最優(yōu)化調(diào)諧電壓或電流的控制部件(4)， 例如施加到所述可調(diào)諧電容器(3; 33; 34A; 34B; 35A, 35B; 36; 37; 3'; 38; 39)。
8. 如權(quán)利要求7所述的振蕩電路裝置，其特征在于， 所述控制部件(4)包括控制電路，并且所述控制電路適用于最大化所述第二諧振頻率(Df處的幅度。
9. 如權(quán)利要求7或8所述的振蕩電路裝置，其特征在于， 所述控制部件(4)包括用于感測(cè)所述第二諧振頻率 f處諧振的信號(hào)幅度的幅度檢測(cè)器(5),和用于檢測(cè)所述幅度是否變化，即是否減小 或增大的第二幅度變化;險(xiǎn)測(cè)和控制部件。
10. 如權(quán)利要求9所述的振蕩電路裝置，其特征在于， 所述幅度變化檢測(cè)和控制部件包括用于獲取所述第二諧振頻率信號(hào)幅度的導(dǎo)數(shù)的微分器(6)。
11. 如權(quán)利要求9或IO所述的振蕩電路裝置，其特征在于， 所述第二幅度變化檢測(cè)控制部件包括用于控制開(kāi)關(guān)(7')的開(kāi)關(guān)控制部件(7)，所述開(kāi)關(guān)(7')能夠激活包括電壓或電流增大電路和/或電壓 或電流減小電路的電壓或電流調(diào)節(jié)電路。
12. 如權(quán)利要求11所述的振蕩電路裝置，其特征在于， 所述電壓增大電路，包括用于將所述電壓斜坡遞增到預(yù)設(shè)最大電壓(VmJ的電壓增壓電路(81);和所述電壓減小電路，包括用于將所述 電壓斜坡遞減到預(yù)設(shè)最小電壓的電壓減壓(9)電路。
13. 如權(quán)利要求11或12所述的振蕩電路裝置，其特征在于， 所述開(kāi)關(guān)控制部件(7)適用于在檢測(cè)到所述幅度(A)在減小時(shí)，相應(yīng)地選擇所述電壓或電流增大電路和所述電壓或電流減小電路中的 哪個(gè)要連接到所述源極或發(fā)射極節(jié)點(diǎn)。
14. 如權(quán)利要求9-13任一項(xiàng)所述的振蕩電路裝置，其特征在于， 所述控制部件(4)包括調(diào)諧電壓控制部件，用于控制適用于調(diào)諧所述源極節(jié)點(diǎn)變?nèi)荻O管的調(diào)諧電壓。
15. 如權(quán)利要求9-14任一項(xiàng)所述的振蕩電路裝置，其特征在于， 所述第二幅度變化檢測(cè)和控制部件包括微分器(6),用于獲取輸入到所述幅度檢測(cè)器的AC信號(hào)所述幅度(A)的導(dǎo)數(shù)。
16. 如權(quán)利要求15所述的振蕩電路裝置，其特征在于， 所述開(kāi)關(guān)控制部件包括開(kāi)關(guān)激勵(lì)器(7)，所述激勵(lì)器適用于在所述輸入信號(hào)，即所述導(dǎo)數(shù)為負(fù)數(shù)時(shí)激活切換，并且在激活狀態(tài)中所述開(kāi) 關(guān)適用于激活所述電壓增大部件或所述電壓減小部件。
17. 如前述權(quán)利要求任一項(xiàng)所述的振蕩電路裝置，其特征在于， 它包括具有兩個(gè)功能開(kāi)關(guān)晶體管的交叉耦合差分對(duì)VCO,并且所述源極或發(fā)射極節(jié)點(diǎn)對(duì)所述兩功能開(kāi)關(guān)晶體管是公用的。
18. 如權(quán)利要求17所述的振蕩電路裝置，其特征在于， 例如所述等效電流源的所述濾波器裝置的所述諧振頻率，即所述笫二諧振頻率為2co0， n因此等于2。
19. 如權(quán)利要求17或18所述的振蕩電路裝置，其特征在于， 所述VCO裝置包括n-MOS - p-MOS互補(bǔ)VCO，且所述濾波器裝置(25; 251; 252A, 252B; 253A, 25犯；254; 255; 256; 257)設(shè)置在所述兩個(gè) n-MOS晶體管的源極節(jié)點(diǎn)或所述p-MOS晶體管的源極節(jié)點(diǎn)。
20. 如權(quán)利要求l-16任一項(xiàng)所述的振蕩電路裝置，其特征在于， 它包括單端VCO,例如包括具有一個(gè)開(kāi)關(guān)晶體管的考畢之晶體管，充當(dāng)一個(gè)功能開(kāi)關(guān)晶體管，n=l,即co尸(Oo。
21. 如權(quán)利要求l-16任一項(xiàng)所述的振蕩電路裝置，其特征在于， 在于它包括具有兩個(gè)或更多個(gè)開(kāi)關(guān)晶體管的單端考畢之VCO，充當(dāng)一個(gè)功能開(kāi)關(guān)晶體管，n=l,即w尸(Oo。
22. 如前述權(quán)利要求任一項(xiàng)所述的振蕩電路裝置，其特征在于， 它包括CMOS、 FET、 HEMT或雙極性、開(kāi)關(guān)晶體管、雙極HBT晶體管等。
23. —種將振蕩電路裝置的相位噪聲降到最低的方法，所述裝置 包括在第一諧振頻率(Do諧振的諧振裝置，和包括壓控振蕩器裝置，其特征在于，它包括以下步驟-將可調(diào)諧濾波器裝置(25; 251; 252A, 252B; 253A, 253B; 254; 255; 256; 257)連接到所述壓控振蕩器裝置VCO;-調(diào)諧所述濾波器裝置(25; 251; 252A, 252B; 253A, 25犯；254; 255; 256; 257)，例如通過(guò)施加電壓或電流使得所述濾波器裝置(25; 251; 25仏 252B; 253A， 253B; 254; 255; 256; 257)在第二諧振頻率處諧振，所述第二諧 振頻率大致為所述第一諧振頻率的整數(shù)倍n, n=l,2，并且相應(yīng)于在所 述第一諧振頻率coo處振蕩所需的所述振蕩電路裝置的功能開(kāi)關(guān)晶體 管的最小數(shù)量。
24. 如權(quán)利要求23所述的方法，其特征在于， 所述可調(diào)諧濾波器裝置連接到單端結(jié)構(gòu)中FET晶體管的源極節(jié)點(diǎn)，或者連接到交叉連接差分對(duì)結(jié)構(gòu)的兩個(gè)交叉耦合FET開(kāi)關(guān)晶體管 的所述共源纟及節(jié)點(diǎn)。
25. 如權(quán)利要求23所述的方法，其特征在于， 所述濾波器裝置連接到單端結(jié)構(gòu)中雙極晶體管的發(fā)射極節(jié)點(diǎn)，或者連接到具有兩個(gè)開(kāi)關(guān)晶體管的交叉連接差分對(duì)結(jié)構(gòu)的兩個(gè)雙極開(kāi)關(guān)晶體管的共發(fā)射極節(jié)點(diǎn)。
26. 如權(quán)利要求23-25任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，它包括以下步驟通過(guò)以下方式設(shè)置所述濾波器裝置(25; 251; 252A, 252B; 253A, 25犯； 254; 255; 256; 257):-將可調(diào)諧電容器(3; 33; 34A; 34B; 35A, 35B; 36; 37; 3'; 38; 39)與電感 器(2; 23; 26; 24A; 24B; 25A; 25B; 26; 27; 2')并聯(lián)，使得它在所述第二諧振頻 率wf處諧振。
27. 如權(quán)利要求23-26任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于， 所述調(diào)諧步驟包括-調(diào)諧所述濾波器裝置(25; 251; 252A, 252B; 253A， 25犯；254; 255; 256; 257)，具體而言所述可調(diào)諧電容器(3; 33; 34A; 34B; 35A, 35B; 36; 37; 3'; 38; 39)電壓，使得所述壓控振蕩器裝置的源極或發(fā)射極節(jié)點(diǎn)處的電壓 幅度(A)最大化，例如，在例如包括交叉耦合差分對(duì)VCO的差分對(duì)結(jié) 構(gòu)或者具有一個(gè)或多個(gè)開(kāi)關(guān)晶體管充當(dāng)單個(gè)功能開(kāi)關(guān)晶體管的單端 結(jié)構(gòu)等的所述壓控振蕩器裝置所述源極或發(fā)射極節(jié)點(diǎn)。
28. 如權(quán)利要求26或27所述的方法，其特征在于， 它包括以下步驟-在控制過(guò)程中使用控制部件(4)，所述控制部件包括用于自動(dòng)查 找最佳變?nèi)荻O管調(diào)諧電壓或電流的控制電路。
29. 如權(quán)利要求28所述的方法，其特征在于， 所述控制過(guò)程包括以下步驟-在所述源極或發(fā)射極節(jié)點(diǎn)中確定信號(hào)的所述第二諧振頻率0)f 的幅度；-確定所述幅度是否在減小和/或它是否在增大； -控制施加到所述可調(diào)諧電容器的調(diào)諧電壓或電流，使得所述幅 度增大。
30. 如權(quán)利要求29所述的方法，其特征在于， 確定所述幅度是否增大/減小的步驟包括-使用微分器獲取所述源極或發(fā)射極節(jié)點(diǎn)中的或在包括差分結(jié)構(gòu)時(shí)所述共源極或發(fā)射極節(jié)點(diǎn)中的信號(hào)幅度的導(dǎo)數(shù)；-在所述導(dǎo)數(shù)為負(fù)數(shù)時(shí)，增大或減小所述調(diào)諧電壓或電流，使得 所述纟全測(cè)到的幅度(A)將最大化。
全文摘要
本發(fā)明涉及包括具有第一諧振頻率(ω₀)的諧振裝置的振蕩電路裝置(10)，包括壓控振蕩器裝置(10A)。它還包括連接到所述壓控振蕩器(VCO)裝置(10A)的源極節(jié)點(diǎn)的可調(diào)諧濾波器裝置(25)。所述濾波器裝置(25)特別包括在第二諧振頻率ω_f處諧振的等效電流源，所述第二諧振頻率是所述第一諧振頻率(α＞0)的n倍，n＝1或2，n等于所述VCO裝置振蕩所需的開(kāi)關(guān)晶體管最小數(shù)量(1，2)。具體而言，濾波器裝置包括電感器(2)和并聯(lián)的電容器(3)，所述電容器(3)適用于進(jìn)行調(diào)諧以便諧振裝置(10A)的相位噪聲可通過(guò)濾波器裝置(25)的調(diào)諧而降到最低。
文檔編號(hào)H03J7/08GK101305440SQ200580051749
公開(kāi)日2008年11月12日 申請(qǐng)日期2005年10月5日 優(yōu)先權(quán)日2005年10月5日
發(fā)明者H·雅各布森, L·阿斯佩米爾 申請(qǐng)人:艾利森電話股份有限公司