專利名稱：表面聲波濾波器和使用該表面聲波濾波器的雙工器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明總體上涉及表面聲波濾波器和使用該表面聲波濾波器的雙工器，更具體地，涉及一種其中將一個IDT(叉指型換能器)分為串聯(lián)連接的多個IDT的表面聲波濾波器和使用這種濾波器的雙工器。
背景技術(shù)：
近來，在諸如便攜電話的無線電設(shè)備的RF電路中已經(jīng)應(yīng)用了表面聲波裝置的濾波器。表面聲波裝置的濾波器(以下稱為SAW濾波器)可以是發(fā)送濾波器、接收濾波器、或者配備有封裝為單個裝置的發(fā)送濾波器和接收濾波器的天線雙工器。
圖1是在便攜電話中使用的常規(guī)天線雙工器的框圖。經(jīng)由發(fā)送端子13施加的發(fā)送信號通過發(fā)送濾波器16，并經(jīng)由天線端子14輸出。經(jīng)由天線端子14接收的接收信號通過匹配電路12和接收濾波器11，并經(jīng)由接收端子15輸出。
在日本特開2003-249842號公報(以下稱為文獻1)的圖6和日本特開2004-194269號公報(以下稱為文獻2)的圖30中公開了天線雙工器。這些天線雙工器具有由梯形SAW濾波器形成的發(fā)送濾波器，以及由多模式(multimode)型SAW濾波器形成的接收濾波器。發(fā)送濾波器可能接收強電力，因此由具有高耐電性的SAW濾波器形成。接收濾波器需要具有很高的帶外衰減和陡峻的截止特性，因此由多模式型SAW濾波器形成。
例如，在文獻2的圖5中公開了多模式型SAW濾波器的基本結(jié)構(gòu)，其包括形成在壓電基板上的一對反射器、輸入IDT(由梳狀電極構(gòu)成)和輸出IDT。輸入IDT和輸出IDT插在所述一對反射器之間。向輸入IDT施加驅(qū)動電壓，得到的SAW在反射器之間傳播。在反射器之間存在多個駐波。在輸出IDT出現(xiàn)與駐波的頻率對應(yīng)的電壓。多模式型SAW濾波器起到帶通濾波器的作用。
然而，文獻1和2中公開的雙工器具有以下問題。參照圖1，經(jīng)由發(fā)送端子13施加的發(fā)送信號的輸入功率通過發(fā)送濾波器16，如實線箭頭所示地到達天線端子14。然而，如虛線箭頭所示，一些輸入功率作為泄漏功率通過匹配電路12并到達接收濾波器11。多模式型SAW濾波器的耐電性差，泄漏功率可能破壞接收濾波器，或者可能導致接收濾波器11的非線性。這使接收靈敏度劣化。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述情況做出了本發(fā)明，并且本發(fā)明的目的是提供改進了耐電性并抑制了非線性的多模式型SAW濾波器、以及使用這種多模式型SAW濾波器的天線雙工器。
根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種多模式型SAW濾波器，其包括壓電基板；以及形成在壓電基板上的多個IDT組，所述多個IDT組各自具有串聯(lián)連接的多個IDT，其中輸入/輸出電極和接地電極通過浮置導體耦合，所述多個IDT組的多個IDT中的相鄰IDT之間的相鄰電極指包括連接到一個IDT組中的浮置導體的第一電極指、以及連接到另一個IDT組中的輸入/輸出電極和接地電極中的一個的第二電極指。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種多模式型SAW濾波器，其包括壓電基板；并聯(lián)連接并且形成在壓電基板上的多個濾波器；所述多個濾波器中的每一個包括形成在壓電基板上的多個IDT組，所述多個IDT組各自具有串聯(lián)連接的多個IDT，其中輸入/輸出電極和接地電極通過浮置導體耦合，所述多個IDT組的多個IDT中的相鄰IDT之間的相鄰電極指包括連接到一個IDT組中的浮置導體的第一電極指、以及連接到另一個IDT組中的輸入/輸出電極和接地電極中的一個的第二電極指。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種多模式型SAW濾波器，其包括第一濾波器；以及第一濾波器之后的并且為一多模式型SAW濾波器的第二濾波器，第一濾波器包括形成在壓電基板上的多個IDT組，所述多個IDT組各自具有串聯(lián)連接的多個IDT，其中輸入/輸出電極和接地電極通過浮置導體耦合，所述多個IDT組的多個IDT中的相鄰IDT之間的相鄰電極指包括連接到一個IDT組中的浮置導體的第一電極指、以及連接到另一個IDT組中的輸入/輸出電極和接地電極中的一個的第二電極指。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種天線雙工器，包括連接到一公共端子的發(fā)送濾波器；以及連接到該公共端子的接收濾波器，接收濾波器包括壓電基板；以及形成在壓電基板上的多個IDT組，所述多個IDT組各自具有串聯(lián)連接的多個IDT，其中輸入/輸出電極和接地電極通過浮置導體耦合，所述多個IDT組的多個IDT中的相鄰IDT之間的相鄰電極指包括連接到一個IDT組中的浮置導體的第一電極指、以及連接到另一個IDT組中的輸入/輸出電極和接地電極中的一個的第二電極指。


根據(jù)以下附圖來詳細說明本發(fā)明的優(yōu)選實施例，在附圖中圖1是在便攜電話中使用的常規(guī)天線雙工器的框圖；圖2A示出了作為一種多模式型SAW濾波器的常規(guī)雙模式型SAW(DMS)濾波器；圖2B示出了對比多模式SAW濾波器；圖3A示出了第一對比濾波器的帶通特性；圖3B是圖3A所示的圓圈包圍的部分的放大圖；圖4示出了本發(fā)明的第一實施例的結(jié)構(gòu)；圖5A是仿真濾波器的通帶的頻率特性的曲線圖；圖5B是圖5A所示的圓圈包圍的部分的放大圖；圖6示出了第一實施例的第一變型例；圖7示出了第一實施例的第二變型例；圖8示出了第一實施例的第三變型例；圖9示出了第一實施例的第四變型例；圖10示出了第一實施例的第五變型例；圖11示出了第一實施例的第六變型例；
圖12示出了第一實施例的第七變型例；圖13示出了第一實施例的第八變型例；圖14示出了第一實施例的第九變型例；圖15示出了本發(fā)明的第二實施例；圖16示出了本發(fā)明的第三實施例；圖17示出了本發(fā)明的第四實施例；圖18示出了根據(jù)本發(fā)明第五實施例的天線雙工器；圖19A示出了交叉調(diào)制測試的環(huán)境；圖19B示出了交叉調(diào)制測試中的測試頻率的條件；圖20示出了在接收端子觀察到的干擾波的頻譜；圖21示出了交叉調(diào)制測試中評估的天線雙工器；圖22示出了交叉調(diào)制測試中評估的另一天線雙工器；圖23示出了交叉調(diào)制測試的結(jié)果；圖24A和24B示出了交叉調(diào)制測試評估的天線雙工器的通帶特性；圖25示出了本發(fā)明的第六實施例；以及圖26示出了本發(fā)明的第七實施例。
具體實施例方式
根據(jù)本發(fā)明的一方面，在輸入或輸出電極與接地電極之間設(shè)置有通過浮置導體串聯(lián)連接的多個IDT。根據(jù)該設(shè)置，可以改進多模式型SAW的耐電性。
圖2A示出了作為一種多模式型SAW濾波器的常規(guī)雙模式型SAW(DMS)濾波器。參照圖2A，在壓電基板10上的反射器20a與20b之間，沿SAW傳播方向并排設(shè)置有三個IDT 21a、21b和21c。中央IDT 21b的輸入/輸出電極22b連接到輸入端子22，左IDT 21a和右IDT 21c的輸入/輸出電極22a和22c分別連接到輸出端子。IDT 21a、21b和21c的接地電極23a、23b和23c連接到地。符號AP代表孔徑長度，孔徑長度是接地電極和輸入/輸出電極的電極指的交錯部分的長度。
圖2B示出了對比多模式SAW濾波器，其為具有多個IDT組的雙模式型SAW濾波器，每個IDT組都具有串聯(lián)連接的多個IDT。參照圖2B，在反射器30a與30b之間，在SAW傳播方向上并排設(shè)置有IDT組31a、31b和31c。IDT組31a具有串聯(lián)連接的IDT 32a和33a。IDT 32a由輸入/輸出電極34a和浮置導體35a組成。IDT 33a由浮置導體35a和接地電極36a組成。類似地，IDT組31b具有串聯(lián)連接的IDT 32b和33b。IDT 32b由輸入/輸出電極34b和浮置導體35b組成。IDT 33b由浮置導體35b和接地電極36b組成。類似地，IDT組31c具有串聯(lián)連接的IDT 32c和33c。IDT 32c由輸入/輸出電極34c和浮置導體35c組成。IDT 33c由浮置導體35c和接地電極36c組成。輸入/輸出電極與浮置導體之間的孔徑長度表示為AP1，浮置導體與接地電極之間的孔徑長度表示為AP2。
為了將圖2A所示的常規(guī)DMS濾波器替換為圖2B所示的對比DMS濾波器，對比DMS濾波器具有與常規(guī)DMS濾波器的輸入/輸出阻抗相同的輸入/輸出阻抗。為了實現(xiàn)該阻抗關(guān)系，優(yōu)選地，對比DMS濾波器的IDT組31a、31b和31c的合成靜電電容分別等于IDT 21a、21b和21c的合成靜電電容。
在對比DMS濾波器的IDT組中，假定將具有孔徑長度AP1的上IDT的靜電電容表示為C1，將具有孔徑長度AP2的下IDT的靜電電容表示為C2。各個IDT組的合成靜電電容表示為1/(1/C1+1/C2)。假定IDT的靜電電容與孔徑長度成比例，為了實現(xiàn)IDT的靜電電容等于IDT組的靜電電容的關(guān)系，應(yīng)該滿足以下等式AP1×AP2＝(AP1+AP2)×AP(1)串聯(lián)分段定義為將一個IDT轉(zhuǎn)換為由串聯(lián)連接的多個IDT組成的IDT組的方式。在圖2b所示的對比濾波器中，AP1＝1.5×AP且AP2＝3×AP。施加到對比濾波器的上IDT的電壓等于施加到常規(guī)濾波器的IDT的電壓的0.66倍，即，AP2/(AP1+AP2)＝0.66。施加到對比濾波器的下IDT的電壓等于施加到常規(guī)濾波器的IDT電壓的0.33倍，即，AP1/(AP1+AP2)＝0.33。
當如上所述地減小施加到IDT的電壓時，可以減小IDT中的單位面積SAW強度。這改進了耐電性并抑制了非線性。
本發(fā)明者在上述表達式(1)的范圍內(nèi)改變對比濾波器的孔徑長度AP1和AP2，并研究其帶通特性。圖3A示出了AP1＝1.5AP且AP2＝3.0AP的第一對比濾波器、AP1＝1.8AP且AP2＝2.25AP的第二對比濾波器、以及AP1＝2.0AP且AP2＝2.0AP的第三對比濾波器的帶通特性，以及常規(guī)濾波器的帶通特性。圖3B是圖3A所示的被圓圈包圍的部分(其中出現(xiàn)凹陷)的放大圖。
在對比示例中，凹陷在大約1,926MHz增加插入損耗。凹陷隨著孔徑長度AP1增大而增大。在按串聯(lián)分段設(shè)置的上IDT與下IDT之間施加等于常規(guī)濾波器中所使用電壓的一半的電壓的第三對比濾波器中，可以獲得對耐電性的最大改進和對非線性的最大抑制。然而，圖3A和3B示出了第三對比濾波器具有很大的凹陷。在通帶中存在凹陷的情況下，在諸如便攜電話的不同信道中可能獲得不同的接收靈敏度。這阻止了按均等的服務(wù)提供使用。考慮以上因素，無法使用具有最小凹陷的第一對比濾波器。
通帶中的凹陷是由浮置導體35a、35b和35c之間的靜電電容而導致的。例如，IDT組31a的浮置導體35a與IDT組31b的浮置導體35b之間的靜電電容主要形成在浮置導體35a的較接近(面對)IDT組31b的電極指與浮置導體35b的較接近(面對)IDT組31a的電極指之間。根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種具有串聯(lián)連接的多個IDT的多模式型SAW濾波器，其中可以減小浮置導體之間的靜電電容。
(第一實施例)圖4示出了第一實施例的結(jié)構(gòu)，其為示例性雙模式型SAW濾波器，雙模式型SAW濾波器是一種多模式型SAW濾波器，并具有其中多個IDT串聯(lián)連接的IDT組。參照圖4，在形成在壓電基板10上的反射器40與45之間沿著SAW傳播方向設(shè)置有IDT組41、42和43。
IDT組41具有串聯(lián)連接的IDT 51和56。IDT 51由輸入/輸出電極61和浮置導體71組成。IDT 56由接地電極66和浮置導體71組成。即，IDT組41被構(gòu)造為使得IDT 51和56通過浮置導體71串聯(lián)連接。類似地，IDT組42具有由輸入/輸出電極62和浮置導體72組成的IDT 52、以及由接地電極67和浮置導體72組成的IDT 57。IDT 52和57通過浮置導體72串聯(lián)連接。IDT組43具有由輸入/輸出電極63和浮置導體73組成的IDT 53、以及由接地電極68和浮置導體73組成的IDT 58。IDT 53和58通過浮置導體73串聯(lián)連接。在各個IDT組中，輸入/輸出電極和接地電極通過浮置導體串聯(lián)連接。
上IDT是沿SAW傳播方向設(shè)置的IDT 51(第一IDT)、IDT 52(第二IDT)和IDT 53(第三IDT)。下IDT是IDT 56(第一IDT)、IDT 57(第二IDT)和IDT 58(第三IDT)。IDT組42的IDT輸入/輸出電極62連接到輸入端子，IDT組41和43的輸入/輸出電極61和63連接到輸出端子。接地電極66、67和68連接到接地端子。壓電基板10可以是LiNbO3基板或LiTaO3，輸入/輸出電極、接地電極和浮置導體可以由A1制成。
當向輸入端子(即，IDT組42)施加輸入信號時，在反射器40與45之間激勵的SAW向這些反射器傳播，從而在反射器40與45之間出現(xiàn)多個駐波。在IDT組41的IDT 51與56之間、以及IDT組43的IDT 53與58之間，出現(xiàn)與駐波的頻率對應(yīng)的電壓。這樣，只有與駐波對應(yīng)的期望頻率可以輸出到輸出端子。即，根據(jù)第一實施例的DMS起到帶通濾波器的作用。
在IDT組41和42中，IDT 51的浮置導體71的電極指74a最接近IDT 52。IDT 52的輸入/輸出電極62的電極指65a最接近IDT 51。IDT 56的浮置導體71的電極指75a最接近IDT 57。IDT 57的接地電極67的電極指69a最接近IDT 56。在IDT組42和43中可以獲得與IDT 51和52的關(guān)系相同的關(guān)系。
如上所述，在相鄰IDT之間的相鄰電極指之一連接到浮置導體的情況下，另一個電極指連接到并非浮置導體的導體(輸入/輸出電極或接地電極)。這樣，在浮置導體71與72之間設(shè)置有輸入/輸出電極或接地電極的電極指，從而可以減小浮置導體71與72之間的靜電電容。因此，可以抑制通帶中的凹陷，如稍后詳細說明。
隨著連接浮置導體71、72和73各自的電極指的連接線變短，浮置導體71、72和73之間的靜電電容變小。優(yōu)選地，連接線的長度等于或小于IDT的電極間距或周期的五倍。
在圖4所示的IDT 51中，浮置導體71除了電極指74a之外還具有電極指74b。電極指74b在SAW傳播方向上鄰近電極指74a。類似地，在IDT 56中，浮置導體71除了電極指75a之外還按如下方式具有電極指75b電極指75a與75b在SAW傳播方向上相鄰。即，位于相鄰IDT之間的兩種相鄰電極指之一由多個處于相同電勢的相鄰電極指組成。換句話說，在IDT 51(第一IDT)與IDT 52(第二IDT)之間設(shè)置有處于相同電勢的多個電極指74a和74b，在IDT 52(第二IDT)與IDT 53(第三IDT)之間設(shè)置有處于相同電勢的多個電極指78a和78b。
在形成多模式型SAW濾波器的所有IDT的每一個中，輸入/輸出電極和接地電極都通過浮置導體串聯(lián)連接。因此，可以改進耐電性并有效抑制非線性。電極指74a和74b連接到處于與輸入/輸出電極61和接地電極66的電勢不同的電勢的導體71，電極指78a和78b連接到處于與輸入/輸出電極63和接地電極68的電勢不同的電勢的導體73。因此，可以加寬通帶范圍。
IDT 51和52在SAW傳播方向上彼此相鄰。處于相同電勢的多個電極指74a和74b連接到浮置導體71。類似地，處于相同電勢的多個電極指75a和75b連接到浮置導體71。
各個IDT組中的串聯(lián)連接的IDT的兩個電極指圖案關(guān)于沿著SAW傳播方向延伸的軸具有鏡面對稱性。例如，IDT組41的IDT 51和IDT 56關(guān)于線A-A具有鏡面對稱性。即，輸入/輸出電極61和接地電極66關(guān)于線A-A具有鏡面對稱性，浮置導體71關(guān)于線A-A具有鏡面對稱性。
連接到輸出端子的輸入/輸出電極61和63設(shè)置在圖4的上側(cè)，連接到輸入端子的輸入/輸出電極62設(shè)置在圖4的上側(cè)。接地電極66、67和68設(shè)置在圖4的下側(cè)。即，連接到輸出端子的輸入/輸出電極61和63以及連接到輸入端子的輸入/輸出電極62設(shè)置在相同方向。因此，可以增大輸入端子與輸出端子之間的耦合電容，并改進帶外抑制。
IDT 51、52和53的孔徑長度AP1以及輸入IDT 56、57和58的孔徑長度AP2等于2.0×AP。按照該設(shè)置，耐電性得到最大改進且非線性得到最大抑制。
本發(fā)明者對圖2A所示的常規(guī)濾波器、圖2B所示的AP1＝AP2＝2×AP的對比濾波器、以及圖4所示的AP1＝AP2＝2×AP的第一實施例的通帶特性進行仿真。在圖5A和5B示出了仿真結(jié)果。圖5A是仿真濾波器的通帶頻率特性的曲線圖，圖5B是圖5A所示的圓圈包圍的部分的放大圖。
如在圖3A和3B的情況那樣，在對比濾波器中，在大約1,926MHz出現(xiàn)增大插入損耗的凹陷。相反，在第一實施例中不發(fā)生凹陷。這是因為第一實施例能夠抑制浮置導體71與72之間的靜電電容以及浮置導體72與73之間的靜電電容。因此，使得具有多個IDT組(各個IDT組具有串聯(lián)連接的多個IDT)的多模式型SAW濾波器可以具有AP1＝AP2的關(guān)系，這導致最大地改進了耐電性并且最大地抑制了非線性而不降低濾波器特性。因此，可以改進耐電性和非線性而不降低濾波器特性。優(yōu)選地，應(yīng)當滿足AP1＝AP2。然而，不一定要滿足AP1＝AP2。即使在AP1不等于AP2時，也可以實現(xiàn)沒有凹陷的濾波器特性。
不但可以通過第一實施例來減小相鄰IDT的浮置導體之間的靜電電容，而且可以通過第一實施例的變型例來減小相鄰IDT的浮置導體之間的靜電電容。現(xiàn)在，說明這些變型例。
圖6示出了第一實施例的第一變型例，其與第一實施例的不同之處在于浮置導體71a、72a和73a與浮置導體71、72和73不同。該變型例的其他結(jié)構(gòu)與第一實施例的其他結(jié)構(gòu)相同。在相鄰IDT 51和52中，IDT51的鄰近IDT 52的電極指是輸入/輸出電極61的電極指64a，IDT 52的鄰近IDT 51的電極指是浮置導體72a的電極指76a。類似地，在相鄰IDT56和57中，IDT 56的鄰近IDT 57的電極指是接地電極66的電極指69b，IDT 57的鄰近IDT 56的電極指是浮置導體72a的電極指77a。此外，電極指77b連接到浮置導體72a并被設(shè)置為靠近電極指77a。IDT組42和43的相鄰電極指具有與以上關(guān)系類似的關(guān)系。
以上述方式，處于相同電勢的多個電極指可以連接到IDT組42的浮置導體72a。在處于相同電勢并位于IDT 51(第一IDT)和IDT 52(第二IDT)之間的多個電極指76a和76b之間、以及處于相同電勢并位于IDT 52(第二IDT)和IDT 53(第三IDT)之間的多個電極指78c和78d之間進行互相連接。
圖7示出了第一實施例的第二變型例，其與第一實施例的不同之處在于浮置導體71b、72b和73b具有與第一實施例的浮置導體不同的結(jié)構(gòu)。在相鄰的IDT 51和52中，IDT 51的鄰近IDT 52的電極指是浮置導體71b的電極指74c，附加地設(shè)置有靠近電極指74c的電極指74d。IDT 52的鄰近IDT 51的電極指是輸入/輸出電極的電極指65a。類似地，在相鄰的IDT 56和57中，IDT 56的鄰近IDT 57的電極指是接地電極66的電極指69b，IDT 57的鄰近IDT 56的電極指是浮置導體72b的電極指77c，附加地設(shè)置有靠近電極指77c的電極指77d。IDT組42和43的相鄰電極指具有與上述關(guān)系類似的關(guān)系。如上所述，位于輸入/輸出側(cè)并處于相同電勢的多個電極指可以連接到相對側(cè)的浮置導體71b和73b，位于接地側(cè)并處于相同電勢的多個電極指可以連接到中央浮置導體72b。
圖8示出了第一實施例的第三變型例，其具有如下設(shè)置串聯(lián)連接的多個IDT中的兩個IDT的電極指圖案在垂直于SAW傳播方向的方向上平行移動。IDT 56、57和58具有通過在垂直于SAW傳播方向的方向上平行移動IDT 51、52和53而獲得的電極圖案。即，接地電極66a具有通過平行移動浮置導體71c的上部而獲得的電極圖案，浮置導體71c的下部具有通過移動輸入/輸出電極61而獲得的電極圖案。類似地，接地電極67a具有通過移動浮置導體72c的上部而獲得的電極圖案，浮置導體72c的下部具有通過平行移動輸入/輸出電極62而獲得的電極圖案。接地電極68c具有通過平行移動浮置導體73c的上部而獲得的電極圖案，浮置導體73c的下部具有通過平行移動輸入/輸出電極63而獲得的電極圖案。
根據(jù)以上設(shè)置，在相鄰的IDT 51和52中，IDT 51的鄰近IDT 52的電極指是浮置導體71c的電極指74e，附加地設(shè)置有接近電極指74e電極指74f。IDT 52的鄰近IDT 51的電極指是輸入/輸出電極52的電極指65a。類似地，在相鄰的IDT 56和57中，IDT 56的鄰近IDT 57的電極指是接地電極66a的電極指69c，IDT 57的鄰近IDT 56的電極指是浮置導體72c的電極指77e。如IDT 56的情況一樣，處于相同電勢的多個電極指69c和69d連接到接地電極66a。這表示處于相同電勢的多個電極指可以連接到并非浮置導體的導體，只要該導體位于與所述多個電極指的電勢相等的電勢。
圖9示出了第一實施例的第四變型例。第四變型例具有通過連接線46將接地電極66、67和68連接在壓電基板10上的設(shè)置。第四變型例的其他結(jié)構(gòu)與第一實施例的結(jié)構(gòu)相同。應(yīng)當注意，IDT的接地電極一起連接在壓電基板上。這使得很容易控制增加到連接到輸入端子的IDT組42以及連接到輸出端子的IDT組41和43的公共地電感。
圖10示出了第一實施例的第五變型例。接地電極66、67和68合成為一體，接地電極66、67和68的電極指直接連接到單個接地匯流條(busbar)47。接地匯流條47是電極指直接連接到的直線形電極。IDT 56、57和58的接地電極的所有電極指都連接到該單個匯流條，第五變型例的其他結(jié)構(gòu)與第一實施例的結(jié)構(gòu)相同。因此，可以使得很容易控制增加到連接到輸入端子的IDT組42和連接到輸出端子的IDT 41和43的公共地電感。
圖11示出了第一實施例的第六變型例，其中連接到輸出端子的輸入/輸出電極61a和63a設(shè)置在與設(shè)置有連接到輸入端子的輸入/輸出電極62的方向不同的方向。IDT組42具有下段IDT 57以及上段IDT 52，IDT57具有接地電極67和浮置導體72，IDT 52具有連接到輸入端子的輸入/輸出電極和浮置導體72。相反，IDT組41和43具有下段IDT 51a和53a以及上段IDT 56a和58a，IDT 51a和53a分別具有連接到輸出端子的輸入/輸出電極61a和63a以及浮置導體71和73，IDT 56a和58a分別具有接地電極66b和68b以及浮置導體71和73。第六實施例的其他結(jié)構(gòu)與第一實施例的結(jié)構(gòu)相同。根據(jù)以上設(shè)置，可以改進耐電性并抑制非線性。
圖12示出了第一實施例的第七變型例。關(guān)于位于相對側(cè)的IDT組41和43，IDT 51的輸入/輸出電極61和IDT 53的輸入/輸出電極63連接到輸入端子，IDT組42的IDT 52的輸入/輸出端子62連接到輸出端子。第七變型例的其他結(jié)構(gòu)與第一實施例的結(jié)構(gòu)相同。與第一實施例相比，第一變型例更多地改進了耐電性并且更多地抑制了非線性。
圖13示出了第一實施例的第八變型例，其中去除了浮置導體的連接線。在反射器40a與45a之間在SAW傳播方向上設(shè)置有IDT組41a、42a和43a。IDT組41a具有輸入/輸出電極61和接地電極66，浮置導體的電極指79插在電極61與66的電極指之間。類似地，IDT組42a具有輸入/輸出電極62和接地電極67，浮置導體的電極指79插在電極62與67的電極指之間。IDT組43a具有輸入/輸出電極63和接地電極68，浮置導體的電極指79插在電極63與68的電極指之間。此外，在輸入/輸出電極61與62以及接地電極66與67之間設(shè)置有用作浮置導體的兩個電極指79以運作。類似地，在輸入/輸出電極62與63以及接地電極67與68之間設(shè)置有用作浮置導體的兩個電極指79以運作。第八變型例的其他結(jié)構(gòu)與第一實施例的結(jié)構(gòu)相同。除去浮置導體的連接線進一步抑制了通帶中的凹陷。
圖14示出了第一實施例的第九變型例，其中在相鄰IDT的相鄰的浮置導體的連接線之間設(shè)置有電極指，該電極指不連接到上述連接線。第九變型例的其他結(jié)構(gòu)與第一實施例的結(jié)構(gòu)相同。在IDT 51和56的浮置導體71的連接線48a與IDT 52和57的浮置導體72的連接線48b之間設(shè)置有電極指65b和69e。此外，電極指65b連接到輸入/輸出電極62b，電極指69e連接到接地電極67b。即，電極指65b和69e不連接到浮置導體71和72，而與其隔離。IDT組42和43的連接線48b和48c具有與上述關(guān)系相同的關(guān)系。即，在兩個相鄰的串聯(lián)連接IDT的相鄰浮置導體的連接線之間設(shè)置有電極指，這些電極指不連接到上述連接線。因此，可以減小連接線48a與48b之間以及連接線48b與48c之間的靜電電容。更具體地，可以減小浮置導體71與72之間的靜電電容以及浮置導體72與73之間的靜電電容。因此，可以進一步抑制通帶中的凹陷。
第一實施例及其變型例是示例性的DMS濾波器。然而，本發(fā)明并不限于DMS濾波器，而是可以包括在SAW傳播方向上設(shè)置有多個IDT組的多模式SAW濾波器。即使多模式SAW濾波器也具有與以上優(yōu)點類似的優(yōu)點。處于相同電勢的電極指的數(shù)量并不限于兩個，而是可以使用多于兩個的任意數(shù)量的電極指以獲得類似的優(yōu)點。
(第二實施例)本發(fā)明的第二實施例是具有串聯(lián)連接的三個IDT的示例性濾波器。圖15是第二實施例的頂視圖。三個IDT組131a、131b和131c設(shè)置在壓電基板10上，并位于也設(shè)置于壓電基板10上的反射器130a與130b之間。IDT組131a具有串聯(lián)連接的IDT 132a、133a和134a。IDT 132a具有輸入/輸出電極135a和浮置導體137a。IDT 133a具有浮置導體137a和另一浮置導體138a。IDT 134a具有接地電極136a和浮置導體138a。類似地，IDT組131b具有串聯(lián)連接的IDT 132b、133b和134b。IDT 132b具有輸入/輸出電極135b和浮置導體137b。IDT 133b具有浮置導體137b和另一浮置導體138b。IDT 134b具有接地電極136b和浮置導體138b。IDT組131c具有串聯(lián)連接的IDT 132c、133c和134c。IDT 132c具有輸入/輸出電極135c和浮置導體137c。IDT 134c具有浮置導體137c和另一浮置導體138c。IDT 134c具有接地電極136c和浮置導體138c。
在相鄰IDT 132a和132b中，IDT 132a的鄰近IDT 132b的電極指是浮置導體137a的電極指139a。IDT 132b的鄰近IDT 132a的電極指是輸入/輸出電極135b的電極指140a。類似地，在相鄰IDT 133a和133b中，IDT 133a的鄰近IDT 133b的電極指是浮置導體137a的電極指139c。IDT133b的鄰近IDT 133a的電極指是浮置導體138b的電極指141c。在相鄰IDT 134a和134b中，IDT 134a的鄰近IDT 134b的電極指是接地電極136a的電極指142a。IDT 134b的鄰近IDT 134a的電極指是浮置導體138b的電極指141a。IDT組131b和131c具有與以上關(guān)系類似的關(guān)系。
中段的IDT 133a、133b和133c與上段的IDT 132a、132b和132c關(guān)于沿著SAW傳播方向延伸的軸具有鏡面對稱關(guān)系。下段的IDT 134a、134b和134c具有通過將中段的IDT 133a、133b和133c在與SAW傳播方向垂直的方向上平行移動而獲得的電極圖案。
如上所述，相鄰IDT之間的相鄰電極指中的一個連接到浮置導體，另一電極指連接到并非上述浮置導體的導體，例如輸入/輸出電極或接地電極。在相鄰的浮置導體137a與137b之間設(shè)置有輸入/輸出電極135b的電極指140a，在相鄰的浮置導體138a與138b之間設(shè)置有接地電極136a的電極指142a。因此，如第一實施例的情況一樣，可以減小浮置導體137a與137b之間的靜電電容以及浮置導體138a與138b之間的靜電電容，并抑制通帶中的凹陷。
靠近IDT 132a的浮置導體137a的電極指139a地附加設(shè)置其電極指139b。電極指139a和139b是鄰近IDT 132b的電極指。類似地，IDT 133a的鄰近IDT 133b的相鄰電極指除了浮置導體137a的電極指139c之外還按如下方式包括其電極指139d電極指139c和139d并排設(shè)置并且彼此相鄰。IDT 134b的鄰近IDT 134a的相鄰電極指除了浮置導體138b的電極指141a之外還按如下方式包括其電極指141b電極指141a和141b并排設(shè)置并且彼此相鄰。位于相鄰IDT之間的相鄰電極指的兩種類型之一由處于相同電勢的多個相鄰電極指組成。
優(yōu)選地，具有串聯(lián)連接的三個分解IDT的第二實施例與圖2A所示的常規(guī)濾波器具有相同的阻抗。因此，優(yōu)選地，IDT組131a、131b和131c的合成靜電電容分別等于IDT 21a、22b和23c的靜電電容。因此，優(yōu)選地滿足以下等式AP1×AP2×AP3＝(AP1×AP2+AP1×AP3+AP2×AP3)×AP其中，AP1是上段的IDT 132a、132b和132c的孔徑長度，AP2是中段的IDT 133a、133b和133c的孔徑長度，AP3是下段的IDT 134a、134b和134c的孔徑長度。當API＝AP2＝AP3＝3.0AP時，對各個IDT施加的電壓最低。因此，可以獲得對耐電性的最大改進和對非線性的最大抑制。第二實施例假定AP1＝AP2＝AP3＝3.0AP。
在具有API＝AP2＝AP3＝3.0AP的關(guān)系的第二實施例中，對各個IDT施加的電壓等于對常規(guī)濾波器的各個IDT施加的電壓的1/3。第一實施例中的電壓等于常規(guī)電壓的1/2。因此，第二實施例進一步改進了耐電性并進一步抑制了非線性。隨著由于串聯(lián)分段而得到的段數(shù)增大，可以進一步改進耐電性并且可以進一步抑制非線性。然而，濾波器面積增大?？梢钥紤]濾波器的芯片面積、耐電性和非線性來確定串聯(lián)分段引起的段數(shù)。
(第三實施例)第三實施例具有根據(jù)第一實施例構(gòu)造并且并聯(lián)連接的四個多模式SAW濾波器。圖16示出了第三實施例。圖16所示的濾波器具有四個DMS濾波器91、92、93和94，這些DMS濾波器各自具有與第一實施例的第五變型例相同的結(jié)構(gòu)。第三實施例的孔徑長度等于第五變型例的孔徑長度的1/4。DMS濾波器91、92、93和94的輸入端子并聯(lián)連接，并連接到公共輸入端子90。DMS濾波器91到94的輸出端子并聯(lián)連接，并連接到公共輸出端子95。如果DMS濾波器91至94各自的孔徑長度等于第一實施例的第五變型例的孔徑長度的1/4，則四個DMS濾波器并聯(lián)連接的第三實施例將具有與第一實施例的第五變型例的輸入/輸出阻抗相等的輸入/輸出阻抗。減小到1/4的孔徑長度減小了電極指的電阻和插入損耗。
在第三實施例中使用的DMS濾波器91至94并不限于第一實施例的第五變型例，而是可以具有另一結(jié)構(gòu)。第三實施例中使用的DMS濾波器的數(shù)量并不限于四個，而是可以采用任意數(shù)量的DMS濾波器。隨著并聯(lián)連接的DMS濾波器的數(shù)量增大，可以使用減小的孔徑長度，并且可以獲得降低的插入損耗。然而，濾波器的尺寸變大?？梢钥紤]濾波器尺寸和插入損耗來選擇并聯(lián)連接的DMS濾波器的數(shù)量。
(第四實施例)第四實施例是通過將僅僅具有并非由串聯(lián)分段形成的IDT的多模式型SAW濾波器連接到根據(jù)第三實施例構(gòu)造的多模式型SAW濾波器的輸出端子而構(gòu)成的。圖17示出了第四實施例，其具有第三實施例的第一濾波器100、以及輸入端子107連接到第一濾波器100的輸出端子95的第二濾波器102。第一濾波器100是第三實施例的多模式型SAW濾波器，第二濾波器102由并聯(lián)連接且沒有串聯(lián)分段的常規(guī)DMS濾波器103、104、105和106組成。DMS濾波器103、104、105和106的輸入端子連接到第二濾波器102的公共輸入端子107，DMS濾波器103、104、105和106的輸出端子連接到第二濾波器102的公共輸出端子108。
級聯(lián)第一和第二濾波器100和102，從而可以大大改進帶外抑制。連接到輸入端子90的第一濾波器100主要影響耐電性和非線性。由第三實施例形成的第一濾波器100改進了耐電性并抑制了非線性。第二濾波器102僅僅具有未經(jīng)串聯(lián)分段的IDT，占用壓電基板上很小的面積。
如上所述，優(yōu)選地，第二濾波器102僅具有未經(jīng)串聯(lián)分段的IDT。另選地，第二濾波器102可以具有諸如第三實施例的由分段形成的IDT。第一濾波器100可以是第一實施例或其任何變型例。第二實施例102可以是由一個或者并聯(lián)連接的多個多模式型SAW濾波器組成的多模式型SAW濾波器。
(第五實施例)第五實施例是應(yīng)用了第四實施例的濾波器的用于便攜電話的天線雙工器。圖18示出了第五實施例的天線雙工器。該天線雙工器具有由第四實施例形成的接收濾波器120a，由第一實施例的第五變型例形成的四個DMS濾波器121a并聯(lián)連接并且連接到接收濾波器120a的輸入濾波器。此外，接收濾波器120a包括連接到四個DMS濾波器121a的公共輸出端子的四個常規(guī)DMS濾波器122a。
發(fā)送端子128連接到由梯形SAW濾波器形成的發(fā)送濾波器126的輸入端子，所述梯形SAW濾波器126具有連接到天線端子125的輸出端子。施加到天線端子128的發(fā)送信號施加到發(fā)送濾波器126，發(fā)送濾波器126只允許期望的頻率分量從其通過。這些頻率分量通過連接有天線的天線端子125而發(fā)送。天線端子125連接到匹配電路123，匹配電路123連接到接收濾波器120a的輸入端子。接收濾波器120a的輸出端子連接到接收端子124。通過天線端子125接收的接收信號通過匹配電路123，只有其中的期望頻率分量可以通過接收濾波器120a，并施加到接收端子124。
發(fā)送濾波器126由具有高耐電性的梯形SAW濾波器形成，并因此能夠經(jīng)受高功率的發(fā)送信號。接收濾波器120a由本發(fā)明的多模式型SAW濾波器形成，由此可以獲得很高的帶外衰減和陡峻的截止特性。此外，如已經(jīng)參照圖1所述的，即時在來自發(fā)送濾波器126的發(fā)送信號的一部分向接收濾波器120a泄露的情況下，接收濾波器120a也具有改進的耐電性并且?guī)缀醪粫恍孤豆β势茐?。此外，接收濾波器120a抑制了非線性并改進了接收靈敏度。
為了確認對非線性的抑制效果，發(fā)明者進行了交叉調(diào)制測試(CM測試)，CM測試是用于評估天線雙工器的性能的一個因素。
圖19A示出了CM測試的環(huán)境。天線雙工器的框結(jié)構(gòu)與圖1所示的框結(jié)構(gòu)相同。為了在天線端子14獲得25dBm的功率，向發(fā)送端子13施加功率大且發(fā)送頻率為fTx的調(diào)制信號(發(fā)送信號)。同時，向天線端子14提供-30dBm微弱的且接收頻率為fTx+ΔG+Δf的非調(diào)制信號(干擾波)。然后，測量在接收端子15獲得的信號頻譜。
圖19B示出了CM測試中的測試頻率的條件。橫軸代表頻率，縱軸表示信號通過量。圖19B中的實線表示發(fā)送濾波器16的濾波器特性，虛線表示接收濾波器11的濾波器特性。具有天線雙工器的便攜電話的通信系統(tǒng)的發(fā)送頻率范圍和接收頻率范圍分別包括在發(fā)送濾波器16和接收濾波器11的通帶中。參數(shù)ΔG表示發(fā)送頻率范圍的中心頻率與接收頻率范圍的中心頻率之間的差(固定值)。參數(shù)Δf是針對各個通信系統(tǒng)而限定的信道間隔(等于幾MHz)。在以上條件下，測量在接收端子15獲得的干擾波的信號頻譜。在CM測試中，不僅向接收濾波器11提供干擾波而且向其提供沒有施加到天線端子14的一部分發(fā)送信號(泄漏功率)。
圖20示出了在接收端子15觀察到的干擾波的頻譜。圖20的橫軸表示頻率，縱軸表示在接收端子15測量到的輸出功率(dBm)。圖20中的虛線表示在沒有發(fā)送信號時測量到的在接收端子15的輸出功率頻譜。這對應(yīng)于接收濾波器11沒有非線性的情況。在這種情況下，陡峻的峰僅出現(xiàn)在接收頻率fTx+ΔG+Δf(此頻率的干擾波)。相反，圖20中的實線是在輸入發(fā)送信號時測量到的在接收端子15的輸出功率頻譜。在這種情況下，如果接收濾波器11具有非線性，則泄漏功率對接收信號(干擾波)進行調(diào)制，擴寬頻譜，從而不利地產(chǎn)生調(diào)制信號。該調(diào)制信號的頻率擴展到相鄰信道，接收信號fTx+ΔG可能埋藏在該調(diào)制信號中。這降低了接收靈敏度。以此方式，用調(diào)制信號的大小來評估接收濾波器11的非線性。調(diào)制信號小的接收濾波器具有小的非線性并適用于天線雙工器。
除第五實施例之外，還通過CM測試來評估圖21和22所示的天線雙工器。圖21示出了具有與第五實施例的接收濾波器不同的接收濾波器120b的常規(guī)天線雙工器。圖21所示的濾波器的其他結(jié)構(gòu)與第五實施例的結(jié)構(gòu)相同。輸入端子側(cè)的DMS濾波器121b和輸出端子側(cè)的DMS濾波器122b都是沒有串聯(lián)分段的常規(guī)DMS濾波器。圖22所示的天線雙工器(對比濾波器)具有與第五實施例的接收濾波器不同的接收濾波器120c，該天線雙工器的其他結(jié)構(gòu)與第五實施例的結(jié)構(gòu)相同。輸入端子側(cè)的DMS濾波器121c是圖2B所示的對比DMS濾波器，輸出端子側(cè)的DMS濾波器122c是圖2A所示的常規(guī)DMS濾波器，其中各個IDT僅由一對梳狀電極組成。
圖23示出了CM測試的結(jié)果。橫軸表示頻率，縱軸表示在接收端子獲得的輸出功率。圖23中的點線、斷線和實線分別表示在常規(guī)濾波器、對比濾波器和第五實施例的接收端子的輸出功率的頻譜。在測試中使用的發(fā)送頻率是發(fā)送頻率范圍內(nèi)的最低頻率。第五實施例的天線雙工器對于相鄰信道具有改進最大的調(diào)制信號強度。這是因為串聯(lián)連接的兩個IDT的孔徑長度等于2.0×AP，由此可以向各個IDT施加減小的電壓，并可以減小每單位面積激勵的SAW強度。這使得不容易引起非線性。
圖24A和24B示出了上述三個不同天線雙工器的通帶特性。圖24B是圖24A中接收頻帶的放大圖。點線、斷線和實線表示常規(guī)濾波器、對比濾波器和第五實施例的插入損耗。第五實施例的天線雙工器在通帶中沒有凹陷，并展示與常規(guī)濾波器和對比濾波器的濾波器特性等同的濾波器特性。
從上述試驗結(jié)果，確認了可以通過具有串聯(lián)連接的多個IDT的接收濾波器120a的輸入端子側(cè)的DMS濾波器121a來改進天線雙工器的耐電性和非線性。此外，通過DMS濾波器121a的相鄰IDT之間的相鄰電極指之一連接到浮置導體并且另一個連接到并非浮置導體的導體(輸入/輸出電極或接地電極)的設(shè)置，可以減小DMS濾波器121a的相鄰浮置導體之間的靜電電容，并且可以抑制天線雙工器的通帶的非線性。因此，可以將DMS濾波器120a的通過串聯(lián)分段而串聯(lián)連接的多個IDT的孔徑長度設(shè)置為使得耐電性改進最大且非線性抑制最大的彼此相等(AP1＝AP2)。根據(jù)第五實施例，可以改進耐電性并抑制非線性而不降低天線雙工器的濾波器特性。
在第五實施例中，將第四實施例的濾波器應(yīng)用于接收濾波器120a。另選地，可以將第一實施例、其變型例、第二實施例或者第三實施例應(yīng)用于接收濾波器120a，在這些情況下可以獲得與以上類似的優(yōu)點。
(第六實施例)第六實施例是平衡型SAW濾波器。圖25是第六實施例的頂視圖。按如下方式構(gòu)造第六實施例的上部將第一實施例的第六變型例中的左手側(cè)的浮置導體71替換為浮置導體71d，將輸入/輸出電極61a和63a改為浮置導體161和163。第六實施例的其他結(jié)構(gòu)與第一實施例的第六變型例的結(jié)構(gòu)相同。在反射器150與155之間，浮置導體161和接地電極166形成IDT 151，浮置導體163和接地電極168形成IDT 153。在IDT 151與153之間，設(shè)置有由浮置導體162以及輸入/輸出電極167a和167b組成的IDT 152a和152b，輸入/輸出電極167a和167b分別連接到平衡輸出端子1和平衡輸出端子2。
左手側(cè)的浮置導體71d的僅僅一個電極指74a鄰近中央的IDT 52和57。相反，右手側(cè)的浮置導體73的兩個電極指78a和78b鄰近中央的IDT52。因此，分別由IDT 151和153激勵的信號具有180°相差。因此，分別由IDT 152a和152b激勵的信號也具有180°相差。因此，在平衡輸出端子1和2獲得的信號具有180°相差，從而第六實施例的濾波器起到平衡型濾波器的作用。
如在第一實施例的第六變型例的情況一樣，相鄰IDT之間的相鄰電極指之一連接到浮置導體，另一個連接到并非該浮置導體的導體(輸入/輸出電極或接地電極)。因此可以減小浮置導體71d與72之間的靜電電容以及浮置導體72與73之間的靜電電容，并抑制通帶中的凹陷。
(第七實施例)第七實施例是平衡型SAW濾波器，其中各個IDT組由串聯(lián)連接的三個IDT組成。圖26示出了第七實施例，其中第二實施例的輸入/輸出電極135a和135c連接到輸入端子，其輸入/輸出電極135b連接到平衡輸出端子1，其接地電極134b被替換為輸入/輸出電極135d并連接到平衡輸出端子2。第七實施例的其他結(jié)構(gòu)與第二實施例的結(jié)構(gòu)相同。輸入/輸出電極135b和浮置導體137b具有180°相差，浮置導體137b和138b具有180°相差。此外，浮置導體138b和輸入/輸出電極135c具有180°相差。因此，連接到輸入/輸出電極135b的平衡輸出端子1和連接到輸入/輸出電極135d的平衡輸出端子2具有180°相差，第七實施例的濾波器起到平衡型濾波器的作用。
如在第二實施例的情況一樣，相鄰IDT之間的相鄰電極指之一連接到浮置導體，另一個連接到并非浮置導體的導體(輸入/輸出電極或接地電極)。因此，可以抑制通帶中的凹陷，并且可以改進耐用性并抑制非線性，而不降低濾波器特性。
如在第六或第七實施例的情況一樣，可以通過應(yīng)用第一實施例、其變型例、第二、第三或第四實施例的任一個來形成平衡型SAW濾波器。因此，可以改進耐電性并抑制非線性而不降低濾波器特性。具有本發(fā)明的平衡型SAW濾波器的天線雙工器具有改進的耐電性和抑制的非線性，而不降低濾波器特性。
本發(fā)明不限于具體描述的實施例及其變型例，而是可以在不脫離本發(fā)明的范圍的情況下作出其他實施例和變型例。
本發(fā)明基于2005年4月28日提交的日本專利申請第2005-130988號，在此通過引用并入其全部公開內(nèi)容。
權(quán)利要求
1.一種多模式型表面聲波濾波器，包括壓電基板；以及形成在壓電基板上的多個叉指型換能器組，所述多個叉指型換能器組各自具有串聯(lián)連接的多個叉指型換能器，其中輸入/輸出電極和接地電極通過浮置導體耦合，所述多個叉指型換能器組的多個叉指型換能器中的相鄰叉指型換能器之間的相鄰電極指包括連接到一個叉指型換能器組中的浮置導體的第一電極指、以及連接到另一個叉指型換能器組中的輸入/輸出電極和接地電極中的一個的第二電極指。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多模式型表面聲波濾波器，進一步包括與第一電極指和第二電極指中的一個相鄰并且電勢等于第一電極指和第二電極指中的所述一個的電勢的第三電極指。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多模式型表面聲波濾波器，其中，每一個叉指型換能器組中的所述多個叉指型換能器全部都通過插在輸入/輸出電極與接地電極之間的浮置導體而串聯(lián)連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多模式型表面聲波濾波器，其中，所述相鄰叉指型換能器是沿表面聲波傳播方向設(shè)置的。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多模式型表面聲波濾波器，其中，第一電極指和第三電極指連接到浮置導體。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多模式型表面聲波濾波器，其中，每一個叉指型換能器組中的串聯(lián)連接的所述多個叉指型換能器中的兩個叉指型換能器的電極指圖案關(guān)于沿表面聲波傳播方向的軸具有鏡面對稱性。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多模式型表面聲波濾波器，其中，每一個叉指型換能器組中的串聯(lián)連接的所述多個叉指型換能器中的兩個叉指型換能器的電極指圖案沿與表面聲波傳播方向垂直的方向平行地移動。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多模式型表面聲波濾波器，其中，串聯(lián)連接的所述多個叉指型換能器中的兩個叉指型換能器具有相等的孔徑長度。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多模式型表面聲波濾波器，其中，所述多個叉指型換能器組的各自連接到輸入端子或者輸出端子的多個輸入/輸出電極設(shè)置在相同方向。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的多模式型表面聲波濾波器，其中，所述多個叉指型換能器組的多個接地電極連接在壓電基板上。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的多模式型表面聲波濾波器，其中，所述多個叉指型換能器組的所述多個接地電極的多個電極指連接到單個接地匯流條。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多模式型表面聲波濾波器，其中，所述多個叉指型換能器組的各自連接到輸入端子或者輸出端子的多個輸入/輸出電極設(shè)置在不同方向。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多模式型表面聲波濾波器，進一步包括設(shè)置在所述多個叉指型換能器組中的相鄰叉指型換能器組的相鄰的浮置導體的連接線之間并且與所述相鄰浮置導體隔離的電極指。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多模式型表面聲波濾波器，其中，所述多個叉指型換能器組包括第一叉指型換能器組、第二叉指型換能器組和第三叉指型換能器組，所述第一叉指型換能器組、第二叉指型換能器組和第三叉指型換能器組具有沿表面聲波傳播方向并排設(shè)置的第一叉指型換能器、第二叉指型換能器和第三叉指型換能器。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的多模式型表面聲波濾波器，進一步包括第一叉指型換能器與第二叉指型換能器之間的處于相同電勢的多個電極指、以及第二叉指型換能器與第三叉指型換能器之間的處于相同電勢的多個電極指。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的多模式型表面聲波濾波器，其中，第一叉指型換能器與第二叉指型換能器之間的處于相同電勢的所述多個電極指彼此連接，第二叉指型換能器與第三叉指型換能器之間的處于相同電勢的所述多個電極指彼此連接。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的多模式型表面聲波濾波器，其中，第一叉指型換能器與第二叉指型換能器之間的處于相同電勢的所述多個電極指連接到一導體，第二叉指型換能器與第三叉指型換能器之間的處于相同電勢的所述多個電極指連接到處于與所述導體的電勢不同的電勢的另一導體。
18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的多模式型表面聲波濾波器，其中，第一叉指型換能器和第三叉指型換能器的輸入/輸出電極連接到輸入端子，第二叉指型換能器的輸入/輸出電極連接到輸出端子。
19.一種多模式型表面聲波濾波器，包括壓電基板；并聯(lián)連接并且形成在壓電基板上的多個濾波器；所述多個濾波器中的每一個包括形成在壓電基板上的多個叉指型換能器組，所述多個叉指型換能器組各自具有串聯(lián)連接的多個叉指型換能器，其中輸入/輸出電極和接地電極通過浮置導體耦合，所述多個叉指型換能器組的多個叉指型換能器中的相鄰叉指型換能器之間的相鄰電極指包括連接到一個叉指型換能器組中的浮置導體的第一電極指、以及連接到另一個叉指型換能器組中的輸入/輸出電極和接地電極中的一個的第二電極指。
20.一種多模式型表面聲波濾波器，包括第一濾波器；以及第一濾波器之后的第二濾波器，其為一多模式型表面聲波濾波器，第一濾波器包括形成在壓電基板上的多個叉指型換能器組，所述多個叉指型換能器組各自具有串聯(lián)連接的多個叉指型換能器，其中輸入/輸出電極和接地電極通過浮置導體耦合，所述多個叉指型換能器組的多個叉指型換能器中的相鄰叉指型換能器之間的相鄰電極指包括連接到一個叉指型換能器組中的浮置導體的第一電極指、以及連接到另一個叉指型換能器組中的輸入/輸出電極和接地電極中的一個的第二電極指。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的多模式型表面聲波濾波器，其中，第二濾波器包括各自僅由一對梳狀電極組成的多個叉指型換能器。
22.根據(jù)權(quán)利要求1至21中的任一項所述的多模式型表面聲波濾波器，其中，所述多模式型表面聲波濾波器是平衡型濾波器。
23.一種天線雙工器，包括連接到一公共端子的發(fā)送濾波器；以及連接到該公共端子的接收濾波器，接收濾波器包括壓電基板；以及形成在壓電基板上的多個叉指型換能器組，所述多個叉指型換能器組各自具有串聯(lián)連接的多個叉指型換能器，其中輸入/輸出電極和接地電極通過浮置導體耦合，所述多個叉指型換能器組的多個叉指型換能器中的相鄰叉指型換能器之間的相鄰電極指包括連接到一個叉指型換能器組中的浮置導體的第一電極指、以及連接到另一個叉指型換能器組中的輸入/輸出電極和接地電極中的一個的第二電極指。
全文摘要
表面聲波濾波器和使用該表面聲波濾波器的雙工器。多模式型表面聲波濾波器包括壓電基板以及形成在該壓電基板上的多個叉指型換能器組，所述多個叉指型換能器組各自具有串聯(lián)連接的多個叉指型換能器，其中輸入/輸出電極和接地電極通過浮置導體耦合。所述多個叉指型換能器組的多個叉指型換能器中的相鄰叉指型換能器之間的相鄰電極指包括連接到一個叉指型換能器組中的浮置導體的第一電極指、以及連接到另一個叉指型換能器組中的輸入/輸出電極和接地電極中的一個的第二電極指。
文檔編號H03H9/25GK1855713SQ20061007816
公開日2006年11月1日 申請日期2006年4月28日 優(yōu)先權(quán)日2005年4月28日
發(fā)明者井上將吾, 西澤年雄, 村田俊彥 申請人:富士通媒體部品株式會社, 富士通株式會社