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      雙頻帶電壓控制振蕩電路的制作方法

      文檔序號:7538390閱讀:269來源:國知局
      專利名稱:雙頻帶電壓控制振蕩電路的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及一種以不同的頻帶穩(wěn)定地振蕩的雙頻帶電壓控制振蕩電路。
      背景技術(shù)
      參照圖9說明使用在FM/TV聲音接收機(jī)或?qū)?yīng)雙頻帶的攜帶電話的局部振蕩器等中的以往的振蕩電路。微調(diào)電容器1,通過開關(guān)2斷開接續(xù),在由開關(guān)2接地時與振蕩線圈3和線圈4的串聯(lián)電路并聯(lián)連接,開關(guān)2以短路線圈4的方式被共用。振蕩線圈3和線圈4的串聯(lián)電路與墊整電容器8和可變電容器5的串聯(lián)電路并聯(lián)連接,墊整用電容器8被開關(guān)6短路。
      振蕩用晶體管10的基極經(jīng)由電容器9與墊整電容器8的一端連接。在振蕩用晶體管10的基極—發(fā)射極之間連接了電容器14,電容器12與電容器14并聯(lián)地通過開關(guān)13被斷開接續(xù)。振蕩用晶體管10的發(fā)射極由電阻18和電容器17接地。集電極,與基極之間具有電阻18,并且用電容器15接地的同時通過電阻16供給電源?;鶚O用電阻19接地。振蕩輸出經(jīng)由電容器7被注入到混合器中。
      該局部振蕩器,在FM頻帶時,將電容器12用開關(guān)13與振蕩用晶體管10的基極—發(fā)射極之間的電容器14并聯(lián)連接,而實(shí)現(xiàn)振蕩頻率的確保及穩(wěn)定度雙方。在TV4~12ch時,將開關(guān)2接通在TV側(cè)上,使其接地。開關(guān)6被斷開,通過墊整電容器8限制下限頻率。在FM頻帶時,將開關(guān)2接通在FM側(cè)上,微調(diào)電容器1接地。另外,開關(guān)6和開關(guān)13成為接通狀態(tài)。通過使開關(guān)6接通,電容器12被連接在晶體管10的基極—發(fā)射極之間,而得到穩(wěn)定的振蕩。
      在上述的振蕩電路中,由于在振蕩頻率低的頻帶中,振蕩晶體管側(cè)的負(fù)性電阻值不足而振蕩的穩(wěn)定度降低,因此在振蕩頻率低的頻帶時,使振蕩晶體管的基極—發(fā)射極之間的電容值變大而確保振蕩的穩(wěn)定度。但是,由此而需要開關(guān)、和用于控制開關(guān)的電路,使電路變得復(fù)雜。

      發(fā)明內(nèi)容
      本發(fā)明的目的在于提供一種在頻率分開的2個頻帶中也充分得到振蕩晶體管側(cè)的負(fù)性電阻,而且無論哪個頻帶都能穩(wěn)定地振蕩的雙頻帶電壓控制振蕩電路。
      作為解決上述問題的第1方案的雙頻帶電壓控制振蕩電路,具備振蕩晶體管;插入在所述振蕩晶體管的集電極—基極之間的振蕩電路;插入在所述振蕩晶體管的基極和發(fā)射極之間的第1反饋機(jī)構(gòu);以及插入在所述振蕩晶體管的集電極和發(fā)射極之間的第2反饋機(jī)構(gòu);所述共振電路以與頻率不同的2個頻帶對應(yīng)地切換共振頻率的方式構(gòu)成;所述第1反饋機(jī)構(gòu)或所述第2反饋機(jī)構(gòu)中的至少一方以串聯(lián)并聯(lián)連接3個電抗元件而在所述2個頻帶中都呈現(xiàn)電感性或電容性的方式構(gòu)成,同時所述反饋機(jī)構(gòu)的另一方在2個頻帶中與所述一方的反饋機(jī)構(gòu)相同地具有電感性或電容性。
      另外,作為第2解決方案,所述第1反饋機(jī)構(gòu)或所述第2反饋機(jī)構(gòu)中的任意一方由第1電容元件構(gòu)成,另一方由并聯(lián)共振電路、和與所述并聯(lián)共振電路串聯(lián)連接的第3電容元件構(gòu)成,該并聯(lián)共振電路由相互并聯(lián)連接的第2電容元件和第1電感元件構(gòu)成。
      另外,作為第3解決方案,所述第1反饋機(jī)構(gòu)及所述第2反饋機(jī)構(gòu)分別由并聯(lián)共振電路、和與所述并聯(lián)共振電路串聯(lián)連接的第3電容元件構(gòu)成,該并聯(lián)共振電路由相互并聯(lián)連接的第2電容元件和第1電感元件構(gòu)成。
      另外,作為第4解決方案,所述第1反饋機(jī)構(gòu)或所述第2反饋機(jī)構(gòu)中的任意一方由第1電容元件構(gòu)成,另一方由串聯(lián)共振電路、和與所述串聯(lián)共振電路并聯(lián)連接的第5電容元件構(gòu)成,該串聯(lián)共振電路由相互串聯(lián)連接的第4電容元件和第2電感元件構(gòu)成。
      另外,作為第5解決方案,所述第1反饋機(jī)構(gòu)及所述第2反饋機(jī)構(gòu)分別由串聯(lián)共振電路、和與所述串聯(lián)共振電路并聯(lián)連接的第5電容元件構(gòu)成,該串聯(lián)共振電路由相互串聯(lián)連接的第4電容元件和第2電感元件構(gòu)成。
      另外,作為第6解決方案,所述共振電路具有電感器、和與所述電感器并聯(lián)結(jié)合的電容機(jī)構(gòu),將所述電感器的電感值在所述2個頻帶中以不同的方式切換。
      另外,作為第7解決方案,所述電容機(jī)構(gòu)由變?nèi)荻O管構(gòu)成,給所述變?nèi)荻O管施加振蕩頻率可變用的控制電壓。
      根據(jù)第1方案,由于共振電路以與頻率不同的2個頻帶對應(yīng)地切換共振頻率的方式構(gòu)成;第1反饋機(jī)構(gòu)或第2反饋機(jī)構(gòu)中的至少一方以串聯(lián)并聯(lián)連接3個電抗元件而在2個頻帶中都呈現(xiàn)電感性或電容性的方式構(gòu)成,同時反饋機(jī)構(gòu)中的另一方在2個頻帶中與一方的反饋機(jī)構(gòu)相同地具有電感性或電容性,因此無需切換反饋機(jī)構(gòu)的電容值或電感值,而能夠在2個頻帶中將振蕩晶體管側(cè)作為負(fù)性電阻,在2個頻帶穩(wěn)定地振蕩。
      另外,根據(jù)第2解決方案,由于第1反饋機(jī)構(gòu)或第2反饋機(jī)構(gòu)中的任意一方由第1電容元件構(gòu)成,另一方由并聯(lián)共振電路、和與并聯(lián)共振電路串聯(lián)連接的第3電容元件構(gòu)成,該并聯(lián)共振電路由相互并聯(lián)連接的第2電容元件和第1電感元件構(gòu)成,因此以最少的電路部件數(shù)能夠構(gòu)成切換反饋機(jī)構(gòu)的等效的電容值的科爾皮茲振蕩電路。
      另外,根據(jù)第3解決方案,由于第1反饋機(jī)構(gòu)及第2反饋機(jī)構(gòu)分別由并聯(lián)共振電路、和與并聯(lián)共振電路串聯(lián)連接的第3電容元件構(gòu)成,該并聯(lián)共振電路由相互并聯(lián)連接的第2電容元件和第1電感元件構(gòu)成,因此可構(gòu)成都能切換2個反饋機(jī)構(gòu)的等效的電容值的、更穩(wěn)定的科爾皮茲振蕩電路。
      另外,根據(jù)第4解決方案,由于第1反饋機(jī)構(gòu)或第2反饋機(jī)構(gòu)中的任意一方由第1電容元件構(gòu)成,另一方由串聯(lián)共振電路、和與串聯(lián)共振電路并聯(lián)連接的第5電容元件構(gòu)成,該串聯(lián)共振電路由相互串聯(lián)連接的第4電容元件和第2電感元件構(gòu)成,因此能以最少的電路部件數(shù)構(gòu)成切換反饋機(jī)構(gòu)的等效的電容值的科爾皮茲振蕩電路。
      另外,根據(jù)第5解決方案,由于第1反饋機(jī)構(gòu)及第2反饋機(jī)構(gòu)分別由串聯(lián)共振電路、和與串聯(lián)共振電路并聯(lián)連接的第5電容元件構(gòu)成,該串聯(lián)共振電路由相互串聯(lián)連接的第4電容元件和第2電感元件構(gòu)成,因此可構(gòu)成都能切換2個反饋機(jī)構(gòu)的等效的電容值的、更穩(wěn)定的科爾皮茲振蕩電路。
      另外,根據(jù)第6解決方案,由于共振電路具有電感器、和與所述電感器并聯(lián)結(jié)合的電容機(jī)構(gòu),將所述電感器的電感值在所述2個頻帶中以不同的方式切換,因此能夠?qū)崿F(xiàn)在2個頻帶中的振蕩的切換。
      另外,根據(jù)第7解決方案,由于電容機(jī)構(gòu)由變?nèi)荻O管構(gòu)成,給所述變?nèi)荻O管施加振蕩頻率可變用的控制電壓,因此能夠構(gòu)成電壓控制振蕩電路。


      圖1是表示本發(fā)明的振蕩電路的第1實(shí)施方式的電路圖。
      圖2是表示本發(fā)明的振蕩電路的第2實(shí)施方式的電路圖。
      圖3是本發(fā)明的振蕩電路的第3實(shí)施方式的電路圖。
      圖4是本發(fā)明的振蕩電路中的反饋機(jī)構(gòu)的電抗特性圖。
      圖5是表示本發(fā)明的振蕩電路中的反饋機(jī)構(gòu)的另一個構(gòu)成的電路圖。
      圖6是表示本發(fā)明的振蕩電路的第4實(shí)施方式的電路圖。
      圖7是本發(fā)明的振蕩電路中的另一個反饋機(jī)構(gòu)的電抗特性圖。
      圖8是表示本發(fā)明的振蕩電路中的另一個反饋機(jī)構(gòu)的另一構(gòu)成的電抗特性圖。
      圖9是表示以往的振蕩電路的構(gòu)成的電路圖。
      圖中20-振蕩晶體管,25-第1反饋機(jī)構(gòu),26-第2反饋機(jī)構(gòu),27-共振電路,27a、27b-電感器,27c-開關(guān)機(jī)構(gòu),27d-變?nèi)荻O管,C1-第1電容元件,C2-第2電容元件,C3-第3電容元件,C4-第4電容元件,C5-第4電容元件,C6-第6電容元件,C7-第7電容元件,L1-第1電感元件,L2-第2電感元件,L3-第3電感元件,L4-第4電感元件,L5-第5電感元件,L6-第6電感元件,L7-第7電感元件。
      具體實(shí)施例方式
      參照

      本發(fā)明的振蕩電路。圖1表示第1實(shí)施方式。在圖1中,振蕩晶體管20的集電極與電源B連接,同時通過分流電容器21高頻接地。在基極上施加由電阻22、23分壓的偏置電壓。另外,發(fā)射極經(jīng)由電阻24接地。
      在振蕩晶體管20的基極—發(fā)射極之間插入第1反饋機(jī)構(gòu)25。第1反饋機(jī)構(gòu)25由第1電容元件C1構(gòu)成。另外,在集電極(接地)—發(fā)射極之間插入第2反饋機(jī)構(gòu)26和電容值固定的反饋機(jī)構(gòu)C。第2反饋機(jī)構(gòu)26通過由相互并聯(lián)連接的第2電容元件C2和第1電感元件L1構(gòu)成的并聯(lián)共振電路、和與該并聯(lián)共振電路串聯(lián)連接的第3電容元件C3構(gòu)成為串聯(lián)并聯(lián)的連接電路。
      在振蕩晶體管20的基極—集電極(接地)之間插入共振電路27。共振電路27的一端接地,另一端通過克拉普電容器28接合在基極上。構(gòu)成共振電路27的2個電感器27a、27b具有不同的電感值,一端都接地,通過開關(guān)機(jī)構(gòu)27c的切換另一端中的某一個與克拉普電容器28連接。另外,構(gòu)成共振電路27的變?nèi)荻O管27d的陽極接地,陰極結(jié)合在克拉普電容器28上。并且,給變?nèi)荻O管27d的陰極經(jīng)由扼流圈電感器施加來自控制端子Vt的控制電壓。
      根據(jù)以上的連接,構(gòu)成集電極接地型的科爾皮茲振蕩電路(電壓控制振蕩電路)。
      在此,對第2反饋機(jī)構(gòu)26的電抗特性進(jìn)行考察。該電路如圖4所示,由于具有并聯(lián)共振頻率fp和比其還要低的串聯(lián)共振頻率fp,因此在串聯(lián)共振頻率fs以下的頻帶域和并聯(lián)共振頻率fp以上的頻帶域上可以成為電容性,切換電容值不同的等效的電容元件,而可以得到與連接在發(fā)射極和集電極之間的形式相同的效果。并且,通過該電路的常數(shù)的設(shè)定,可以在2個頻帶中分別具有適宜的電容值。
      從而,可以將包括第1及第2的反饋機(jī)構(gòu)25、26在內(nèi)的振蕩晶體管20側(cè)作為振蕩動作所需的負(fù)性電阻,在這些頻帶域上可以構(gòu)成科爾皮茲振蕩電路。另外,通過切換共振電路27的電感器27a、27b可以將振蕩頻率設(shè)定在這些頻帶中。
      圖2表示第2實(shí)施方式,在圖2中,第1反饋機(jī)構(gòu)25由并聯(lián)共振電路、和與該并聯(lián)共振電路串聯(lián)連接的第3電容元件C3構(gòu)成,該并聯(lián)共振電路由相互并聯(lián)連接的第2電容元件C2及第1電感元件L1構(gòu)成,第2反饋機(jī)構(gòu)26由第1電容元件C1構(gòu)成。從而,在圖2中,第1反饋機(jī)構(gòu)25的構(gòu)成和第2反饋機(jī)構(gòu)26的構(gòu)成與圖1相反,其他的構(gòu)成與圖1相同。
      另外,圖3表示第3的實(shí)施方式。在圖3中,第1反饋機(jī)構(gòu)25和第2反饋機(jī)構(gòu)26都由并聯(lián)共振電路、和與該并聯(lián)共振電路串聯(lián)連接的第3電容元件C3構(gòu)成,該并聯(lián)共振電路由相互并聯(lián)連接的第2電容元件C2及第1電感元件L1構(gòu)成。其他的構(gòu)成與圖1相同。此外,第1反饋機(jī)構(gòu)25的電路常數(shù)和第2反饋機(jī)構(gòu)26的電路常數(shù)并不一定相同。
      另外,代替由第2電容元件C2、第1電感元件L1、和第3電容元件C3構(gòu)成的串聯(lián)并聯(lián)連接電路,如圖5所示,也可以由串聯(lián)共振電路、和與該串聯(lián)共振電路并聯(lián)連接的第5電容元件C5構(gòu)成,該串聯(lián)共振電路由相互串聯(lián)連接的第4電容元件C4和第2電感元件L2構(gòu)成。
      此外,在圖1~圖3中,包括克拉普電容器28在內(nèi)的共振電路27側(cè)在振蕩頻帶中具有電感性。而且并不一定需要反饋機(jī)構(gòu)C。
      圖6表示第4實(shí)施方式。在圖6中,第2反饋機(jī)構(gòu)25由第3電感元件L3構(gòu)成。在第3電感元件L3上串聯(lián)連接了直流阻隔用電容器C0。第2反饋機(jī)構(gòu)26由并聯(lián)共振電路、和與該并聯(lián)共振電路串聯(lián)連接的第5電感元件L5構(gòu)成,該并聯(lián)共振電路由相互并聯(lián)連接的第6電容元件C6和第4電感元件L4構(gòu)成。在第2反饋機(jī)構(gòu)26上也串聯(lián)連接了直流阻隔用電容器C0。其他構(gòu)成與圖1相同。并且共振電路27作為電容性而工作。
      在此,圖6中的第2反饋機(jī)構(gòu)26具有圖7所示的電抗特性。由于具有并聯(lián)共振頻率fp和比其更高的串聯(lián)共振頻率fs,因此在并聯(lián)共振頻率fp以下和串聯(lián)共振頻率fs以上作為電感性。從而,在圖6的實(shí)施方式中,可以構(gòu)成哈脫萊振蕩電路,與圖1~圖3的構(gòu)成相同地可以在2個頻帶中穩(wěn)定地振蕩。
      此外,代替由第6電容元件C6和第4電感元件L4和第5電感元件L5構(gòu)成的串聯(lián)并聯(lián)連接電路,如圖8所示,也可以由串聯(lián)共振電路、和與該串聯(lián)共振電路串聯(lián)連接的第7電感元件L7構(gòu)成,該串聯(lián)共振電路由相互串聯(lián)連接的第7電容元件C7和第6電感元件L6構(gòu)成。另外,也可以將這些串聯(lián)并聯(lián)連接電路使用在第1反饋機(jī)構(gòu)25中,將第3電感元件L3使用在第2反饋機(jī)構(gòu)26中。并且,也可以將這些串聯(lián)并聯(lián)連接電路使用在第1及第2的反饋機(jī)構(gòu)25、26中。
      權(quán)利要求
      1.一種雙頻帶電壓控制振蕩電路,其特征在于,具備振蕩晶體管;插入在所述振蕩晶體管的集電極-基極之間的振蕩電路;插入在所述振蕩晶體管的基極和發(fā)射極之間的第1反饋機(jī)構(gòu);以及插入在所述振蕩晶體管的集電極和發(fā)射極之間的第2反饋機(jī)構(gòu);并且,所述共振電路以與頻率不同的2個頻帶對應(yīng)地切換共振頻率的方式構(gòu)成;所述第1反饋機(jī)構(gòu)或所述第2反饋機(jī)構(gòu)中的至少一方的反饋機(jī)構(gòu)以串聯(lián)并聯(lián)連接3個電抗元件而在所述2個頻帶中都呈現(xiàn)電感性或電容性的方式構(gòu)成,同時,所述第1反饋機(jī)構(gòu)或所述第2反饋機(jī)構(gòu)中的另一方的反饋機(jī)構(gòu)與所述一方的反饋機(jī)構(gòu)相同在2個頻帶中具有電感性或電容性。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙頻帶電壓控制振蕩電路,其特征在于,所述第1反饋機(jī)構(gòu)或所述第2反饋機(jī)構(gòu)中的任意一方由第1電容元件構(gòu)成,所述第1反饋機(jī)構(gòu)或所述第2反饋機(jī)構(gòu)中的另一方由并聯(lián)共振電路、和與所述并聯(lián)共振電路串聯(lián)連接的第3電容元件構(gòu)成,該并聯(lián)共振電路由相互并聯(lián)連接的第2電容元件和第1電感元件構(gòu)成。
      3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙頻帶電壓控制振蕩電路,其特征在于,所述第1反饋機(jī)構(gòu)及所述第2反饋機(jī)構(gòu)分別由并聯(lián)共振電路、和與所述并聯(lián)共振電路串聯(lián)連接的第3電容元件構(gòu)成,該并聯(lián)共振電路由相互并聯(lián)連接的第2電容元件和第1電感元件構(gòu)成。
      4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙頻帶電壓控制振蕩電路,其特征在于,所述第1反饋機(jī)構(gòu)或所述第2反饋機(jī)構(gòu)中的任意一方由第1電容元件構(gòu)成,所述第1反饋機(jī)構(gòu)或所述第2反饋機(jī)構(gòu)中的另一方由串聯(lián)共振電路、和與所述串聯(lián)共振電路并聯(lián)連接的第5電容元件構(gòu)成,該串聯(lián)共振電路由相互串聯(lián)連接的第4電容元件和第2電感元件構(gòu)成。
      5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙頻帶電壓控制振蕩電路,其特征在于,所述第1反饋機(jī)構(gòu)及所述第2反饋機(jī)構(gòu)分別由串聯(lián)共振電路、和與所述串聯(lián)共振電路并聯(lián)連接的第5電容元件構(gòu)成,該串聯(lián)共振電路由相互串聯(lián)連接的第4電容元件和第2電感元件構(gòu)成。
      6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙頻帶電壓控制振蕩電路,其特征在于,所述共振電路具有電感器、和與所述電感器并聯(lián)結(jié)合的電容機(jī)構(gòu),在所述2個頻帶中以不同的方式切換所述電感器的電感值。
      7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的雙頻帶電壓控制振蕩電路,其特征在于,所述電容機(jī)構(gòu)由變?nèi)荻O管構(gòu)成,給所述變?nèi)荻O管施加振蕩頻率可變用的控制電壓。
      全文摘要
      一種雙頻帶電壓控制振蕩電路,被插入在振蕩晶體管(20)的基極—集電極之間的共振電路(26)以與頻率不同的2個頻帶對應(yīng)地切換共振頻率的方式構(gòu)成,被插入在基極—發(fā)射極之間的第1反饋機(jī)構(gòu)(24)或被插入在發(fā)射極—集電極之間的第2反饋機(jī)構(gòu)(25)中的至少一方以串聯(lián)并聯(lián)連接3個電抗元件而在所述2個頻帶中都呈現(xiàn)電感性或電容性的方式構(gòu)成,同時,反饋機(jī)構(gòu)中的另一方在2個頻帶中與一方的反饋機(jī)構(gòu)相同地具有電感性或電容性,在2個頻帶中振蕩。因此,這種雙頻帶電壓控制振蕩電路,在頻率分開的2個頻帶中也充分得到振蕩晶體管側(cè)的負(fù)性電阻,而且無論哪個頻帶都能穩(wěn)定地振蕩。
      文檔編號H03B5/18GK1825753SQ200610004428
      公開日2006年8月30日 申請日期2006年2月10日 優(yōu)先權(quán)日2005年2月24日
      發(fā)明者小林浩紀(jì) 申請人:阿爾卑斯電氣株式會社
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