專利名稱：信號(hào)輸出電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種具有發(fā)射極跟隨器的信號(hào)輸出電路。
背景技術(shù)：
大部分基于半導(dǎo)體的電路包括用作緩存等的發(fā)射極跟隨器。發(fā)射極跟隨器通常包括晶體管和位于晶體管的發(fā)射極側(cè)的恒流源，從而不論是否有信號(hào)輸入都提供恒定的電流。
當(dāng)在信號(hào)輸出電路中采用發(fā)射極跟隨器時(shí)，諸如負(fù)載電阻或負(fù)載電容器等負(fù)載被連接到輸出。這種負(fù)載減小了發(fā)射極跟隨器的操作速度。
因此，例如日本實(shí)用新型公開第H05-70020號(hào)提出采用比較器來抑制發(fā)射極跟隨器的操作速度的減小。根據(jù)該公開的電路包括比較器，其被輸入了發(fā)射極跟隨器的輸出電壓和參考電壓，從而比較器的輸出被連接到發(fā)射極跟隨器的恒流源。由比較器產(chǎn)生的表示發(fā)射極跟隨器的輸出電壓變化的信號(hào)增加了發(fā)射極跟隨器的恒流源的電流。這用于增加發(fā)射極跟隨器的操作速度。
根據(jù)該公開的信號(hào)輸出電路包括NPN型晶體管101、102，以及比較器103，如圖6所示。晶體管101的基極被連接到輸入信號(hào)端104，其發(fā)射極被連接到恒流源105和負(fù)載電容器106，并且其集電極被連接到負(fù)載107的一端。負(fù)載107的另一端被連接到高壓側(cè)電源(圖中未顯示)。
基極被連接到比較器103的輸出端的晶體管102與恒流源105并聯(lián)。晶體管102根據(jù)比較器103的輸出信號(hào)來導(dǎo)通和截止。比較器103對(duì)晶體管101的集電極電位和位于負(fù)載108和連接到負(fù)載108的一端的恒流源109之間的節(jié)點(diǎn)電位進(jìn)行比較，并且輸出比較結(jié)果。具體地，將晶體管101的集電極電位提供給比較器103的非反相輸入端，并且將位于上述節(jié)點(diǎn)的電位提供給反相輸入端。負(fù)載108的另一端被連接到高壓側(cè)電源。這種信號(hào)輸出電路的輸出出現(xiàn)在位于晶體管101的發(fā)射極和負(fù)載電容器106之間的輸出端110。
圖6所示的信號(hào)輸出電路的操作如下。當(dāng)晶體管101的基極接收輸入時(shí)，換句話說將高信號(hào)(H)輸入于此，則晶體管101的發(fā)射極電位與之一致變化。在發(fā)射極電位的這種變化期間，晶體管101的集電極電流增加，從而晶體管101的集電極電位降低了由增加的電流乘以負(fù)載107的電阻值而得到的電壓。另外，增加的電流流到負(fù)載電容器106，從而在其中進(jìn)行充電。另一方面，位于負(fù)載108和恒流源109之間的節(jié)點(diǎn)處的電位不論是否已經(jīng)輸入了信號(hào)都保持恒定。在這一階段，在比較器103的各輸入端之間產(chǎn)生了與由前述電流變化生成的電壓相對(duì)應(yīng)的電位差，但是這還沒有激活比較器103。
然后，輸入信號(hào)在保持一段時(shí)間的高電平之后降到低電平(L)。這使得晶體管101的發(fā)射極電位從高電平降到低電平。在這種變化期間，晶體管101暫時(shí)截止。此刻，一直在負(fù)載107處發(fā)生的電壓下降停止了，從而引起晶體管101的集電極電壓增加。由于晶體管101的集電極電壓被輸入到比較器103的輸入端之一，而比較器103的另一輸入端接收稍早所述的恒流，因此在比較器103的各輸入端之間產(chǎn)生了電位差。
在這一階段，提供給比較器103的非反相輸入端的電位變得高于提供給反相輸入端的電位。相應(yīng)地，比較器103導(dǎo)通并且輸出高電平。這導(dǎo)通了連接到比較器103的輸出的晶體管102，從而使負(fù)載電容器106釋放電流。因此，圖6所示的電路防止了在輸入信號(hào)的下降沿期間由負(fù)載電容器的放電電流而引起的操作速度的降低。

發(fā)明內(nèi)容
不過，在圖6所示的信號(hào)輸出電路中，根據(jù)比較器103的電路結(jié)構(gòu)或連接布局，即使沒有信號(hào)被輸入到輸入信號(hào)端104，比較器103也可以將電流供應(yīng)給晶體管102的基極。在這種情況下晶體管102的基極和發(fā)射極之間的電壓過度增加，從而引起信號(hào)輸出電路的輸出偏移電壓的漂移。輸出偏移電壓的這種漂移導(dǎo)致信號(hào)輸出電路的性能退化。
根據(jù)本發(fā)明，提供一種信號(hào)輸出電路，包括第一傳導(dǎo)型的第一晶體管，其基極連接到輸入信號(hào)端；第一恒流源，其包括第一傳導(dǎo)型的第二晶體管，第二晶體管的集電極連接到第一晶體管的發(fā)射極，從而第一恒流源與第一晶體管一起組成第一發(fā)射極跟隨器電路；第一傳導(dǎo)型的第三晶體管，其基極連接到輸入信號(hào)端；第二恒流源，其包括第一傳導(dǎo)型的第四晶體管，第四晶體管的集電極連接到第三晶體管的發(fā)射極，從而第二恒流源與第三晶體管一起組成第二發(fā)射極跟隨器電路；以及比較器，用于接收來自第一和第二發(fā)射極跟隨器電路的輸出信號(hào)；其中比較器包括第二傳導(dǎo)型的第五晶體管，其集電極連接到第四晶體管的基極，并且被第一發(fā)射極跟隨器電路的輸出信號(hào)驅(qū)動(dòng)；第二傳導(dǎo)型的第六晶體管，其與第五晶體管組成差分對(duì)，并且被第二發(fā)射極跟隨器電路的輸出信號(hào)驅(qū)動(dòng)；電阻元件，用于連接第五和第六晶體管的各個(gè)發(fā)射極；以及電流鏡電路，其連接到第五和第六晶體管的各個(gè)集電極。
在這種結(jié)構(gòu)的信號(hào)輸出電路中，當(dāng)沒有信號(hào)輸入到輸入信號(hào)端時(shí)，在比較器中組成差分對(duì)的第五和第六晶體管的集電極電流是彼此相等的。這里，電流鏡電路被連接到第五和第六晶體管的集電極。因此，從第五晶體管的集電極流到電流鏡電路的電流變得與從第六晶體管的集電極流到電流鏡電路的電流也就是第六晶體管的集電極電流相等。因此，第五晶體管的集電極電流與從第五晶體管流到電流鏡電路的電流變得彼此相等。
這種結(jié)構(gòu)可以阻止電流從作為比較器的輸出的第五晶體管的集電極流到在組成第二發(fā)射極跟隨器電路的第二恒流源中包括的第四晶體管的基極。因此，可以限制輸出偏移電壓的漂移。
因此，本發(fā)明提供了一種信號(hào)輸出電路，其能夠抑制操作速度減小，以及輸出偏移電壓的漂移。


下面通過結(jié)合附圖所進(jìn)行的講述，將使本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)勢(shì)更加明顯，其中圖1為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的信號(hào)輸出電路的電路圖；圖2為時(shí)序圖，用于解釋圖1所示的信號(hào)輸出電路的操作；圖3為解釋了圖1所示的信號(hào)輸出電路的操作的圖；圖4為關(guān)于本實(shí)施例的比較信號(hào)輸出電路的電路圖；圖5為時(shí)序圖，用于解釋圖4所示的信號(hào)輸出電路的操作；以及圖6為根據(jù)日本實(shí)用新型公開第H05-70020號(hào)的信號(hào)輸出電路的電路圖。
具體實(shí)施例方式
下面參照解釋性實(shí)施例來在此講述本發(fā)明。本領(lǐng)域的技術(shù)人員都知道，使用本發(fā)明的講述可以實(shí)現(xiàn)許多可選的實(shí)施例，并且本發(fā)明并不限于用于講解目的的實(shí)施例。
下面參照附圖來詳細(xì)講述根據(jù)本發(fā)明的信號(hào)輸出電路的示例實(shí)施例。在附圖中，相同的組件被給予相同的標(biāo)號(hào)，并且適當(dāng)情況下可以省略對(duì)它們的重復(fù)講述。
圖1為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的信號(hào)輸出電路的電路圖。信號(hào)輸出電路1包括第一和第二發(fā)射極跟隨器電路，以及比較器20。與第二發(fā)射極跟隨器電路相連的是輸出負(fù)載電容器90，并且第二發(fā)射極跟隨器電路的輸出端用作信號(hào)輸出電路1的輸出。相比之下，第一發(fā)射極跟隨器電路為虛擬發(fā)射極跟隨器電路。
第一發(fā)射極跟隨器電路包括晶體管T1(第一晶體管)和恒流源12(第一恒流源)。晶體管T1為NPN型雙極晶體管，其基極連接到輸入信號(hào)端52。晶體管T1的集電極連接到電源端56。
恒流源12包括晶體管T2(第二晶體管)和電阻元件R1。晶體管T2為NPN型雙極晶體管，其集電極連接到晶體管T1的發(fā)射極。晶體管T2的基極連接到偏置信號(hào)端54。電阻元件R1的一端連接到晶體管T2的發(fā)射極，并且另一端連接到接地端58。恒流源12與晶體管T1一起組成第一發(fā)射極跟隨器電路。
第二發(fā)射極跟隨器電路包括晶體管T3(第三晶體管)和恒流源14(第二恒流源)。晶體管T3為NPN型雙極晶體管，其基極連接到輸入信號(hào)端52。晶體管T3的集電極連接到電源端56。
恒流源14包括晶體管T4(第四晶體管)和電阻元件R2。晶體管T4為NPN型雙極晶體管，其集電極連接到晶體管T3的發(fā)射極。晶體管T4的基極經(jīng)由電阻元件R6連接到偏置電源電路60。電阻元件R2的一端連接到晶體管T4的發(fā)射極，并且另一端連接到接地端58。恒流源14與晶體管T3一起組成第二發(fā)射極跟隨器電路。
比較器20接收來自第一和第二發(fā)射極跟隨器電路的輸出信號(hào)，并且輸出這些信號(hào)之間幅度的比較結(jié)果。該輸出信號(hào)被輸入到晶體管T4的基極。比較器20包括晶體管T5(第五晶體管)、晶體管T6(第六晶體管)、電阻元件R3和電流鏡電路30。
晶體管T5為PNP型雙極晶體管，其集電極連接到晶體管T4的基極。晶體管T5的集電極電位成為比較器20的輸出。晶體管T5是由第一發(fā)射極跟隨器電路的輸出信號(hào)驅(qū)動(dòng)的。晶體管T6為PNP型雙極晶體管，并且與晶體管T5組成差分對(duì)。晶體管T6是由第二發(fā)射極跟隨器電路的輸出信號(hào)來驅(qū)動(dòng)的。
電阻元件R3連接到晶體管T5和晶體管T6的發(fā)射極。也就是說，電阻元件R3的一端連接到晶體管T5的發(fā)射極，并且另一端連接到晶體管T6的發(fā)射極。
電流鏡電路30連接到晶體管T5和晶體管T6的集電極。電流鏡電路30包括晶體管T7(第七晶體管)、晶體管T8(第八晶體管)、電阻元件R4和電阻元件R5。
晶體管T7為NPN型雙極晶體管，其集電極與晶體管T6的集電極相連接。該集電極和晶體管T7的基極相互連接。同樣地，晶體管T8為NPN型雙極晶體管，其集電極與晶體管T5的集電極相連接。晶體管T8的基極連接到晶體管T7的基極。
電阻元件R4的一端連接到晶體管T8的發(fā)射極，并且另一端連接到接地端58。同樣，電阻元件R5的一端連接到晶體管T7的發(fā)射極，并且另一端連接到接地端58。
此外，比較器20包括晶體管T9(第九晶體管)、晶體管T10(第十晶體管)以及恒流源42、44、46和48。
晶體管T9為PNP型晶體管，并且通過達(dá)林頓連接與晶體管T5相連接。也就是說，晶體管T9的發(fā)射極連接到晶體管T5的基極。晶體管T9的基極連接到第一發(fā)射極跟隨器電路的輸出，也就是晶體管T1的發(fā)射極。晶體管T9的集電極連接到接地端58。
晶體管T10為PNP型晶體管，并且通過達(dá)林頓連接與晶體管T6相連接。也就是說，晶體管T10的發(fā)射極連接到晶體管T6的基極。晶體管T10的基極連接到第二發(fā)射極跟隨器電路的輸出，也就是晶體管T3的發(fā)射極。晶體管T10的集電極連接到接地端58。
恒流源42的一端連接到晶體管T9的發(fā)射極(晶體管T5的基極)，并且另一端連接到電源端56。恒流源44的一端連接到晶體管T5的發(fā)射極，并且另一端連接到電源端56。恒流源46的一端連接到晶體管T6的發(fā)射極，并且另一端連接到電源端56。恒流源48的一端連接到晶體管T10的發(fā)射極(晶體管T6的基極)，并且另一端連接到電源端56。
下面參照?qǐng)D2來講述信號(hào)輸出電路1的操作。首先，在圖2中的時(shí)段t1中，提供給分別包括在第一和第二發(fā)射極跟隨器中的晶體管T1、T3的基極的信號(hào)Vin處于下降沿。然后，晶體管T1的發(fā)射極電位V2和晶體管T3的發(fā)射極電位V0隨著各個(gè)基極電位的變化而下降。這一過程的下降時(shí)間在各發(fā)射極跟隨器電路之間是不同的。
更為具體地說，如上所述，負(fù)載電容器90連接到第二發(fā)射極跟隨器電路的輸出。因此，由于包括用于接收來自負(fù)載電容器90的放電電流的時(shí)間，晶體管T3的發(fā)射極電位的下降時(shí)間比晶體管T1的下降時(shí)間長(zhǎng)。另一方面，由于第一發(fā)射極跟隨器電路的輸出沒有連接到負(fù)載電容器，因此晶體管T1的發(fā)射極電位的下降時(shí)間變得比晶體管T3的下降時(shí)間短。
下面參考圖3，當(dāng)從輸入信號(hào)Vin已經(jīng)開始改變的時(shí)刻開始經(jīng)過一定時(shí)間t之后，對(duì)第一和第二發(fā)射極跟隨器電路的輸出電位V2、V0進(jìn)行比較時(shí)，由于較短的下降時(shí)間，因此輸出電位V2較低。
由于從晶體管T1的發(fā)射極電氣地來看，沒有可以與輸出負(fù)載電容器90相比擬的電容器(大約pF的量級(jí))，所以晶體管T1的發(fā)射極電位V2沒有放電電流，并且從而跟著輸入信號(hào)Vin的變化。另一方面，晶體管T3的發(fā)射極電位V0試圖從輸出負(fù)載電容器90獲取放電電流。不過，由于第二發(fā)射極跟隨器電路的電流值是由恒流源14確定的，因此晶體管T3需要一定的時(shí)間來獲取放電電流，這延遲了發(fā)射極電位V0的變化。因此，從輸入開始下降起一定時(shí)間t之后，在電位V2和電位V0之間，電位V0變得高于電位V2。
在這種狀態(tài)下，低信號(hào)(L)被輸入到作為比較器20的輸入端的晶體管T9的基極，而高信號(hào)(H)被輸入到作為另一輸入端的晶體管T10的基極。這樣會(huì)在比較器20的晶體管T9、T5的基極-發(fā)射極電壓之間產(chǎn)生差值，以便已經(jīng)供應(yīng)給晶體管T5、T6的集電極電流現(xiàn)在在總量不發(fā)生任何變化的情況下聚集在晶體管T5。晶體管T5的集電極電流的增量從恒流源46穿過電阻元件R3流向晶體管T5的發(fā)射極。因此，晶體管T6的集電極電流的下降量與供應(yīng)給晶體管T5的量相同。
晶體管T6的減少了的集電極電流流入晶體管T7的集電極中。如前所述與晶體管T8一起組成電流鏡電路30的晶體管T7，試圖將與與晶體管T7的集電極電流相等的電流量供應(yīng)給晶體管T8的集電極。
因此，將電流I1，即從晶體管T5的集電極電流減去晶體管T8的集電極電流得到的余數(shù)，供應(yīng)給晶體管T4的基極。這增加了晶體管T4的基極電流I5，從而也增加了通過第二發(fā)射極跟隨器電路的電流I4。因此可使負(fù)載電容器90能夠供應(yīng)放電電流I3。
然后在圖2中的時(shí)段t2期間，輸入信號(hào)Vin保持低電平。因此，晶體管T1的發(fā)射極電位V2和晶體管T3的發(fā)射極電位V0都在低電平處保持恒定。由于通過輸入端接收的電位V2、V0相等，因此比較器20沒有被激活。因此，來自比較器20的電流I1為零，并且因此流經(jīng)第二發(fā)射極跟隨器電路的電流I4也保持在與目前所處的值相同的值。
緊接著的是圖2中的時(shí)段t3，其中輸入信號(hào)Vin進(jìn)入上升沿。然后晶體管T1、T3的發(fā)射極電位V2、V0跟隨這種變化，從而上升到高電平。此刻，晶體管T3的集電極電流I2增加，從而對(duì)與晶體管T3的發(fā)射極相連的負(fù)載電容器90進(jìn)行充電。在這種處理期間，電位V2、V0通常彼此相等，并且因此比較器20沒有被激活。
信號(hào)輸出電路1具有以下優(yōu)勢(shì)效果。在信號(hào)輸出電路1中，當(dāng)沒有將輸入信號(hào)Vin提供給輸入信號(hào)端52時(shí)，與比較器20的輸入相對(duì)應(yīng)的晶體管T9、T10的基極電位彼此相等。在這種狀態(tài)下，晶體管T9、T10的基極-發(fā)射極電壓變得彼此相等，從而使晶體管T5、T6的基極-發(fā)射極電壓也彼此相等。因此，晶體管T5、T6的集電極電流變得彼此相等，處在由恒流源44、46確定的電流值。晶體管T6的該集電極電流流入晶體管T7的集電極中。這激活了電流鏡電路30，以便向晶體管T8供應(yīng)與晶體管T7相同的集電極電流。
因此，晶體管T5的集電極電流和要提供給晶體管T8的集電極的電流變得相等，因此沒有來自晶體管T5的集電極的電流被供應(yīng)給位于晶體管T4的基極和偏置電源電路60之間的節(jié)點(diǎn)N。因此，對(duì)流經(jīng)第二發(fā)射極跟隨器電路的電流沒有任何影響，并且因此可以防止輸出偏移電壓發(fā)生漂移。
圖4為相對(duì)于信號(hào)輸出電路1的比較信號(hào)輸出電路的電路圖。圖4所示的信號(hào)輸出電路包括第一和第二發(fā)射極跟隨器電路，以及比較器22。其中，發(fā)射極跟隨器電路的結(jié)構(gòu)與信號(hào)輸出電路1中包括的結(jié)構(gòu)類似。比較器22與信號(hào)輸出電路1中的比較器20的相似之處在于包括晶體管T5、T6、T9、T10和恒流源42、48，但是與比較器20的不同之處在于不包括電阻元件R3和電流鏡電路30。
在比較器22中，晶體管T5、T6的各個(gè)發(fā)射極彼此直接相連。恒流源45的一端連接到這些發(fā)射極。恒流源45的另一端連接到電源端56。晶體管T6的集電極連接到接地端58。
參照?qǐng)D5來講述圖4的信號(hào)輸出電路的操作。首先，在圖5的時(shí)段t1中，被提供給分別包括在第一和第二發(fā)射極跟隨器電路中的晶體管T1、T3的基極的信號(hào)Vin處于下降沿。然后，晶體管T1的發(fā)射極電位V2和晶體管T3的發(fā)射極電位V0跟隨各個(gè)基極電位的變化，因此發(fā)生下降。正如參照?qǐng)D3所講述的，該處理中的下降時(shí)間在各發(fā)射極跟隨器電路之間是不同的。
不同的輸出電位V2、V0被輸入到比較器22。由于輸出電位之間的差值，目前已經(jīng)供應(yīng)給晶體管T5、T6的集電極電流現(xiàn)在聚集在晶體管T5。該集電極電流I1被提供給在組成第二發(fā)射極跟隨器電路的恒流源14中包括的晶體管T4的基極。這里，輸出電位V0的下降導(dǎo)致了晶體管T4的集電極-發(fā)射極電壓的下降，從而使晶體管T4飽和，所以晶體管T4的電流放大因子hfe下降，因此降低了對(duì)大量基極電流的需要。因此，在這種情況下，圖4的信號(hào)輸出電路可以將足夠的基極電流I5供應(yīng)給晶體管T4，從而使負(fù)載電容器90能夠提供放電電流。
在圖5的時(shí)段t2期間，輸入信號(hào)Vin保持為低。因此，各個(gè)發(fā)射極跟隨器電路的發(fā)射極電位V2、V0都保持為低，因此沒有激活比較器22，并且電流I1只包括了常態(tài)的電流。
然后在圖5的時(shí)段t3中，輸入信號(hào)Vin進(jìn)入上升沿。各個(gè)發(fā)射極跟隨器電路的發(fā)射極電位V2、V0隨著這種變化而變化。第二發(fā)射極跟隨器電路中的晶體管T3的集電極電流I2增加，從而對(duì)負(fù)載電容器90進(jìn)行充電。在這一處理期間，電位V2、V0通常彼此相等，并且因此沒有激活比較器22，并且沒有電流從比較器22提供給組成第二發(fā)射極跟隨器電路中的恒流源14的晶體管T4的基極。
在圖4所示的信號(hào)輸出電路中，比較器22的電流設(shè)定值是由恒流源45的設(shè)置來確定的，從而當(dāng)沒有提供輸入信號(hào)時(shí)，恒流源45的電流值的一半被恒定地供應(yīng)給位于晶體管T4的基極和偏置電源電路60之間的節(jié)點(diǎn)N。因此，來自偏置電源電路60的用于將集電極電流I4供應(yīng)給晶體管T4的電流和來自比較器22的輸出(晶體管T5的集電極)的電流的一部分被提供給晶體管T4的基極。另外，來自比較器22的輸出的電流的其余部分被提供給偏置電源電路60。
上述處理增加了晶體管T4的基極電位，從而增加了它的基極電流。這使晶體管T4的集電極電流以及晶體管T3的集電極電流增加。因此，第二發(fā)射極跟隨器電路中的電流增加。結(jié)果，晶體管T3的基極-發(fā)射極電壓也增加了，從而使輸出偏移電壓發(fā)生漂移。
與上述不同，在圖1所示的信號(hào)輸出電路1中，前面已經(jīng)講到比較器20包括電阻元件R3和電流鏡電路30。這種結(jié)構(gòu)能夠防止輸出偏移電壓發(fā)生漂移。
此外，電流鏡電路30包括晶體管T7，其集電極連接到晶體管T6的集電極，并且其集電極和基極彼此相連；以及晶體管T8，其集電極連接到晶體管T5的集電極，并且其基極連接到晶體管T7的基極。因此，可以用這種簡(jiǎn)化結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)電流鏡電路。
此外，比較器20包括晶體管T9、T10，它們通過達(dá)林頓連接分別連接到晶體管T5、T6。這樣能夠增加晶體管T5、T6的視在電流放大因子。不過，在信號(hào)輸出電路1中提供晶體管T9、T10并不是必需的，相反，第一和第二發(fā)射極跟隨器電路的各個(gè)輸出可以被直接輸入到晶體管T5、T6的基極。
很明顯，本發(fā)明并不限于上述實(shí)施例，并且在不偏離本發(fā)明的范圍和精神的情況下可以對(duì)其進(jìn)行修訂和更改。
權(quán)利要求
1.一種信號(hào)輸出電路，包括第一傳導(dǎo)型的第一晶體管，其基極連接到輸入信號(hào)端；第一恒流源，其包括所述第一傳導(dǎo)型的第二晶體管，第二晶體管的集電極連接到所述第一晶體管的發(fā)射極，從而第一恒流源與所述第一晶體管一起組成第一發(fā)射極跟隨器電路；所述第一傳導(dǎo)型的第三晶體管，其基極連接到所述輸入信號(hào)端；第二恒流源，其包括所述第一傳導(dǎo)型的第四晶體管，第四晶體管的集電極連接到所述第三晶體管的發(fā)射極，從而第二恒流源與所述第三晶體管一起組成第二發(fā)射極跟隨器電路；以及比較器，接收來自所述第一和所述第二發(fā)射極跟隨器電路的輸出信號(hào)；其中所述比較器包括第二傳導(dǎo)型的第五晶體管，其集電極連接到所述第四晶體管的基極，并且被來自所述第一發(fā)射極跟隨器電路的輸出信號(hào)驅(qū)動(dòng)，所述第二傳導(dǎo)型的第六晶體管，其與所述第五晶體管一起組成差分對(duì)，并且被所述第二發(fā)射極跟隨器電路的輸出信號(hào)驅(qū)動(dòng)，電阻元件，其連接所述第五和所述第六晶體管的各個(gè)發(fā)射極，以及電流鏡電路，其連接到所述第五和所述第六晶體管的各個(gè)集電極。
2.如權(quán)利要求1所述的信號(hào)輸出電路，其中所述電流鏡電路包括所述第一傳導(dǎo)型的第七晶體管，其集電極連接到所述第六晶體管的所述集電極和所述第七晶體管的基極，以及所述第一傳導(dǎo)型的第八晶體管，其集電極連接到所述第五晶體管的所述集電極，并且其基極連接到所述第七晶體管的所述基極。
3.如權(quán)利要求1所述的信號(hào)輸出電路，其中所述比較器包括第九晶體管，其基極連接到所述第一晶體管的所述發(fā)射極，并且其發(fā)射極連接到所述第五晶體管的基極，以及第十晶體管，其基極連接到所述第三晶體管的所述發(fā)射極，并且其發(fā)射極連接到所述第六晶體管的基極。
全文摘要
一種信號(hào)輸出電路(1)，包括第一和第二發(fā)射極跟隨器電路，以及比較器(20)。比較器(20)從第一和第二發(fā)射極跟隨器電路接收輸出信號(hào)，并且輸出這些信號(hào)之間的幅度的比較結(jié)果。比較器(20)包括晶體管(T5)即第五晶體管、晶體管(T6)即第六晶體管、電阻元件(R3)和電流鏡電路(30)。電阻元件(R3)連接晶體管(T5)的發(fā)射極和晶體管(T6)的發(fā)射極。電流鏡電路(30)連接到晶體管(T5)和晶體管(T6)的集電極。
文檔編號(hào)H03F3/50GK1858993SQ20061007732
公開日2006年11月8日 申請(qǐng)日期2006年4月30日 優(yōu)先權(quán)日2005年5月2日
發(fā)明者小栗壽夫 申請(qǐng)人:恩益禧電子股份有限公司