專利名稱：快速建立的、低噪聲、低偏移的運(yùn)算放大器和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
0001本發(fā)明主要涉及放大器；并且更具體地說，涉及具有輸出 信號的快速建立和低輸入偏移電壓的低噪聲運(yùn)算放大器。
背景技術(shù)：
0002為實(shí)現(xiàn)運(yùn)算放大器的低噪聲，必須使在運(yùn)算放大器第一 級(即輸入級)中產(chǎn)生噪聲的電路元件數(shù)量最少。典型地，主要的噪 聲制造者是組成輸入級的差分輸入晶體管對的兩個(gè)輸入晶體管。除了 輸入晶體管，典型的低噪聲運(yùn)算放大器的輸入級還包含典型地為大值 電阻器的負(fù)載器件。不過，電阻性負(fù)載電阻器不能提供足夠高的電壓 增益并且通常由有源負(fù)載器件取代，典型地由電流鏡電路或其他對稱 電流源電路系統(tǒng)(circuitry)的晶體管所取代。為最小化運(yùn)算放大器中 的噪聲，用作有源負(fù)載器件的晶體管應(yīng)具有比輸入差分晶體管對的跨 導(dǎo)低得多的跨導(dǎo)。換言之，有源負(fù)載晶體管應(yīng)被大量地簡并，例如通 過使用長溝道MOS晶體管或通過采用與有源負(fù)載晶體管串聯(lián)的發(fā)射 極或源極負(fù)反饋電阻器(degenerationresistor)。為了實(shí)現(xiàn)運(yùn)算放大器 中的低輸入偏移電壓，通常有必要將第一 (輸入)級和第二級都作為 差分放大器實(shí)現(xiàn)并且盡可能使第一級對稱。由于具有對稱的有源負(fù)載 晶體管或其他對稱的有源負(fù)載電路系統(tǒng)，運(yùn)算放大器第一級的共模工 作點(diǎn)通常由第二級產(chǎn)生的共模反饋來設(shè)置，并且被施加于有源負(fù)載電 路系統(tǒng)的共?？刂戚斎?。共模反饋的典型實(shí)施的一個(gè)示例可在 Laker&Sansen所著"Design of Analog Integrated Circuits and Systems" (McGraw Hill, 1994)， 641頁找到。本說明書中的圖1示出了這種電路 的簡化形式，其更一般的形式在圖2示出。
0003參考圖1，運(yùn)算放大器1包括輸入級4，所述輸入級4 包括P溝道JFET輸入晶體管Ql，該晶體管Ql的柵極被連接到Vin-并且其源極被連接到尾電流源10和柵極被連接到Vin+的P溝道JFET
輸入晶體管Q2的源極。輸入晶體管Q1的漏極由導(dǎo)線2A連接到NPN 有源負(fù)載晶體管Q3的集電極和補(bǔ)償電容器C2的一端，該補(bǔ)償電容器 的另一端接地。輸入晶體管Q2的漏極由導(dǎo)線2B連接到NPN有源負(fù) 載晶體管Q4的集電極。有源負(fù)載晶體管Q3和Q4的基極被連接到共 模反饋導(dǎo)線3。有源負(fù)載晶體管Q3和Q4的發(fā)射極分別由負(fù)反饋電阻 器R0和Rl耦合到地極。
0004運(yùn)算放大器1的第二級8包括發(fā)射極耦合的NPN輸入晶 體管Q5和Q6， NPN輸入晶體管Q5和Q6的發(fā)射極被連接到共模反 饋導(dǎo)線3和尾電流源14。輸入晶體管Q5的集電極被連接到連接成二 極管的PNP有源負(fù)載晶體管Q7的集電極和基極以及PNP有源負(fù)載晶 體管Q8的基極。有源負(fù)載晶體管Q7和Q8的發(fā)射極被連接到VDD。 輸入晶體管Q6的集電極由輸出導(dǎo)線13連接到Vout和有源負(fù)載晶體 管Q8的集電極。補(bǔ)償電容器C3的一端被連接到輸出導(dǎo)線13并且其 另一端被連接到輸入晶體管Q6的基極。晶體管Q5和Q6的基極分別 被連接到導(dǎo)線2A和2B。
0005圖2是圖1現(xiàn)有技術(shù)運(yùn)算放大器1的概括框圖，其中圖 2中的輸入級4包括輸入級差分晶體管對5(其可以是圖1的輸入晶體 管Ql和Q2)。輸入級差分晶體管對5由導(dǎo)線2A和2B耦合以控制有 源負(fù)載電路6，并且被耦合到第二級差分晶體管對7 (其可以是圖1 的輸入晶體管Q5和Q6)的輸入。第二級差分晶體管對7被耦合到組 成有源負(fù)載電路的電流鏡8。第二級差分晶體管對7產(chǎn)生共模反饋信 號以通過導(dǎo)線3控制有源負(fù)載電路6。
0006存在一個(gè)與圖2所示的電路相關(guān)的問題，因?yàn)檩斎爰? 和第二級8之間的共模反饋與輸入級有源負(fù)載電路系統(tǒng)6的很大負(fù)反 饋的結(jié)合導(dǎo)致對輸入階躍信號響應(yīng)的Vout的慢速建立。在圖2所示的 電路中，共模反饋環(huán)的帶寬由gm/C2確定，其中g(shù)m是輸入級中有源 負(fù)載電路的跨導(dǎo)并且C2是米勒(Miller)補(bǔ)償電容器的值。當(dāng)為了減 少運(yùn)算放大器1的噪聲和輸入偏移電壓，有源負(fù)載被大量地簡并時(shí)， 運(yùn)算放大器1的輸入級中的有源負(fù)載晶體管(或其他有源負(fù)載電路系 統(tǒng))的跨導(dǎo)較低。當(dāng)由于大的負(fù)反饋電阻，共模反饋環(huán)的帶寬大致低 于運(yùn)算放大器的帶寬時(shí)，結(jié)果就是慢速建立。(晶體管Q3的基極是
到共模反饋環(huán)的輸入，并且共模反饋環(huán)中有源負(fù)載電路的跨導(dǎo)由電阻
R0禾卩R1限定。)
0007已知圖1和圖2所示的運(yùn)算放大器電路系統(tǒng)通常具有上 述的慢速建立特性。這點(diǎn)在圖5A中說明，圖5A示出了圖l和2所示 電路的小信號階躍響應(yīng)。在圖5A中，曲線A表示負(fù)反饋電阻R0和 Rl較小時(shí)的Vout，并且曲線B表示負(fù)反饋電阻R0和Rl較大時(shí)的 Vout。除去或減小負(fù)反饋電阻R0和Rl有助于通過增加共模反饋環(huán)的 帶寬來減少建立時(shí)間。
0008被稱為"AB類"輸入級的輸入級類型可提供大致大于總 DC靜止輸出電流的輸出差分電流，恒定尾電流源能夠提供該總DC靜 止輸出電流。這可通過提供尾電流源電路來實(shí)現(xiàn)，該尾電流源電路基 本上增加了提供給差分耦合的輸入晶體管的尾電流，以響應(yīng)組成AB 類輸入級的差分輸入信號的兩個(gè)輸入電壓中較高的那個(gè)。這導(dǎo)致產(chǎn)生 比由恒定尾電流源提供的輸出電流大得多的AB類輸入級的最大輸出 電流。由于輸出電流可以非常高，因此AB類輸入級一般可用于需要 很高壓擺率的放大器。不過，AB類輸入級具有引起非線性電路操作和 產(chǎn)生噪聲的缺點(diǎn)。
0009存在對和以前實(shí)現(xiàn)的運(yùn)算放大器相比，具有更快的輸出 信號建立的低噪聲運(yùn)算放大器的未實(shí)現(xiàn)的需求。
0010還希望具有一種低噪聲運(yùn)算放大器，在這個(gè)運(yùn)算放大器 中可以對共模反饋環(huán)的帶寬進(jìn)行調(diào)節(jié)而與運(yùn)算放大器的輸入級中有源 負(fù)載的負(fù)反饋量無關(guān)。
0011還存在對和以前實(shí)現(xiàn)的運(yùn)算放大器相比，具有更快的輸 出信號建立和更低的輸入偏移電壓的低噪聲運(yùn)算放大器的未實(shí)現(xiàn)的需 求。
0012希望具有一種運(yùn)算放大器，在這個(gè)運(yùn)算放大器中可以將 共模反饋帶寬設(shè)置成接近運(yùn)算放大器的增益帶寬乘積，以便使上述現(xiàn) 有技術(shù)運(yùn)算放大器的輸出電壓的慢速建立最少，并且仍然保持共模環(huán) 的穩(wěn)定性。
0013還存在對和以前實(shí)現(xiàn)的運(yùn)算放大器相比，具有更快的輸 出信號建立的低噪聲低THD (總諧波失真)運(yùn)算放大器的未實(shí)現(xiàn)的需 求。
0014還存在對具有AB類輸入級的低噪聲低THD (總諧波失 真)的運(yùn)算放大器的未實(shí)現(xiàn)的需求。

發(fā)明內(nèi)容
0015本發(fā)明的目的是提供和以前實(shí)現(xiàn)的運(yùn)算放大器相比，具 有更快的輸出信號建立的低噪聲運(yùn)算放大器。
0016本發(fā)明的另一目的是提供低噪聲運(yùn)算放大器，在這個(gè)運(yùn) 算放大器中可以對共模反饋環(huán)的帶寬進(jìn)行調(diào)節(jié)，而和運(yùn)算放大器的輸 入級中有源負(fù)載的負(fù)反饋量無關(guān)。
0017本發(fā)明的另一目的是提供和以前實(shí)現(xiàn)的運(yùn)算放大器相比， 具有更快的輸出信號建立和更低的輸入偏移電壓的低噪聲運(yùn)算放大 器。
0018本發(fā)明的另一目的是提供運(yùn)算放大器，在這個(gè)運(yùn)算放大 器中可以將共模反饋帶寬設(shè)置成接近運(yùn)算放大器的增益帶寬乘積，以 便使上述現(xiàn)有技術(shù)運(yùn)算放大器的輸出電壓的慢速建立最少并且仍然保 持其共模環(huán)的穩(wěn)定性。
0019本發(fā)明的另一目的是提供和以前實(shí)現(xiàn)的運(yùn)算放大器相比， 具有更快的輸出信號建立的低噪聲低THD (總諧波失真)的運(yùn)算放大 器。
0020本發(fā)明的另一目的是提供具有AB類輸入級的低噪聲低 THD (總諧波失真)的運(yùn)算放大器。
0021簡要地說，根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，本發(fā)明提供一種使運(yùn)算放 大器(10)減少運(yùn)算放大器的輸出建立時(shí)間，而基本不增加運(yùn)算放大 器噪聲的方法，該方法包括提供包括差分耦合的第一 (Ql)和第二 (Q2)輸入晶體管和受控有源負(fù)載電路(6)的第一級(4)，將由第 一級(4)產(chǎn)生的差分輸出信號耦合到第二級(8)差分輸入，所述第 二級(8)差分輸入包括差分耦合的第三(Q5)和第四(Q6)輸入晶 體管和負(fù)載電路(Q7、 8)，并且放大第二級(8)的共模信號(3)以 便在受控有源負(fù)載電路(6)的控制輸入端上產(chǎn)生放大的共模信號(9)。
0022在另一個(gè)實(shí)施例中，本發(fā)明提供一種放大器(10)，該
放大器(10)包括包含差分耦合的第一 (Ql)和第二 (Q2)輸入晶體 管以及受控有源負(fù)載電路(6)的第一級(4)、包含差分耦合的第三
(Q5)和第四(Q6)輸入晶體管以及負(fù)載電路(Q7、 8)的第二級(8)、 被耦合到第二級(8)的第一輸入端的第一級(4)的第一輸出端(2A) 以及被耦合到第二級(8)的第二輸入端的第一級(4)的第二輸出端
(2B)。共模反饋放大器(12)具有被耦合的以便從第二級(8)接收 共模信號(3)的輸入端，所述共模放大器用于在受控有源負(fù)載電路(6) 的控制輸入端上產(chǎn)生經(jīng)放大的共模信號(9)，從而在基本不增加放大 器噪聲的情況下提供第二級輸出(Vout)的快速建立。
0023在描述的實(shí)施例中，放大器是運(yùn)算放大器。第一級(4) 的受控有源負(fù)載電路(6)包括第一 (Ql)和第二 (Q4)有源負(fù)載晶 體管，每個(gè)晶體管具有耦合的控制電極，以便接收經(jīng)放大的共模信號
(9)。第一 (Ql)和第二 (Q2)輸入晶體管是NPN晶體管，它們的 發(fā)射極耦合到第一尾電流源(10)而基極被耦合以便分別接收第一
(Vin-)和第二 (Vin+)輸入信號。第一 (Q3)和第二 (Q4)有源負(fù) 載晶體管是PNP晶體管。第一 (Ql)輸入晶體管的集電極耦合到第一 有源負(fù)載晶體管(Q3)的集電極，第二 (Q2)輸入晶體管的集電極耦 合到第二 (Q4)有源負(fù)載晶體管的集電極，第一有源負(fù)載晶體管(Q3) 的發(fā)射極耦合到第一負(fù)反饋電阻器(R0)，并且第二有源負(fù)載晶體管
(Q4)的發(fā)射極耦合到第二負(fù)反饋電阻器(Rl)。第三(Q5)和第四
(Q6)輸入晶體管是PNP晶體管，并且第二級(8)的負(fù)載電路(Q7、 Q8)包括第三(Q8)和第四(Q7)有源負(fù)載晶體管，它們都是NPN 晶體管。第三(Q5)和第四(Q6)輸入晶體管的發(fā)射極耦合到第二尾 電流源(R2)并且在共模反饋放大器(12)的輸入端上產(chǎn)生共模信號
(3)。第三輸入晶體管(Q5)的基極耦合到第一輸入晶體管(Ql) 的集電極(2A)，第四輸入晶體管(Q6)的基極耦合到第二輸入晶體 管(Q2)的集電極(2B)，第三輸入晶體管(Q5)的集電極耦合到第 三有源負(fù)載晶體管(Q8)的基極和集電極和第四有源負(fù)載晶體管(Q7) 的基極，第四有源負(fù)載晶體管(Q7)的集電極耦合到第四輸入晶體管
(Q6)的集電極，并且第三(Q8)和第四(Q7)有源負(fù)載晶體管的發(fā) 射極耦合到第一電源電壓(VEE)。
0024共模反饋放大器(12)包括被耦合的以接收共模信號(3) 的第一輸入端和被耦合到反饋電阻器(R5)的第一端子的第二輸入端， 反饋電阻器(R5)的第二端子耦合到共模反饋放大器(12)的輸出端。 反饋電阻器(R5)具有耦合到共模反饋放大器(12)的第二輸入端的 第一端子。電容器(C0)具有耦合到反饋電阻器(R5)的第二端子的 第一端子和耦合到受控有源負(fù)載電路(6)的控制輸入端的第二端子， 以提高共模反饋放大器(12)的低頻增益。
0025在描述的實(shí)施例中，共模反饋放大器(12)包括為PNP 晶體管的第一(Q9)和第二(Q10)晶體管，耦合在第二電源電壓(VCC) 和第一晶體管(Q9)的發(fā)射極之間的第一電阻器(R3)，耦合在第二 電源電壓(VCC)和第二晶體管(Q10)的發(fā)射極之間的第二電阻器 (R4)。第一晶體管(Q9)的集電極耦合到第一電流源(12)以及第 一 (Q3)和第二 (Q4)有源負(fù)載晶體管的基極。第二 (Q10)晶體管 的集電極和基極耦合到第一晶體管(Q9)的基極、第二電流源(II) 以及第一 (Q3)和第二 (Q4)有源負(fù)載晶體管的發(fā)射極。在另一個(gè)實(shí) 施例中，共模反饋放大器(12)包括被耦合的以便接收共模信號(3) 的第一輸入端和耦合到反饋電阻器(R5)的第一端子的第二輸入端， 該反饋電阻器(R5)具有耦合到共模反饋放大器(12)輸出端的第二 端子。第一電容器(C0)將反饋電阻器(R5)的第二端子耦合到第一 有源負(fù)載晶體管(Q3)的發(fā)射極，以提高共模反饋放大器(12)的低 頻增益，并且第二電容器(Cl)將反饋電阻器(R5)的第二端子耦合 到第二有源負(fù)載晶體管(Q4)的發(fā)射極，以提高共模反饋放大器(12) 的低頻增益。
0026在一個(gè)實(shí)施例中，運(yùn)算放大器包括PNP第一 (Q11)和 第二 (Q13)連接成二極管(或等效二極管)的晶體管，它們分別耦合 在第二電源電壓(VCC)和第一 (Q3)和第二 (Q4)有源負(fù)載晶體管 的發(fā)射極之間，以便起到電壓限制器件的作用，并且所述運(yùn)算放大器 還包括第一電流鏡輸出晶體管(Q12)，所述晶體管(Q12)的發(fā)射極 被連接到第二電源電壓(VCC)，其基極被連接到第一連接成二極管 的晶體管(Q11)的基極和集電極，并且其集電極被連接到第一 (Q3) 和第二 (Q4)有源負(fù)載晶體管的基極以提高運(yùn)算放大器的共模反饋環(huán)
的頻率補(bǔ)償。運(yùn)算放大器還包括第二電流鏡輸出晶體管(Q14)，所述 晶體管(Q14)的發(fā)射極被連接到第二電源電壓(VCC)，其基極被連 接到第二連接成二極管的晶體管(Q13)的基極和集電極，并且其集電 極被連接到第一 (Q3)和第二 (Q4)有源負(fù)載晶體管的基極以提高共 模反饋環(huán)的頻率補(bǔ)償。如果在運(yùn)算放大器(10A)中采用AB類輸入級， 本發(fā)明的這個(gè)實(shí)施例就是非常有用的。


0027圖1 (現(xiàn)有技術(shù))是現(xiàn)有技術(shù)運(yùn)算放大器的原理圖。0028圖2 (現(xiàn)有技術(shù))是圖1的運(yùn)算放大器的概括框圖。0029圖3是運(yùn)算放大器的概括框圖，該運(yùn)算放大器在共模反
饋環(huán)中具有共模電壓增益電路以改進(jìn)運(yùn)算放大器的輸出建立時(shí)間，噪
聲性能和輸入偏移電壓。
0030圖4是圖3的運(yùn)算放大器的具體框圖。
0031圖5A是一個(gè)曲線圖，其圖解說明了在輸入級的有源負(fù)載
電路系統(tǒng)中具有低和高負(fù)反饋電阻時(shí)，圖1和2的運(yùn)算放大器電路系
統(tǒng)的階躍響應(yīng)。
0032圖5B是一個(gè)曲線圖，其圖解說明了圖4和6的運(yùn)算放大 器電路系統(tǒng)具有根據(jù)本發(fā)明的共模電壓放大器的低增益和高增益時(shí)的 階躍響應(yīng)。
0033圖6是圖4的運(yùn)算放大器實(shí)施的原理圖。
具體實(shí)施例方式
0034圖3示出了對于上述現(xiàn)有技術(shù)的低偏移低噪聲運(yùn)算放大器 的慢速建立問題的解決方案。在圖3中，示出的本發(fā)明的運(yùn)算放大器 10的框圖與圖2現(xiàn)有技術(shù)的框圖相似，除了具有增益G的共模反饋增 益電路12的一個(gè)輸入端被連接，以接收由第二級差分對7在導(dǎo)線3上 產(chǎn)生的共模反饋信號，并且其在導(dǎo)線9上產(chǎn)生經(jīng)放大的共模反饋信號。 導(dǎo)線9將已放大的共模反饋信號施加到受控有源負(fù)載電路6的控制輸 入端。如圖2的現(xiàn)有技術(shù)，受控有源負(fù)載電路6由導(dǎo)線2A和2B耦合
到輸入級差分晶體管對5的輸入晶體管的集電極或漏極，該差分晶體 管對的輸入端被耦合到Vin-和Vin+。導(dǎo)線2A被連接到補(bǔ)償電容器C2 的一個(gè)端子和第二級差分晶體管對7的一個(gè)輸入端。導(dǎo)線2B被連接到 第二級差分晶體管對7的另一輸入端和補(bǔ)償電容器C3的一個(gè)端子，補(bǔ) 償電容器C3的另一端子被連接到輸出導(dǎo)線13， Vout在輸出導(dǎo)線上產(chǎn) 生。輸出導(dǎo)線13被連接到第二級差分對7的輸入晶體管的集電極或漏 極和電流鏡8的一個(gè)端子。電流鏡8的另一端子被連接到第二級差分 對7的另一個(gè)輸入晶體管的集電極或漏極。
0035圖4示出了圖3的運(yùn)算放大器10的更詳細(xì)的框圖。在圖 4中，導(dǎo)線14被連接到尾電流源I0的一個(gè)端子和輸入級差分對5的一 對輸入晶體管的源極或發(fā)射極。輸入級5中的輸入晶體管之一的集電 極或漏極由導(dǎo)線2A連接到表示為受控電流源I13的受控有源負(fù)載器件 的一個(gè)端子，該受控電流源I13的另一端子被連接到VCC。輸入級差 分對5的另一個(gè)輸入晶體管的集電極或漏極由導(dǎo)線2B連接到由受控電 流源114表示的另一個(gè)受控有源負(fù)載器件的一個(gè)端子，該受控電流源 114的另一端子被連接到VCC。受控電流源113和114的控制端子被連 接到導(dǎo)線9以便接收由共模反饋放大器12產(chǎn)生的已放大的共模反饋信 號。導(dǎo)線2A和2B被連接到第二級7的相應(yīng)輸入晶體管的基極或柵極。 第二級8的第二級差分對7被連接到尾電流源14。由第二級差分對7 產(chǎn)生的共模反饋信號由導(dǎo)線3連接到共模反饋放大器12的(+ )輸入 端。共模反饋放大器12的(一)輸入端由導(dǎo)線16連接到電阻器R4的 一個(gè)端子，電阻器R4的另一端子被連接到VCC。導(dǎo)線16還連接到反 饋電阻器R5的一個(gè)端子。電阻器R4和R5確定共模反饋放大器12的 增益。
0036在一個(gè)實(shí)施方式中，反饋電阻器R5的另一端子直接地連 接到導(dǎo)線9，如圖4中虛線99A所指示的。在另一個(gè)實(shí)施方式中，虛 線99A被省略，并且電容器C0被連接在反饋電阻器R5的第二端子和 放大的共模反饋導(dǎo)線9之間。第二級差分對7中的輸入晶體管的集電 極或漏極通過導(dǎo)線21和13連接到以地為基準(zhǔn)的電流鏡8。
0037如圖4所示，當(dāng)電容器CO插入到反饋環(huán)中時(shí)，由于電容 器C0在高頻時(shí)相當(dāng)于AC短路，因此通過共模反饋放大器的高頻增益
(即，l+R5/R4)繼續(xù)提高共模反饋環(huán)的帶寬。然而，在低頻時(shí)電容 器C0隔斷圍繞放大器12的通過電阻器R4和反饋電阻器R5的反饋的 DC分量，因此允許提供共模反饋放大器12的全部DC增益。這也使 得第二級和受控電流源的工作點(diǎn)可被獨(dú)立地設(shè)置。
0038在高頻時(shí)電容器C0短路，因此根據(jù)表達(dá)式R5/R4+l， 放大器12的增益是受限的，該表達(dá)式等于共模反饋放大器12的增益。
(否則很難補(bǔ)償共模反饋放大器12。)放大器12的主極點(diǎn)由補(bǔ)償電容 器C2和C3構(gòu)成，C2和C3被連接到高阻抗電路節(jié)點(diǎn)并且有效地將主 極點(diǎn)"推"至超過放大器的增益帶寬乘積頻率，因此使得它具有良好 的共模反饋環(huán)信號建立性能。
0039在低頻時(shí)電容器C0阻止通過反饋電阻器R5的反饋，在 共模反饋環(huán)內(nèi)提供放大器12的全增益，因此有助于抑制導(dǎo)線9B上的 共模電壓變化并且減少放大器10A的非線性失真。通過增加共模環(huán)在 低頻的增益，電容器C0還有助于抑制在導(dǎo)線2A和2B上的任何共模 電壓擺動。
0040如上所述，電容器C0可通過由圖4中虛線99A表示的短 路來取代。由于即使沒有電容器CO時(shí)共模反饋放大器增益在低頻沒有 提高，共模反饋放大器12的極點(diǎn)仍然被"推"至高頻，因此通過由短 路取代電容器C0，實(shí)現(xiàn)放大器10的快速建立性能的目標(biāo)和消除非線 性失真的目標(biāo)都基本實(shí)現(xiàn)。然而，缺少電容器CO會使電路的偏置更復(fù) 雜，并且在導(dǎo)線9B上的共模電壓擺動會在低頻時(shí)更大一些。
0041因此，根據(jù)本發(fā)明，將共模反饋放大器12插入在第一級 有源負(fù)載電路系統(tǒng)6和第二級共發(fā)射極點(diǎn)3的共模電壓輸出之間。由 于共模反饋放大器12增加有源負(fù)載電路系統(tǒng)的受控電流源113和114 的跨導(dǎo)效應(yīng)，因此共模反饋放大器12使共模反饋環(huán)變得更快。共模反 饋放大器12的增益提高共模反饋環(huán)的帶寬。放大器12的增益可由如 圖4所示的反饋電阻器R5和R4來設(shè)置，并且通過表達(dá)式增益二G =1+ (R5/R4)給定。這使得可將共模反饋帶寬設(shè)置為接近運(yùn)算放大 器10的增益帶寬乘積，以便最小化圖1和2的現(xiàn)有技術(shù)的運(yùn)算放大器 的慢速建立的影響(即，使Vout建立時(shí)間最少)并且同時(shí)保持共模環(huán) 的穩(wěn)定性。
0042圖5B示出了圖4所示電路的運(yùn)算結(jié)果小信號仿真中的 Vout的較快建立。曲線C示出了當(dāng)共模電壓放大器12具有高增益時(shí) 的輸出信號Vout。曲線D示出了當(dāng)共模電壓放大器12具有低增益時(shí) 的Vout稍微減慢的建立。圖5B中的曲線C和D都示出了比圖5A的 曲線B更快的Vout建立，在圖5A的曲線B中，高發(fā)射極負(fù)反饋用于 圖1和2的現(xiàn)有技術(shù)的運(yùn)算放大器中。
0043圖6示出了圖4的運(yùn)算放大器的更具體的實(shí)施方式，其中 使用兩個(gè)電容器C0和C1 (而不是唯一的電容器CO)，并且施加到共 模反饋放大器12的共模反饋信號取自"電壓跟隨器"有源負(fù)載晶體管 Q3和Q4的發(fā)射極。這個(gè)配置比圖4中所示的普通實(shí)施方式更穩(wěn)定。 適當(dāng)?shù)氖?，與圖4和現(xiàn)有技術(shù)圖1中的相同的參考數(shù)字用于表示相同 的或相似的部分。
0044參考圖6，運(yùn)算放大器10A的輸入級4包括發(fā)射極耦合的 NPN輸入晶體管Ql和Q2，它們的基極分別耦合到Vin-和Vin+。它們 的發(fā)射極由導(dǎo)線14連接到尾電流源10的一個(gè)端子，尾電流源10的另 一端子連接到VEE。輸入級4還包括PNP有源負(fù)載晶體管Q3和Q4 以及負(fù)反饋電阻器RO和Rl。輸入晶體管Q1的集電極由導(dǎo)線2A連接 到有源負(fù)載晶體管Q3的集電極，有源負(fù)載晶體管Q3的發(fā)射極被連接 到負(fù)反饋電阻器R0的一個(gè)端子，負(fù)反饋電阻器R0的另一端子連接到 VCC。輸入晶體管Q2的集電極由導(dǎo)線2B連接到有源負(fù)載晶體管Q4 的集電極，有源負(fù)載晶體管Q4的發(fā)射極連接到負(fù)反饋電阻器R1的一 個(gè)端子，負(fù)反饋電阻器Rl的另一端子連接到VCC。有源負(fù)載晶體管 Q3和Q4的發(fā)射極分別由電容器C0和Cl耦合，而反饋電阻器R5耦 合到共模反饋放大器12的一個(gè)輸出端。有源負(fù)載晶體管Q3和Q4的 基極由導(dǎo)線9B連接到共模反饋放大器12的另一個(gè)輸出端，因此包括 晶體管Q3和Q4的有源負(fù)載電路從共模電壓放大器12接收共模反饋 輸入信號。
0045運(yùn)算放大器10A的第二級8包括PNP輸入晶體管Q5和 Q6以及NPN有源負(fù)載晶體管Q7和Q8。輸入晶體管Q5和Q6的發(fā)射 極由導(dǎo)線3連接到尾電流電阻器R2的一個(gè)端子，以便為共模電壓放大 器12提供共模反饋輸入。尾電流電阻器R2的另一端子被連接到VCC。
輸入晶體管Q5的集電極由導(dǎo)線21連接到NPN有源負(fù)載晶體管Q8的 集電極和基極以及NPN有源負(fù)載晶體管Q7的基極，有源負(fù)載晶體管 Q8和Q7的發(fā)射極連接到VEE。輸入晶體管Q5的基極通過導(dǎo)線2A連 接到輸入級4的輸出端。輸入晶體管Q5的基極還連接到補(bǔ)償電容器 C2的一個(gè)端子，補(bǔ)償電容器C2的另一端子被連接到VCC。輸入晶體 管Q6的基極通過導(dǎo)線2B連接到輸入級4的另一輸出端并且還連接到 補(bǔ)償電容器C3的一個(gè)端子，補(bǔ)償電容器C3的另一端子被連接到Vout 導(dǎo)線13。
0046共模反饋放大器12的第一個(gè)實(shí)施方式包括作為放大器被 連接的電阻器R3、晶體管Q9和電流源12，其中晶體管Q9的發(fā)射極 為同相(+ )輸入端，由導(dǎo)線9A連接到反饋電阻器R5的晶體管Q9的 基極為反相(-)輸入端。晶體管Q10的集電極和基極被連接到晶體管 Q9的基極。晶體管Q9的集電極連接到共模反饋放大器12的輸出9B。 在這個(gè)實(shí)施方式中，連接成二極管的QIO、電阻器R4和電流源I1形 成(-)輸入端的偏置電路，在輸入晶體管Q9的基極上產(chǎn)生偏置電壓 (等于VCC減去I1乘以R4減去晶體管Q10的VBE)。
0047在共模反饋放大器12的第二個(gè)實(shí)施方式中，如虛線99A 所指示的，反饋電阻器R5的右端可從導(dǎo)線9A斷開并直接連接到晶體 管Q10的發(fā)射極，晶體管Q10變成另一個(gè)輸入晶體管。在這種情況下， 輸入晶體管Q10的發(fā)射極為共模增益放大器12的(-)輸入端。上述 共模反饋放大器12的第一個(gè)和第二個(gè)實(shí)施方式的性能基本相同。
0048PNP輸入晶體管Q9的發(fā)射極為共模反饋放大器12的(+ ) 輸入端，并且被連接到共模反饋導(dǎo)線3。晶體管Q9的發(fā)射極還連接到 發(fā)射極跟隨者電阻器R3的一個(gè)端子，電阻器R3的另一端子被連接到 VCC。在上述的第一個(gè)實(shí)施方式中，晶體管Q9的基極是共模反饋放大 器12的反相(-)輸入端。共模電壓放大器12還包括連接成二極管的 PNP晶體管QIO。晶體管Q9的集電極連接到導(dǎo)線9B和由電流源12 表示的負(fù)載器件的一個(gè)端子，電流源I2的另一端子被連接到VEE。晶 體管Q9的基極被連接到PNP晶體管Q10的基極和集電極，晶體管Q10 的發(fā)射極由電阻器R4耦合到VCC。晶體管Q10的基極和集電極由導(dǎo) 線9A連接到反饋電阻器R5的一個(gè)端子和為共模增益放大器12提供
偏置條件的電流源Il的一個(gè)端子，電流源Il的另一端子被連接到VEE。 反饋電阻器R5的另一端子由導(dǎo)線9C連接到電容器C0和Cl各自的一 個(gè)端子，電容器C0的另一端子被連接到有源負(fù)載晶體管Q3的發(fā)射極， 并且電容器C1的另一端子被連接到有源負(fù)載晶體管Q4的發(fā)射極。
0049在操作中，電阻器R0和Rl為有源負(fù)載晶體管Q3和Q4 提供發(fā)射極負(fù)反饋，并且尾電流源I0為第一級4提供偏置。電流源Il、 12和電阻器R3和R4確定共模反饋放大器12的工作點(diǎn)，并且第二級8 的尾電流由電阻器R2或其他適當(dāng)?shù)碾娏髟磥泶_定。電容器C2和C3 提供主運(yùn)算放大器10A的頻率補(bǔ)償。電阻R5和R4的比確定共模反饋 放大器12的增益。電容器C0和Cl是圖4中單一電容器CO的等效實(shí) 施。如圖6所示由于電容器C0和C1插入在反饋環(huán)中，共模反饋放大 器的高頻增益(即l+R5/R4)繼續(xù)提高共模反饋環(huán)的帶寬，但由于在 低頻時(shí)電容器C0和Cl是DC開環(huán)電路，因此共模反饋放大器12的 DC增益更高。這使得第二級和受控電流源的工作點(diǎn)可被獨(dú)立地設(shè)置。 電阻器R4和R5和電容器C0和C1共同確定共模反饋環(huán)的頻率補(bǔ)償量。 當(dāng)提供放大器12的低輸出阻抗和更高的共模反饋環(huán)增益時(shí)，受控有源 負(fù)載晶體管Q3和Q4的發(fā)射極電壓在它們的基極跟蹤導(dǎo)線9B上的共 模反饋控制電壓。注意關(guān)于共模反饋環(huán)的操作，有源負(fù)載晶體管Q3和 Q4的作用就像電壓跟隨器。
0050然而，應(yīng)理解在運(yùn)算放大器10A的實(shí)際實(shí)施方式中有很 多方法可以閉合包圍共模反饋放大器的增益建立反饋環(huán)。
0051反饋電阻器R5的左端不應(yīng)該直接連接到高阻抗的導(dǎo)線 9B，因?yàn)檫@樣會限制放大器電路系統(tǒng)Q9、 R3、 12的增益。替代地， 反饋電阻器Q5的左端可通過電容器CO和Cl耦合到晶體管Q3和Q4 的低發(fā)射極阻抗，晶體管Q3和Q4起到電壓跟隨器緩沖級的作用。這 可防止共模反饋放大器12的增益由于反饋電阻器R5增加其輸出(即 導(dǎo)線9B)的負(fù)荷而被降低。
0052在運(yùn)算放大器IOA的一個(gè)實(shí)施例中，可選的電流鏡18包 括連接成二極管的PNP電壓限制晶體管Qll，晶體管Qll的基極和集 電極被連接到輸入晶體管Q3的發(fā)射極。如果在負(fù)反饋電阻器R0和Rl 兩端出現(xiàn)大的電壓降則這個(gè)實(shí)施例是有利的，使用傳統(tǒng)的AB類輸入
級代替圖6所示的普通輸入級就是這種情況。電壓限制晶體管Qll的 基極和集電極被連接到PNP電流鏡輸出晶體管Q12的基極，晶體管 Q12的集電極被連接到共模反饋導(dǎo)線9B。晶體管Qll和Q12的發(fā)射極 被連接到VCC。相似地，可選的電流鏡19包括連接成二極管的PNP 電壓限制晶體管Q13，晶體管Q13的基極和集電極被連接到輸入晶體 管Q4的發(fā)射極。電壓限制晶體管Q13的基極和集電極被連接到PNP 電流鏡輸出晶體管Q14的基極，晶體管Q14的集電極被連接到共模反 饋導(dǎo)線9B。晶體管Q13和Q14的發(fā)射極被連接到VCC。
0053如果采用AB類輸入級而不使用連接成二極管的晶體管 Qll和Q13，則由AB類輸入級的大峰值輸出電流引起的在負(fù)反饋電阻 器R0和Rl兩端的大電壓擺動會降低第二級中的信號線性并且限制它 的動態(tài)范圍。AB類輸入級可導(dǎo)致流過負(fù)反饋電阻器R0或Rl的峰值 電流比流過輸入級的每個(gè)輸入晶體管的電流峰值量大得多(即大10到 100倍)。(AB類輸入級通常用于需要非常高壓擺率的放大器類型。) 如果采用AB類輸入級而不使用連接成二極管的晶體管Qll和Q12， 那么如果在輸入信號Vin+和Vin-之間存在大的差值則導(dǎo)線9B上的電 壓會是共模反饋環(huán)內(nèi)完全失真的信號。在導(dǎo)線2A和2B上的電壓將跟 蹤導(dǎo)線9B上的非線性的即失真的信號并且將失真的電壓信號施加到 輸入晶體管Q5和Q6的基極。這將損失輸出信號Vout的失真。
0054然而，借助如上述連接的共模反饋放大器12，導(dǎo)線9B上 的電壓可以被很好地控制。共模反饋放大器12抑制并且極大減少通過 導(dǎo)線2A和2B施加于第二級8的輸入端的共模電壓擺動和非線性信號 分量。這導(dǎo)致極大減少放大器輸出信號Vout中的THD。
0055為解決這個(gè)問題，提供連接成二極管的晶體管Qll和Q13 作為分別連接在負(fù)反饋電阻器RO和Rl兩端的電壓限制器，以防止晶 體管Q3和Q4飽和。此外，將晶體管Q12和Q14連同晶體管Q11和 Q13—起連接以形成電流鏡18和19，如圖6所示，當(dāng)從正使用的AB 類輸入級流入到晶體管Q3和Q4中的大的瞬時(shí)電流把連接成二極管的 晶體管Qll和Q13導(dǎo)通時(shí)，電流鏡18和19實(shí)際上為共模反饋環(huán)提供 必要的頻率補(bǔ)償。
0056由于連接成二極管的晶體管Q11和Q13是截止的，因此
大多數(shù)時(shí)間沒有電流流過晶體管Q12或Q14，因?yàn)闆]有足夠的電流流 過使負(fù)反饋電阻器R0和Rl兩端產(chǎn)生足夠大的電壓降來將連接成二極 管的晶體管Q11和Q13導(dǎo)通。然而，當(dāng)放大器10A包括AB類輸入級 并且進(jìn)入轉(zhuǎn)換模式，這使得流過負(fù)反饋電阻器R0的峰值瞬時(shí)電流足夠 大以至于導(dǎo)通連接成二極管的晶體管Qll和Q13。如果沒有電流鏡輸 出晶體管Q12和Q13帶來的好處，那么共模環(huán)就變得不穩(wěn)定并且難以 補(bǔ)償。然而，使用電流鏡18和19就把包含晶體管Q3和Q4的有源負(fù) 載電路轉(zhuǎn)換成一種具有低增益的電流放大器，這種電流放大器更容易 補(bǔ)償。當(dāng)晶體管Qll和Q13導(dǎo)通時(shí)，晶體管Q3和Q4僅被微弱地負(fù) 反饋，并且負(fù)反饋系數(shù)接近晶體管Q11和Q13完全導(dǎo)通時(shí)的一半。負(fù) 反饋系數(shù)是使用負(fù)反饋電阻器設(shè)置的gm與晶體管本身(不帶負(fù)反饋電 阻器)的gm的比率。通常，對于雙極型晶體管實(shí)施方式，負(fù)反饋系數(shù)
可視為由表達(dá)式(VDEGEN/VT) +1給定，其中VoEGEN是負(fù)反饋兩端的
電壓降，而VT等于KT/q (對硅來說是26毫伏)。
0057因此，在導(dǎo)線9B上的瞬時(shí)共模反饋電壓期間，晶體管 Q3和Q4的跨導(dǎo)(其突然變高)和共模反饋放大器12跨導(dǎo)的組合使得 共模反饋環(huán)具有很寬的帶寬。因此需要附加頻率補(bǔ)償，并且附加頻率 補(bǔ)償由PNP電流鏡輸出晶體管Q12和Q14來提供，這使得包括晶體管 Q3和Q4的有源負(fù)載電路系統(tǒng)也起到部分威爾遜電流鏡(在晶體管Qll 和Q13導(dǎo)通時(shí)且電流增益有限)的作用，而不減少它們起到作為輸入 晶體管Q1和Q2的有源負(fù)載電路的作用。就是說，當(dāng)晶體管Q3、 Qll 和Q12以及Q4、 Q13和Q14全部導(dǎo)通時(shí)，它們在共模反饋環(huán)中形成 威爾遜電流鏡，流過導(dǎo)線9B的共模反饋環(huán)輸入電流被施加作為晶體管 Q3和Q4基極的輸入。威爾遜電流鏡的增益是晶體管Q12和Qll的發(fā) 射極面積和晶體管Q14和Q13的發(fā)射極面積的比率。共模反饋環(huán)的帶 寬因此由與晶體管Q9有關(guān)的共模反饋放大器跨導(dǎo)來確定，該共模反饋 放大器跨導(dǎo)由電流鏡增益(即晶體管Ql 1的發(fā)射極面積除以晶體管Q12 的發(fā)射極面積)和電容器C2和C3的電容值放大。
0058本發(fā)明然后通過第一增益級電流鏡18和19允許調(diào)整共模 環(huán)的帶寬，以產(chǎn)生運(yùn)算放大器10A的更快速建立，而不減少在有源負(fù) 載晶體管Q3和Q4中的負(fù)反饋量，并且同時(shí)使用共模反饋保持輸入級4平衡。
0059不同于現(xiàn)有技術(shù)，可對共模反饋環(huán)的帶寬進(jìn)行調(diào)整而不受 有源負(fù)載的負(fù)反饋量的影響。結(jié)果是和典型現(xiàn)有技術(shù)運(yùn)算放大器相比 的Vout的更快建立，如圖5A和5B所示。
0060此外，因?yàn)樯鲜龅睦碛桑景l(fā)明提供所述運(yùn)算放大器的改 善的THD。
0061雖然己說明互補(bǔ)雙極型晶體管實(shí)施方式，但本發(fā)明同樣可 應(yīng)用于CMOS實(shí)施方式。同樣地，雖然所述的實(shí)施例利用運(yùn)算放大器， 但本發(fā)明通?？蓱?yīng)用于其他類型的差分放大器。此外，和本發(fā)明相關(guān) 的領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)理解在不偏離要求保護(hù)的本發(fā)明范圍的情況下可 以對所述示例實(shí)施例做其他各種添加、刪除、替代和修改。
權(quán)利要求
1.一個(gè)放大器，包括包括差分耦合的第一和第二輸入晶體管和受控有源負(fù)載電路的第一級；包括差分耦合的第三和第四輸入晶體管和負(fù)載電路的第二級，所述第一級的第一輸出端被耦合到所述第二級的第一輸入端，所述第一級的第二輸出端被耦合到所述第二級的第二輸入端；和具有被耦合的以便從所述第二級接收共模信號的第一輸入端的共模反饋放大器，所述共模反饋放大器用于在所述受控有源負(fù)載電路的控制輸入端上產(chǎn)生已放大的共模信號，從而提供所述第二級的輸出的快速建立而基本上不增加放大器噪聲。
2. 如權(quán)利要求1所述的放大器，其中所述第一級的所述受控有源負(fù) 載電路包括第一和第二有源負(fù)載晶體管，其各自具有被耦合的以接收所 述已放大的共模信號的控制電極。
3. 如權(quán)利要求2所述的放大器，其中所述第一和第二輸入晶體管是 NPN晶體管，其發(fā)射極被耦合到第一尾電流源并且基極被耦合以分別接 收第一和第二輸入信號，并且其中所述第一和第二有源負(fù)載晶體管是 PNP晶體管，所述第一輸入晶體管的集電極被耦合到所述第一有源負(fù)載 晶體管的集電極，所述第二輸入晶體管的集電極被耦合到所述第二有源 負(fù)載晶體管的集電極，所述第一有源負(fù)載晶體管的發(fā)射極被耦合到第一 負(fù)反饋電阻器和被耦合到第二負(fù)反饋電阻器的所述第二有源負(fù)載晶體管 的發(fā)射極。
4. 如權(quán)利要求2或3所述的放大器，其包括分別耦合到所述第一和 第二有源負(fù)載晶體管的發(fā)射極的第一和第二電壓限制晶體管。
5. 如權(quán)利要求2或3所述的放大器，其中所述第一級包括第一電流 鏡，所述第一電流鏡包括第一連接成二極管的晶體管，其具有被耦合到 所述第一有源負(fù)載晶體管的第一電極和第一電流鏡輸出晶體管的控制電 極的控制電極，所述第一電流鏡輸出晶體管的第二電極被耦合到所述第 一和第二有源負(fù)載晶體管的所述控制電極，并且其中所述第一極還包括 第二電流鏡，所述第二電流鏡包括第二連接成二極管的晶體管，其具有 被耦合到所述第二有源負(fù)載晶體管的第一電極和第二電流鏡輸出晶體管 的控制電極的控制電極，所述第二電流鏡輸出晶體管的第二電極被耦合 到所述第一和第二有源負(fù)載晶體管的所述控制電極，以對所述放大器的 共模反饋環(huán)提供補(bǔ)償。
6. 如權(quán)利要求3所述的放大器，其中所述第三和第四輸入晶體管是 PNP晶體管，并且其中所述第二極的所述負(fù)載電路包括均為NPN晶體管 的第三和第四有源負(fù)載晶體管，所述第三和第四輸入晶體管的發(fā)射極被 耦合到第二尾電流源并且在所述共模反饋放大器的所述輸入端上產(chǎn)生所 述共模信號'，所述第三輸入晶體管的基極被耦合到所述第一輸入晶體管 的所述集電極，所述第四輸入晶體管的基極被耦合到所述第二輸入晶體 管的所述集電極，所述第三輸入晶體管的集電極被耦合到所述第三有源 負(fù)載晶體管的基極和集電極和所述第四有源負(fù)載晶體管的基極，所述第 四有源負(fù)載晶體管的集電極被耦合到所述第四輸入晶體管的集電極，所 述第三和第四有源負(fù)載晶體管的發(fā)射極被耦合到第一電源電壓。
7. —種運(yùn)算放大器，其可工作來減小所述運(yùn)算放大器的輸出建立時(shí) 間而基本不增加運(yùn)算放大器噪聲，所述運(yùn)算放大器包括包括差分耦合的第一和第二輸入晶體管和受控有源負(fù)載電路的第一級；用于將所述第一級產(chǎn)生的差分輸出信號耦合到第二級(8)的差分輸 入端的裝置，所述第二級包括差分耦合的第三和第四輸入晶體管和負(fù)載 電路；禾口用于放大所述第二級的共模信號以在所述受控有源負(fù)載電路的控制輸入端上產(chǎn)生己放大的共模信號的裝置。
8. —種操作運(yùn)算放大器來減少所述運(yùn)算放大器的輸出建立時(shí)間而基 本不增加運(yùn)算放大器噪聲的方法，所述方法包括提供包括差分耦合的第一和第二輸入晶體管和受控有緣負(fù)載電路的 第一級；將由所述第一級產(chǎn)生的差分輸出信號耦合到第二級的差分輸入端， 所述第二級包括差分耦合的第三和第四輸入晶體管和負(fù)載電路；和放大所述第二級的共模信號，以便在所述受控有源負(fù)載電路的控制 輸入端上產(chǎn)生己放大的共模信號。
9. 如權(quán)利要求8所述的方法，其包括在所述差分耦合的第三和第四 輸入晶體管的共同電極上產(chǎn)生所述共模信號。
10. 如權(quán)利要求8或9所述的方法，其包括通過放大電路系統(tǒng)對所 述共模信號進(jìn)行放大，所述放大電路系統(tǒng)包括具有接收所述共模信號的 第一電極的第一晶體管，和耦合到所述受控有源負(fù)載電路中的有源負(fù)載 晶體管的控制電極的控制電極。
11. 如權(quán)利要求8或9所述的方法，其包括操作包含第一連接成二 極管的晶體管和第一電流鏡輸出晶體管的第一電流鏡，以通過響應(yīng)所述 第一負(fù)反饋電阻器兩端的過電壓，導(dǎo)通所述第一連接成二極管的晶體管 而限制被耦合到所述受控有源負(fù)載電路中的第一有源負(fù)載晶體管的第一 電極的第一負(fù)反饋電阻器兩端的電壓降，減少所述已放大的共模信號的 變化，所述第一有源負(fù)載晶體管具有被耦合到所述受控有源負(fù)載電路的 所述控制輸入端的控制電極，所述方法包括響應(yīng)由所述過電壓產(chǎn)生的在 所述第一連接成二極管的晶體管中的電流，在所述第一電流鏡輸出晶體 管中產(chǎn)生鏡像的電流，并且將所述鏡像的電流引入到被耦合到所述受控 有源負(fù)載電路的所述受控輸入端的導(dǎo)線中。
全文摘要
一個(gè)放大器(10)包括第一級(4)，所述第一級包括差分耦合的第一和第二輸入晶體管以及受控有源負(fù)載電路。第二級(8)包括差分耦合的第三和第四輸入晶體管以及負(fù)載電路。所述第一級的第一輸出端(2A)被耦合到所述第二級的第一輸入端，所述第一級的第二輸出端(2B)被耦合到所述第二級的第二輸入端。共模反饋放大器(12)具有被耦合的以便從所述第二級接收共模信號(3)的輸入端，所述共模反饋放大器用于在所述受控有源負(fù)載電路的控制輸入端產(chǎn)生經(jīng)放大的共模信號(9)，從而提供所述第二級的輸出(Vout)的快速建立而基本不增加放大器噪聲。
文檔編號H03F3/45GK101180793SQ200680018043
公開日2008年5月14日 申請日期2006年5月24日 優(yōu)先權(quán)日2005年5月24日
發(fā)明者H·舍提哈迪, S·V·阿勒尼恩 申請人:德克薩斯儀器股份有限公司